JP2012517714A - ウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法 - Google Patents
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Abstract
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
【選択図】図1
Description
所定の電解液を収容し、第1電極部及び第2電極部を備えてこれらの間に電場を印加することによって、前記第1電極部に置かれているウエハの欠陥部位にイオンを吸着させるデコレーション装置と、
所定の電解液を収容し、第1電極及び第2電極と、該第1電極と第2電極との間に印加される電場により所定のイオンを電解液に供給するソースプレートと、を備えるイオン抽出装置と、
前記デコレーション装置の電解液が排出されて前記イオン抽出装置に供給されるようにし、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにすることによって電解液を循環させる循環装置と、を含む。
供給管350は、一端が排出管330に連結され、他端がデコレーション装置100の流入口104に連結されて、排出管330を流動する電解液がポンピング装置340によりポンピングされてデコレーションハウジング102内に供給されるようにする。調節弁351は、供給管350を開閉して電解液の供給を制御する。
Claims (24)
- 所定の電解液を収容し、第1電極部及び第2電極部を備えてこれらの間に電場を印加することによって、前記第1電極部に置かれているウエハの欠陥部位にイオン吸着がなされるようにするデコレーション装置と、
所定の電解液を収容し、第1電極及び第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に印加される電場により所定のイオンを電解液に供給するソースプレートと、を備えるイオン抽出装置と、
前記デコレーション装置の電解液が排出されて前記イオン抽出装置に供給されるようにし、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにすることによって電解液を循環させる循環装置と、
を含むウエハ欠陥分析装置。 - 所定の電解液を収容し、第1電極部及び第2電極部を備えてそれらの間に電場を印加することによって、前記第1電極部に置かれているウエハの欠陥部位にイオン吸着がなされるようにするデコレーション装置と、
所定の電解液を収容し、第1電極及び第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に印加される電場により所定のイオンを電解液に供給するソースプレートと、を備えるイオン抽出装置と、
前記デコレーション装置の電解液が排出されて前記イオン抽出装置に供給されるようにし、前記イオン抽出装置の一側と他側をそれぞれ連結して前記イオン抽出装置の電解液が循環されるようにし、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにすることによって電解液を二重に循環させる二重循環装置と、
を含むウエハ欠陥分析装置。 - 前記デコレーション装置は、
電解液に含まれているイオンの活動性を高めるように前記電解液に熱を加える少なくとも一つのヒーターを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記イオン抽出装置は、
前記第1電極の上端の全部または一部を覆うように設けられる絶縁部材を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記ソースプレートは、
前記第2電極をなす電極棒に、互いに所定の間隔離れて固定され、互いに異なる大きさを有する複数個のサブプレートを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記複数個のサブプレートのうち少なくとも一つのサブプレートに形成されて、前記サブプレートが前記電解液に露出される表面積を増大させる複数個の孔部を含むことを特徴とする、請求項5に記載のウエハ欠陥分析装置。
- 前記複数個のサブプレートのうちの少なくとも一つのサブプレートに形成されて、前記サブプレートが前記電解液に露出される表面積を増大させる複数個のしわ部を含むことを特徴とする、請求項5に記載のウエハ欠陥分析装置。
- 前記循環装置は、
前記デコレーション装置と前記イオン抽出装置とを連結し、前記デコレーション装置の電解液が排出されて前記イオン抽出装置に供給されるようにするドレンユニットと、
前記イオン抽出装置と前記デコレーション装置とを連結し、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液を前記デコレーション装置に供給する供給ユニットと、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記二重循環装置は、
前記デコレーション装置と前記イオン抽出装置とを連結し、前記デコレーション装置の電解液が排出されて前記イオン抽出装置に供給されるようにするドレンユニットと、
前記イオン抽出装置の一側と前記デコレーション装置とを連結し、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液を前記デコレーション装置に供給する供給ユニットと、
前記供給ユニットと前記イオン抽出装置の他側とを連結し、電解液が前記イオン抽出装置の一側から排出されて前記イオン抽出装置の他側に供給されるようにする循環ユニットと、
を含むことを特徴とする、請求項2に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記ドレンユニットは、
前記デコレーション装置の一側に設けられる流出口と前記イオン抽出装置の一側に設けられる供給口とを連結して、前記デコレーション装置の電解液が前記イオン抽出装置に流動するように設けられたドレン管と、
前記ドレン管に設置されて、前記ドレン管を流動する電解液の流れを制御するドレン弁と、
を含むことを特徴とする、請求項8または9に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記ドレンユニットは、
前記ドレン管に設けられて、前記ドレン管を流動する電解液の異物をフィルタリングするドレンフィルタをさらに含むことを特徴とする、請求項10に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記供給ユニットは、
前記イオン抽出装置の一側に設けられる排出口に連結されて、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液が排出されて流動するように設けられた排出管と、
前記排出管に設置されて、前記排出管を流動する電解液の流動を制御する排出弁と、
一端が前記排出管に連結され、他端が、前記デコレーション装置の一側に設けられる流入口に連結されて、前記排出管を流動する電解液が前記デコレーション装置に流動するように設けられる供給管と、
前記供給管に設置されて、前記供給管を流動する電解液の流動を制御する調節弁と、
前記排出管及び前記供給管のうちのいずれか一方に設置されて、前記イオン抽出装置から排出された電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにするポンピング装置と、
含むことを特徴とする、請求項8に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記供給ユニットは、
前記イオン抽出装置に設けられる排出口に連結されて、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液が排出されて流動するように設けられる排出管と、
前記排出管に設置されて、前記排出管を流動する電解液の流動を制御する排出弁と、
一端が前記排出管に連結され、他端が、前記デコレーション装置の一側に設けられる流入口に連結されて、前記排出管を流動する電解液が前記デコレーション装置へ流動するように設けられる供給管と、
前記供給管に設置されて、前記供給管を流動する電解液の流れを制御する調節弁と、
前記排出管及び前記供給管のうちのいずれか一方に設置されて、前記イオン抽出装置から排出された電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにするポンピング装置と、
を含み、
前記循環ユニットは、
一端が前記排出管に連結され、他端が、前記イオン抽出装置の他側に設けられる循環口に連結されて、前記イオン抽出装置の電解液が循環されるようにする循環管と、
前記循環管に設置されて、前記循環管を流動する電解液の流動を制御する循環弁と、
を含むことを特徴とする、請求項9に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記供給ユニットは、
前記排出管及び前記供給管のうちの少なくとも一つに設置されて、流動する電解液の異物をフィルタリングする循環フィルタをさらに含むことを特徴とする、請求項12または13に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記イオン抽出装置は、
前記ソースプレートから電解液に供給されるイオンの活動性を高めるように、前記電解液に所定のエネルギーを伝達するエネルギー伝達手段をさらに含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記ソースプレートは、複数個の孔部を持つ少なくとも一つのサブプレートを含み、
前記エネルギー伝達手段は、前記イオン抽出装置に収容されている電解液にバブルが発生するように所定のガスを前記電解液に供給するバブル発生ユニットを含むことを特徴とする、請求項15に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記バブル発生ユニットは、
ガス供給部と、
前記第2電極をなす電極棒の内部に設けられるガス流路部と、
前記ガス供給部と前記ガス流路部とを連結するガス管と、
前記電極棒に形成されて、前記ガス流路部を流動するガスが電解液に噴射されるようにするノズル部と、
を含むことを特徴とする、請求項16に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記エネルギー伝達手段は、
前記イオン抽出装置に収容されている電解液を掻き回すことによってイオンの活動性を高めるスターリングユニットを含むことを特徴とする、請求項15に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記エネルギー伝達手段は、
前記イオン抽出装置に少なくとも一つが設けられて、該イオン抽出装置の内部の電解液に超音波を伝達することでイオンの活動性を高める超音波ユニットを含むことを特徴とする、請求項15に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 前記エネルギー伝達手段は、
前記イオン抽出装置に少なくとも一つが設けられて、該イオン抽出装置の内部の電解液に熱を伝達して温度を高めることによってイオンの活動性を高めるヒーティングユニットを含むことを特徴とする、請求項15に記載のウエハ欠陥分析装置。 - 所定の電解液を収容し、第1電極部及び第2電極部を備えてそれらの間に電場を印加することによって、前記第1電極部に置かれているウエハの欠陥部位にイオン吸着がなされるようにするデコレーション装置に電解液を供給するイオン抽出装置であって、
所定の電解液を収容するハウジングと、
前記ハウジングの底に設けられる電極板と、
前記電極板の上端の全部または一部を覆う絶縁部材と、
前記ハウジングの上端に固定され、前記電極板と対向するように設けられる電極棒と、
前記電極棒に固定され、前記電極板と前記電極棒との間に印加される電場により所定のイオンを電解液に供給するソースプレートと、
前記ソースプレートから電解液に供給されるイオンの活動性を高めるように前記電解液に所定のエネルギーを伝達するエネルギー伝達手段と、
を含むイオン抽出装置。 - イオン抽出装置に電圧を印加して、ソースプレートから電解液にイオンが抽出されるようにする段階と、
デコレーション装置に電圧を印加してウエハの欠陥部位にイオンが吸着されるようにする段階と、
前記デコレーション装置から前記イオン抽出装置に電解液を排出し、前記イオン抽出装置の電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにして、電解液が循環されるようにする段階と、
を含むウエハ欠陥分析方法。 - イオン抽出装置に電圧を印加して、ソースプレートから電解液へとイオンを抽出する段階と、
デコレーション装置に電圧を印加して、ウエハの欠陥部位にイオンを吸着させる段階と、
前記デコレーション装置から前記イオン抽出装置に電解液が排出されるようにし、前記イオン抽出装置の一側から排出された電解液が、前記イオン抽出装置の他側に供給されるようにして電解液を循環させ、前記イオン抽出装置でイオン抽出の完了した電解液が前記デコレーション装置に供給されるようにして電解液を二重に循環させる段階と、
を含むウエハ欠陥分析方法。 - 前記イオン抽出段階は、
前記ソースプレートから電解液に供給されるイオンの活動性を高めるように前記電解液に所定のエネルギーを伝達する段階を含むことを特徴とする、請求項22または23に記載のウエハ欠陥分析方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0012853 | 2009-02-17 | ||
KR1020090012853A KR100928666B1 (ko) | 2009-02-17 | 2009-02-17 | 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법 |
PCT/KR2010/000973 WO2010095847A2 (ko) | 2009-02-17 | 2010-02-17 | 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012517714A true JP2012517714A (ja) | 2012-08-02 |
Family
ID=41605464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550068A Pending JP2012517714A (ja) | 2009-02-17 | 2010-02-17 | ウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110290646A1 (ja) |
JP (1) | JP2012517714A (ja) |
KR (1) | KR100928666B1 (ja) |
SG (1) | SG173728A1 (ja) |
WO (1) | WO2010095847A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2009
- 2009-02-17 KR KR1020090012853A patent/KR100928666B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-02-17 SG SG2011059144A patent/SG173728A1/en unknown
- 2010-02-17 WO PCT/KR2010/000973 patent/WO2010095847A2/ko active Application Filing
- 2010-02-17 US US13/148,254 patent/US20110290646A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010095847A3 (ko) | 2010-12-09 |
US20110290646A1 (en) | 2011-12-01 |
WO2010095847A2 (ko) | 2010-08-26 |
KR100928666B1 (ko) | 2009-11-27 |
SG173728A1 (en) | 2011-09-29 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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