JP2005126753A - 不溶性陽極を使用する錫めっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 めっき対象物を陰極18として不溶性陽極19を使用する錫めっき方法において、主めっき槽11の他に、水素イオンは通し錫イオンは通し難い隔膜12で区分された陽極室13及び陰極室14を有し、しかも陽極室13には溶解性錫陽極20を備え、陰極室14は金属イオンを実質含まないベース酸で満たされた副反応槽15を設け、主めっき槽11と陽極室13の間にめっき液の循環回路を形成し、主めっき槽11の反応により起こる錫イオン濃度の減少を補償する。
【選択図】 図1
Description
従って、例えば、特許文献2に記載のように、外部より錫イオンを補給する必要が生じ、錫化合物を高濃度に溶解した補給液で補給される。
本発明は、不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、錫めっき浴の濃度を一定に維持管理するための簡便で経済的な不溶性陽極を使用する錫めっき方法を提供することを目的とする。
前記主めっき槽と前記陽極室の間にめっき液の循環回路を形成し、前記主めっき槽の反応により起こる錫イオン濃度の減少を補償している。
電気回路的には、主めっき槽と副反応槽を直列に繋いでもよいが、主めっき槽におけるめっき効率と、副反応槽における錫の溶解効率は僅少の範囲で異なるので、それぞれ独立に調製できる電源を設けて、錫イオン濃度を制御してもよい。
これによって、副反応槽の陽極室では錫が溶けて錫イオンが発生し、副反応槽の陰極室では水素ガスが発生する。そして、陽極室と陰極室は前記した隔膜で仕切られているので、隔膜を透過する水素イオン量に対して数%レベルの錫イオンが透過することがある。透過した錫イオンはステンレス製の陰極上に析出するため、定期的(例えば、1週間に1度位)に清掃する必要がある。
また、主めっき槽でめっき処理によって、錫イオンが減少し水素イオンが増加すると、主めっき槽と副反応槽の陽極室は、循環回路を介して連結されているので、主めっき槽のめっき液が副反応槽の陽極室に移動し、結果としてめっき処理によって増加した水素イオンが主めっき槽から副反応槽の陽極室に移動する。この陽極室で増加しようとする水素イオンは、隔膜を通じて陰極室に移動し、陰極で電子を貰って水素ガスとなる。一方、陽極室で増加した錫イオンは主めっき槽に送られ、減少した錫イオンを補う。
そして、単位主めっき槽の電気量の合計と、単位副反応槽の電気量の合計とを実質的に合致させているので、めっき液から減少する錫イオンと、めっき液中に溶け込む錫イオンの量が一致し、錫イオンの濃度バランスを保つことができる。
そして、錫のめっき効率と錫の溶解効率は僅少の範囲で異なるので、主めっき槽の電流と副反応槽の電流が同一であっても、時間の経過と共に錫イオンと水素イオンのバランスが崩れる(通常は徐々に水素イオンが増加する傾向にある)。
従って、本発明は、不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、増加又は減少するイオン種を、極めて簡便で経済性に優れた方法で一定値に保つ方法を提供するものであり、品質の安定、操業の安定、補給薬剤費の大幅な減少を可能とするものである。
また、単位主めっき槽の電気量の合計と、単位副反応槽の電気量の合計とを実質的に合致させているので、めっき液から減少する錫イオンと、めっき液中に溶け込む錫イオンの量が一致し、錫イオンの濃度バランスを保つことができる。
なお、不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、2以上の単位副反応槽を有する場合、それぞれの単位副反応槽の陽極室を流れるめっき液が直列であっても並列であってもよい。
ここに、図1は本発明の第1の実施の形態に係る不溶性陽極を使用する錫めっき方法を適用する錫めっき浴装置の概略説明図、図2は同方法の作用効果を示す説明図であり、(A)は比較例に係る不溶性陽極を使用する錫めっき方法における主めっき槽のイオン濃度変化を示す説明図、(B)は同実施の形態に係る不溶性陽極を使用する錫めっき方法を適用した場合の主めっき槽におけるイオン濃度変化を示す説明図、図3は本発明の第2の実施の形態に係る不溶性陽極を使用する錫めっき方法を適用した錫めっき浴装置の概略説明図である。
なお、本実施の形態では、主めっき槽11は1つだが、目標とする付着量に応じて、主めっき槽数を複数個とし、それぞれを単位主めっき槽としてもよい。
陽極室13には、主めっき槽11に使用される錫めっき液がめっき液循環タンク17より供給され、溶解性錫陽極の一例であるチタン籠内に収納されている金属錫ボール20が陽極溶解され、2価の錫イオン濃度が上昇した状態でめっき液循環タンク17に戻される。
陰極室14には、2価の錫イオン(即ち、金属イオン)を実質含まないベース酸単独液がベース酸循環タンク(貯留槽の一例)16より供給される。
イオン交換膜を透過してきた水素イオンは、陰極室14内に設置されている陰極(SUS又はTi等)表面にて水素ガス発生反応に消費され、結果として錫めっき浴中の遊離酸濃度の減少に役立つことになる。
なお、図1において、21、22は直流電源であって、この実施の形態では別々に設けられているが、一つの電源によって構成し、主めっき槽11と副反応槽15を直列に接続してもよい。この場合は、主めっき槽11と副反応槽15の電流が完全に一致する。
即ち、主めっき槽11側にて減少する2価の錫イオンと増加する遊離酸の比率は流される電気量に応じた特定の値を示す。隔膜12として性能のよいイオン交換膜を使用した場合であっても、副反応槽15にて、その比率と全く同じ比率で2価の錫イオンを増加させ、遊離酸(即ち、水素イオン)を減少させるのはかなり難しい内容を含んでいる(即ち、イオン交換膜を含む隔膜の特性、液の流速の相違、温度条件等によって変わる)。
イオン交換膜を実際に使用すると、低電流密度(例えば、3A/dm2 )では、めっき液中の遊離酸が減少する速度が相対的に速く、高電流密度(例えば、5A/dm2 )では、めっき液中の2価の錫イオンの増加速度が相対的に速くなる。実際に使用するイオン交換膜のこれらの値を事前に把握し、主めっき槽11に対応する比率でのイオン濃度を調整するには、複数個の単位副反応槽を用意し、それぞれイオン交換膜に対する電流密度を異なったものとする。異なった比率(△Sn2+/ △H+ )で増減する反応槽の組合せで主めっき槽11に対応するイオン濃度変化を起こさせる方法を採用することで完璧な濃度コントロールが可能となる。
第2の実施の形態に係る不溶性陽極を使用する錫めっき方法は、このような目的のために成されたものである。
第1、第2の単位副反応槽25、26はそれぞれ隔膜の一例であるイオン交換膜27、27aで仕切られる陽極室28、29と陰極室30、31を有している。陽極室28、29には多数の金属性錫ボールをチタン製籠に入れた陽極32、33が、陰極室30、31にはステンレス製の陰極34、35がそれぞれ設けられている。
一方、陰極室30、31は、それぞれ独立のベース酸循環回路によって貯留槽の一例であるベース酸循環タンク37に連結され、常時、陰極室30、31のベース酸が一定の濃度を保つようになっている。
一方、第1、第2の単位副反応槽25、26のイオン交換膜27、27aは同一素材のイオン交換膜からなっている。なお、図中、符号39、40は、個々の電源を示す。
(実施例1)
電子部品電極部材を製造するため、板厚0.1mm、幅35mmの鉄基材連続帯状物を所定形状に打ち抜き、アルカリ洗浄−電解洗浄−酸活性−青化銅めっき−硫酸銅めっき−ニッケルめっき−錫めっき、の一貫工程ラインに通板し、銅(全面)5ミクロン+ニッケル(全面)0.2ミクロン+錫(部分めっき)6ミクロンのめっきを行った。
その際、錫めっき液としては、メタンスルフォン酸150g/l、2価の錫イオン60g/l、適量の添加剤を含む錫めっき液をめっき液循環タンクに1000リットル建浴し、不溶性陽極を内蔵する部分めっき装置(主めっき槽)に循環した。部分めっき装置は、めっき必要部位のみ開孔したゴムマスクを有し、このゴムを鉄基材表面に押当て、開孔部より鉄基材表面にめっき液を噴流し、通電(めっき)後、噴流を止め、マスクを離し、基材が搬送される仕組みになっている。長期連続運転を行えば、不溶性陽極を使用しているため、めっき液中の2価錫イオンは減少し、遊離酸が増加してくることとなる。
対極となる陰極室には、ベース酸循環タンクより、50g/lのメタンスルフォン酸液が循環され、設置されたSUS陰極表面にて水素発生反応が起こっている。
副反応槽が存在しない場合、イオン濃度は図2(A)に示すようにめっき時間の経過と共に、錫イオン濃度は減少し、遊離酸濃度が増加するが、副反応槽を使用することにより両方のイオン濃度を一定に保ち、安定した品質の製品を得ることができる。
実施例1の作業を1ヶ月間続けたところ、2価錫イオン濃度はほぼ一定値をキープできたが、遊離酸が5g/l増加する変化がみられた。このような変化を修正し元に戻すため、図3に示すように、2個の単位副反応槽を準備した。2個の単位副反応槽には同じような液循環を行い、イオン交換膜に対する電流密度を片方は3A/dm2 、もう片方は2A/dm2 となるよう条件設定し通電した。但し、両単位副反応槽の運転時間は、両槽とも6割(例えば、10分間のうち6分のみ通電し、4分間はオフ時間とする)とし、トータル通電量としては3A/dm2 の連続通電と同等の電気量になるように設定した。結果を図2(B)に示す。
このように2A/dm2 の通電時間を採用することにより、遊離酸の減少比率が高まり、遊離酸の増加を押さえ込むことが可能となった。
また、主めっき槽の水素イオンの濃度をチェックしながら、それぞれ条件が予め設定された複数の単位副反応槽の通電時間と通電量を制御して、主めっき槽の水素イオンを一定範囲に保つ場合も本発明の権利範囲に含まれる。
Claims (4)
- めっき対象物を陰極として不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、主めっき槽の他に、水素イオンは通し錫イオンは通し難い隔膜で区分された陽極室及び陰極室を有し、しかも前記陽極室には溶解性錫陽極を備え、前記陰極室は金属イオンを実質含まないベース酸で満たされた副反応槽を設け、
前記主めっき槽と前記陽極室の間にめっき液の循環回路を形成し、前記主めっき槽の反応により起こる錫イオン濃度の減少を補償することを特徴とする不溶性陽極を使用する錫めっき方法。 - 請求項1記載の不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、新たにベース酸を貯留する貯留槽を設け、該貯留槽と前記陰極室とをベース酸循環回路で連結して、前記陰極室のベース酸の濃度を一定範囲に保持することを特徴とする不溶性陽極を使用する錫めっき方法。
- 請求項1及び2のいずれか1項に記載の不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、前記主めっき槽は1又は2以上の単位主めっき槽からなって、前記副反応槽は1又は2以上の単位副反応槽からなって、前記単位主めっき槽の電気量の合計と、前記単位副反応槽の電気量の合計とを実質的に合致させることを特徴とする不溶性陽極を使用する錫めっき方法。
- 請求項3記載の不溶性陽極を使用する錫めっき方法において、前記単位副反応槽は2以上あって、それぞれの前記単位副反応槽は電流密度によって水素イオンの通過度合いがそれぞれ異なるイオン交換膜からなる前記隔膜を備え、前記各単位副反応槽に流す電流密度を変えると共にそのオンオフ通電時間を制御して、前記主めっき槽の錫イオン濃度及び水素イオン濃度を一定に保つことを特徴とする不溶性陽極を使用する錫めっき方法。
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