JP2012241281A - スパッタリング用分割ターゲット装置、及びそれを利用したスパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットを備え、分割ターゲット間の間隙が、列の方向である第1方向と、それに垂直な第2方向との間の角度に沿って配列される分割ターゲット装置である。かかる構造の分割ターゲット装置を利用してスパッタリングを行えば、製造と取扱とが容易な分割ターゲットを使用しつつも、基板上に均一な蒸着品質が得られ、結果的にディスプレイ装置の輝度を画面の全体にわたって均一にすることができる。
【選択図】図1
Description
20 基板
100 スパッタリング用分割ターゲット装置
110 ベースプレート
120 分割ターゲット
121 間隙
130 磁石
Claims (14)
- ベースプレートと、前記ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットとを備え、
前記分割ターゲット間の間隙は、前記列の方向である第1方向と、それに垂直な第2方向との間の角度に沿って配列されていることを特徴とするスパッタリング用分割ターゲット装置。 - 前記間隙のうちいずれか一つの間隙の終了地点は、隣接した他の間隙の開始地点と、前記第2方向に沿った同一線上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記分割ターゲットは、前記ベースプレート上の前記第1方向に沿った両端側に配置された三角形ターゲットと、その間に配置された四角形ターゲットとを備えることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記ベースプレートの前記分割ターゲットが付着している面の反対側の面に、磁石が設置されていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記磁石は、単一体であることを特徴とする請求項4に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記ベースプレートは、金属材質を含むことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記分割ターゲットは、酸化物材質を含むことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットを備え、前記各分割ターゲット間の間隙が、前記列の方向である第1方向と、それに垂直な第2方向との間の角度に沿って配列されているスパッタリング用分割ターゲット装置を準備するステップと、
スパッタリング対象体である基板を、前記分割ターゲット装置に対向させて準備するステップと、
前記分割ターゲット装置を、前記基板上方において前記第2方向に移動させてスパッタリングを行うステップと、
を含むことを特徴とするスパッタリング方法。 - 前記間隙のうちいずれか一つの間隙の終了地点は、隣接した他の間隙の開始地点と、前記第2方向に沿った同一線上に配置されていることを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記分割ターゲットは、前記ベースプレート上の前記第1方向に沿った両端側に配置された三角形ターゲットと、その間に配置された四角形ターゲットとを備えることを特徴とする請求項9に記載のスパッタリング方法。
- 前記ベースプレートの前記分割ターゲットが付着している面の反対側の面に、磁石が設置されていることを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記磁石は、単一体であることを特徴とする請求項11に記載のスパッタリング方法。
- 前記ベースプレートは、金属材質を含むことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記分割ターゲットは、酸化物材質を含むことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04173966A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-22 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | ターゲットセルユニットおよび真空成膜装置 |
JP2004270019A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 分割スパッタリングターゲット |
JP2008138225A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 大型基板表面に成膜する方法 |
US20110031117A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd | Sputtering target apparatus |
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---|---|---|---|---|
FR1574686A (ja) * | 1968-01-11 | 1969-07-18 | ||
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US5190630A (en) * | 1989-03-01 | 1993-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
US5770025A (en) * | 1995-08-03 | 1998-06-23 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetron sputtering apparatus |
US7644745B2 (en) * | 2005-06-06 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Bonding of target tiles to backing plate with patterned bonding agent |
KR20070091996A (ko) * | 2006-03-08 | 2007-09-12 | 삼성전자주식회사 | 스퍼터링 장치 |
US20070289864A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Zhifei Ye | Large Area Sputtering Target |
JP4707693B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2011-06-22 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
JP5291907B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-09-18 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
CN101778961B (zh) * | 2008-09-30 | 2012-08-29 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅射设备和薄膜形成方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04173966A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-22 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | ターゲットセルユニットおよび真空成膜装置 |
JP2004270019A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 分割スパッタリングターゲット |
JP2008138225A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 大型基板表面に成膜する方法 |
US20110031117A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd | Sputtering target apparatus |
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