JP2012519129A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 最上部から最下部まで温度勾配を有する炉に、Siを含有する予備精製した二元若しくは三元の過共晶合金を移し、その後、100〜200μmの大きさの純粋シリコン結晶を炉内の融液に加え、前記炉内の融液が共晶組成になるまで温度差により結晶を成長させ、それから融液を炉から移し、過共晶状態へとし、その後、融液を炉に戻し、一定量の1〜5mmの大きさのSi結晶が形成されるまでプロセスを繰り返す、又は、融液を直接分離することを特徴とする、1〜5mmの大きさの純粋シリコン結晶の形成、分離及び溶融のための半連続プロセス。
2. 合金が、Al-Si、Zn-Si又はAl-Zn-Si合金であることを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
3. 合金が、Al-Si合金であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のプロセス。
4. 予備精製及び融液を過共晶状態へとすることを、当該方法に使用する炉に連結する第一の炉内で行うことを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
5. 炉内で得られた1〜5mmの大きさのシリコン結晶を含有する融液を、前記融液の共晶温度の少し高めの温度に保った遠心分離機に移し、それから結晶を前記遠心分離機の壁に押しつけ、Siを含有する融液をその中心に残して、前記遠心分離機からデカンテーションすることを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
6. 分離することが、遠心分離又はろ過により達成されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
7. 得られた結晶を再溶融し、太陽電池級シリコン用のインゴットに成形することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
8. 第一の炉と、
   前記第一の炉に接続された第二の炉と、
   を含む、太陽電池級シリコンを製造するための装置であって、
   前記装置は、シリコンを含有する二元若しくは三元の過共晶合金又は精製したシリコン融液を、前記第一の炉で形成し、前記第二の炉に移すことができるように構成され、
   前記第二の炉は、炉の最上部で高い温度及び炉の最下部で低い温度という温度勾配を持つように構成され、かつ、100〜200μmの大きさの純粋シリコン結晶が供給されて、同シリコン結晶を前記融液の中で成長させて大型のシリコン結晶（１〜５ｍｍ）が形成されるように構成され、そして、
   前記装置は、前記第二の炉内の融液が共晶組成に到達した時に、セラミックフィルターを通して、前記第二の炉から前記第一の炉へと融液をポンプで送られるように構成される、太陽電池級シリコンを製造するための装置。