JPH07321173A - 半導体ウェーハの内部欠陥測定装置 - Google Patents
半導体ウェーハの内部欠陥測定装置Info
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- JPH07321173A JPH07321173A JP13647594A JP13647594A JPH07321173A JP H07321173 A JPH07321173 A JP H07321173A JP 13647594 A JP13647594 A JP 13647594A JP 13647594 A JP13647594 A JP 13647594A JP H07321173 A JPH07321173 A JP H07321173A
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- electrolytic solution
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハのライフタイム測定を迅速にかつ高
精度で行う。測定の自動化を可能とする。 【構成】 電解液中でウェーハＷを保持する容器１１を
縦型として、ウェーハを略鉛直に保持した状態でライフ
タイム測定を行う。レーザ光は水平方向に照射され、ウ
ェーハ内部の少数キャリアを励起する。マイクロ波も同
様に水平方向に放射されて、少数キャリアの再結合ライ
フタイムを測定する。容器１１内の電解液はリザーバタ
ンク１６と常に連通、循環可能に構成しておく。電解液
の濃度は常に一定に保持される。ウェーハの容器１１へ
の出し入れはその上端開口より行う。
精度で行う。測定の自動化を可能とする。 【構成】 電解液中でウェーハＷを保持する容器１１を
縦型として、ウェーハを略鉛直に保持した状態でライフ
タイム測定を行う。レーザ光は水平方向に照射され、ウ
ェーハ内部の少数キャリアを励起する。マイクロ波も同
様に水平方向に放射されて、少数キャリアの再結合ライ
フタイムを測定する。容器１１内の電解液はリザーバタ
ンク１６と常に連通、循環可能に構成しておく。電解液
の濃度は常に一定に保持される。ウェーハの容器１１へ
の出し入れはその上端開口より行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェーハの内
部欠陥測定装置、特にヨウ素エタノール溶液で被覆した
半導体ウェーハの少数キャリアの再結合ライフタイムを
測定する装置に関する。
部欠陥測定装置、特にヨウ素エタノール溶液で被覆した
半導体ウェーハの少数キャリアの再結合ライフタイムを
測定する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、内部欠陥を安定にかつ正確に測定
するため、ウェーハ上に熱酸化膜を形成していた。最
近、電解液、例えばヨウ素エタノール溶液にウェーハを
浸漬してライフタイムを測定するようになってきた。こ
のような従来のライフタイム測定装置としては、以下の
ものが知られていた。このものは、ヨウ素エタノール溶
液を満たし、この中に半導体ウェーハが投入される試料
容器を備え、この試料容器は水平な試料台上に搭載され
ていた。試料容器は底の浅い平皿状であって、その上面
は開放されている。キャリア励起用のレーザ光、およ
び、キャリアの減衰過程を測定するためのマイクロ波
は、この試料台上に搭載された試料容器内の試料ウェー
ハに対して鉛直方向から照射される。そして、試料容器
内では、試料としての半導体ウェーハは略水平な状態に
保持されている。
するため、ウェーハ上に熱酸化膜を形成していた。最
近、電解液、例えばヨウ素エタノール溶液にウェーハを
浸漬してライフタイムを測定するようになってきた。こ
のような従来のライフタイム測定装置としては、以下の
ものが知られていた。このものは、ヨウ素エタノール溶
液を満たし、この中に半導体ウェーハが投入される試料
容器を備え、この試料容器は水平な試料台上に搭載され
ていた。試料容器は底の浅い平皿状であって、その上面
は開放されている。キャリア励起用のレーザ光、およ
び、キャリアの減衰過程を測定するためのマイクロ波
は、この試料台上に搭載された試料容器内の試料ウェー
ハに対して鉛直方向から照射される。そして、試料容器
内では、試料としての半導体ウェーハは略水平な状態に
保持されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように電解液を用
いる従来のライフタイム測定装置では、電解槽（試料容
器）が皿型であるため、半導体ウェーハのこの容器への
挿入、取り出しが困難である。このため、複数枚のウェ
ーハに対して連続して自動測定を行うことはできなかっ
た。また、電解液によってパッシベーションされたウェ
ーハのライフタイムは、電解液の濃度によって変化して
しまう。このため、安定してライフタイム測定を行うに
は、この電解液の濃度を一定に保つ必要がある。ところ
が、皿型の電解槽ではその開口面積が大きく、電解液の
蒸発速度が速い。この結果、電解液の量と、濃度の変化
とが大きいので、複数枚のウェーハの正確な連続測定は
困難であった。
いる従来のライフタイム測定装置では、電解槽（試料容
器）が皿型であるため、半導体ウェーハのこの容器への
挿入、取り出しが困難である。このため、複数枚のウェ
ーハに対して連続して自動測定を行うことはできなかっ
た。また、電解液によってパッシベーションされたウェ
ーハのライフタイムは、電解液の濃度によって変化して
しまう。このため、安定してライフタイム測定を行うに
は、この電解液の濃度を一定に保つ必要がある。ところ
が、皿型の電解槽ではその開口面積が大きく、電解液の
蒸発速度が速い。この結果、電解液の量と、濃度の変化
とが大きいので、複数枚のウェーハの正確な連続測定は
困難であった。
【０００４】本発明は、電解液を注入した試料容器を縦
型とし、半導体ウェーハを鉛直状態に保持することによ
り、ウェーハの容器への出し入れを容易とし、かつ、電
解液の蒸発面積を小さくして、その蒸発を抑え、電解液
の量および濃度を常に一定に保つことにより、正確なラ
イフタイムの自動連続測定を可能とするものである。
型とし、半導体ウェーハを鉛直状態に保持することによ
り、ウェーハの容器への出し入れを容易とし、かつ、電
解液の蒸発面積を小さくして、その蒸発を抑え、電解液
の量および濃度を常に一定に保つことにより、正確なラ
イフタイムの自動連続測定を可能とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、半導体ウェーハ内部に励起させた少数キャリアの減
衰過程を検出することにより半導体ウェーハの内部欠陥
を測定する半導体ウェーハの内部欠陥測定装置におい
て、上記半導体ウェーハを電解液中で略鉛直に保持する
容器と、鉛直に保持された半導体ウェーハに励起エネル
ギを付与する励起手段と、励起された少数キャリアの減
衰過程を検出する検出手段と、を備えた半導体ウェーハ
の内部欠陥測定装置である。
は、半導体ウェーハ内部に励起させた少数キャリアの減
衰過程を検出することにより半導体ウェーハの内部欠陥
を測定する半導体ウェーハの内部欠陥測定装置におい
て、上記半導体ウェーハを電解液中で略鉛直に保持する
容器と、鉛直に保持された半導体ウェーハに励起エネル
ギを付与する励起手段と、励起された少数キャリアの減
衰過程を検出する検出手段と、を備えた半導体ウェーハ
の内部欠陥測定装置である。
【０００６】請求項２に記載した発明は、半導体ウェー
ハ内部に励起させた少数キャリアの減衰過程を検出する
ことにより半導体ウェーハの内部欠陥を測定する半導体
ウェーハの内部欠陥測定装置において、上記半導体ウェ
ーハを電解液中で保持する容器と、この容器内の電解液
を一定濃度に保持する濃度保持手段と、この容器内に保
持された半導体ウェーハに励起エネルギを付与する励起
手段と、励起された少数キャリアの減衰過程を検出する
検出手段と、を備えた半導体ウェーハの内部欠陥測定装
置である。
ハ内部に励起させた少数キャリアの減衰過程を検出する
ことにより半導体ウェーハの内部欠陥を測定する半導体
ウェーハの内部欠陥測定装置において、上記半導体ウェ
ーハを電解液中で保持する容器と、この容器内の電解液
を一定濃度に保持する濃度保持手段と、この容器内に保
持された半導体ウェーハに励起エネルギを付与する励起
手段と、励起された少数キャリアの減衰過程を検出する
検出手段と、を備えた半導体ウェーハの内部欠陥測定装
置である。
【０００７】請求項３に記載した発明は、半導体ウェー
ハ内部に励起させた少数キャリアの減衰過程を検出する
ことにより半導体ウェーハの内部欠陥を測定する半導体
ウェーハの内部欠陥測定装置において、上記半導体ウェ
ーハを電解液中で略鉛直に保持する容器と、この容器内
の電解液を一定濃度に保持する濃度保持手段と、容器内
に略鉛直に保持された半導体ウェーハに励起エネルギを
付与する励起手段と、励起された少数キャリアの減衰過
程を検出する検出手段と、を備えた半導体ウェーハの内
部欠陥測定装置である。
ハ内部に励起させた少数キャリアの減衰過程を検出する
ことにより半導体ウェーハの内部欠陥を測定する半導体
ウェーハの内部欠陥測定装置において、上記半導体ウェ
ーハを電解液中で略鉛直に保持する容器と、この容器内
の電解液を一定濃度に保持する濃度保持手段と、容器内
に略鉛直に保持された半導体ウェーハに励起エネルギを
付与する励起手段と、励起された少数キャリアの減衰過
程を検出する検出手段と、を備えた半導体ウェーハの内
部欠陥測定装置である。
【０００８】請求項４に記載の発明は、上記濃度保持手
段は、上記容器にリザーバから電解液を循環して供給す
ることにより、容器内の電解液の濃度を一定に保持する
請求項２または請求項３に記載の半導体ウェーハの内部
欠陥測定装置である。
段は、上記容器にリザーバから電解液を循環して供給す
ることにより、容器内の電解液の濃度を一定に保持する
請求項２または請求項３に記載の半導体ウェーハの内部
欠陥測定装置である。
【０００９】請求項５に記載した発明は、上記励起手段
はレーザ光を照射するレーザ光照射部材を有する請求項
１〜請求項４のいずれかに記載の半導体ウェーハの内部
欠陥測定装置である。
はレーザ光を照射するレーザ光照射部材を有する請求項
１〜請求項４のいずれかに記載の半導体ウェーハの内部
欠陥測定装置である。
【００１０】請求項６に記載の発明は、上記検出手段
は、マイクロ波を照射するマイクロ波照射部材を含む請
求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体ウェーハの
内部欠陥測定装置である。
は、マイクロ波を照射するマイクロ波照射部材を含む請
求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体ウェーハの
内部欠陥測定装置である。
【００１１】
【作用】請求項１に記載した発明では、半導体ウェーハ
を電解液中で略鉛直状態に保持おく。この鉛直に保持さ
れた半導体ウェーハに励起エネルギを付与し、半導体ウ
ェーハ内部に少数キャリアを励起させる。そして、この
半導体ウェーハ内部に励起させた少数キャリアの減衰過
程を検出する（ライフタイムを測定する）ことにより、
半導体ウェーハの内部欠陥を測定する。
を電解液中で略鉛直状態に保持おく。この鉛直に保持さ
れた半導体ウェーハに励起エネルギを付与し、半導体ウ
ェーハ内部に少数キャリアを励起させる。そして、この
半導体ウェーハ内部に励起させた少数キャリアの減衰過
程を検出する（ライフタイムを測定する）ことにより、
半導体ウェーハの内部欠陥を測定する。
【００１２】請求項２に記載した発明では、半導体ウェ
ーハを電解液中で保持し、保持された半導体ウェーハに
励起エネルギを付与する。そして、励起された少数キャ
リアの減衰過程を検出することにより、半導体ウェーハ
の内部欠陥を測定する。ここで、容器内の電解液を一定
濃度に保持しておく。したがって、正確なライフタイム
測定を安定して行うことができる。
ーハを電解液中で保持し、保持された半導体ウェーハに
励起エネルギを付与する。そして、励起された少数キャ
リアの減衰過程を検出することにより、半導体ウェーハ
の内部欠陥を測定する。ここで、容器内の電解液を一定
濃度に保持しておく。したがって、正確なライフタイム
測定を安定して行うことができる。
【００１３】請求項３に記載した発明では、一定濃度に
保持した電解液中に、半導体ウェーハを略鉛直状態に保
持しておく。この状態で例えばライフタイム測定を行う
ため、測定を迅速かつ正確に行うことができる。多量の
半導体ウェーハを連続して測定する際に好適なものであ
る。
保持した電解液中に、半導体ウェーハを略鉛直状態に保
持しておく。この状態で例えばライフタイム測定を行う
ため、測定を迅速かつ正確に行うことができる。多量の
半導体ウェーハを連続して測定する際に好適なものであ
る。
【００１４】請求項４に記載の発明では、容器内の電解
液とリザーバの電解液を循環させる。よって、容器内の
電解液の濃度および量を常に一定に保持することができ
る。
液とリザーバの電解液を循環させる。よって、容器内の
電解液の濃度および量を常に一定に保持することができ
る。
【００１５】請求項５に記載した発明では、レーザ光を
照射することにより、半導体ウェーハの内部に少数キャ
リアを励起する。
照射することにより、半導体ウェーハの内部に少数キャ
リアを励起する。
【００１６】請求項６に記載の発明では、少数キャリア
が励起された半導体ウェーハに対してマイクロ波を照射
することにより、ライフタイム測定を行う。
が励起された半導体ウェーハに対してマイクロ波を照射
することにより、ライフタイム測定を行う。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る半導体ウ
ェーハのライフタイム測定装置の一実施例を説明する。
図１〜図３は本発明の一実施例を説明するものである。
ェーハのライフタイム測定装置の一実施例を説明する。
図１〜図３は本発明の一実施例を説明するものである。
【００１８】これらの図において、１１は半導体ウェー
ハＷを略鉛直に保持するための容器であり、例えば透明
なプラスチック等で形成されている。この容器１１は細
長い矩形開口を上面に有する薄いブック形状の角筒型の
中空容器であって、挿入するウェーハＷの口径に合わせ
てその内壁にはウェーハＷを鉛直に保持するためのウェ
ーハ保持溝１２が形成されている。この縦型の容器１１
は裏面に突設した取付部１３によって試料台１４に取り
付けられる。試料台１４はＸ−Ｙローダ１５により鉛直
面内で互いに直交するＸ（水平），Ｙ（垂直）両方向に
移動可能に構成されている。容器１１の上端開口は、ウ
ェーハＷの厚さより広く形成され、ピンセット、アーム
等でウェーハＷの挿入、取り出しが容易にできるように
構成されている。
ハＷを略鉛直に保持するための容器であり、例えば透明
なプラスチック等で形成されている。この容器１１は細
長い矩形開口を上面に有する薄いブック形状の角筒型の
中空容器であって、挿入するウェーハＷの口径に合わせ
てその内壁にはウェーハＷを鉛直に保持するためのウェ
ーハ保持溝１２が形成されている。この縦型の容器１１
は裏面に突設した取付部１３によって試料台１４に取り
付けられる。試料台１４はＸ−Ｙローダ１５により鉛直
面内で互いに直交するＸ（水平），Ｙ（垂直）両方向に
移動可能に構成されている。容器１１の上端開口は、ウ
ェーハＷの厚さより広く形成され、ピンセット、アーム
等でウェーハＷの挿入、取り出しが容易にできるように
構成されている。
【００１９】容器１１内には電解液、例えばヨウ素エタ
ノール溶液が満たされており、その容器１１の上部およ
び底部は電解液のリザーバタンク１６に２本のチューブ
１７，１８でそれぞれ連通されている。すなわち、電解
液は容器１１内部とリザーバタンク１６内とを２本のチ
ューブ１７，１８により循環可能に構成されている。チ
ューブ１８の途中にはモータ１９が介装されており、電
解液の循環を制御している。
ノール溶液が満たされており、その容器１１の上部およ
び底部は電解液のリザーバタンク１６に２本のチューブ
１７，１８でそれぞれ連通されている。すなわち、電解
液は容器１１内部とリザーバタンク１６内とを２本のチ
ューブ１７，１８により循環可能に構成されている。チ
ューブ１８の途中にはモータ１９が介装されており、電
解液の循環を制御している。
【００２０】このように縦型に構成された容器１１に対
して測定系、すなわちレーザ光照射部材およびマイクロ
波照射部材は、図３に示すように、容器１１側面すなわ
ち半導体ウェーハＷの表面に対して垂直にレーザ光およ
びマイクロ波を照射可能に配設されている。レーザ発振
器２１は試料台１４に保持された容器１１側面に対して
水平方向に所定間隔離間して配設されている。また、マ
イクロ波の導波管２２も同様に容器１１側面から水平方
向に所定間隔離間して配設されている。そして、この容
器１１の上方には図２に示すように半導体ウェーハＷの
搬送系２３が配設されている。搬送系２３は例えばウェ
ーハを吸着保持する吸着ピンセットまたはアームと、吸
着ピンセットを容器１１とウェーハカセットとの間で往
復動させることができる往復動機構と、を備えて構成さ
れている。
して測定系、すなわちレーザ光照射部材およびマイクロ
波照射部材は、図３に示すように、容器１１側面すなわ
ち半導体ウェーハＷの表面に対して垂直にレーザ光およ
びマイクロ波を照射可能に配設されている。レーザ発振
器２１は試料台１４に保持された容器１１側面に対して
水平方向に所定間隔離間して配設されている。また、マ
イクロ波の導波管２２も同様に容器１１側面から水平方
向に所定間隔離間して配設されている。そして、この容
器１１の上方には図２に示すように半導体ウェーハＷの
搬送系２３が配設されている。搬送系２３は例えばウェ
ーハを吸着保持する吸着ピンセットまたはアームと、吸
着ピンセットを容器１１とウェーハカセットとの間で往
復動させることができる往復動機構と、を備えて構成さ
れている。
【００２１】以上の構成によれば、ウェーハカセットの
設置場所から搬送系２３を介してウェーハＷを１枚ずつ
容器１１内に投入し、これを測定系にあって、まず、レ
ーザ光を照射して少数キャリアを励起する。この励起さ
れた少数キャリア（電子）の再結合までの時間をマイク
ロ波の照射により測定する。この結果、正確に、かつ、
安定した状態でウェーハＷのライフタイムを測定するこ
とができる。１枚のウェーハＷについて、Ｘ−Ｙローダ
１５により容器１１をＸ−Ｙ方向に駆動して測定を繰り
返すことにより、ウェーハＷ表面のライフタイム測定の
マップを得ることができる。測定が終了すれば、ピンセ
ットで容器１１からウェーハＷを取り出し、次のウェー
ハと交換する。
設置場所から搬送系２３を介してウェーハＷを１枚ずつ
容器１１内に投入し、これを測定系にあって、まず、レ
ーザ光を照射して少数キャリアを励起する。この励起さ
れた少数キャリア（電子）の再結合までの時間をマイク
ロ波の照射により測定する。この結果、正確に、かつ、
安定した状態でウェーハＷのライフタイムを測定するこ
とができる。１枚のウェーハＷについて、Ｘ−Ｙローダ
１５により容器１１をＸ−Ｙ方向に駆動して測定を繰り
返すことにより、ウェーハＷ表面のライフタイム測定の
マップを得ることができる。測定が終了すれば、ピンセ
ットで容器１１からウェーハＷを取り出し、次のウェー
ハと交換する。
【００２２】なお、電解液のリザーバタンク１６と容器
１１とはチューブ１７，１８で連通されているため、容
器１１中の電解液の上限は、リザーバタンク１６中の電
解液の上限で決定される。ウェーハＷの出し入れによっ
ては、この液の水位が変化しないように構成されてい
る。すなわち、リザーバタンク１６の容積は容器のそれ
に比べ十分に大きい。電解液はモータ１９により循環
し、常に濃度が一定に保たれている。濃度を一定に保つ
ことにより、測定の精度が向上する。
１１とはチューブ１７，１８で連通されているため、容
器１１中の電解液の上限は、リザーバタンク１６中の電
解液の上限で決定される。ウェーハＷの出し入れによっ
ては、この液の水位が変化しないように構成されてい
る。すなわち、リザーバタンク１６の容積は容器のそれ
に比べ十分に大きい。電解液はモータ１９により循環
し、常に濃度が一定に保たれている。濃度を一定に保つ
ことにより、測定の精度が向上する。
【００２３】以下、電解質（ヨウ素エタノール溶液）の
蒸発量の比較について説明する。内側の直径が１５０ｍ
ｍの円形の皿型の容器（従来）にヨウ素エタノール１０
０ｃｃを入れて放置した場合。１時間で２０ｃｃまで溶
液が減少した。これに対して、内側の直径が１５０ｍ
ｍ、幅８ｍｍ（内容積１４０ｃｃ）の円形の縦型の容器
（本発明の１１）に、ヨウ素エタノール溶液を１００ｃ
ｃ入れて放置したところ、１時間で９４ｃｃとなった。
蒸発量の比較について説明する。内側の直径が１５０ｍ
ｍの円形の皿型の容器（従来）にヨウ素エタノール１０
０ｃｃを入れて放置した場合。１時間で２０ｃｃまで溶
液が減少した。これに対して、内側の直径が１５０ｍ
ｍ、幅８ｍｍ（内容積１４０ｃｃ）の円形の縦型の容器
（本発明の１１）に、ヨウ素エタノール溶液を１００ｃ
ｃ入れて放置したところ、１時間で９４ｃｃとなった。
【００２４】また、ライフタイム測定時間の比較は以下
の通りである。１０枚のシリコンウェーハ（Ｐ−タイ
プ，１０Ω・ｃｍ，面方位（１００），６インチ）のラ
イフタイム測定を、ヨウ素エタノール溶液を用いて、そ
れぞれ、マニュアルと自動搬送とで行った。５ｍｍピッ
チで５７０点についてマップを採ると、１枚当り１０分
かかる。マニュアルでは、１０枚測定するのに、２時間
５分掛かった。これに対し、自動搬送では、１時間５２
分掛かった。ここで、マニュアルでは、測定中にウェー
ハを交換するため、その場を長時間離れることができな
い。これに対し、自動搬送では、初め、１０枚のウェー
ハをウェーハカセットにセットしておけば、後は、測定
が終るまで、作業の必要はない。よって、ライフタイム
測定の作業効率が飛躍的に向上する。なお、励起手段、
検出手段としては、上記レーザ発振器２１、マイクロ波
導波管２２に限られることはない。
の通りである。１０枚のシリコンウェーハ（Ｐ−タイ
プ，１０Ω・ｃｍ，面方位（１００），６インチ）のラ
イフタイム測定を、ヨウ素エタノール溶液を用いて、そ
れぞれ、マニュアルと自動搬送とで行った。５ｍｍピッ
チで５７０点についてマップを採ると、１枚当り１０分
かかる。マニュアルでは、１０枚測定するのに、２時間
５分掛かった。これに対し、自動搬送では、１時間５２
分掛かった。ここで、マニュアルでは、測定中にウェー
ハを交換するため、その場を長時間離れることができな
い。これに対し、自動搬送では、初め、１０枚のウェー
ハをウェーハカセットにセットしておけば、後は、測定
が終るまで、作業の必要はない。よって、ライフタイム
測定の作業効率が飛躍的に向上する。なお、励起手段、
検出手段としては、上記レーザ発振器２１、マイクロ波
導波管２２に限られることはない。
【００２５】
【発明の効果】本発明では、ウェーハの電解槽への挿
入、取り出しが容易になる。また、縦型の電解槽では、
電解液の蒸発を抑制することができる。よって、電解液
の量とその濃度の変化を非常に小さくすることができ
る。これらのことから、複数のウェーハの連続自動測定
が可能となる。ライフタイム測定のための作業効率が飛
躍的に向上する。
入、取り出しが容易になる。また、縦型の電解槽では、
電解液の蒸発を抑制することができる。よって、電解液
の量とその濃度の変化を非常に小さくすることができ
る。これらのことから、複数のウェーハの連続自動測定
が可能となる。ライフタイム測定のための作業効率が飛
躍的に向上する。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハのライ
フタイム測定装置の概略構成を示す図である。
フタイム測定装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハのライ
フタイム測定装置の搬送系の概略構成を示す正面図であ
る。
フタイム測定装置の搬送系の概略構成を示す正面図であ
る。
【図３】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハのライ
フタイム測定装置の測定系の概略構成を示す正面図であ
る。
フタイム測定装置の測定系の概略構成を示す正面図であ
る。
Ｗ 半導体ウェーハ １１ 容器 １６ リザーバタンク（濃度保持手段） １７，１８ チューブ（濃度保持手段） １９ モータ（濃度保持手段） ２１，２２ 測定系（励起手段，検出手段）
フロントページの続き (72)発明者 龍田 次郎 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ内部に励起させた少数キ
ャリアの減衰過程を検出することにより半導体ウェーハ
の内部欠陥を測定する半導体ウェーハの内部欠陥測定装
置において、 上記半導体ウェーハを電解液中で略鉛直に保持する容器
と、 鉛直に保持された半導体ウェーハに励起エネルギを付与
する励起手段と、 励起された少数キャリアの減衰過程を検出する検出手段
と、を備えた半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。 - 【請求項２】 半導体ウェーハ内部に励起させた少数キ
ャリアの減衰過程を検出することにより半導体ウェーハ
の内部欠陥を測定する半導体ウェーハの内部欠陥測定装
置において、 上記半導体ウェーハを電解液中で保持する容器と、 この容器内の電解液を一定濃度に保持する濃度保持手段
と、 この容器内に保持された半導体ウェーハに励起エネルギ
を付与する励起手段と、 励起された少数キャリアの減衰過程を検出する検出手段
と、を備えた半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。 - 【請求項３】 半導体ウェーハ内部に励起させた少数キ
ャリアの減衰過程を検出することにより半導体ウェーハ
の内部欠陥を測定する半導体ウェーハの内部欠陥測定装
置において、 上記半導体ウェーハを電解液中で略鉛直に保持する容器
と、 この容器内の電解液を一定濃度に保持する濃度保持手段
と、 容器内に略鉛直に保持された半導体ウェーハに励起エネ
ルギを付与する励起手段と、 励起された少数キャリアの減衰過程を検出する検出手段
と、を備えた半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。 - 【請求項４】 上記濃度保持手段は、上記容器にリザー
バから電解液を循環して供給することにより、容器内の
電解液の濃度を一定に保持する請求項２または請求項３
に記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。 - 【請求項５】 上記励起手段はレーザ光を照射するレー
ザ光照射部材を有する請求項１〜請求項４のいずれかに
記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。 - 【請求項６】 上記検出手段は、マイクロ波を照射する
マイクロ波照射部材を含む請求項１〜請求項４のいずれ
かに記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13647594A JPH07321173A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体ウェーハの内部欠陥測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13647594A JPH07321173A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体ウェーハの内部欠陥測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321173A true JPH07321173A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=15176001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13647594A Pending JPH07321173A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体ウェーハの内部欠陥測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386688B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-02 | 주식회사 실트론 | 단결정 실리콘 웨이퍼 검사 방법 |
| KR100928666B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2009-11-27 | 주식회사 한스머신 | 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법 |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP13647594A patent/JPH07321173A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386688B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2003-06-02 | 주식회사 실트론 | 단결정 실리콘 웨이퍼 검사 방법 |
| KR100928666B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2009-11-27 | 주식회사 한스머신 | 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법 |
| WO2010095847A3 (ko) * | 2009-02-17 | 2010-12-09 | 주식회사 한스머신 | 웨이퍼 결함 분석장치 및 이에 이용되는 이온추출장치와 이를 이용한 웨이퍼 결함 분석방법 |
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| A02 | Decision of refusal |
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