JP2012513950A5

JP2012513950A5 -

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Publication number: JP2012513950A5
Application number: JP2011544542A
Authority: JP
Filing date: 2009-12-23
Publication date: 2012-12-27

Claims

インゴット引上装置においてシリコンインゴットを成長させる方法であって、
多結晶シリコンを坩堝に投入しシリコン充填物を調製する工程と、
上記シリコン充填物を上記充填物のおよそ溶融温度を超える温度まで加熱しシリコン溶融物を調製する工程と、
少なくとも２つのシード結晶を上記シリコン溶融物に接触させる工程と、
シリコンインゴットを上記シリコン溶融物から引き上げる工程と、を備え、
上記シード結晶は、上記シリコンインゴットが上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように配置されていることを特徴とする方法。
上記シード結晶は、上記シリコンインゴットが上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように、ボール・ソケット接合でマウンティングブラケットに取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の方法。
上記シード結晶は、少なくとも２つのレッグと、該レッグに接続されたフレットとを有するマウンティングブラケットに取り付けられ、
上記シード結晶は、開口部を有し、該開口部は、上記シリコンインゴットが、上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように、上記シード結晶が上記レッグ上であって上記フレット間にマウントされることを可能とすることを特徴とする請求項１記載の方法。
上記シード結晶は、複数の溝部を有するマウンティングブラケットに取り付けられることを特徴とする請求項１記載の方法。
各シード結晶は、開口部と、テイパーが形成されたテイパー部とを有し、それにより上記開口部にリッジが形成され、
上記リッジは、上記シリコンインゴットが、上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように、上記マウンティングブラケットの溝部内に配置されていることを特徴とする請求項４記載の方法。
上記のインゴットの成長条件が、多結晶シリコンインゴットが作製されるように選択される請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
少なくとも約４個のシード結晶を上記シリコン溶融物と接触させる請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
少なくとも約１０個のシード結晶を上記シリコン溶融物と接触させる請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
少なくとも約１００個のシード結晶を上記シリコン溶融物と接触させる請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
上記シリコン溶融物に接触したシードの数が、インゴット断面積１００ｃｍ^２当たり、少なくとも約１０である請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
上記シリコン溶融物に接触したシードの数が、インゴット断面積１００ｃｍ^２当たり、少なくとも約３０である請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
上記インゴット成長条件が、約１ｍｍ〜約２５ｍｍの平均公称結晶サイズを有する多結晶シリコンインゴットが生成されるように制御される請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
直径一定部分、外周部分、中央部、上記中央部から上記外周部分まで延びる半径を有する円柱状インゴットを切断するための方法であって、
各インゴットの断面の対角線長さがインゴットの半径とおよそ同じである４つの中央インゴットセグメントを作製する工程と、
２つの中央インゴットセグメントに近接するインゴット部分から４つの外周インゴットセグメントを作製する工程と、を備える方法。
各外周インゴットセグメントが、上記インゴットの外周部分まで延びる請求項１３記載の方法。
上記４つの外周インゴットセグメントを、第１部分と第２部分とに分割する請求項１３記載の方法。
シリコン溶融物からシリコンインゴットを成長させるためのインゴット引上装置であって、
上記インゴット引上装置は、坩堝内に保持されたシリコン溶融物から上方に成長インゴットを引き上げるための引上機構を備え、
上記引上機構は、（１）形状が円状であるか、又は、（２）少なくとも２つのレッグを有するマウンティングブラケットを備える引上アセンブリを有し、
少なくとも約２つのシード結晶が、上記マウンティングブラケットに取り付けられ、上記シード結晶は、上記シリコンインゴットが上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように配置されていることを特徴とするインゴット引上装置。
上記シード結晶は、上記シリコンインゴットが上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように、ボール・ソケット結合でマウンティングブラケットに取り付けられていることを特徴とする請求項１６記載のインゴット引上装置。
上記シード結晶は、少なくとも２つのレッグと、該レッグに接続されたフレットとを有するマウンティングブラケットに取り付けられ、
上記シード結晶は、開口部を有し、該開口部は、上記シリコンインゴットが、上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように、上記シード結晶が上記レッグ上であって上記フレット間にマウントされることを可能とすることを特徴とする請求項１６記載のインゴット引上装置。
上記シード結晶は、複数の溝部を有するマウンティングブラケットに取り付けられていることを特徴とする請求項１６記載のインゴット引上装置。
各シード結晶は、開口部と、テイパーが形成されたテイパー部とを有し、それにより上記開口部にリッジが形成され、
上記リッジは、上記シリコンインゴットが、上記シリコン溶融物から引き上げられ冷却されている最中、上記シード結晶の横方向の移動が可能となるように、上記マウンティングブラケットの溝部内に配置されていることを特徴とする請求項１９記載のインゴット引上装置。
少なくとも約４個のシード結晶が上記マウンティングブラケットに接続されている請求項１６〜２０のいずれかに記載のインゴット引上装置。
少なくとも約１０個のシード結晶が上記マウンティングブラケットに接続されている請求項１６〜２０のいずれかに記載のインゴット引上装置。
少なくとも約１００個のシード結晶が上記マウンティングブラケットに接続されている請求項１６〜２２のいずれかに記載のインゴット引上装置。
上記チャックに接続されたシード結晶の数が、上記引上アセンブリにより引き上げられるよう構成されたインゴットの断面積１００ｃｍ^２当たり少なくとも約１０である請求項１６〜２２のいずれかに記載のインゴット引上装置。
上記チャックに接続されたシード結晶の数が、上記引上アセンブリにより引き上げられるよう構成されたインゴットの断面積１００ｃｍ^２当たり少なくとも約３０である請求項１６〜２２のいずれかに記載のインゴット引上装置。