JP2012238769A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】結晶構造として六方晶を成す4H−SiCで構成された半導体基板11を用いた際に、ゲートトレンチ(第1トレンチ)21とショットキーバリアトレンチ(第2トレンチ)22とは、それぞれ所定の溝幅で互いに所定の間隔をあけて交互に取り囲む正六角形となるように形成される。
【選択図】図2
Description
すなわち、本発明の半導体素子は、炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一方の主面に形成され前記半導体基板よりも不純物濃度が低い第1導電型のドリフト層と、該ドリフト層よりも不純物濃度が高い第2導電型のベース層と、該ベース層の表層に選択的に配置される第1導電型のソース領域と、該ソース領域の主面から前記ドリフト層に達する深さの第1トレンチと、前記ドリフト層に達する深さであって前記第1トレンチよりも深い第2トレンチと、を少なくとも備え
前記半導体基板の一方の主面側において、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチは、互いに所定の間隔をあけて交互に取り囲む環状パターンとなるように形成したことを特徴とする。
これによって、第1トレンチと第2トレンチとの間は、どの部分においても電界が均一に分布し、特定の部分に電界が集中することがなく、特定の部分に過剰な電界が印加されて第1トレンチが局所的に破壊されるといったことを確実に防止することが可能になる。
図1は、本発明の半導体素子の一実施形態である縦型トレンチゲートMOSパワー半導体デバイス(トレンチMOSFET)を示す断面図である。縦型トレンチゲートMOSパワー半導体デバイス(以下、単に半導体素子と称する)10は、中心に位置して主電流の流れる活性領域とこの活性領域を取り巻くように配置される周辺耐圧構造領域を備えるトレンチMOSFETである。半導体素子10は、半導体基板11を備えている。
本実施形態のように結晶構造として六方晶を成す4H−SiCで構成された半導体基板11を用いた際に、半導体基板11の一方の主面11aは、[0001]軸方向または[000−1]軸方向から<01−10>軸方向へ30度以上39度以下傾いた軸に垂直な結晶面であればよい。また、この4H−SiCで構成された半導体基板11の一方の主面11aの法線方向に伸びる結晶軸は[0001]軸または[000−1]軸であり、各々の結晶軸に対応した主面は(0001)面または(000−1)面であればよい。
一方、図3に示す実施形態では、半導体基板11の最も中心に配置されるショットキーバリアトレンチ(第2トレンチ)32は、正六角形の環状パターンで囲まれた中心領域全体にもトレンチが形成された、所謂、塗りつぶし形態の正六角形となるように形成されている。こうした形態のショットキーバリアトレンチ(第2トレンチ)32であっても、その外側に形成されるゲートトレンチ(第1トレンチ)31との間の間隔dは、いずれの部分でも均一に形成され、特定部分での電界の集中を防止できる。
上述した第一実施形態では、正六角形に形成されたゲートトレンチ(第1トレンチ)21やショットキーバリアトレンチ(第2トレンチ)22の角部は、鋭角に形成されていた。
一方、図4に示す実施形態では、ゲートトレンチ(第1トレンチ)41やショットキーバリアトレンチ(第2トレンチ)42の角部に丸みを付けた形状に形成している。これによって、特に正六角形の角部に電界が偏る懸念を、更に確実に防止することが可能になる。
以下、本発明の半導体素子の第二実施形態について説明する。なお、半導体素子の断面構造は第一実施形態の図1と同様であり、第一実施形態と同様の構成についてはその説明を略す。
図5は、第二実施形態における半導体基板の一方の主面側を平面視した時の第1トレンチおよび第2トレンチの形成パターンを示した平面図である。
本実施形態の半導体素子50を構成する半導体基板51は、結晶構造として立方晶を成す3C−SiCで構成されている。
Claims (7)
- 炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板と、
該半導体基板の一方の主面に形成され前記半導体基板よりも不純物濃度が低い第1導電型のドリフト層と、
該ドリフト層よりも不純物濃度が高い第2導電型のベース層と、
該ベース層の表層に選択的に配置される第1導電型のソース領域と、
該ソース領域の主面から前記ドリフト層に達する深さの第1トレンチと、
前記ドリフト層に達する深さであって前記第1トレンチよりも深い第2トレンチと、
を少なくとも備え
前記半導体基板の一方の主面側において、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチは、互いに所定の間隔をあけて交互に取り囲む環状パターンとなるように形成したことを特徴とする半導体素子。 - 前記第1トレンチおよび前記第2トレンチは、前記半導体基板の一方の主面において、前記半導体基板を構成する炭化珪素の結晶構造に近似させた環状パターンとなるように形成したことを特徴とする請求項1記載の半導体素子。
- 前記第1トレンチおよび前記第2トレンチは、前記半導体基板の一方の主面に沿った幅が全て同一になるように形成したことを特徴とする請求項1または2記載の半導体素子。
- 前記半導体基板を構成する炭化珪素は六方晶を成す結晶構造であり、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチは、前記一方の主面側を平面視した時に六角形となるように形成したことを特徴とする請求項2または3記載の半導体素子。
- 前記半導体基板の外形形状は、前記六角形を成す6辺のうちの4辺にそれぞれ平行な4辺からなる菱形であることを特徴とする請求項2ないし4いずれか1項記載の半導体素子。
- 前記半導体基板を構成する炭化珪素は立方晶を成す結晶構造であり、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチは、前記一方の主面側を平面視した時に四角形となるように形成したことを特徴とする請求項2または3記載の半導体素子。
- 前記半導体基板の一方の主面側において、最も中心に配される前記第1トレンチ、または前記第2トレンチは、前記環状パターンで囲まれた中心領域全体にも前記第1トレンチ、または前記第2トレンチが形成されたことを特徴とする請求項1ないし6いずれか1項記載の半導体素子。
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