JP2007201047A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】斜光による混色を防止することができると共に、各画素間に存在する受光感度のばらつきを低減することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に規定された受光領域において、等間隔にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、複数の受光素子に対応して半導体基板上に設けられ、各当該受光素子が発生した電荷を読出す複数の読出し電極と、複数の読出し電極を覆い、かつ各受光素子上に開口領域を有する遮光膜と、各受光素子上の開口領域に設けられた第１の光導波路と、遮光膜上に設けられた第２の光導波路とが形成される。第２の光導波路は、ドット、ストライプまたは格子状に形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関する発明であって、より特定的には、複数の受光素子がマトリクス状に形成された固体撮像装置およびその製造方法に関する発明である。

近年、固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラの撮像装置として需要が拡大している。また、携帯電話に代表される携帯端末装置では、カメラ機能を付加することが求められており、このような携帯端末装置の撮像装置としても、固体撮像装置の需要は拡大している。更に高画質の画像を得るため、年々、固体撮像装置の画素数は上昇する傾向にある。画素数の増加により、画素面積を縮小する必要があるため、さらなる集光効率の向上が求められている。

ここで、図７〜図９を用いて従来からの固体撮像装置について説明する。図７は、従来からのＣＣＤ型固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。図７に示すように、ＣＣＤ型固体撮像装置は半導体基板２０１を備え、半導体基板２０１には、２次元状に配列された複数の受光部２０２と、受光部２０２の垂直方向の列に沿って列毎に配置された垂直転送部（垂直ＣＣＤ）２０３と、受光部２０２の最終行に隣接するように設けられた水平転送部（水平ＣＣＤ）２０４とが設けられている。受光部２０２はフォトダイオードであり、受光した光の強度に応じて電荷を蓄積する。また、一つの受光部２０２と、それと隣接する垂直ＣＣＤ２０３の一部分とで、一つの画素２０６が構成される。

図７中の矢印に示すように、受光部２０２に蓄積された電荷は、垂直ＣＣＤ２０３に読み出され、垂直ＣＣＤ２０３によって垂直方向に転送される。垂直ＣＣＤ２０３によって転送された電荷は、水平ＣＣＤ２０４によって水平方向に転送され、アンプ２０５によって増幅された後、外部に出力される。

受光部２０２の集光力を向上させるために、受光部２０２の上にマイクロレンズと光導波路が形成されたものが存在する。以下に、図８、９を用いて、当該ＣＣＤ型固体撮像装置について説明する。図８は、マイクロレンズおよび光導波路を備える従来の固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。図９は、図８のＡ−Ａ線に沿った断面を示す図である。

このＣＣＤ型固体撮像装置では、図８に示すように、半導体基板１１１に、垂直ＣＣＤ１０３、開口部１０７、光導波路１０８、オンチップマイクロレンズ１０９が配置している。なお、垂直ＣＣＤ１０３、開口部１０７、光導波路１０８、オンチップマイクロレンズ１０９は単位画素１０６を構成する。また、図９に示すように、半導体基板１１１には、電荷転送部１１４およびフォトダイオード１１５が形成される。半導体基板１１１の表面はゲート絶縁膜１１２に覆われており、当該ゲート絶縁膜１１２の上にはゲート電極１１３が形成される。当該ゲート電極１１３上には、層間絶縁膜１１６が形成され、さらに、当該ゲート絶縁膜１１２および層間絶縁膜１１６を覆うように、遮光膜１１７が形成される。遮光膜１１７には、開口部１０７が形成されている。

また、遮光膜１１７上および開口部１０７内には、絶縁膜１１８が形成されている。開口部１０７には光導波路１０８が形成されている。絶縁膜１１８および光導波路１０８上には、パッシベーション膜１２６を介して平坦化膜１２１が形成される。さらに、当該平坦化膜１２１上には、カラーフィルタ１２２が形成されている。当該カラーフィルタ１２２の上には、各フォトダイオード１０５に対応させて、オンチップマイクロレンズ１０９が形成される。

以上のように、図９に示すＣＣＤ型固体撮像装置では、最上層にオンチップマイクロレンズ１０９が設けられ、絶縁膜１１８中には光導波路１０８が設けられる。このように、各フォトダイオード１０５に対して光導波路１０８とマイクロレンズ１０９が設置されることにより、フォトダイオード１０５への集光率をより向上させることが可能となる（特許文献１参照）。
特開平１１−１２１７２５号公報（第７頁、第１図１）

しかしながら、図９に示すＣＣＤ型固体撮像装置では、ＣＣＤ型固体撮像装置全体としての受光感度は向上するが、ＣＣＤ型固体撮像装置に対して斜めに入射してきた光（以下、斜光と称す）や、マイクロレンズとマイクロレンズの間（以下、レンズギャップと称す）から入射してきた光が、隣の画素に入射してしまい、混色が発生するという問題があった。

そのため、ＣＣＤ型固体撮像装置に含まれる各画素間の受光感度のばらつきは、依然として存在する。以下に、図９を参照しながら詳しく説明する。

まず、ＣＣＤ型固体撮像装置内のある画素に着目すると、前記画素に入射する光は、自身のマイクロレンズ１０９を通って入射する光Ｌａ、レンズギャップから入射する光Ｌｂ、隣接画素のマイクロレンズ１０９を通って入射する光Ｌｃなどがある。これらの光のうち自身のマイクロレンズ１０９を通って入射する光Ｌａは、ほとんど自身の受光部に導かれる。しかしながら、レンズギャップから入射する光Ｌｂや隣接する画素から入射する光Ｌｃにおいては、あるものは自身の画素に入射し、あるものは隣接画素に入射していく。これらの割合は、撮像装置に光を投影するカメラレンズの特性においても変化し、撮像装置の製造バラつきにも依存する。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、レンズギャップからの光や斜光による混色を防止することができると共に、各画素間の受光感度のばらつきを低減することが可能なＣＣＤ型固体撮像装置を提供することにある。

本発明の第１態様の固体撮像装置は、基板に配列された複数の受光部を有する固体撮像装置であって、前記受光部の上方に形成された第１光導波路と、前記受光部間の領域の上方に形成された第２光導波路とを備える。

本発明の第１態様の固体撮像装置によると、第１光導波路に加えて第２光導波路が形成されていることにより、レンズギャップから入射してきた光や斜光を、第２の光導波路内に閉じ込めることができる。そのため、これらの光強度を減衰させ、隣の画素への入射を抑制することが可能になる。これにより、混色を防止することができると共に、各画素間の受光感度のばらつきを抑制することができる。

本発明の第１態様の固体撮像装置において、前記受光部および前記第１光導波路の上方に、前記受光部および前記第１光導波路の平面的な位置に対応して配置する集光レンズをさらに備え、前記第２光導波路は、前記集光レンズ間の下方に配置してもよい。

本発明の第１態様の固体撮像装置において、前記第２光導波路の下部に、光吸収体を配置してもよい。

本発明の第１態様の固体撮像装置において、前記第２光導波路の形状が柱状であってもよい。

本発明の第１態様の固体撮像装置において、前記第２光導波路の平面形状が、格子状あるいはストライプ状であってもよい。

本発明の第１態様の固体撮像装置において、前記基板のうち前記受光部の間の領域に形成された電荷転送部と、前記電荷転送部の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上を覆い、前記受光部の上方に開口を有する遮光膜と、前記遮光膜の上および前記開口内を覆う絶縁膜とをさらに備え、前記第１光導波路は前記開口内に形成され、前記第２光導波路は前記遮光膜の上方に形成されていてもよい。

本発明の第１態様の固体撮像装置の製造方法は、基板に配列された複数の受光部を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記受光部が配置する前記基板の上方に第１の絶縁膜を堆積する工程（ａ）と、前記受光部の上方における前記第１の絶縁膜に、第１の溝を形成する工程（ｂ）と、前記受光部間の領域の上方における前記第１の絶縁膜に、第２の溝を形成する工程（ｃ）と、前記第１の溝および前記第２の溝を第２の絶縁膜で埋めることにより、前記第１の溝内に第１光導波路を形成し、前記第２の溝内に第２の光導波路を形成する工程（ｄ）とを備える。

本発明の第１態様の製造方法によると、第１光導波路に加えて第２光導波路を形成する。この製法により形成された固体撮像装置では、レンズギャップから入射してきた光や斜光を第２の光導波路内に閉じ込めることができるため、これらの光強度を減衰させ、隣の画素への入射を抑制することが可能になる。したがって、この固体撮像装置では、混色を防止することができると共に、各画素間の受光感度のばらつきを抑制することができる。

本発明の第１態様の製造方法において、前記工程（ｄ）では、ＨＤＰ(High-density plasma)−ＣＶＤ法を行うことにより、前記第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜を形成してもよい。

本発明の第１態様の製造方法において、前記工程（ｄ）では、前記第２の絶縁膜によって、前記第１の溝および前記第２の溝を埋めると共に前記第１の絶縁膜の上を覆った後、前記第２の絶縁膜のうち前記第１の絶縁膜の上に位置する部分を除去してもよい。この場合には、第１の溝だけでなく第２の溝も埋めることにより、絶縁膜上に形成される突起部の高さを低くすることができる。これにより、後工程の絶縁膜の平坦化が容易になる。

本発明の第１態様の製造方法において、前記工程（ｂ）および前記工程（ｃ）を同時に行ってもよい。

本発明に係る固体撮像装置およびその製造方法では、第１の光導波路の間に第２光導波路が形成されるので、レンズギャップから入射してきた光や斜光が受光部に入射するのを抑制することができ、混色を防止することができると共に、画素間の感度バラつきを小さくすることが可能となる。

（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の各画素の配置は、図７で示した従来例と同等であるので図示および説明を省略する。

図１は、第１の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面を示す図である。

図１に示すように、本実施形態のＣＣＤ型固体撮像装置は、半導体基板１１に、垂直ＣＣＤ３、開口部７及びオンチップマイクロレンズ９が配置している。そして、開口部７内に光導波路８が形成されるだけでなく、各々開口部７の対角の中心に位置するように光導波路１０が形成される。光導波路１０は、マイクロレンズ９同士の間の領域（レンズギャップ部分）に配置される。なお、垂直ＣＣＤ３、開口部７、光導波路８、１０およびオンチップマイクロレンズ９は単位画素６を構成する。

また、図２に示すように、半導体基板１１には、電荷転送部１４およびフォトダイオード１５が形成される。半導体基板１１の表面は、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１２に覆われており、電荷転送部１４の真上に位置するゲート絶縁膜１２の上には、ポリシリコンからなるゲート電極１３が形成される。当該ゲート電極１３は、フォトダイオード１５が発生した信号電荷を読み出して、電荷転送部１４へと出力する。ゲート電極１３上には、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１６が形成され、さらに、ゲート絶縁膜１２および層間絶縁膜１６を覆うように、遮光膜１７が形成される。当該遮光膜１７は、ゲート電極１３に光が入射することを防止するための膜であり、例えば、Ｗ（タングステン）により形成される。なお、遮光膜１７の一部には、開口部７が形成される。これは、フォトダイオード１５に光を入射させるために形成されるものであり、各フォトダイオード１５の真上にマトリクス状に等間隔に形成される。

また、遮光膜１７上および開口部７に露出するフォトダイオード１５の上には絶縁膜１８が形成される。当該絶縁膜１８は光透過性を有し、例えば、ＣＶＤ法により成膜されるＢＰＳＧ膜からなる。開口部７を埋める絶縁膜１８内には光導波路８が形成される。光導波路８はフォトダイオード１５の上に配置する。当該光導波路８は、上方から入射してくる光をフォトダイオード１５に導くための通路である。

一方、遮光膜１７上には光導波路１０が形成される。当該光導波路１０は、上方から入射してくる光の一部（具体的には、レンズギャップから入射した光Ｌｂや隣接する画素のマイクロレンズから入射するＬｃ）を、光導波路１０内へ導き、閉じ込めて減衰させる役割を果たす。

絶縁膜１８および光導波路８、１０上には、パッシベーション膜２６を介して、シリコン酸化膜もしくは透明樹脂膜またはそれらの積層膜からなる平坦化膜２１が形成される。パッシベーション膜２６および平坦化膜２１は、光透過性を有する。さらに、当該平坦化膜２１上には、カラーフィルタ２２が形成される。当該カラーフィルタ２２の上には、各フォトダイオード１５に対応させて、オンチップマイクロレンズ９が形成される。

以上のように、本実施形態の固体撮像装置では、各フォトダイオード１５に対して光導波路８が形成されるだけでなく、遮光膜１７の上に光導波路１０が形成されている。そのため、レンズギャップから入射してきた光Ｌｂや斜光Ｌｃを、光導波路１０内に閉じ込めることができるため、光強度を減衰させ、隣の画素への入射を抑制することが可能になる。これにより、斜光による混色を防止することができると共に、各画素間の受光感度のばらつきを抑制することができる。

次に、本実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３（ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。

本実施形態のＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法では、まず、半導体基板１１の表面部に、等間隔にマトリクス状となるようにフォトダイオード１５を形成する。さらに、当該フォトダイオード１５に対応するように、電荷転送部１４をフォトダイオード１５の隣に離間させて形成する。その後、半導体基板１１上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１２をＣＶＤ法により形成する。

次に、ゲート絶縁膜１２上であってかつ電荷転送部１４の真上の領域に、ポリシリコンのゲート電極１３を形成する。具体的には、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を堆積後、所定領域のポリシリコン膜を選択的にドライエッチングにより除去することにより、当該ゲート電極１３は形成される。ゲート電極１３が形成されると、当該ゲート電極１３を覆うように、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１６を形成する。なお、当該層間絶縁膜１６は、ＣＶＤ法による堆積により形成する。

層間絶縁膜１６を形成した後、当該層間絶縁膜１６を覆うように遮光膜１７を形成する。具体的には、層間絶縁膜１６およびゲート絶縁膜１２を覆うようにＷの薄膜をＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法により形成する。その後、フォトダイオード１５の上部に位置するＷの薄膜をドライエッチングにより選択的に除去する。これにより、遮光膜１７が形成されると共に開口部７が形成される。その後、遮光膜１７および開口部７上にＢＰＳＧ膜をＣＶＤ法により堆積する。その後、加熱処理によりＢＰＳＧ膜をリフローして、その表面を平坦化する。これにより絶縁膜１８が形成され、固体撮像装置の断面構造は、図３（ａ）に示す構造をとるようになる。

次に、ＣＦ系のガスを用いたドライエッチングを行って、遮光膜１７上および開口部７領域の絶縁膜１８を選択的に除去して、遮光膜１７の上に位置する溝１９およびフォトダイオード１５の上に位置する溝２０を形成する。このとき、ドライエッチングは、絶縁膜１８の下に形成されたタングステンからなる遮光膜１７で停止する。そのため、溝１９、２０を一度のドライエッチングで形成することができる。
なお、開口部７領域の絶縁膜１８を選択的に除去する際には、半導体基板１１にダメージを与えないようにするために、除去する領域が半導体基板１１に接しないように形成されることが望ましい。これにより、ＣＣＤ型固体撮像装置は、図３（ｂ）に示すような断面構造図を有するようになる。

次に、溝１９、２０を埋め、絶縁膜１８の上を覆う窒化膜２４をＨＤＰ(High-dencity plasma)−ＣＶＤ法により堆積する。このとき、窒化膜２４のうち絶縁膜１８の上に位置する部分は、溝１９、２０の上に位置する部分よりも高さｈ１だけ上に突出した突起状に形成される。これにより、固体撮像装置は、図３（ｃ）に示す断面構造を有するようになる。

ここで、本実施形態の突起の高さｈ１を従来の突起の高さと比較する。図１０は、従来のＣＣＤ型固体撮像装置を形成した場合に形成される突起を示す図である。なお、図１０に示す突起は、図８および図９に示すＣＣＤ型固体撮像装置を形成する工程において形成されるものである。図３（ｃ）および図１０に示すように、本実施形態における突起の高さｈ１は、従来例の突起の高さｈ２に比べて、１／２以下に抑制できる。なぜなら、突起の高さは、埋め込む凹領域間の平坦部長さに比例するため、本実施形態では、光導波路８の間に光導波路１０を配置することにより、前記平坦部長さを１／２以下にできるためである。これにより、本実施形態では後工程の平坦化が容易になる。

次に、窒化膜２４の表面を、ＣＭＰ法またはエッチバック法などにより平坦化することによって光導波路８、１０を形成する。これにより、固体撮像装置は、図３（ｄ）に示す断面構造を有するようになる。

次に、絶縁膜１８および光導波路８、１０の上に、パッシベーション膜２６を形成する。パッシベーション膜２６の上に、平坦化膜２１を形成し、その上に、カラーフィルタ２２を形成する。具体的には、染色法やカラーレジスト塗布により、カラーコーディングに沿った３〜４層の膜を堆積する。最後に、当該カラーフィルタ２２上にオンチップマイクロレンズ９を形成する。具体的には、熱溶融性透明樹脂やその上部のレジスト熱リフロー転写により、オンチップマイクロレンズ９を形成する。これにより、図３（ｅ）に示すような構造を有する固体撮像装置が完成する。なお、光導波路１０は、オンチップマイクロレンズ９のギャップの下部に位置するように形成されることが望ましい。

（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。本実施形態の固体撮像装置では、光導波路１０の下、つまり光導波路１０と遮光膜１７との間に光吸収体２５が配置している。これにより、光の再反射をさらに抑制することが可能になる。それ以外の構成および効果は第１の実施形態と同様であるため、その説明を省略する。

（その他の実施形態）
上述の第１および第２の実施形態では、ＣＣＤ型固体撮像装置を例として説明を行ってきたが、当該固体撮像装置はＭＯＳ型固体撮像装置であってもよい。

また、第１および第２の実施形態では、光導波路１０の平面形状が円形（図１に示す）である場合について説明したが、当該光導波路の平面形状は、これに限らない。例えば、図５に示すように、光導波路として、格子状の平面形状を有する光導波路１０ａを形成してもよい。また、図６に示すように、光導波路として、ストライプ状の平面形状を有する光導波路１０ｂを形成してもよい。これらによれば、より効率よく斜光による混色成分を光導波路１０ａ、１０ｂに集めることが可能となる。さらに、埋め込む凹領域間の平坦部長さが短くなるので、ＨＤＰ−ＣＶＤ法による窒化膜の埋め込み後の平坦化をより容易にすることが可能となる。その結果、固体撮像装置の設計自由度が大きくなる。

また、第１および第２の実施形態では、光導波路８、１０の材質を窒化膜としているが、当該光導波路の材質はこれに限らない。例えば、光導波路の材質は、当該光導波路の周辺に存在する膜の材質よりも高い屈折率を有するような材料であればよい。

また、第１および第２の実施形態では、ゲート電極は１層構造を取っているが、当該ゲート電極の構造はこれに限らない。例えば、ゲート電極は、ポリシリコン、シリコン酸化膜、ポリシリコンと堆積されたような複数層構造であってもよい。

また、第１および第２の実施形態に係る固体撮像装置では、図２に示すように、１つのフォトダイオード１５に対して１つのマイクロレンズを配置しているが、１つのフォトダイオード１５に対して複数個配置してもよい。

本発明に係る固体撮像装置は、混色を防止することができると共に、各画素間に存在する受光感度のばらつきを低減することができる点で、産業上の利用可能性は高い。

第１の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。 図１のＡ−Ａ'線に沿った断面を示す図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係るＣＣＤ型固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。 光導波路が格子状の平面形状を有する場合の構造を示す平面図である。 光導波路がストライプ状の平面形状を有する場合の構造を示す平面図である。 従来からのＣＣＤ型固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。 マイクロレンズおよび光導波路を備える従来の固体撮像装置の一部分を拡大して示す平面図である。 図８のＡ−Ａ'線に沿った断面を示す図である。 従来のＣＣＤ型固体撮像装置を形成した場合に形成される突起を示す図である。

符号の説明

３ 垂直ＣＣＤ
７ 開口部
８、１０、１０ａ、１０ｂ 光導波路
９ オンチップマイクロレンズ
１１ 半導体基板
１２ ゲート絶縁膜
１３ ゲート電極
１４ 電荷転送部
１５ フォトダイオード
１６ 層間絶縁膜
１７ 遮光膜
１８ 絶縁膜
１９、２０ 溝
２１ 平坦化膜
２２ カラーフィルタ
２３ マイクロレンズ
２４ 窒化膜
２５ 光吸収体
２６ パッシベーション膜

Claims (10)

1. 基板に配列された複数の受光部を有する固体撮像装置であって、
   前記受光部の上方に形成された第１光導波路と、
   前記受光部間の領域の上方に形成された第２光導波路と
   を備える、固体撮像装置。
2. 前記受光部および前記第１光導波路の上方に、前記受光部および前記第１光導波路の平面的な位置に対応して配置する集光レンズをさらに備え、
   前記第２光導波路は、前記集光レンズ間の領域の下方に配置する、請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第２光導波路の下部に、光吸収体を配置する、請求項１または２に記載の固体撮像装置。
4. 前記第２光導波路の形状が柱状である、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置。
5. 前記第２光導波路の平面形状が、格子状あるいはストライプ状である、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置。
6. 前記基板のうち前記受光部の間の領域に形成された電荷転送部と、
   前記電荷転送部の上に形成されたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート電極の上を覆い、前記受光部の上方に開口を有する遮光膜と、
   前記遮光膜の上および前記開口内を覆う絶縁膜とをさらに備え、
   前記第１光導波路は前記開口内に形成され、
   前記第２光導波路は前記遮光膜の上方に形成される、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 基板に配列された複数の受光部を有する固体撮像装置の製造方法であって、
   前記受光部が配置する前記基板の上方に第１の絶縁膜を堆積する工程（ａ）と、
   前記受光部の上方における前記第１の絶縁膜に、第１の溝を形成する工程（ｂ）と、
   前記受光部間の領域の上方における前記第１の絶縁膜に、第２の溝を形成する工程（ｃ）と、
   前記第１の溝および前記第２の溝を第２の絶縁膜で埋めることにより、前記第１の溝内に第１光導波路を形成し、前記第２の溝内に第２の光導波路を形成する工程（ｄ）と
   を備える、固体撮像装置の製造方法。
8. 前記工程（ｄ）では、ＨＤＰ(High-density plasma)−ＣＶＤ法を行うことにより、前記第２の絶縁膜としてＳｉＮ膜を形成する、請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法。
9. 前記工程（ｄ）では、前記第２の絶縁膜によって、前記第１の溝および前記第２の溝を埋めると共に前記第１の絶縁膜の上を覆った後、前記第２の絶縁膜のうち前記第１の絶縁膜の上に位置する部分を除去する、請求項７または８に記載の固体撮像装置の製造方法。
10. 前記工程（ｂ）および前記工程（ｃ）を同時に行う、請求項７〜９のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。

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