JP2012234930A - 基板トレイ及び該トレイを用いた基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を搬送し処理する間、基板を保持するための基板トレイであって、前記トレイは、トレイ本体と、基板を載置するための基板載置部を備えた基板載置板とからなり、前記トレイ本体は開口を有し、前記トレイ本体は該開口の端部に前記基板の周端部を保持する基板保持部を備えており、更に、前記基板載置板を前記トレイ本体に保持すべく、前記トレイ本体には、前記基板保持部より外側に磁石を配設したこを特徴とする基板トレイ。
【選択図】図2
Description
図12は従来の基板トレイの第1の例を示す(特許文献1参照)。図12には、小さい基板を保持するためのザグリ702を具備し、皿形状をしている基板トレイ701が開示されている。図12記載の保持トレイ701により、8インチ、6インチといった小さい基板も直径12インチ用基板処理装置に設置できるようになる。
本願の請求項2記載の発明によれば、基板保持部を基板の外径より小さい第1の径を有する第1の開口部と、第1の開口部と連接し前記基板の外径より大きな第2の径を有する第2の開口部より形成することにより、基板保持部と基板載置板とにより確実に基板を挟持することができるという効果がある。また、磁石がトレイ本体に埋設されることにより基板載置板が薄くできるため、基板冷却性能の向上を図ることができるという効果がある。
本願の請求項3記載の発明によれば、トレイ本体にヨークを埋設し、基板載置板と前記ヨークとの間に磁石を設けることにより、トレイが薄くできるため、搬送ロボットなどの搬送システムの負担を少なくすることができるという効果がある。
本願の請求項4、5記載の発明によれば、トレイ本体を非磁性材料で形成することにより、ヨークから磁力線が漏れ出た場合にプラズマ処理空間にまで磁力線が作用するのを抑制できるという効果がある。
本願の請求項6記載の発明によれば、トレイ本体をTi(チタン)、カーボンまたはアルミナで形成することにより、基板トレイを軽くできるので、搬送ロボットなどの搬送システムの負担を少なくすることができる。更に、また、本願の請求項6記載の発明によれば、トレイ本体をTi(チタン)、カーボンまたはアルミナで形成することにより、基板トレイを耐熱性に優れたものにすることができるので、特にプラズマから基板トレイへの熱量の流入が大きい大電力のスパッタリング成膜に好適であるという効果がある。
本願の請求項7記載の発明によれば、基板載置板側にN極とS極の磁極が現れ、基板載置板と反対側にS極とN極の磁極が現れる片面2極磁石とすることにより、N極とS極の両方の磁極を基板載置板側に向けることできるため、基板載置板に対する吸着力が高くなり基板保持性能の向上を図ることができるという効果がある。更に、本願の請求項7記載の発明によれば、片面2極磁石とすることで基板保持性能を維持しながらトレイ表面への磁場の漏れを低減できるという効果がある。
本願の請求項8記載の発明によれば、ヨークの厚さを、基板の処理面側のトレイ本体表面において、磁束密度が100ガウス以下となるように設定することにより、基板トレイ上に異常な放電が生じることを抑制することができるという効果がある。
本願の請求項9記載の発明によれば、片面2極磁石を基板の周囲に等角度で複数N極とS極とが交互になる様に配置することにより、基板の保持性能を高くすることができるという効果がある。
本願の請求項10記載の発明によれば、請求項1から9のいずれか1項に記載の基板トレイを基板処理装置に使用することにより、パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響を抑制し、熱伝達媒体による冷却性能(温度制御)に優れた基板処理装置を実現できるという効果がある。
本願の請求項11記載の発明によれば、基板ホルダーと前記基板載置板に、基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するための、ガス導入孔をそれぞれ設けることにより、基板を効率的に冷却することができるという効果がある。
本願の請求項12記載の発明によれば、基板載置板と基板ホルダーの基板載置部との間に0.3mm以下の間隙d1を設け、この間隙d1に熱伝達媒体(冷却ガス)を流すことで、基板の冷却性能を高めることができるという効果がある。特にこの部分の隙間を0.3mm以下とすることで基板の温度をより低減することができ、特に基板上にリフトオフ用のフォトレジストパターンなどの樹脂パターンが設けられている場合にダメージを与えない温度、すなわち100℃以下で成膜することができるという効果がある。
本発明に係るスパッタリング装置は、ゲートバルブ11を介して連通可能に接続されたLL室(ロードロック室)1とSP室(スパッタ室)2とから構成されている。
スパッタリング装置のSP室2は、処理チャンバ21と、処理チャンバ21内に設けられ、基板Sを保持した基板トレイ3を載置するための基板ホルダー4と、スパッタ粒子を基板S上に成膜するためのターゲットTを保持するためターゲットホルダー5とを備えている。
LL室1には、RP(ロータリーポンプ)などの大気圧から排気可能なポンプ12で構成された第4の排気系が第3のバルブ13を介して接続されており、図示しないベント機構を持っている。LL室1は基板Sを保持した基板トレイ3をSP室2に搬出入するために使用される。
図2に本発明に係る第1の基板トレイ3の構成の断面図を示す。基板トレイ3は、トレイ本体31と、基板Sを載置するための基板載置部32bを備えた基板載置板32とからなる。基板載置板32は磁性板である。トレイ本体31には開口36が形成されている。トレイ本体31は、開口36の端部に基板Sの周端部を保持する基板保持部35を備えている。開口36は、前記基板の外径より小さい第1の径を有する第1の開口部36aと、第1の開口部36aと連接し基板Sの外径より大きな第2の径を有する第2の開口部36bとからなる。基板保持部35は、第1の開口部36aと第2の開口部36bとにより形成される。基板Sは、基板保持部35と、基板載置板32の基板載置部32bとで挟持される。基板Sの外径より大きな第2の径を有する第2の開口部36bで基板保持部35が規定されることによって、基板はより確実に保持される。すなわち、第1の開口部36aの中心軸に対して基板が許容される限度を超えてずれて保持され、基板の処理時に後述する冷却ガスが漏れてしまったり、また部分的には基板周辺部を必要以上に隠して本来処理されるべきであった基板周辺部が処理されないといった危険性を低減することができる。また、磁石がトレイ本体に埋設されることにより基板載置板が薄くできるため、基板冷却性能の向上を図ることができる。
基板載置板32は磁性材料で構成されている。基板載置板32を構成する磁性材料としては錆びにくいステンレスなどが好ましく、具体的にはSUS430などがよい。基板トレイ3は大気中に取り出されるため、磁性材料であるだけでなく防錆性を有することは重要である。
また、N極とS極の両方の磁極を基板載置板32に向けることで基板載置板32に対する吸着力が高くなり基板保持性能に優れる。また片面2極磁石33であることで基板保持性能を維持しながら基板トレイ3表面への磁場の漏れを低減することができる。
図9(a)(b)は、本実施形態の基板トレイ3を用いて8枚の基板Sを保持した場合を示す。図9(a)は、基板押さえリングとして機能する上記基板載置板32を、8枚の基板Sを保持できるように一体で形成したものである。なお、図9(b)は、基板押さえリングとして機能する上記基板載置板32を、8枚の基板S毎に形成したものである。漏洩磁束密度の測定は、図10(b)に示すように、磁石33の直上、磁石33と磁石33との間で行った。ヨーク34の厚みが厚いほど漏洩磁場は低減される。成膜のために好適でない放電をトレイ表面で生じないためには、漏洩磁場が100ガウス以下の領域が好ましい。なお、トレイ本体31表面の漏洩磁束密度の測定は、トレイ表面において垂直磁束密度がおおよそ0ガウスとなる地点における水平磁束密度を測定することにより評価した。より詳しくは、図2に示すように、片面2極磁石33をトレイ本体31に1セット埋設した場合、トレイ上面からみた場合の磁石33のN極とS極との間における垂直磁束密度がおおよそ0ガウスとなる地点においてのトレイ表面における水平磁束密度をガウスメーターで測定することにより評価した。ガウスメーターは、東陽テクニカ製の5180型ガウスメーターを使用した。なお、磁束密度の測定は室温において基板載置板32によりサファイア基板Sを保持した状態でおこなった。また、図10に示すように、トレイ本体31に、片面2極磁石33を3セット毎、120度の等間隔で埋設した場合、トレイ上面からみた場合の1個の片面2極磁石33のN極とS極との間における垂直磁束密度がおおよそ0ガウスとなる地点、3セットの片面2極磁石33の各々の磁石の間における垂直磁束密度がおおよそ0ガウスとなる地点においてのトレイ表面における水平磁束密度をガウスメーターで測定することにより評価した。
基板トレイ3に対する基板Sと基板載置板32の設置は、ロボットで自動的に行う。
はじめに、基板Sが複数枚装填されたカセット102をカセット用ロードポート103に乗せると、ベルトコンベアー104によって基板取り出し位置105まで搬送される。カセット102が基板取り出し位置105に配置されると、下方から、基板リフト機構106が上昇し、全ての基板Sがリフトアップされる。その後、不図示の真空チャック機構を備えた6軸ロボット107によって基板Sの裏面が真空チャックによって吸着し保持される。その後、基板Sのセンター、オリフラの位置出しを行う。
6軸ロボット107によって保持されている基板Sは、予め成膜される面が下になるようにテーブル111に置かれたトレイに対して設置される。
基板トレイ3に基板Sが設置されたあと、基板トレイ3に対して基板Sを保持する為の基板載置板32がアーム113によって保持され、既に基板Sが設置された基板トレイ3に対して設置される。
基板Sと基板載置板32の設置が完了すると、6軸ロボット110によって、基板トレイ3の裏面が吸着保持され、成膜面が上になるように基板トレイ3を裏返し、成膜処理装置のロードポート114へ搬送される。
更に、基板載置板と基板ホルダーの基板載置部との間に0.3mm以下の間隙d1を設け、この間隙d1に熱伝達媒体(冷却ガス)を流すことで、基板の冷却性能を高めることができるという効果がある。特にこの部分の隙間を0.3mm以下とすることで基板の温度をより低減することができ、特に基板上にリフトオフ用のフォトレジストパターンが設けられている場合にダメージを与えない温度、すなわち100℃以下で成膜することができるという効果がある。
T ターゲット
d1 隙間
1 LL室
2 SP室
3 基板トレイ
4 基板ホルダー
5 ターゲットホルダー
6 マスク
7 排気手段
8 圧力計
31 トレイ本体
32 基板載置板
32a 貫通孔
32b 基板載置部
33 磁石
34 ヨーク
35 基板保持部
36 開口
36a 第1の開口部
36b 第2の開口部
42 冷却ガス導入路
Claims (12)
- 基板を搬送し処理する間、基板を保持するための基板トレイであって、
前記基板トレイは、トレイ本体と、基板を載置するための基板載置部を備えた基板載置板とからなり、
前記トレイ本体は開口を有し、前記トレイ本体は該開口の端部に前記基板の周端部を保持する基板保持部を備えており、
更に、前記基板載置板を前記トレイ本体に保持すべく、前記トレイ本体には、前記基板保持部より外側に磁石を配設したこを特徴とする基板トレイ。 - 前記磁石は、前記前記トレイ本体に埋設されており、
前記開口は、前記基板の外径より小さい第1の径を有する第1の開口部と、前記第1の開口部と連接し前記基板の外径より大きな第2の径を有する第2の開口部とからなり、
前記基板保持部は前記第1の開口部と前記第2の開口部とにより形成されており、前記基板保持部と前記基板載置部とで前記基板を挟持することを特徴とする請求項1記載の基板トレイ。 - 前記トレイ本体には、ヨークが埋設されており、前記磁石は、前記基板載置板と前記ヨークとの間に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板トレイ。
- 前記トレイ本体が、非磁性材料で形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の基板トレイ。
- 前記トレイ本体の前記ヨークは、前記トレイ本体と前記磁石との間に設けられていることを特徴とする請求項4記載の基板トレイ。
- 前記非磁性材料がTi、カーボンまたはアルミナであることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の基板トレイ。
- 前記磁石は、前記基板載置板側に、N極とS極の磁極が現れ、前記基板載置板と反対側にS極とN極の磁極が現れる片面2極磁石であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の基板トレイ。
- 前記ヨークの厚さは、前記基板の処理面側の前記トレイ本体表面において、磁束密度が100ガウス以下となるように設定されていることを特長とする請求項3から7のいずれか1項に記載の基板トレイ。
- 前記片面2極磁石は、前記基板の周囲に等角度で配置されていることを特徴とする請求項7記載の基板トレイ。
- 請求項1から9のいずれか1項に記載の基板トレイに保持された基板を処理するための基板処理装置であって、
成膜室と、
前記成膜室内に設けられたターゲットホルダーと、
前記ターゲットホルダーと対向して設けられ、前記基板トレイを載置するための基板ホルダーと、
前記成膜室内にプロセスガスを導入するためのガス導入手段と、
前記成膜室内を排気するための排気手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板ホルダーと前記基板載置板には、前記基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するための、ガス導入孔がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
- 前記基板載置板と前記基板ホルダーの基板載置部との間には、0.3mm以下の間隙d1が設けられていることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
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GB201402126D0 (en) * | 2014-02-07 | 2014-03-26 | Spts Technologies Ltd | Method of processing a substrate |
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CN114054419B (zh) * | 2021-11-17 | 2023-04-11 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 硅电极的清洗装置、清洗方法 |
WO2023158555A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier to control temperature of substrate |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004134755A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-04-30 | Asml Netherlands Bv | 基板ホルダおよびデバイス製造方法 |
JP2005235970A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Anelva Corp | ウェハーステージ |
JP2006118004A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置、基板処理装置におけるアーキング発生監視方法、タングステン薄膜作成方法及びタングステン薄膜作成装置 |
JP2007281050A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Miraial Kk | 半導体ウエハのウエハトレイ |
JP2007294819A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 基板ホルダー |
JP2009200241A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Ulvac Japan Ltd | 基板保持装置、基板ホルダ、真空処理装置、基板の温度制御方法 |
US20100151680A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-17 | Optisolar Inc. | Substrate carrier with enhanced temperature uniformity |
JP2010177267A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Ulvac Japan Ltd | 搬送トレー及びこの搬送トレーを用いた真空処理装置 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
JPH02229421A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 露光装置 |
JP4428799B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 磁気支持機構、位置決め装置および半導体デバイス製造方法 |
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JP2005120410A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100582036B1 (ko) * | 2004-04-12 | 2006-05-22 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조공법 및 반도체 제조장치의 기판홀더 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004134755A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-04-30 | Asml Netherlands Bv | 基板ホルダおよびデバイス製造方法 |
JP2005235970A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Anelva Corp | ウェハーステージ |
JP2006118004A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置、基板処理装置におけるアーキング発生監視方法、タングステン薄膜作成方法及びタングステン薄膜作成装置 |
JP2007281050A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Miraial Kk | 半導体ウエハのウエハトレイ |
JP2007294819A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 基板ホルダー |
JP2009200241A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Ulvac Japan Ltd | 基板保持装置、基板ホルダ、真空処理装置、基板の温度制御方法 |
US20100151680A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-17 | Optisolar Inc. | Substrate carrier with enhanced temperature uniformity |
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