JP2012227475A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換機能を有する受光部103が内部に形成されてなる半導体基板101と、絶縁膜107,109,111と配線113,114との積層構造を有し、半導体基板101の上方に形成され、且つ、受光部103の上方に相当する箇所に凹部が形成された配線層と、絶縁膜109,111よりも屈折率が高く、凹部を臨む配線層の側面を被覆する第2絶縁膜115と、第2絶縁膜115よりも屈折率が低く、第2絶縁膜115の前記側面を被覆する第3絶縁膜116と、第3絶縁膜116よりも屈折率が高く、第3絶縁膜116の前記側面を被覆する第4絶縁膜117と、を備える。光導波路は、絶縁膜109,111と、その凹部内に形成された第2絶縁膜115、および第3絶縁膜116、および第4絶縁膜117とにより構成されている。
【選択図】図2
Description
図7に示すように、従来技術に係る固体撮像装置の画素部では、半導体基板901の一方の主面(Z軸方向上側主面)の表層部分にフォトダイオード903が形成されている。半導体基板901上には、絶縁膜907が積層され、さらにその上には、絶縁膜909,911が順に積層されている。絶縁膜907と絶縁膜909との間、絶縁膜909と絶縁膜911との間、および絶縁膜911上には、拡散防止膜908,910,912がそれぞれ形成されている。また、絶縁膜907,909,911と拡散防止膜908,910,912との各境界面からは、Z軸下方に配線913,914,915がそれぞれ形成されている。
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、配線層と、第2の絶縁膜と、第3の絶縁膜と、第4の絶縁膜とを備える。
配線層は、第1の絶縁膜と配線との積層構造を有し、半導体基板の上方に形成され、且つ、受光部の上方に相当する箇所に凹部が形成されている。
第3の絶縁膜は、第2の絶縁膜よりも屈折率が低く、配線層に開けられた凹部を臨む配線層の上記側面に対応する第2の絶縁膜の側面を少なくとも被覆する状態で形成されている。
本発明に係る固体撮像装置では、例えば、次のようなバリエーション構成を採用することができる。
本発明に係る固体撮像装置では、上記構成において、第2の絶縁膜が窒化シリコン(SiN)からなる、という構成を採用することができる。
本発明に係る固体撮像装置では、上記構成において、第3の絶縁膜が酸化シリコン(SiO2)または酸窒化シリコン(SiON)からなる、という構成を採用することができる。
1.固体撮像装置1の全体構成
実施の形態1に係る固体撮像装置1の全体構成について、図1を用い説明する。
固体撮像装置1の画素部100における構成について、図2を用い説明する。
図2に示すように、固体撮像装置1は、半導体基板101の主面上にゲート絶縁膜102が形成されている。ゲート絶縁膜102は、例えば、酸化シリコン(SiO2)膜である。半導体基板101内には、ゲート絶縁膜102との界面部分から内方に向けてフォトダイオード103が形成されている。フォトダイオード103は、n型の電荷蓄積層103aとp+型の表面層103bとのpn接合により構成されている。
半導体基板101の表層部には、フォトダイオード103の他に、素子分離領域104等が形成されている。素子分領域104は、半導体基板101の該当部分に、ボロンなどの不純物をイオン注入することにより形成されている。なお、固体撮像装置1では、各画素部100にフローティングディフュージョン(FD)やトランジスタ素子も有しているが、図2では、その図示を省略する。
次に、ゲート絶縁膜102の上には、絶縁膜(第1の絶縁膜)107が堆積され、絶縁膜107の上にはエッチングストップ層108が形成されている。絶縁膜107は、例えば、酸化シリコン(SiO2)から形成され、膜厚が400[nm]である。エッチングストップ層108は、例えば、炭化シリコン、酸化炭化シリコン、酸化窒化シリコン、または窒化シリコンから形成され、膜厚が50[nm]である。
絶縁膜109,111の屈折率をn1とし、第2絶縁膜115の屈折率をn2とし、第3絶縁膜116の屈折率をn3とし、第4絶縁膜117の屈折率をn4とするとき、次の関係を満たす。
[数2]n3<n2
[数3]n4>n3
続いて、図2に示すように、第4絶縁膜117の上には、埋め込み層118、平坦化樹脂層119、カラーフィルタ120、平坦化膜121、およびマイクロレンズ122が順に形成されている。ここで、平坦化樹脂層119は、その上に形成されるカラーフィルタ120を接着するための接着層としても機能する。
3.固体撮像装置1における光の入射経路
固体撮像装置1における光の入射経路について、図3を用い説明する。なお、図3は、本実施の形態に係る固体撮像装置1での光の入射経路を示す。
次に、実施の形態2に係る固体撮像装置2の構成について、図4を用い説明する。なお、図4では、固体撮像装置2の構成の内、画素領域における一の画素部200を抜き出して示しており、画素領域以外の構成については、上記実施の形態1と同様である。また、以下の説明においても、上記実施の形態1と同様の箇所については、その説明を省略する。
[実施の形態3]
次に、実施の形態3に係る固体撮像装置3の構成について、図5を用い説明する。なお、図5においても、固体撮像装置3の構成の内、画素領域における一の画素部300を抜き出して示しており、画素領域以外の構成については、上記実施の形態1,2と同様である。また、以下の説明においても、上記実施の形態1,2と同様の箇所については、その説明を省略する。
次に、実施の形態4に係る固体撮像装置4の構成について、図6を用い説明する。なお、図6においても、固体撮像装置4の構成の内、画素領域における一の画素部400を抜き出して示しており、画素領域以外の構成については、上記実施の形態1,2,3と同様である。また、以下の説明においても、上記実施の形態1,2,3と同様の箇所については、その説明を省略する。
上記実施の形態1〜4は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いた例であって、本発明は、その本質的な特徴部分を除き、何ら上記実施の形態1〜4で例示した形態に限定を受けるものではない。例えば、図1においては、画素領域10において複数の画素部100がマトリクス状に配列された形態を示したが、複数の画素部の配列形態は、マトリクス状以外にも、ハニカム状などとすることもできる。
10.画素領域
21.パルス発生回路
22.水平シフトレジスタ
23.垂直シフトレジスタ
100,200,300,400.画素部
101.半導体基板
102.ゲート絶縁膜
103.フォトダイオード
104.素子分離領域
105.反射防止膜
106.ゲート電極
107,109,111,425.絶縁膜
108.エッチングストップ層
110,112.拡散防止膜
113,114.配線
115,415.第2絶縁膜
116,416.第3絶縁膜
117,217,417.第4絶縁膜
118,218.埋め込み層
119.平坦化樹脂層
120,318,418.カラーフィルタ
121,421.平坦化膜
122.マイクロレンズ
323,423.隔壁
423a.下部層
423b.上部層
424.密着層
Claims (9)
- 光電変換機能を有する受光部が内部に形成されてなる半導体基板と、
第1の絶縁膜と配線との積層構造を有し、前記半導体基板の上方に形成され、且つ、前記受光部の上方に相当する箇所に凹部が形成された配線層と、
前記第1の絶縁膜よりも屈折率が高く、前記凹部を臨む前記配線層の側面を少なくとも被覆する状態で形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜よりも屈折率が低く、前記凹部を臨む前記配線層の側面に対応する前記第2の絶縁膜の側面を少なくとも被覆する状態で形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜よりも屈折率が高く、前記第2の絶縁膜の側面に対応する前記第3の絶縁膜の側面を少なくとも被覆する状態で形成された第4の絶縁膜と、
を備える
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第2の絶縁膜は、前記凹部の底面も被覆する状態で形成されており、
前記第3の絶縁膜は、前記凹部の底面に対応する前記第2の絶縁膜の底面も被覆する状態で形成されており、
前記第4の絶縁膜は、前記第2の絶縁膜の底面に対応する前記第3の絶縁膜の底面も被覆する状態で形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の絶縁膜は、前記配線層の前記凹部内において、前記第3の絶縁膜の前記側面内側に残る凹部を充填する状態で形成されているとともに、前記受光部の上方に相当する箇所が上凸形状に形成されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の絶縁膜上には、前記受光部の上方に相当する箇所が開口された格子状の隔壁が設けられており、
前記開口の内方には、カラーフィルタが埋め込まれている
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の絶縁膜は、前記カラーフィルタよりも屈折率が高い
ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記隔壁は、酸化物からなる
ことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の絶縁膜は、窒化シリコンからなる
ことを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記第4の絶縁膜は、窒化シリコンからなる
ことを特徴とする請求項1から請求項7の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記第3の絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる
ことを特徴とする請求項1から請求項8の何れかに記載の固体撮像装置。
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