JP2012219000A - ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 48
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するヒーター出力制御方法。
【選択図】図1
Description
このCZ法においては、単結晶製造装置のチャンバー内に設置した石英ルツボに原料である多結晶シリコンを充填し、石英ルツボを支持するための黒鉛ルツボを囲繞する円筒状のヒーターによって原料を加熱溶解した後、シードチャックに取り付けた種結晶を融液に浸漬させ、シードチャック及びルツボを同一方向又は逆方向に回転させながら、シードチャックを引き上げて単結晶を成長させる(例えば特許文献1参照)。
このような温度制御は、成長させる単結晶インゴットを、所望の直径にするために重要であり、直径変動が大きいと、生産性や結晶の品質に影響する。
この温度パターンのズレは、標準の温度パターンを用いて結晶製造した際に、温度勾配によって形成されるコーン部の形状や、図11に示すような直胴部形成工程中の実際の炉内の温度パターンとの偏差量として現れる。図11は、(a)単結晶インゴットの模式図と、(b)装置による標準の温度パターンからの偏差を示すグラフと、(c)標準の温度パターンを示すグラフである。
標準の温度パターンを用いて結晶製造する際には、所望のコーン部形状(コーン部形成時間)を狙いとし、かつ、直胴部30−170cm間の温度パターンとの偏差のMAX−MIN値を1とした場合、直胴部形成工程中の標準温度パターンに対する実際の温度パターンのズレ量が10%以内であることを狙い(基準)としている。しかし、特に温度パターンのズレが大きい単結晶製造装置では、コーン部形成時間が基準に比べ30分以上の違いとなり、直胴部形成工程中の標準温度パターンに対するズレ量が、20%以上となる場合があった。
そのため、従来技術では、各単結晶製造装置毎に温度パターンを用意し、同一の結晶品質が得られるようにしていた。しかし、このような方法では、装置の台数が増えたり、装備変更あるいは、炉内部品の経時劣化等に伴い、その都度パターンの修正が必要となり、パターンの管理による生産性の悪化が生じていた。また、この場合でも上記した操業による温度パターンのズレで、結晶の品質や直径のバラツキが生じていた。
このように補正することで、容易かつ精度良く制御信号を補正することができる。
このように相関式を単結晶インゴットの成長における原料のチャージ量又は成長させる単結晶インゴットの直径別に求めることで、制御信号をより精度良く補正することができる。
このような絞り部形成終盤の平均成長速度であれば、コーン部形成時間との相関関係がより明確に出やすいため、制御信号の補正の精度がより向上する。
このように、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定した結果を、同じ単結晶インゴットの直胴部形成工程開始の前にフィードバックして制御信号を補正すれば、単結晶インゴット成長毎に精度良く直胴部の直径変動を抑え、操業中の温度パターンのズレをより効率的に抑制することができる。
本発明は、チョクラルスキー法により、絞り部とコーン部と直胴部と丸め部を形成して単結晶インゴットを成長させる単結晶製造装置において、ヒーターの温度を検出しながら該ヒーターの出力を制御する方法及び単結晶製造装置である。
まず、石英ルツボ12内の多結晶原料を加熱、溶融して原料融液17とする。そして、原料融液17と種結晶を接触させた際に生じる転位を除去するために縮径する工程(絞り部形成)を行い、それに引き続き所定の直径まで拡径する工程(コーン部形成)を行う。その後、拡径した直径で引き続き結晶成長させる工程(直胴部形成)を行い、最後に成長を終了するために所定直径から縮径する工程(丸め部形成)を行う。そして、これらの工程を経て成長させた単結晶インゴット18を原料融液17から切り離して結晶成長を終了する。
ここで、図11(c)に示すような温度パターンは、予め所望の結晶直径等を得られるような成長中のヒーター温度のパターンを求めておいて、実際の単結晶インゴットの成長時には、その温度パターンになるように、ヒーターの温度を検出しながら出力制御を行う。このような温度パターンは、従来では、炉内構造が同じであったとしても、装置毎の個体差や経時変化、あるいは操業条件等により各装置間でズレが生じるため、各装置で温度パターンを求める必要があった。このため、現実にはズレが生じたまま操業したり、温度パターンを求めるための時間や労力等により生産性及びコストが悪化する。しかし、以下に示す本発明であれば、複数の装置で共通の温度パターンを用いて、所望の直径及び品質の単結晶インゴットの成長を同様に行うことができる。
この際、測定する絞り部形成工程の成長速度は、コーン部形成開始前20分からコーン部形成開始までの間、特にはコーン部形成開始前15分からコーン部形成開始までの間(絞り部を約40mm以下の長さ分成長させる間)の平均成長速度とすルのが好ましい。このような絞り部形成終盤の平均成長速度であれば、コーン部形成時間との相関がより明確に出るため、精度の良い補正ができる。
このとき、コーン部形成時間とは絞り部形成後、コーン部形成(拡径)終了までの時間とする。図2は、絞り部形成終盤(コーン部形成開始20分前からコーン部形成開始まで)の平均成長速度をそれら全体の平均値で除した値と、当該成長速度の際のコーン部形成時間からそれら全データの平均値を引いた値(コーン形成時間差)との関係を示すグラフである。この場合の測定するデータ数はバラツキ等を考慮し、10個以上測定することが好ましい。
Y=A・X+B…(式1)
ここで、Y:コーン部形成時間、X:絞り部形成時の成長速度、A:傾き、B:切片である。
実際のヒーター出力制御を行う単結晶製造装置(B号機)を用いて、A号機で調べたものと同じ品種の単結晶インゴットを成長させる際の絞り部形成工程の成長速度と、その際のコーン部形成時間を、A号機と同じ条件で測定して複数データを得る。この場合のヒーター出力制御のための温度パターンも同じ標準温度パターンを用いる。
B号機をA号機と比較すると、近似式の傾きはほぼ同じであるが、同じ絞り部成長速度で比較した場合、B号機の方がコーン部形成時間が短い。これより、B号機の方が温度の効きが強く、コーン部の拡がりが強い(フラット形状)傾向にあることが分かる。つまり、同じ絞り部成長速度で見たときの、コーン部形成時間の差が、温度パターンのズレそのものを示している。
図4に示す制御機構16は、放射温度計15によって検出されたヒーター温度を、温度調節器22にフィードバックし、設定した温度パターンの温度となるようにヒーター出力の制御を行っている。そして、本発明では、例えば放射温度計15からの出力信号を補正するために、放射温度計15と温度調節器22との間に温度補正装置23を設けることができる。
温度補正装置への入力信号(放射温度計からの出力信号)Viと、温度補正装置からの出力信号Voの比を温度補正係数Kとすると下記式2のように表せる。
K=Vo/Vi…(式2)
同じ操業条件(チャージ量、結晶品質、結晶直径)におけるKに対する温度の効きを確認するため、Kを意図的に変えて絞り部とコーン部の形成を行う。なお、Kの初期値は1(補正無し)である。Kを変えてコーン部を形成した場合の、それぞれの絞り部成長速度とコーン部形成時間を式1に代入する。傾きAは固定とし、基準とした絞り部成長速度のときのコーン部形成時間Yを求める。横軸にK、縦軸にコーン部形成時間Yとしてプロットすると図5のような関係があり、これより下記近似式(式3)を得る。
Y=C・K+D…(式3)
図6の場合には、A号機とB号機のコーン部形成時間の差(ΔT)は約20分であるので、これを式3に代入することで補正係数Kの値を決定することができる。
Vo=K・Vi+β…(式4)
ここで、Vi:入力信号、Vo:出力信号、K:温度補正係数、β:オフセットである。
また、オフセットβは、以下の式5となる。
β=0.5・(1−K)…(式5)
B号機での単結晶インゴット成長の際に、上記のような補正後の制御信号により、ヒーター出力制御を行うことで、A号機とB号機で同じ標準温度パターンを用いることができ、かつ、両号機で成長させる単結晶インゴットの直径等の結晶品質を同等にできる。
チャージ量や成長させるインゴットの直径等によって、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間の間の相関関係が変化するため、上記のように求めることでより精度良くヒーター出力の制御が可能である。
これにより、それぞれの単結晶インゴット成長時に適切に補正でき、操業中の温度パターンのズレもより細かく解消でき、結晶品質もより向上する。
(実施例、比較例)
直径26インチ(660mm)のルツボに180kgの多結晶原料をチャージして、直胴部の直径200mmのシリコン単結晶インゴットをチョクラルスキー法により成長させた。この成長は、上記した本発明の方法によりヒーター出力を制御しながら行った。
A号機とB号機の絞り部終盤(コーン部形成開始前20分からコーン部形成開始まで)の平均成長速度と、その際のコーン部形成時間を測定した結果を図8に示す。なお、横軸の平均成長速度は、A号機の絞り部終盤平均成長速度のデータ全体の平均値でそれぞれのデータを割った値とした。また、縦軸のコーン部形成時間差は、コーン部形成時間のそれぞれのデータからA号機のコーン部形成時間のデータ全体の平均値を引いた値とした。
Y=−112X+112 (A=−112,B=112)
となった。ここで、Y:コーン部形成時間、X:絞り部形成時の成長速度である。
Y=99K−97 (C=99,D=−97)
となった。
20=99K−97
K≒1.18
となった。
β=0.5・(1−1.18)
=−0.09
となった。
図9に示すように、制御信号の補正後は、B号機もA号機と同様のコーン部形成時間と絞り部成長速度の関係になっている。
13…ヒーター、 14…ルツボ回転軸、 15…放射温度計、
16…制御機構、 17…原料融液、 18…単結晶インゴット、
19…引上げ機構、 20…チャンバー、 21…断熱部材
22…温度調節器、 23…温度補正装置。
Claims (10)
- チョクラルスキー法により、絞り部とコーン部と直胴部と丸め部を形成して単結晶インゴットを成長させる単結晶製造装置において、ヒーターの温度を検出しながら該ヒーターの出力を制御する方法であって、
予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御することを特徴とするヒーター出力制御方法。 - 前記制御信号の補正を、前記相関式に前記測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間が重なるように、前記制御信号をゲイン及びオフセット調整により補正することを特徴とする請求項1に記載のヒーター出力制御方法。
- 前記相関式を、単結晶インゴットの成長における原料のチャージ量又は成長させる単結晶インゴットの直径別に求めることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のヒーター出力制御方法。
- 前記相関式を求める際の絞り部形成時の成長速度及び前記他の単結晶製造装置での前記測定する絞り部形成時の成長速度を、コーン部形成開始前20分からコーン部形成開始までの任意の間の平均成長速度とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のヒーター出力制御方法。
- 前記他の単結晶製造装置での前記絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間の測定を、製品の単結晶インゴットの成長の際に行い、前記測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、前記ヒーターの出力を制御しながら当該製品の単結晶インゴットの直胴部形成を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のヒーター出力制御方法。
- チョクラルスキー法により、ヒーターの温度を検出しながら該ヒーターの出力を制御して、絞り部とコーン部と直胴部と丸め部を形成して単結晶インゴットを成長させる単結晶製造装置であって、
予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するものであることを特徴とする単結晶製造装置。 - 前記制御信号の補正は、前記相関式に前記測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間が重なるように、前記制御信号をゲイン及びオフセット調整により補正するものであることを特徴とする請求項6に記載の単結晶製造装置。
- 前記相関式は、単結晶インゴットの成長における原料のチャージ量又は成長させる単結晶インゴットの直径別に求めるものであることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の単結晶製造装置。
- 前記相関式を求める際の絞り部形成時の成長速度及び前記他の単結晶製造装置での前記測定する絞り部形成時の成長速度は、コーン部形成開始前20分からコーン部形成開始までの任意の間の平均成長速度であることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
- 前記他の単結晶製造装置での前記絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間の測定は、製品の単結晶インゴットの成長の際に行い、前記測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、前記ヒーターの出力を制御しながら当該製品の単結晶インゴットの直胴部形成を行うものであることを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011089291A JP5505359B2 (ja) | 2011-04-13 | 2011-04-13 | ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011089291A JP5505359B2 (ja) | 2011-04-13 | 2011-04-13 | ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012219000A true JP2012219000A (ja) | 2012-11-12 |
JP5505359B2 JP5505359B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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