JP2012241236A - 無電解めっき装置、無電解めっき方法および配線回路基板の製造方法 - Google Patents
無電解めっき装置、無電解めっき方法および配線回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012241236A JP2012241236A JP2011112647A JP2011112647A JP2012241236A JP 2012241236 A JP2012241236 A JP 2012241236A JP 2011112647 A JP2011112647 A JP 2011112647A JP 2011112647 A JP2011112647 A JP 2011112647A JP 2012241236 A JP2012241236 A JP 2012241236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- electroless plating
- plated
- reference electrode
- relationship
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 235
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 101
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 53
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 4
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
- G11B5/486—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives with provision for mounting or arranging electrical conducting means or circuits on or along the arm assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
【解決手段】無電解めっき装置1のめっき槽2内に無電解めっき液30が収容される。無電解めっき液30中に参照電極5および対極6が浸漬される。長尺状基材10の導通部に電気的に接触するように導通部材4が設けられる。導通部材4、参照電極5および対極6は、ポテンショスタット3に接続される。主制御装置8は、ポテンショスタット3により参照電極5の電位を基準とする長尺状基材10の導通部の電位が参照電極5を基準とする独立部の電位に等しくなるように、長尺状基材10の導通部の電位を制御する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の一実施の形態に係る無電解めっき装置の構成を示す模式図である。図1の無電解めっき装置1は、被めっき対象として長尺状基材10に無電解めっきを行うために用いられる。
図2は被めっき対象の一例を示す模式的断面図である。図2(a)は無電解めっき前の被めっき対象を示し、図2(b)は無電解めっき後の被めっき対象を示す。
以下、参照電極5の電位を基準とする導通部CNの電位を導通部CNの電位と略記する。また、参照電極5の電位を基準とする独立部INの電位を独立部INの電位と略記する。
本実施の形態に係る無電解めっき装置1によれば、長尺状基材10の導通部CNの電位が事前に測定された長尺状基材10の独立部INの電位に等しくなるように、長尺状基材10の導通部CNの電位が制御される。それにより、長尺状基材10の導通部CNおよび独立部INの表面に同じ厚みの金属薄膜15が形成される。
(5−1)
図5は本発明の他の実施の形態に係る無電解めっき装置1の構成を示す模式図である。
上記実施の形態では、無電解めっき液30がニッケルのイオンを含むが、これに限定されない。例えば、無電解めっき液30が、金(Au)、Sn(錫)、銀(Ag)、銅(Cu)、錫合金、または銅合金等の種々の金属のイオンまたは合金を含んでもよい。
また、上記実施の形態では、被めっき対象が長尺状基材10の銅からなる導体層13であるが、被めっき対象の材料はこれに限定されない。被めっき対象の材料は、銅合金、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、錫(Sn)または錫合金等の他の金属または合金であってもよい。
さらに、上記実施の形態では、被めっき対象が回路付きサスペンション基板の半製品である長尺状基材10であるが、被めっき対象はこれに限定されない。被めっき対象がフレキシブル配線回路基板、またはリジッド配線回路基板等の他の配線回路基板またはそれらの半製品であってもよい。また、被めっき対象は配線回路基板に限らず、無電解めっき装置1を用いて種々の対象物に無電解めっきを行うことができる。
また、上記実施の形態では、ロール・トゥ・ロール方式により長尺状基材10を搬送しつつ導体層13に無電解めっきを行う例について説明したが、本発明は、バッチ式の無電解めっき装置にも適用可能である。バッチ式の無電解めっき装置では、被めっき対象を搬送することなく、めっき槽内の無電解めっき液中に一定時間浸漬させる。この場合、被めっき対象の導通部の電位が独立部の電位に等しくなるように導通部の電位を制御するとともに、無電解めっき液中への被めっき対象の浸漬時間を制御することにより、被めっき対象の導通部および独立部の表面に均一に同じ厚みの金属薄膜を形成することができる。
さらに、上記実施の形態では、制御部の一例としてポテンションスタット3が用いられる。制御部として、ポテンションスタット3の代わりに他の制御回路が用いられてもよい。
実施例および比較例1,2では、図2(a)の構成を有する長尺状基材10の表面に無電解めっきによりニッケルからなる金属薄膜を形成した。
2 めっき槽
3 ポテンショスタット
4 導通部材
5 参照電極
6 対極
7 搬送制御装置
8 主制御装置
9 ORP測定装置
10 長尺状基材
11 金属基板
12,14 絶縁層
13,16 導体層
15 金属薄膜
21,22,23,24 搬送ローラ
30 無電解めっき液
31 送出ロール
32 巻取ロール
51 酸洗処理槽
52,53,55,56,57 水洗処理槽
54 Pd(パラジウム)触媒処理槽
58 エアーナイフ処理槽
59 乾燥処理槽
80 整流器
CN 導通部
IN 独立部
Claims (14)
- 導通部とその導通部から電気的に分離された独立部とを有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき装置であって、
めっき材料である金属を含む無電解めっき液を収容するめっき槽と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される参照電極と、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位が前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位に等しくなるように、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御する制御部とを備えることを特徴とする無電解めっき装置。 - 前記制御部は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位を予め取得し、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位が前記取得された前記独立部の電位に等しくなるように、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御することを特徴とする請求項1記載の無電解めっき装置。
- 前記制御部は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位の変化に基づいて、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を変化させることを特徴とする請求項1または2記載の無電解めっき装置。
- 前記制御部は、無電解めっき液による前記被めっき対象の処理量と前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位との関係を第1の関係として予め取得し、前記取得された第1の関係および現時点までの無電解めっき液による被めっき対象の処理量に基づいて、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の無電解めっき装置。
- 前記めっき槽内の無電解めっき液の酸化還元電位を測定する測定装置をさらに備え、
前記制御部は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位と無電解めっき液の酸化還元電位との関係を第2の関係として予め取得し、前記測定装置により測定された酸化還元電位および前記取得された第2の関係に基づいて、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の無電解めっき装置。 - 前記めっき槽内の無電解めっき中で前記被めっき対象を搬送する搬送装置をさらに備え、
前記制御部は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位と前記導通部への金属薄膜の形成速度との関係を第3の関係として予め取得し、前記取得された第3の関係に基づいて、前記搬送装置による前記被めっき対象の搬送速度を制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の無電解めっき装置。 - 前記めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される対極をさらに備え、
前記制御部は、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位が前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位に等しくなるように、前記被めっき対象の前記導通部と前記対極との間に流れる電流を制御することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の無電解めっき装置。 - 導通部とその導通部から電気的に分離された独立部とを有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき方法であって、
めっき材料である金属を含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極を配置する工程と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に被めっき対象を浸漬させる工程と、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位が前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位に等しくなるように、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御する工程とを備えることを特徴とする無電解めっき方法。 - 前記制御する工程は、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位を予め取得する工程と、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位が前記取得された前記独立部の電位に等しくなるように、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御する工程とを含むことを特徴とする請求項8記載の無電解めっき方法。 - 前記制御する工程は、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位の変化に基づいて、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を変化させる工程を含むことを特徴とする請求項8または9記載の無電解めっき方法。 - 前記制御する工程は、
無電解めっき液による前記被めっき対象の処理量と前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位との関係を第1の関係として予め取得する工程と、
前記取得された第1の関係および現時点までの無電解めっき液による被めっき対象の処理量に基づいて、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御する工程とを含むことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の無電解めっき方法。 - 前記制御する工程は、
前記めっき槽内の無電解めっき液の酸化還元電位を測定する工程と、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記独立部の電位と無電解めっき液の酸化還元電位との関係を第2の関係として予め取得する工程と、
前記測定された酸化還元電位および前記取得された第2の関係に基づいて、前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位を制御する工程とを含むことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の無電解めっき方法。 - 前記めっき槽内の無電解めっき中で前記被めっき対象を搬送する工程をさらに備え、
前記制御する工程は、
前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導通部の電位と前記導通部への金属薄膜の形成速度との関係を第3の関係として予め取得する工程と、
前記取得された第3の関係に基づいて、前記被めっき対象の搬送速度を制御する工程とを含むことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の無電解めっき方法。 - 絶縁層上に導通部とその導通部から電気的に分離された独立部とを有する導体パターンを形成する工程と、
前記導通部および前記独立部の表面に請求項7〜13のいずれかに記載の無電解めっき方法により金属薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011112647A JP5719687B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | 無電解めっき装置、無電解めっき方法および配線回路基板の製造方法 |
US13/461,853 US20120295013A1 (en) | 2011-05-19 | 2012-05-02 | Electroless plating apparatus, method of electroless plating, and manufacturing method of printed circuit board |
CN201210157188.1A CN102787307B (zh) | 2011-05-19 | 2012-05-18 | 非电解镀装置、非电解镀方法和布线电路基板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011112647A JP5719687B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | 無電解めっき装置、無電解めっき方法および配線回路基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012241236A true JP2012241236A (ja) | 2012-12-10 |
JP5719687B2 JP5719687B2 (ja) | 2015-05-20 |
Family
ID=47152889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011112647A Expired - Fee Related JP5719687B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | 無電解めっき装置、無電解めっき方法および配線回路基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120295013A1 (ja) |
JP (1) | JP5719687B2 (ja) |
CN (1) | CN102787307B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015025693A1 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 株式会社山本鍍金試験器 | めっき装置及びこれを用いたセンサ装置 |
JP2019151926A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッドHutchinson Technology Incorporated | 無電解めっき活性化処理 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI683428B (zh) * | 2018-03-29 | 2020-01-21 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 放射線檢測元件、及其製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04217387A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-07 | Nippon Chemicon Corp | 導体パターンの無電解めっき方法及び無電解めっき用治具 |
JPH11219967A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Matsushita Electron Corp | 半導体素子の電極構造および電極形成方法 |
JP2003147540A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-21 | Learonal Japan Inc | 無電解ニッケルめっき液中の硫黄含有化合物濃度の測定方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4808431A (en) * | 1987-12-08 | 1989-02-28 | International Business Machines Corp. | Method for controlling plating on seeded surfaces |
JP2546089B2 (ja) * | 1991-07-09 | 1996-10-23 | 上村工業株式会社 | 錫又は半田めっき浴への金属イオン補給方法 |
US7943026B2 (en) * | 1999-06-08 | 2011-05-17 | Broadley Technologies Corporation | Reference electrode having a flowing liquid junction and filter members |
JP3678195B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2005-08-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法、及び電子部品 |
WO2008058250A1 (en) * | 2006-11-08 | 2008-05-15 | Surfect Technologies, Inc. | System and method for controlling an electroless deposition process |
-
2011
- 2011-05-19 JP JP2011112647A patent/JP5719687B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-02 US US13/461,853 patent/US20120295013A1/en not_active Abandoned
- 2012-05-18 CN CN201210157188.1A patent/CN102787307B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04217387A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-07 | Nippon Chemicon Corp | 導体パターンの無電解めっき方法及び無電解めっき用治具 |
JPH11219967A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Matsushita Electron Corp | 半導体素子の電極構造および電極形成方法 |
JP2003147540A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-21 | Learonal Japan Inc | 無電解ニッケルめっき液中の硫黄含有化合物濃度の測定方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015025693A1 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 株式会社山本鍍金試験器 | めっき装置及びこれを用いたセンサ装置 |
KR101773308B1 (ko) | 2013-08-19 | 2017-08-30 | 가부시키가이샤 야마모토메키시켄키 | 도금 장치 및 이것을 이용한 센서 장치 |
JP2019151926A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッドHutchinson Technology Incorporated | 無電解めっき活性化処理 |
JP7430982B2 (ja) | 2018-03-01 | 2024-02-14 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッド | 無電解めっき活性化処理 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102787307B (zh) | 2015-09-09 |
JP5719687B2 (ja) | 2015-05-20 |
US20120295013A1 (en) | 2012-11-22 |
CN102787307A (zh) | 2012-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008266779A5 (ja) | ||
JP5759231B2 (ja) | めっき装置、めっき方法および配線回路基板の製造方法 | |
JP6859850B2 (ja) | 銅張積層樹脂フィルムの製造方法及び製造装置 | |
JP5862917B2 (ja) | 長尺導電性基板の電気めっき方法およびこの方法を用いた銅被覆長尺導電性基板の製造方法並びにロール・ツー・ロールタイプの電気めっき装置 | |
JP5652587B2 (ja) | 銅被覆ポリイミド基板の製造方法および電気めっき装置 | |
JP5673582B2 (ja) | 電気めっきの前処理方法及び該前処理方法を含んだ電気めっき方法による銅張積層樹脂フィルムの製造方法 | |
JP5719687B2 (ja) | 無電解めっき装置、無電解めっき方法および配線回路基板の製造方法 | |
JP5098749B2 (ja) | 縦型電解めっき装置およびこれを用いためっき被膜付きプラスチックフィルムの製造方法 | |
JP7070012B2 (ja) | 電解めっき装置、および金属張積層板の製造方法 | |
JP4793720B2 (ja) | めっき法2層回路基材の製造方法 | |
JP2017025359A (ja) | 長尺導電性基板の電気めっき方法及び電気めっき装置、並びに該電気めっき方法を用いた金属化ポリイミドフィルムの製造方法 | |
JP5858286B2 (ja) | 長尺導電性基板の電解めっき方法および銅張積層板の製造方法 | |
JP5751530B2 (ja) | 長尺導電性基板の電解めっき方法および銅張積層板の製造方法 | |
JP6403095B2 (ja) | フレキシブル配線用基板およびフレキシブル配線板 | |
JP6403097B2 (ja) | 不溶性陽極、めっき装置および電気めっき方法ならびに銅張積層板の製造方法 | |
JP2008294357A (ja) | 配線回路基板の製造方法およびめっき装置 | |
JP2004018975A (ja) | めっき方法 | |
JP5293664B2 (ja) | 長尺導電性基板の電気めっき方法及びその装置、金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法 | |
JP2008169412A (ja) | 金属イオン濃度調整方法、金属イオン濃度調整装置及びめっき方法 | |
JP6662231B2 (ja) | 給電治具、ワーク保持治具、化学処理装置 | |
JP2008075113A (ja) | めっき装置 | |
WO2014188658A1 (ja) | 無電解めっき方法、多層基材の製造方法、多層基材および入力装置 | |
JP2018119211A (ja) | 配線回路基板の製造方法 | |
JP2019151926A (ja) | 無電解めっき活性化処理 | |
JP2004300538A (ja) | めっき方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5719687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |