JP2012243802A5 - - Google Patents

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本発明の一つの側面は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
発散する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第1アパーチャアレイと、
前記第1アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ第1の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、
前記第1の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、
前記コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第2の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、
前記第2の複数のクロスオーバーにそれぞれ対応する複数の開口を有する素子と、を有し、
前記主平面における前記第1の複数のクロスオーバーの配列を前記複数の開口の配列に対して異ならせることにより、前記素子上において前記第2の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記第1アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズは配置されている、ことを特徴とする描画装置である。

Claims (10)

  1. 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
    発散する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第1アパーチャアレイと、
    前記第1アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ第1の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、
    前記第1の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、
    前記コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第2の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、
    前記第2の複数のクロスオーバーにそれぞれ対応する複数の開口を有する素子と、を有し、
    前記主平面における前記第1の複数のクロスオーバーの配列を前記複数の開口の配列に対して異ならせることにより、前記素子上において前記第2の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記第1アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズは配置されている、ことを特徴とする描画装置。
  2. 前記第1アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズそれぞれは、記複数の開口のうちの対応する開口に対して、像高に関する3次の多項式に基づく量だけ偏心している、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
  3. 前記補正系は、前記複数の荷電粒子線のそれぞれの主光線を規定する第2アパーチャアレイと、前記複数の主光線の角度をそれぞれ補正する補正レンズアレイとを含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載の描画装置。
  4. 前記第2アパーチャアレイにおける開口及び前記補正レンズアレイにおける補正レンズそれぞれは、記複数の開口のうちの対応する開口に対して、像高に関する3次の多項式に基づく量だけ偏心している、ことを特徴とする請求項3に記載の描画装置。
  5. 前記補正系は、前記補正レンズアレイが形成する第3の複数のクロスオーバーを拡大投影して前記第2の複数のクロスオーバーを形成する拡大レンズアレイをさらに含む、ことを特徴とする請求項3に記載の描画装置。
  6. 前記補正系は、前記複数の荷電粒子線のそれぞれの主光線を規定する第2アパーチャアレイと、前記複数の主光線の角度をそれぞれ補正する補正偏向器アレイとを含む、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の描画装置。
  7. 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
    発散する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第1アパーチャアレイと、
    前記第1アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ第1の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、
    前記複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、
    前記コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第2の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、
    前記第2の複数のクロスオーバーにそれぞれ対応する複数の開口を有する素子と、を有し、
    前記主平面における前記第1の複数のクロスオーバーの配列を前記複数の開口の配列に対して異ならせることにより、前記素子上において前記第2の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記第1アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズは配置され、前記補正系は、2段のレンズアレイを含み、前記素子上において前記第2の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記2段のレンズアレイは、記複数の開口のうちの対応する開口に対して偏心したレンズを有する、ことを特徴とする描画装置。
  8. 前記素子は、ブランキングストップアパーチャアレイである、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の描画装置。
  9. 前記素子は、ブランキング偏向器アレイである、ことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の描画装置。
  10. 請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
    前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2007604C2 (en) * 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
JP5822535B2 (ja) * 2011-05-16 2015-11-24 キヤノン株式会社 描画装置、および、物品の製造方法
TWI477925B (zh) * 2011-10-04 2015-03-21 Nuflare Technology Inc Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method
JP2013236053A (ja) * 2012-04-13 2013-11-21 Canon Inc 荷電粒子光学系、描画装置及び物品の製造方法
US8890092B2 (en) * 2013-01-28 2014-11-18 Industry—University Cooperation Foundation Sunmoon University Multi-particle beam column having an electrode layer including an eccentric aperture
JP6193611B2 (ja) 2013-04-30 2017-09-06 キヤノン株式会社 描画装置、及び物品の製造方法
US10230458B2 (en) * 2013-06-10 2019-03-12 Nxp Usa, Inc. Optical die test interface with separate voltages for adjacent electrodes
JP6212299B2 (ja) * 2013-06-26 2017-10-11 キヤノン株式会社 ブランキング装置、描画装置、および物品の製造方法
JP6453072B2 (ja) * 2014-12-22 2019-01-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
IL294759B1 (en) 2015-07-22 2024-05-01 Asml Netherlands Bv Device for multiple charged particle beams
WO2017132435A1 (en) 2016-01-27 2017-08-03 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
TWI787802B (zh) * 2017-02-08 2022-12-21 荷蘭商Asml荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
TWI729368B (zh) * 2017-02-08 2021-06-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
US10768431B2 (en) * 2017-12-20 2020-09-08 Aperture In Motion, LLC Light control devices and methods for regional variation of visual information and sampling
EP3576128A1 (en) * 2018-05-28 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method
JP7192254B2 (ja) * 2018-05-31 2022-12-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
DE102018115012A1 (de) * 2018-06-21 2019-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
JP7167750B2 (ja) * 2019-02-08 2022-11-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP7238672B2 (ja) * 2019-07-25 2023-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
WO2022128392A1 (en) * 2020-12-14 2022-06-23 Asml Netherlands B.V. Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097538A (ja) * 1995-06-26 1997-01-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビーム描画装置
US6014200A (en) * 1998-02-24 2000-01-11 Nikon Corporation High throughput electron beam lithography system
KR100741552B1 (ko) 1999-07-28 2007-07-20 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광학 주사장치
TW584901B (en) * 2001-11-30 2004-04-21 Sony Corp Exposure method of using complementary dividing moldboard mask
JP4156862B2 (ja) * 2002-05-10 2008-09-24 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置
JP3803105B2 (ja) * 2004-09-07 2006-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム応用装置
NL2003304C2 (en) * 2008-08-07 2010-09-14 Ims Nanofabrication Ag Compensation of dose inhomogeneity and image distortion.
US8610082B2 (en) * 2011-03-25 2013-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Drawing apparatus and method of manufacturing article

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