JPH07247108A - ケイ素の精製方法 - Google Patents

ケイ素の精製方法

Info

Publication number
JPH07247108A
JPH07247108A JP7006488A JP648895A JPH07247108A JP H07247108 A JPH07247108 A JP H07247108A JP 7006488 A JP7006488 A JP 7006488A JP 648895 A JP648895 A JP 648895A JP H07247108 A JPH07247108 A JP H07247108A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
temperature
hypereutectic
weight
tin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7006488A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Tabuchi
宏 田渕
Takeshi Miyai
健 宮井
Akihiko Takahashi
明彦 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP7006488A priority Critical patent/JPH07247108A/ja
Publication of JPH07247108A publication Critical patent/JPH07247108A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】太陽電池用の原料として用いることのできる高
純度のケイ素の精製方法を提供する。 【構成】第一段階では、過共晶アルミニウム−ケイ素合
金溶湯を、そのケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)
を超える温度範囲から任意に選ばれた温度から、(共晶
温度)を超えてケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)
未満の温度範囲から任意に選ばれた温度まで冷却して初
晶ケイ素を晶出させて、これを分離して初晶ケイ素を得
る。次いで、第二段階では、第一段階で得た初晶ケイ素
をスズ溶湯に溶解して過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得
て、これを冷却して晶出させて精製ケイ素を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ケイ素の精製方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】結晶系シリコン太陽電池の原料としての
ケイ素は、従来、半導体用の高純度ケイ素が用いられて
きた。半導体用の高純度ケイ素は、純度が99. 999
99999重量%以上であるとされており、その製造コ
ストは高価である。太陽電池として実用上使用可能な純
度は99.999重量%以上とされており、その程度の
純度まで精製することができ、廉価でしかも簡易なケイ
素の精製方法について検討が行われてきた。
【0003】例えば、ケイ素を溶融金属に溶解して得た
過共晶ケイ素合金溶湯を、冷却してケイ素を晶出させる
ことにより高純度化する方法が検討されている。
【0004】特開昭56−22620号公報では、ケイ
素を20〜80重量%含むアルミニウムの溶融金属を冷
却してケイ素を晶出させ、結晶中に残存する溶融金属の
量を低減して、精製されたケイ素を得る方法が開示され
ている。
【0005】特公昭59−13444号公報では、金属
シリコンを液体金属溶媒に溶かした溶液から実質上鉄を
含まないシリコン小板を取り出し、該シリコン小板を溶
融帯域において酸性シリカスラグとの接触下で溶解し、
スラグ酸化によりケイ素中に含まれる残留及び付着不純
物を除去して精製された金属シリコンを製造する方法が
開示されている。
【0006】特開昭50−85517号公報では、溶融
金属としてスズ−鉛合金を使用して精製されたケイ素を
製造する方法が開示されている。又精製されたケイ素中
にはスズ及び鉛が残存するが、電気的に不活性であり、
半導体への用途に対して悪影響を及ぼさないという点が
開示されている。
【0007】特開平2−260521号公報には、ケイ
素中にスズを1015〜1022原子/cm3 (約0.00
002〜20重量%)の範囲で添加させることにより、
スズが含有されたケイ素層が半導体活性層として正常に
働くことが開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これまでの金
属溶媒を用いる精製方法では、得られたケイ素粒子中に
は太陽電池特性に悪影響を及ぼす金属溶媒や不純物が多
く残存し、太陽電池用の原料として用いるには必ずしも
十分な純度であるとは言えなかった。また、太陽電池特
性に悪影響を及ぼさない金属溶媒を用いても精製効率や
生産効率が低く、満足し得る精製はできなかった。本発
明は、太陽電池用の原料として用いることのできる高純
度のケイ素の精製方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】かかる事情に鑑み、本発
明者らはケイ素の精製方法について鋭意検討した結果第
一段階では、精製効率の高い金属を溶媒として用いて初
晶ケイ素を晶出させ、さらに第二段階では、太陽電池特
性に悪影響を及ぼさない溶融スズ中で該初晶ケイ素をケ
イ素の融点以下で溶解し再晶出させることにより、太陽
電池用素子として有害な元素を除去したケイ素が得られ
ることを見出し、更には、効率的にケイ素をスズへ溶解
させ得る方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
【0010】すなわち、本発明は下記のものである。 〔1〕下記の工程を含むことを特徴とするケイ素の精製
方法。 (a)純度が96重量%以上99. 9重量%以下の原料
ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料アルミニウム
を用いてケイ素を15〜65重量%含有する過共晶アル
ミニウム−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (b)該過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を、その
ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範
囲から任意に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えて
ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲
から任意に選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶
出させた後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶アルミニ
ウム−ケイ素合金溶湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
た精製ケイ素を得る工程。
【0011】〔2〕下記の工程を含むことを特徴とする
ケイ素の精製方法。 (a)純度が99.9重量%を超えて99. 999重量
%未満の原料ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料
アルミニウムを用いてケイ素を15〜65重量%含有す
る過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (b)該過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を、その
ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範
囲から任意に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えて
ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲
から任意に選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶
出させた後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶アルミニ
ウム−ケイ素合金溶湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
た精製ケイ素を得る工程。
【0012】〔3〕前記(b)工程が次に記す工程であ
る前記項〔1〕または〔2〕記載のケイ素の精製方法。 (b)該過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を、その
ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)を超えて(液相
線温度+200℃)以下の温度範囲から任意に選ばれる
温度から、(共晶温度)を超えてケイ素含有濃度に応じ
た(液相線温度−10℃)以下の温度範囲から任意に選
ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた後、
晶出した初晶ケイ素を含む過共晶アルミニウム−ケイ素
合金溶湯から初晶ケイ素を分離する工程。
【0013】〔4〕下記の工程を含むことを特徴とする
ケイ素の精製方法。 (a)純度が96重量%以上99. 9重量%以下の原料
ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料銅を用いてケ
イ素を20〜60重量%含有する過共晶銅−ケイ素合金
溶湯を得る工程。 (b)該過共晶銅−ケイ素合金溶湯を、そのケイ素含有
濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範囲から任意
に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えてケイ素含有
濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲から任意に
選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた
後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶銅−ケイ素合金溶
湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
た精製ケイ素を得る工程。
【0014】〔5〕下記の工程を含むことを特徴とする
ケイ素の精製方法。 (a)純度が99.9重量%を超えて99.999重量
%の原料ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料銅を
用いてケイ素を20〜60重量%含有する過共晶銅−ケ
イ素合金溶湯を得る工程。 (b)該過共晶銅−ケイ素合金溶湯を、そのケイ素含有
濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範囲から任意
に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えてケイ素含有
濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲から任意に
選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた
後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶銅−ケイ素合金溶
湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
た精製ケイ素を得る工程。
【0015】〔6〕前記(b)工程が次に記す工程であ
る前記項〔4〕または〔5〕記載のケイ素の精製方法。 (b)該過共晶銅−ケイ素合金溶湯を、そのケイ素含有
濃度に応じた(液相線温度)を超えて(液相線温度+2
00℃)以下の温度範囲から任意に選ばれる温度から、
(共晶温度)を超えてケイ素含有濃度に応じた(液相線
温度−10℃)以下の温度範囲から任意に選ばれる温度
まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた後、晶出した初
晶ケイ素を含む過共晶銅−ケイ素合金溶湯から初晶ケイ
素を分離する工程。
【0016】以下、本発明について詳しく説明する。本
発明の特徴は、まず第一段階では純度の高いケイ素を得
るために、精製効率の高い溶融金属を溶媒として用い
る。第二段階では、第一段階の操作でケイ素中に残存し
ている溶融金属を除去する目的で、太陽電池特性に悪影
響を及ぼさない溶融スズを用いて、ケイ素の融点(14
14℃)以下で再晶出させるという二段階の操作を行う
ことにある。
【0017】第一段階では、先ず、純度が99. 9重量
%以上の金属を通常の方法で溶融して金属溶湯を得る。
次に、該金属溶湯に原料ケイ素を添加して過共晶ケイ素
合金溶湯を得る〔(a)工程〕。
【0018】ここで使用することが可能な金属として
は、アルミニウムまたは銅等が挙げられる。純度が9
9. 9重量%未満の金属を用いた場合、原料ケイ素を十
分な純度まで精製することができない。原料ケイ素をさ
らに高い純度まで精製するための金属の純度は、好まし
くは99. 99重量%以上、より好ましくは99. 99
9重量%以上である〔(a)工程〕。
【0019】過共晶ケイ素合金溶湯が過共晶アルミニウ
ム−ケイ素合金溶湯の場合、ケイ素濃度の範囲は、15
〜65重量%である。15重量%未満では晶出する初晶
ケイ素量が少ないために生産効率が悪く、65重量%を
超えるとケイ素をアルミニウム溶湯中に溶解するために
高温加熱が必要となり、ルツボ材からの汚染の発生や、
経済的な観点から好ましくない。好ましいケイ素濃度の
範囲は、20〜60重量%である。
【0020】過共晶ケイ素合金溶湯が過共晶銅−ケイ素
合金溶湯の場合、ケイ素濃度の範囲は、20〜60重量
%である。20重量%未満では晶出する初晶ケイ素量が
少ないために生産効率が悪く、60重量%を超えるとケ
イ素を銅溶湯中に溶解するために高温加熱が必要とな
り、ルツボ材からの汚染の発生や、経済的な観点から好
ましくない。好ましいケイ素濃度の範囲は、25〜55
重量%である。
【0021】原料ケイ素としては、純度が96重量%以
上99.999重量%未満のものを用いることが必要で
ある。原料ケイ素の純度が96重量%未満では溶媒とし
ての溶融金属の純度が99. 999重量%以上のものを
用いてもそれ以上の精製効果は殆ど期待できない
〔(a)工程〕。
【0022】原料ケイ素の純度が96重量%以上99.
9重量%以下の場合、精製比(精製ケイ素に含まれる不
純物量/原料ケイ素に含まれる不純物量)が小となり、
精製効率が高いという点で好ましい。原料ケイ素の純度
が99.9重量%を越えて、さらに99.999重量%
と上昇するに伴い、精製効率は低下するが得られる精製
ケイ素の純度はより上昇するので、高純度の原料ケイ素
も利用可能である。しかし、原料ケイ素の純度が99.
999重量%以上になると、もはや精製効果は殆ど期待
できない。
【0023】該原料ケイ素を完全に該金属溶湯に溶解さ
せるためには、ケイ素含有濃度に応じた液相線温度を超
える温度で溶解させることが必要である。ここで、液相
線温度を超える温度としては、好ましくはケイ素含有濃
度に応じた(液相線温度)を超えて(液相線温度+20
0℃)までの温度範囲から任意に選ぶことができる
〔(a)工程〕。
【0024】(a)工程で得られた過共晶ケイ素合金溶
湯を冷却して初晶ケイ素を晶出させる。ここで、過共晶
ケイ素合金溶湯をそのケイ素含有濃度に応じた(液相線
温度)を超える温度範囲、好ましくはケイ素含有濃度に
応じた(液相線温度)を超えて(液相線温度+200
℃)までの温度範囲から任意に選ばれた温度から、(共
晶温度)を超えてケイ素含有濃度に応じた(液相線温
度)未満の温度範囲まで、好ましくは(共晶温度)を超
えてケイ素含有濃度に応じた(液相線温度−10℃)ま
での温度範囲から任意に選ばれた温度(以下、冷却下限
温度ということがある)まで冷却することにより初晶ケ
イ素を晶出させことができる〔(b)工程〕。
【0025】液相線温度と冷却下限温度との差が10℃
未満の場合には、晶出する初晶ケイ素量が少ないために
生産効率が悪く、共晶温度以下まで冷却した場合には、
初晶ケイ素と比べて不純物を多く含む共晶が晶出するた
め好ましくない。温度制御の容易さという点から、冷却
下限温度は(共晶温度+5℃)からケイ素含有濃度に応
じた(液相線温度−10℃)までの温度範囲から任意に
選ばれる温度がより好ましい〔(b)工程〕。
【0026】晶出した初晶ケイ素を含む過共晶ケイ素合
金溶湯から初晶ケイ素を分離する方法としては、例え
ば、セラミックフィルタ−等を用いて該合金溶湯を濾過
して初晶ケイ素をフィルタ−上で得る方法が可能であ
る。あるいは、該合金溶湯を遠心分離法により、上澄み
となる溶湯を除去して初晶ケイ素を得る方法も可能であ
る〔(b)工程〕。
【0027】前記(b)工程で得られる初晶ケイ素は、
その表面に、過共晶アルミニウム−ケイ素合金または過
共晶銅−ケイ素合金が1〜10重量%付着している。表
面に付着しているこれらの過共晶ケイ素合金を除去し
て、過共晶ケイ素合金が実質的に付着していない初晶ケ
イ素を得た後に、(c)工程の操作を行なうこともでき
る。
【0028】過共晶ケイ素合金が実質的に付着していな
い初晶ケイ素を得る方法としては、例えば、過共晶ケイ
素合金を化学的に溶解することができ、ケイ素は実質的
に溶解しない溶剤で化学的に溶解する方法を採用するこ
とができる。
【0029】過共晶ケイ素合金が過共晶アルミニウム−
ケイ素合金の場合には、溶剤として塩酸、硫酸、リン
酸、フッ酸等の酸やそれらの水溶液あるいは無水アルコ
ール等を用いることができる。例えば、塩酸を用いる場
合には、その濃度を3〜9規定、温度を80〜100℃
にすれば初晶ケイ素に付着している過共晶ケイ素合金を
数時間以内で溶解、分離、除去することができる。
【0030】過共晶ケイ素合金が過共晶銅−ケイ素合金
の場合には、溶剤として塩酸、硝酸、硫酸およびこれら
の酸の混酸、またはそれらの水溶液を用いることができ
る。
【0031】上記の第一段階では、晶出した初晶ケイ素
中に金属溶媒が残存していて、太陽電池用としては必ず
しも十分な純度のケイ素が得られない。そこで第二段階
として、溶融スズを溶媒として用いることにより、初晶
ケイ素中に残存している金属を除去して太陽電池用に適
した精製されたケイ素を得ることができる。第二段階で
は太陽電池特性に悪影響を及ぼさない、純度が99. 9
9重量%以上、好ましくは99. 999重量%以上の溶
融スズを溶媒として用いることが必要である。
【0032】そこで、純度が99. 99重量%以上のス
ズを通常の方法で溶融してスズ溶湯を得て、該スズ溶湯
に(b)工程で分離して得た初晶ケイ素を溶解して過共
晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る〔(c)工程〕。
【0033】(b)工程で分離して得た初晶ケイ素を上
記スズ溶湯に完全に溶解するためには、スズ溶湯中のケ
イ素含有濃度に応じて、少なくとも液相線温度を超えた
温度で溶解することが必要である。ここで、過共晶スズ
−ケイ素合金溶湯におけるケイ素濃度の範囲は、好まし
くは1〜5重量%、さらに好ましくは1〜3重量%であ
る。1重量%未満では晶出する精製ケイ素量が少ないた
めに生産効率が悪くなるので好ましくなく、また、5重
量%を超えると(b)工程で分離して得た初晶ケイ素を
スズ中に溶解するためには高温加熱が必要となり、ルツ
ボ材からの汚染の発生や省エネルギーの点からも好まし
くない。
【0034】初晶ケイ素のスズ溶湯への溶解について
は、第一段階の(b)工程で得られた初晶ケイ素の表面
に過共晶ケイ素合金が付着した状態の場合の方が溶解が
より容易となる。ケイ素はスズとの比重差が大きいた
め、ケイ素をスズ溶湯に添加するとケイ素がスズ溶湯の
表面に浮上し、酸化膜を形成しやすいので、スズと濡れ
にくく、溶解するのに時間を要する。そこで、過共晶ケ
イ素合金が初晶ケイ素の表面に付着している場合には、
初晶ケイ素の酸化を防止し、スズと濡れやすくなり、溶
解が容易となる。過共晶ケイ素合金が初晶ケイ素の表面
に付着している場合は、付着していない場合に比して、
第二段階において得られる精製ケイ素中に第一段階で用
いた金属溶湯の金属が数ppm程度残留することがある
が、実用上は支障がない。
【0035】初晶ケイ素の表面への過共晶ケイ素合金の
付着量は1〜10重量%である。付着量が10重量%を
超えると、第二段階の精製において初晶ケイ素中に残存
している金属を十分に除去することは難しい。また、1
重量%未満では、付着している過共晶ケイ素合金が少な
いので、スズ溶湯への溶解には時間を要する。
【0036】(c)工程で得られた過共晶スズ−ケイ素
合金溶湯を冷却して晶出した精製ケイ素を取り出す
〔(d)工程〕。過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却す
る場合、スズ溶湯中のケイ素含有濃度に応じた(液相線
温度)を超える温度範囲、好ましくは(液相線温度)を
超えて(液相線温度+200℃)までの温度範囲から任
意に選ばれた温度から、(共晶温度)を超える温度範
囲、好ましくは(共晶温度)を超えてケイ素含有濃度に
応じた(液相線温度−10℃)までの温度範囲から任意
に選ばれた温度(以下、冷却下限温度ということがあ
る)まで冷却する〔(d)工程〕。
【0037】過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶
出した精製ケイ素を取り出す方法としては、具体的に
は、例えば、該合金溶湯を凝固させ、得られた鋳塊を化
学溶解法により処理してスズを除去し、精製ケイ素を得
る方法が採用できる〔(d)工程〕。
【0038】また、該合金溶湯を冷却下限温度まで冷却
してからセラミックフィルタ−等を用いて濾過すること
により、過共晶スズ−ケイ素合金が表面に付着した初晶
ケイ素を取り出し、これを化学溶解により処理して過共
晶スズ−ケイ素合金を除去し、精製ケイ素を得る方法も
採用できる〔(d)工程〕。
【0039】さらに、該合金溶湯を冷却下限温度まで冷
却し、溶湯表面に浮上した初晶ケイ素を取り出し(ケイ
素はスズと比べて比重が小さいために、ケイ素は浮上す
る)、初晶ケイ素の表面に付着した過共晶スズ−ケイ素
合金を化学溶解により処理して除去し、精製ケイ素を得
る方法も可能である〔(d)工程〕。
【0040】ここで、化学的に溶解処理するために使用
する薬品としては、過共晶スズ−ケイ素合金は溶解する
がケイ素は実質的に溶解しないものを選択する必要があ
る。例えば、塩酸、硝酸等の酸あるいはそれらの水溶液
を使用することができる。ここで、塩酸を用いる場合
は、その濃度を3〜9規定、温度を80〜100℃にす
れば過共晶スズ−ケイ素合金を数時間以内で溶解、除去
することができる〔(d)工程〕。
【0041】本発明においては、第二段階の溶融金属と
してスズを用いるので、スズが精製ケイ素中に残存する
が、スズは太陽電池特性に悪影響を及ぼさない。また、
ここで得られた精製ケイ素は、スズを除く不純物の量が
0.001重量%未満である(純度99.999重量%
以上)ため、電池用としてその品質には影響しない。
【0042】
【実施例】以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。なお、不純物の測定は
ICP発光分析装置(セイコ−電子工業株式会社製、S
TS1200−VR型)で行った。
【0043】実施例1 純度99. 999重量%のアルミニウム1000gをグ
ラファイト製るつぼに入れ、1000℃で溶解し、0.
5重量%アルミニウム、0. 5重量%カルシウム、0.
15重量%鉄を含有する原料ケイ素429gを添加して
過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯(ケイ素濃度は3
0重量%)を作製した。該合金溶湯を降温速度30℃/
時間で700℃まで冷却し、初晶ケイ素を晶出させた。
次いで、セラミックフィルタ−(フォセコ・ジャパン・
リミテッド製、SIVEX5・5・10A)を用いて該
合金溶湯を700℃で濾過し、室温まで放冷してセラミ
ックフィルタ−上に過共晶アルミニウム−ケイ素合金が
付着した初晶ケイ素99gを得た。該初晶ケイ素に付着
した過共晶アルミニウム−ケイ素合金を6規定塩酸で溶
解除去して初晶ケイ素96. 5gを得た。アルミニウム
を30重量%含有するアルミニウム−ケイ素合金の液相
線温度は、825℃、共温度は577℃である。
【0044】純度99. 999重量%のスズ360gを
グラファイト製るつぼに入れ、1200℃で溶解し、上
記の初晶ケイ素96. 5gのうち11. 1gを添加し
た。該初晶ケイ素は2時間で溶解し、過共晶スズ−ケイ
素合金溶湯(ケイ素濃度は3重量%)を得た。該合金溶
湯を降温速度が60℃/時間で室温まで冷却し、過共晶
スズ−ケイ素合金鋳塊を得た。該合金鋳塊から過共晶ス
ズ−ケイ素合金成分を6規定塩酸で溶解除去して精製ケ
イ素8. 6gを得た。得られた精製ケイ素は、太陽電池
用素子原料として使用可能なものであった。該精製ケイ
素の不純物分析結果を表1に示す。表1には記されてい
ないが、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、ジル
コニウム及びその他の不純物元素はそれぞれ1ppm以
下であり、該精製ケイ素の純度は99.999重量%以
上(スズを除く)であることがわかった。
【0045】実施例2 純度99. 999重量%のアルミニウム1000gをグ
ラファイト製るつぼに入れ、1000℃で溶解し、0.
5重量%アルミニウム、0. 5重量%カルシウム、0.
15重量%鉄を含有する原料ケイ素429gを添加して
過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯(ケイ素濃度は3
0重量%)を作製した。該合金溶湯を降温速度30℃/
時間で700℃まで冷却し、初晶ケイ素を晶出させた。
次いで、セラミックフィルタ−(フォセコ・ジャパン・
リミテッド製、SIVEX5・5・10A)を用いて該
合金溶湯を700℃で濾過し、室温まで放冷してセラミ
ックフィルタ−上に過共晶アルミニウム−ケイ素合金が
付着した初晶ケイ素99gを得た。
【0046】ここで、初晶ケイ素に付着した過共晶アル
ミニウム−ケイ素合金の量を調査するため、過共晶アル
ミニウム−ケイ素合金が付着した初晶ケイ素99gのう
ち10gを6規定塩酸に入れ、過共晶アルミニウム−ケ
イ素合金成分を除去した初晶ケイ素9. 75gを得た。
その結果、初晶ケイ素に付着した過共晶アルミニウム−
ケイ素合金の量は、2. 5重量%であった。純度99.
999重量%のスズ360gをグラファイト製るつぼに
入れ、1200℃で溶解し、上記の過共晶アルミニウム
−ケイ素合金が付着した初晶ケイ素99gのうち11.
4gを添加した。
【0047】該初晶ケイ素は10分間で溶解し、過共晶
スズ−ケイ素合金溶湯(ケイ素濃度は3重量%)を得
た。該合金溶湯を降温速度が60℃/時間で室温まで冷
却し、過共晶スズ−ケイ素合金鋳塊を得た。該合金鋳塊
から過共晶スズ−ケイ素合金成分を6規定塩酸で溶解除
去して精製ケイ素9. 0gを得た。得られた精製ケイ素
は、太陽電池用素子原料として使用可能なものであっ
た。該精製ケイ素の不純物分析結果を表1に示す。表1
には記されていないが、チタン、バナジウム、クロム、
マンガン、ジルコニウム及びその他の不純物元素はそれ
ぞれ1ppm以下であり、該精製ケイ素の純度は99.
999重量%以上(スズを除く)であることがわかっ
た。
【0048】比較例1 純度99. 999重量%のアルミニウム1000gをグ
ラファイト製るつぼに入れ、1000℃で溶解し、0.
5重量%アルミニウム、0. 5重量%カルシウム、0.
15重量%鉄を含有する原料ケイ素429gを添加して
過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯(ケイ素濃度は3
0重量%)を作製した。該合金溶湯を降温速度30℃/
時間で700℃まで冷却し、初晶ケイ素を晶出させた。
次いで、セラミックフィルタ−(フォセコ・ジャパン・
リミテッド製、SIVEX5・5・10A)を用いて該
合金溶湯を700℃で濾過し、室温まで放冷してセラミ
ックフィルタ−上に過共晶アルミニウム合金が付着した
初晶ケイ素99gを得た。初晶ケイ素に付着した過共晶
アルミニウム−ケイ素合金を6規定塩酸で溶解除去して
初晶ケイ素96. 5gを得た。該初晶ケイ素の不純物分
析結果を表1に示す。
【0049】比較例2 純度99. 999重量%のスズ360gをグラファイト
製るつぼに入れ、1200℃で溶解し、0. 5重量%ア
ルミニウム、0. 5重量%カルシウム、0. 15重量%
鉄を含有する原料ケイ素11. 1gを添加した。該原料
ケイ素は2時間で溶解し、過共晶スズ−ケイ素合金溶湯
(ケイ素濃度は3重量%)を得た。該合金溶湯を降温速
度60℃/時間で室温まで冷却し、過共晶スズ−ケイ素
合金鋳塊を得た。該鋳塊から過共晶スズ−ケイ素合金成
分を6規定塩酸で溶解除去して初晶ケイ素7. 0gを得
た。該初晶ケイ素中の不純物の分析結果を表1に示す。
表1には記されていないが、チタンは2ppm、バナジ
ウムは2ppm、クロムは1ppm、マンガンは1pp
m、ジルコニウムは1ppm及びその他の不純物元素は
それぞれ1ppm以下であった。該精製ケイ素の純度
は、スズを除いても99.999重量%以下であること
がわかった。
【0050】
【表1】 (単位:ppm、ただし*は重量%)
【0051】
【発明の効果】本発明による方法では、第一段階で精製
効率の高い溶融金属(アルミニウムまたは銅等)を溶媒
として用いて純度の高いケイ素を得、第二段階では第一
段階の操作で初晶ケイ素中に残存している太陽電池用素
子として有害な溶融金属を除去することを目的に溶融ス
ズを溶媒として用いるという二段階の操作を行うことに
より、太陽電池用素子原料として有害な不純物が除去さ
れた高品質の精製ケイ素を容易に得ることができ、産業
上極めて有用なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 31/04

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記の工程を含むことを特徴とするケイ素
    の精製方法。 (a)純度が96重量%以上99. 9重量%以下の原料
    ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料アルミニウム
    を用いてケイ素を15〜65重量%含有する過共晶アル
    ミニウム−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (b)該過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を、その
    ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範
    囲から任意に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えて
    ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲
    から任意に選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶
    出させた後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶アルミニ
    ウム−ケイ素合金溶湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
    られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
    て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
    た精製ケイ素を得る工程。
  2. 【請求項2】下記の工程を含むことを特徴とするケイ素
    の精製方法。 (a)純度が99.9重量%を超えて99. 999重量
    %未満の原料ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料
    アルミニウムを用いてケイ素を15〜65重量%含有す
    る過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (b)該過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を、その
    ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範
    囲から任意に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えて
    ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲
    から任意に選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶
    出させた後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶アルミニ
    ウム−ケイ素合金溶湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
    られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
    て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
    た精製ケイ素を得る工程。
  3. 【請求項3】前記(b)工程が次に記す工程である請求
    項1または2記載のケイ素の精製方法。 (b)該過共晶アルミニウム−ケイ素合金溶湯を、その
    ケイ素含有濃度に応じた(液相線温度)を超えて(液相
    線温度+200℃)以下の温度範囲から任意に選ばれる
    温度から、(共晶温度)を超えてケイ素含有濃度に応じ
    た(液相線温度−10℃)以下の温度範囲から任意に選
    ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた後、
    晶出した初晶ケイ素を含む過共晶アルミニウム−ケイ素
    合金溶湯から初晶ケイ素を分離する工程。
  4. 【請求項4】下記の工程を含むことを特徴とするケイ素
    の精製方法。 (a)純度が96重量%以上99. 9重量%以下の原料
    ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料銅を用いてケ
    イ素を20〜60重量%含有する過共晶銅−ケイ素合金
    溶湯を得る工程。 (b)該過共晶銅−ケイ素合金溶湯を、そのケイ素含有
    濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範囲から任意
    に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えてケイ素含有
    濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲から任意に
    選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた
    後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶銅−ケイ素合金溶
    湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
    られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
    て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
    た精製ケイ素を得る工程。
  5. 【請求項5】下記の工程を含むことを特徴とするケイ素
    の精製方法。 (a)純度が99.9重量%を超えて99.999重量
    %の原料ケイ素と純度が99.9重量%以上の原料銅を
    用いてケイ素を20〜60重量%含有する過共晶銅−ケ
    イ素合金溶湯を得る工程。 (b)該過共晶銅−ケイ素合金溶湯を、そのケイ素含有
    濃度に応じた(液相線温度)を超える温度範囲から任意
    に選ばれる温度から、(共晶温度)を超えてケイ素含有
    濃度に応じた(液相線温度)未満の温度範囲から任意に
    選ばれる温度まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた
    後、晶出した初晶ケイ素を含む過共晶銅−ケイ素合金溶
    湯から初晶ケイ素を分離する工程。 (c)純度が99. 99重量%以上のスズを溶融して得
    られたスズ溶湯に(b)工程で得た初晶ケイ素を溶解し
    て過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を得る工程。 (d)該過共晶スズ−ケイ素合金溶湯を冷却して晶出し
    た精製ケイ素を得る工程。
  6. 【請求項6】前記(b)工程が次に記す工程である請求
    項4または5記載のケイ素の精製方法。 (b)該過共晶銅−ケイ素合金溶湯を、そのケイ素含有
    濃度に応じた(液相線温度)を超えて(液相線温度+2
    00℃)以下の温度範囲から任意に選ばれる温度から、
    (共晶温度)を超えてケイ素含有濃度に応じた(液相線
    温度−10℃)以下の温度範囲から任意に選ばれる温度
    まで、冷却して初晶ケイ素を晶出させた後、晶出した初
    晶ケイ素を含む過共晶銅−ケイ素合金溶湯から初晶ケイ
    素を分離する工程。
JP7006488A 1994-01-21 1995-01-19 ケイ素の精製方法 Pending JPH07247108A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7006488A JPH07247108A (ja) 1994-01-21 1995-01-19 ケイ素の精製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6-5477 1994-01-21
JP547794 1994-01-21
JP7006488A JPH07247108A (ja) 1994-01-21 1995-01-19 ケイ素の精製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07247108A true JPH07247108A (ja) 1995-09-26

Family

ID=26339427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7006488A Pending JPH07247108A (ja) 1994-01-21 1995-01-19 ケイ素の精製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07247108A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010540392A (ja) * 2007-10-03 2010-12-24 6エヌ シリコン インコーポレイテッド シリコン結晶を得るためのシリコン粉末の処理方法
WO2017047798A1 (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 国立大学法人京都大学 純度が向上したシリコンの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010540392A (ja) * 2007-10-03 2010-12-24 6エヌ シリコン インコーポレイテッド シリコン結晶を得るためのシリコン粉末の処理方法
US8801855B2 (en) 2007-10-03 2014-08-12 Silicor Materials Inc. Method for processing silicon powder to obtain silicon crystals
WO2017047798A1 (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 国立大学法人京都大学 純度が向上したシリコンの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5903474B2 (ja) カスケードプロセスを利用してシリコンを精製する方法
US4312850A (en) Semicontinuous process for the manufacture of pure silicon
CN101855391B (zh) 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法
US4362560A (en) Process for producing high-purity gallium
EP3368477A1 (en) Method for the enrichment and separation of silicon crystals from a molten metal for the purification of silicon
US3069240A (en) Method of obtaining pure silicon by fractional crystallization
JPS5912731B2 (ja) アルミニウム又はアルミニウム合金の精製法
JP2002293528A (ja) 太陽電池用シリコンの製造方法
JP7123834B2 (ja) 不純物除去方法
JPH07247108A (ja) ケイ素の精製方法
TWI488807B (zh) 添加鹼金屬鎂鹵化物至溶劑金屬
US4308245A (en) Method of purifying metallurgical-grade silicon
JP2004300571A (ja) アルミニウム精製用原料およびアルミニウムの精製方法、高純度アルミニウム材、電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法および電解コンデンサ電極用アルミニウム材
TWI542544B (zh) 純化矽之方法
JP3784331B2 (ja) 金を含有するガリウムの精製方法、及び金を含有するガリウムからの金の採取方法
US2381291A (en) Process for producing beryllium
JP5133547B2 (ja) ガリウムの精製方法
JP3292060B2 (ja) 金属スカンジウムの脱酸素方法
JPS5913444B2 (ja) 精製された金属シリコン製造方法
JP5856714B2 (ja) シリコンを精製する方法
JP2002173718A (ja) アルミニウム処理方法
JP2000104128A (ja) アルミニウムの精製方法および得られたアルミニウムの用途
JP2007270308A (ja) アンチモン及びその精製方法
JPH0885833A (ja) 希土類金属の精製方法
JP3784332B2 (ja) ガリウムの精製方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees