JP6057517B2 - スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6057517B2 JP6057517B2 JP2012025854A JP2012025854A JP6057517B2 JP 6057517 B2 JP6057517 B2 JP 6057517B2 JP 2012025854 A JP2012025854 A JP 2012025854A JP 2012025854 A JP2012025854 A JP 2012025854A JP 6057517 B2 JP6057517 B2 JP 6057517B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- target device
- base plate
- source units
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 11
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
110 ベースプレート
120 小片ターゲット
130 磁石
140 ソースユニット
Claims (14)
- ベースプレートと、
前記ベースプレートの一面に規則的な列に沿って付着した複数の小片ターゲット、及び前記ベースプレートの他面に前記複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石を備えた複数のソースユニットと、を備えるスパッタリング用分割ターゲット装置であって、
前記ソースユニットは、前記列の方向である第1方向と、それに垂直であり、前記分割ターゲット装置がスパッタリング対象材である基板上において移動する方向である第2方向との間の方向であって前記第1方向に対して0°より大きく90°より小さな角度をなす方向に相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置。 - 隣接した前記ソースユニット同士は、前記第1方向に沿ったそれぞれのスパッタリング領域が相互重畳して配されたことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記ソースユニットのうち、前記第1方向に両端部に設置されたソースユニットは、対象材のスパッタリング領域の外に位置するダミーソースユニットであることを特徴とする請求項2に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記ベースプレートは、前記ソースユニットと同じパターン形状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記ベースプレートは、前記ソースユニットを受容する異なるパターン形状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記ベースプレートは、金属材質を含むことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- 前記小片ターゲットは、酸化物材質を含むことを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用分割ターゲット装置。
- ベースプレートの一面に規則的な列をなして付着した複数の小片ターゲット、及び前記ベースプレートの他面に前記複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石を備えた複数のソースユニットを備え、前記ソースユニットは、前記列の方向である第1方向とそれに垂直である第2方向との間の方向であって前記第1方向に対して0°より大きく90°より小さな角度をなす方向に相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置を準備するステップと、
スパッタリング対象材である基板を前記分割ターゲット装置に対向させて準備するステップと、
前記分割ターゲット装置を、前記基板上において前記第2方向に移動させてスパッタリングを行うステップと、を含むスパッタリング方法。 - 隣接した前記ソースユニット同士は、前記第1方向に沿ってそれぞれのスパッタリング領域が相互重畳して配されたことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記ソースユニットのうち、前記第1方向に沿った両端部に設置されたソースユニットは、対象材のスパッタリング領域の外に位置するダミーソースユニットであることを特徴とする請求項9に記載のスパッタリング方法。
- 前記ベースプレートが前記ソースユニットと同じパターン形状に形成されたことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記ベースプレートは、前記ソースユニットを受容する異なるパターン形状に形成されたことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記ベースプレートは、金属材質を含むことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
- 前記小片ターゲットは、酸化物材質を含むことを特徴とする請求項8に記載のスパッタリング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0048505 | 2011-05-23 | ||
KR1020110048505A KR101794586B1 (ko) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 스퍼터링용 분할 타겟 장치 및 그것을 이용한 스퍼터링 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012241282A JP2012241282A (ja) | 2012-12-10 |
JP6057517B2 true JP6057517B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=46298242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012025854A Expired - Fee Related JP6057517B2 (ja) | 2011-05-23 | 2012-02-09 | スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9303313B2 (ja) |
EP (1) | EP2527488B1 (ja) |
JP (1) | JP6057517B2 (ja) |
KR (1) | KR101794586B1 (ja) |
CN (1) | CN102828154B (ja) |
TW (1) | TWI576452B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120130518A (ko) * | 2011-05-23 | 2012-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링용 분할 타겟 장치 및 그것을 이용한 스퍼터링 방법 |
JP6251588B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2017-12-20 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
TWI707054B (zh) * | 2018-03-20 | 2020-10-11 | 友威科技股份有限公司 | 非連續型磁性濺鍍靶材裝置 |
CN109161862A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-08 | 广西晶联光电材料有限责任公司 | 一种平面和旋转靶材解绑定的装置及方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0535054A1 (en) * | 1990-06-16 | 1993-04-07 | General Vacuum Equipment Limited | Metallizing apparatus |
JPH04173966A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-22 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | ターゲットセルユニットおよび真空成膜装置 |
JPH081767B2 (ja) * | 1992-04-10 | 1996-01-10 | 三容真空工業株式会社 | 導電性薄膜とその製造方法 |
JP3403550B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2003-05-06 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング装置とスパッタリング方法 |
US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
EP1070154A1 (en) | 1998-03-31 | 2001-01-24 | N.V. Bekaert S.A. | Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings |
JP3794586B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2006-07-05 | ナノネクサス インク | スパッタされた膜において、均一な等方性の応力を生じさせるための方法および装置 |
KR100473996B1 (ko) | 2002-01-09 | 2005-03-08 | 장 진 | 비정질 실리콘의 결정화 방법 |
JP4246546B2 (ja) | 2003-05-23 | 2009-04-02 | 株式会社アルバック | スパッタ源、スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 |
JP4246547B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2009-04-02 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置、及びスパッタリング方法 |
US7550066B2 (en) * | 2004-07-09 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Staggered target tiles |
US20060006064A1 (en) | 2004-07-09 | 2006-01-12 | Avi Tepman | Target tiles in a staggered array |
US7550055B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
US20070056843A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
WO2007032858A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Applied Materials, Inc. | Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones |
JP2008138225A (ja) | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 大型基板表面に成膜する方法 |
JP5291907B2 (ja) | 2007-08-31 | 2013-09-18 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
JP2009108383A (ja) | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Raiku:Kk | ターゲット装置及びマグネトロンスパッタリング装置 |
WO2009116430A1 (ja) | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法 |
KR20120130518A (ko) * | 2011-05-23 | 2012-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링용 분할 타겟 장치 및 그것을 이용한 스퍼터링 방법 |
-
2011
- 2011-05-23 KR KR1020110048505A patent/KR101794586B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-02-09 JP JP2012025854A patent/JP6057517B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-05 US US13/440,638 patent/US9303313B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-27 TW TW101115107A patent/TWI576452B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-05-17 CN CN201210154307.8A patent/CN102828154B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-22 EP EP12168957.4A patent/EP2527488B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120298501A1 (en) | 2012-11-29 |
TW201250034A (en) | 2012-12-16 |
CN102828154B (zh) | 2016-01-13 |
US9303313B2 (en) | 2016-04-05 |
EP2527488A1 (en) | 2012-11-28 |
KR101794586B1 (ko) | 2017-11-08 |
KR20120130520A (ko) | 2012-12-03 |
TWI576452B (zh) | 2017-04-01 |
CN102828154A (zh) | 2012-12-19 |
JP2012241282A (ja) | 2012-12-10 |
EP2527488B1 (en) | 2013-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI576451B (zh) | 用於濺鍍之分離靶裝置及使用其之濺鍍方法 | |
KR100822921B1 (ko) | 타일형 스퍼터링 타겟, 그리고 이를 포함하는 플라즈마 스퍼터링 반응기 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 | |
TW201809326A (zh) | 蒸鍍遮罩、附框架蒸鍍遮罩、有機半導體元件之製造方法、及有機電致發光顯示器之製造方法 | |
JP6057517B2 (ja) | スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法 | |
KR101213888B1 (ko) | 스퍼터링 장치, 그 구동 방법 및 이를 이용한 패널 제조방법 | |
US20210336147A1 (en) | Mask | |
US20130180850A1 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
US11800780B2 (en) | Mask device and manufacturing method thereof, evaporation method and display device | |
JP6251588B2 (ja) | 成膜方法 | |
KR20110033362A (ko) | 고균일 박막제조를 위한 방전용 양전극을 구비하는 스퍼터 건 | |
US10392695B2 (en) | Sputtering apparatus | |
US20170110299A1 (en) | Sputtering apparatus | |
TWI589717B (zh) | 使用濺射裝置的濺射方法 | |
KR20110122456A (ko) | 액정표시장치의 제조장치 및 제조방법 | |
KR20160071452A (ko) | 절연물 타겟 | |
EP3916753B1 (en) | Deposition apparatus and deposition method using the same | |
KR102634206B1 (ko) | 표면적과 표면조도를 향상시킬 수 있는 쉴드의 제조방법 | |
JP5781408B2 (ja) | マグネトロンスパッタカソード | |
JP2011089146A (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
KR20240013938A (ko) | 증착 장치 | |
KR20220065163A (ko) | 마그넷 모듈 및 이를 포함하는 스퍼터링 장치 | |
JPS59116377A (ja) | スパツタリング装置 | |
JP2014047369A (ja) | スパッタリング装置およびマグネットアセンブリ | |
KR20060077863A (ko) | 스퍼터링 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121003 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6057517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |