JP2012228035A - インバータ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】負荷あるいは直流母線に流れる電流を検出する電流検出手段7もしくは前記直流母線の直流電圧を検出する電圧検出手段6の少なくとも1つを具備し、直流電圧の印加方向に沿って上流側の第1のMOSFET21u,21v,21wと下流側の第2のMOSFET22u,22v,22wとが直列に接続されたアームを1つあるいは複数備えて構成されるスイッチング回路2と、電流あるいは直流電圧の少なくとも1つに基づいて、スイッチング回路2を駆動制御する駆動制御部と、を備え、第1のMOSFET21u,21v,21wおよび第2のMOSFET22u,22v,22wのうち、1つ以上のMOSFETがワイドバンドギャップ半導体により形成され、残りのMOSFETがSuper Junction構造を有する。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1にかかるインバータ装置の一構成例を示す図である。図1に示すように、実施の形態1にかかるインバータ装置1は、直流電圧電源3から入力端子P(正側端子)と入力端子N(負側端子)との間に直流電圧Vdcが印加され、電動機8へ電力を供給している。
図10は、実施の形態2にかかるインバータ装置の一構成例を示す図である。図10に示すように、実施の形態2にかかるインバータ装置1aのスイッチング回路2aでは、図1に示す実施の形態1の構成において各相下側アーム2un,2vn,2wnの各SiC−MOSFET22u,22v,22wに付加したゲート電位安定化回路26u,26v,26wに代えて、SiC−MOSFET22u,22v,22wのターンオフの際に、SiC−MOSFET22u,22v,22wのゲートに逆バイアスを印加する逆バイアス回路27u,27v,27wを付加した構成としている。なお、実施の形態1と同一または同等の構成部には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
実施の形態3にかかるインバータ装置の構成は、実施の形態1あるいは実施の形態2の構成と同一であるので、その詳細な説明を省略する。実施の形態1では、各相のキャリア周期毎に常にいずれかの相をスイッチングするPWM制御手法について説明したが、本実施の形態では、インバータ回転角の1周期を6つの区間に分割し、各区間毎にいずれか二相をスイッチングする二相変調PWM制御手法について説明する。
2,2a スイッチング回路
3 直流電圧電源
4 駆動部
5 制御部
6 電圧検出手段
7 電流検出手段
7a,7b 電流検出素子
8 電動機(負荷)
9 駆動制御部
2up,2vp,2wp 各相上側アーム
2un,2vn,2wn 各相下側アーム
21u,21v,21w 第1のMOSFET(上側アーム)
22,22u,22v,22w 第2のMOSFET(下側アーム)
23,23u,23v,23w (第1のMOSFETの)寄生ダイオード
24,24u,24v,24w (第2のMOSFETの)寄生ダイオード
25,25a,25u,25v,25w 補助転流回路
26,26u,26v,26w ゲート電位安定化回路
27,27u,27v,27w 逆バイアス回路
251,251u 転流ダイオード(ショットキーバリアダイオード:SBD)
252,252a,252u パルストランス
253,253u 駆動用スイッチ
261 ON用ゲート抵抗
262 OFF用ゲート抵抗
263 pnp型バイポーラトランジスタ(SW)
267 保護ダイオード
268 npn型バイポーラトランジスタ(SW)
269 npn型バイポーラトランジスタ(SW)
271 p型MOSFET(ON駆動用スイッチ)
272 ON駆動時電流制限用抵抗
273 OFF駆動時電流制限用抵抗
274 n型MOSFET(OFF駆動用スイッチ)
275 ダイオード
276 コンデンサ
277 負バイアス発生スイッチ
278 ツェナーダイオード
279 抵抗
300 空気調和機
301 室外機
302 冷媒圧縮機
303 送風機
304 室内機
400 冷蔵庫
401 冷媒圧縮機
402 冷却室
403 冷却器
404 送風機
Claims (13)
- 負荷あるいは直流母線に流れる電流を検出する電流検出手段もしくは前記直流母線の直流電圧を検出する電圧検出手段の少なくとも1つを具備し、前記直流電圧をスイッチングして前記負荷に供給する交流電圧を生成するインバータ装置であって、
前記直流電圧の印加方向に沿って上流側の第1のMOSFETと下流側の第2のMOSFETとが直列に接続されたアームを1つあるいは複数備えて構成されるスイッチング回路と、
前記電流あるいは前記直流電圧の少なくとも1つに基づいて、前記スイッチング回路を駆動制御する駆動制御部と、
を備え、
前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETのうち、1つ以上のMOSFETがワイドバンドギャップ半導体により形成され、残りのMOSFETがSuper Junction構造を有する
ことを特徴とするインバータ装置。 - 前記負荷に蓄えられたエネルギーによって前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETの寄生ダイオードに流れる順方向電流を転流させる補助転流回路を前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETのうちの少なくとも1つに備えることを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。
- 前記補助転流回路は、
パルストランスと、
前記パルストランスの一次側巻線に一次側電圧を印加する駆動用スイッチと、
前記パルストランスの二次側巻線に直列に接続された転流ダイオードと、
を備え、
前記パルストランスの二次側巻線と前記転流ダイオードとからなる直列回路が、前記転流ダイオードの極性の向きと前記寄生ダイオードの極性の向きとが同一方向となるように、前記寄生ダイオードに並列に接続され、前記駆動制御部から出力される補助転流回路駆動信号により、前記パルストランスの一次側巻線に一次側電圧が印加され、前記一次側電圧に応じて前記パルストランスの二次側巻線に誘導される二次側起電力により、前記順方向電流を前記転流ダイオードに転流することを特徴とする請求項2に記載のインバータ装置。 - 前記一次側電圧は、前記駆動制御部の動作に用いる駆動部用電源から供給されることを特徴とする請求項3に記載のインバータ装置。
- 前記駆動制御部は、前記電流に基づいて、前記補助転流回路駆動信号の出力タイミングおよび出力パルス幅を制御することを特徴とする請求項3または4に記載のインバータ装置。
- 前記駆動制御部は、前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETのうち、前記補助転流回路駆動信号の出力対象となる前記補助転流回路を備えた一方のMOSFETとは異なる他方のMOSFETのターンオンタイミング前に前記補助転流回路駆動信号を出力することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載のインバータ装置。
- 前記駆動制御部は、前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETのうち、前記補助転流回路駆動信号の出力対象となる前記補助転流回路を備えた一方のMOSFETとは異なる他方のMOSFETのターンオンタイミング近傍で前記補助転流回路駆動信号の出力を停止することを特徴とする請求項3〜6のいずれか一項に記載のインバータ装置。
- 前記第1のMOSFETあるいは前記第2のMOSFETのオフ時におけるゲート電圧の浮き上がりを抑制するゲート電位安定化回路を前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETのうちの少なくとも1つに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のインバータ装置。
- 前記第1のMOSFETあるいは前記第2のMOSFETのターンオフの際に、ゲートに逆バイアスを印加する逆バイアス回路を前記第1のMOSFETおよび前記第2のMOSFETのうちの少なくとも1つに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のインバータ装置。
- 前記逆バイアス回路は、前記駆動部用電源により動作することを特徴とする請求項9に記載のインバータ装置。
- 前記駆動制御部は、インバータ回転角の1周期を6つの区間に分割し、各区間毎にいずれか二相をスイッチングする二相変調PWM制御を用いて、前記スイッチング回路を駆動制御することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のインバータ装置。
- 複数の前記第1のMOSFETあるいは前記第2のMOSFETが1つのパッケージの内部に設けられモジュール化されたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のインバータ装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、窒化ガリウム系材料、炭化ケイ素、あるいはダイヤモンドであることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載のインバータ装置。
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