JP2012216695A - 薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜素子の製造方法は、支持基板20上に樹脂材料から成る第1基材21を塗布法にて形成した後、第1基材21上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第2基材22を形成し、次いで、第2基材上に薄膜素子能動部30を形成し、その後、支持基板20を第1基材21から剥離する各工程を備えており、第1基材21を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上である。
【選択図】 図1
Description
(1)低温で、簡易なプロセスにて、大面積の有機デバイスを低コストで製造することができる。
(2)可撓性を有する有機デバイスを製造することが可能である。
(3)有機材料を構成する分子を所望の形態に修飾することで、有機デバイスの性能や物性を制御することができる。
といった種々の利点を有している。
支持基板上に樹脂材料から成る第1基材を塗布法にて形成した後、
第1基材上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第2基材を形成し、次いで、
第2基材上に薄膜素子能動部を形成し、その後、
支持基板を第1基材から剥離する、
各工程を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上である。
支持基板上に樹脂材料から成る第1基材を塗布法にて形成した後、
第1基材上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第2基材を形成し、次いで、
第2基材上に薄膜素子能動部を形成し、その後、
支持基板を第1基材から剥離する、
各工程を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は、薄膜素子能動部を形成するときのプロセス温度の最高温度よりも高い。
支持基板上に非晶性熱可塑性樹脂から成る第1基材を塗布法にて形成した後、
第1基材上に、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂から成る第2基材を形成し、次いで、
第2基材上に薄膜素子能動部を形成し、その後、
支持基板を第1基材から剥離する、
各工程を備えている。
第1基材、
第1基材上に形成された第2基材、及び、
第2基材上に形成された薄膜素子能動部、
を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上であり、
第2基材を構成する樹脂は、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る。
第1基材、
第1基材上に形成された第2基材、及び、
第2基材上に形成された薄膜素子能動部、
を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は、薄膜素子能動部を形成するときのプロセス温度の最高温度よりも高く、
第2基材を構成する樹脂は、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る。
第1基材、
第1基材上に形成された第2基材、及び、
第2基材上に形成された薄膜素子能動部、
を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料は非晶性熱可塑性樹脂から成り、
第2基材を構成する樹脂は、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂から成る。
1.本開示の第1の態様〜第3の態様に係る薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様〜第3の態様に係る薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1の別の変形)
5.実施例4(実施例1の別の変形)
6.実施例5(実施例1の別の変形)
7.実施例6(実施例1の別の変形)、その他
第1電極及び第2電極、
第1電極と第2電極との間に形成された能動層、並びに、
絶縁層を介して能動層と対向した制御電極、
を備えている形態とすることができ、この場合、具体的には、
薄膜素子能動部は、有機トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタ(TFT)を含む電界効果トランジスタ(FET)といった3端子デバイスから成る形態とすることができ、
第1電極及び第2電極はソース/ドレイン電極に該当し、
制御電極はゲート電極に該当し、
絶縁層はゲート絶縁層に該当し、
能動層はチャネル形成領域に該当する構成とすることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい形態、構成を含む第1の態様〜第3の態様に係る本開示において、薄膜素子能動部は、
第1電極及び第2電極、並びに、
第1電極と第2電極との間に形成された能動層、
を備えている形態とすることができ、この場合、より具体的には、薄膜素子能動部は、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー、光センサーを含む各種センサーといった2端子デバイスから成る形態とすることができる。そして、これらの場合、能動層は有機半導体材料から成る構成とすることができる。
(a)第2基材上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
(b)ゲート絶縁層上にソース/ドレイン電極を形成した後、
(c)少なくとも、ソース/ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層の上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成する、
各工程から製造することができる。ボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタは、
(A)第2基材上に形成されたゲート電極、
(B)ゲート電極及び第2基材上に形成されたゲート絶縁層、
(C)ゲート絶縁層上に形成されたソース/ドレイン電極、並びに、
(D)ソース/ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、
を備えている。
(a)第2基材上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
(b)ゲート絶縁層上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、
(c)チャネル形成領域延在部上にソース/ドレイン電極を形成する、
各工程から製造することができる。ボトムゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタは、
(A)第2基材上に形成されたゲート電極、
(B)ゲート電極及び第2基材上に形成されたゲート絶縁層、
(C)ゲート絶縁層上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、並びに、
(D)チャネル形成領域延在部上に形成されたソース/ドレイン電極、
を備えている。
(a)第2基材上にソース/ドレイン電極を形成し、次いで、
(b)全面に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成した後、
(c)全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程から製造することができる。トップゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタは、
(A)第2基材上に形成されたソース/ドレイン電極、
(B)ソース/ドレイン電極の間の第2基材上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、
(C)チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
(D)ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えている。
(a)第2基材上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、
(b)チャネル形成領域延在部上にソース/ドレイン電極を形成した後、
(c)全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程から製造することができる。トップゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタは、
(A)第2基材上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、
(B)チャネル形成領域延在部上に形成されたソース/ドレイン電極、
(C)ソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
(D)ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えている。
第1基材21、
第1基材21上に形成された第2基材22、及び、
第2基材22上に形成された薄膜素子能動部30、
を備えている。
第1電極及び第2電極、
第1電極と第2電極との間に形成された能動層、並びに、
絶縁層を介して能動層と対向した制御電極、
を備えている。具体的には、
薄膜素子能動部30は、電界効果トランジスタ(FET)、より具体的には、薄膜トランジスタ(TFT)から成り、
第1電極及び第2電極はソース/ドレイン電極33に該当し、
制御電極はゲート電極31に該当し、
絶縁層はゲート絶縁層32に該当し、
能動層はチャネル形成領域34に該当する。そして、制御電極に印加される電圧によって、第1電極から第2電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。
(A)第2基材22上に形成されたゲート電極31(制御電極に相当する)、
(B)ゲート電極31及び第2基材22上に形成されたゲート絶縁層32(絶縁層に相当する)、
(C)ゲート絶縁層32上に形成されたソース/ドレイン電極33(第1電極及び第2電極に相当する)、並びに、
(D)ソース/ドレイン電極33の間であってゲート絶縁層32上に形成され、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34(能動層に相当する)、
を備えている。
先ず、支持基板(支持基材)20上に樹脂材料から成る第1基材21を塗布法にて形成し、次いで、第1基材21上に、熱によって硬化する樹脂から成る第2基材22を形成する。あるいは又、支持基板20上に非晶性熱可塑性樹脂から成る第1基材21を塗布法にて形成した後、第1基材21上に熱硬化型樹脂から成る第2基材22を形成する。具体的には、ガラス基板から成る支持基板20上に、バーコーターを用いて、乾燥後の厚さが100μmとなるように第1基材形成用溶液を塗布し、乾燥させることで、支持基板20の上に第1基材21を形成する。次いで、バーコーターを用いて、乾燥後の厚さが10μmとなるように第2基材形成用溶液を塗布し、乾燥、熱硬化させることで、第1基材21の上に第2基材22を形成する。
そのために、先ず、第2基材22の上にゲート電極31を形成する。具体的には、第2基材22上に、ゲート電極31を形成すべき部分が除去されたレジスト層(図示せず)を、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としてのチタン(Ti)層(図示せず)、及び、ゲート電極31としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフト・オフ法に基づき、ゲート電極31を得ることができる。
次に、全面に、具体的には、ゲート電極31を含む第2基材22上に、ゲート絶縁層32を形成する。より具体的には、SiO2から成るゲート絶縁層32を、スパッタリング法に基づきゲート電極31及び第2基材22上に形成する。ゲート絶縁層32の成膜を行う際、ゲート電極31の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極31の取出部(図示せず)をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
その後、ゲート絶縁層32の上に、金(Au)層から成るソース/ドレイン電極33を形成する。具体的には、密着層としての厚さ約0.5nmのチタン(Ti)層(図示せず)、及び、ソース/ドレイン電極33として厚さ約25nmの金(Au)層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。これらの層の成膜を行う際、ゲート絶縁層32の一部をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極33をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
次いで、少なくとも、ソース/ドレイン電極33の間に位置するゲート絶縁層32の上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34を形成する。具体的には、上述した有機半導体材料溶液を用いてスピンコート法にて有機半導体材料層を成膜した後、90゜C、1時間といった条件にて、成膜された有機半導体材料層を乾燥する。こうして、チャネル形成領域34(能動層)を得ることができる(図1の(B)参照)。
その後、全面にパッシベーション膜(図示せず)を形成し、ゲート電極31及びソース/ドレイン電極33に接続された配線(図示せず)を銀ペーストの印刷及び焼成に基づき形成する。ここで、銀ペーストの焼成温度が、一連の薄膜素子あるいは画像表示装置の製造工程におけるプロセス温度の最高温度(具体的には、150゜C)である。こうして、ボトムゲート・ボトムコンタクト型のFET(具体的には、TFT)を得ることができる。
その後、支持基板20を第1基材21から剥離する。具体的には、支持基板20上の第2基材22及び第1基材21に切れ目を入れ、切れ目から水を侵入させることで、支持基板20を第1基材21から剥離する。こうして、実施例1の薄膜素子(TFT)10Aを得ることができる。あるいは又、実施例1の薄膜素子10Aを備えた画像表示装置を得ることができる。尚、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、薄膜素子10Aの上あるいは上方に、画像表示部(具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部)を、周知の方法に基づき形成すればよい。
(A)第2基材22上に形成されたゲート電極31(制御電極に相当する)、
(B)ゲート電極31及び第2基材22上に形成されたゲート絶縁層32(絶縁層に相当する)、
(C)ゲート絶縁層32上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34(能動層に相当する)及びチャネル形成領域延在部35、並びに、
(D)チャネル形成領域延在部35上に形成されたソース/ドレイン電極33(第1電極及び第2電極に相当する)、
を備えている。
先ず、実施例1の[工程−100]〜[工程−110]と同様にして、支持基板20上に第1基材21及び第2基材22を順次形成し、第2基材22上にゲート電極31を形成した後、実施例1の[工程−120]と同様にして、全面に、具体的には、ゲート電極31を含む第2基材22上に、ゲート絶縁層32を形成する。
次いで、実施例1の[工程−140]と同様にして、ゲート絶縁層32上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34及びチャネル形成領域延在部35を形成する。
その後、チャネル形成領域延在部35の上に、チャネル形成領域34を挟むようにソース/ドレイン電極33を形成する。具体的には、実施例1の[工程−130]と同様にして、密着層としてのチタン(Ti)層(図示せず)、及び、ソース/ドレイン電極33としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。これらの層の成膜を行う際、チャネル形成領域延在部35の一部をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極33をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
次いで、パッシベーション膜(図示せず)の形成、配線(図示せず)の形成を、実施例1と同様に行い、支持基板20を第1基材21から剥離することで、実施例2の薄膜素子10Bを完成させることができる。
(A)第2基材22上に形成されたソース/ドレイン電極33(第1電極及び第2電極に相当する)、
(B)ソース/ドレイン電極33の間の第2基材22上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34(能動層に相当する)、
(C)チャネル形成領域34上に形成されたゲート絶縁層32(絶縁層に相当する)、並びに、
(D)ゲート絶縁層32上に形成されたゲート電極31(制御電極に相当する)、
を備えている。
先ず、実施例1の[工程−100]及び[工程−130]と同様にして、支持基板20上に第1基材21及び第2基材22を順次形成し、次いで、第2基材22上にソース/ドレイン電極33を形成した後、実施例1の[工程−140]と同様にして、全面に、具体的には、ソース/ドレイン電極33を含む第2基材22上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域(能動層)34を形成する。
次いで、全面に、ゲート絶縁層32を、実施例1の[工程−120]と同様の方法で形成する。その後、チャネル形成領域34の上のゲート絶縁層32の部分に、実施例1の[工程−110]と同様の方法で、ゲート電極31を形成する。
次いで、パッシベーション膜(図示せず)の形成、配線(図示せず)の形成を、実施例1と同様に行い、支持基板20を第1基材21から剥離することで、実施例3の薄膜素子10Cを完成させることができる。
(A)第2基材22上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34(能動層に相当する)及びチャネル形成領域延在部35、
(B)チャネル形成領域延在部35上に形成されたソース/ドレイン電極33(第1電極及び第2電極に相当する)、
(C)ソース/ドレイン電極33及びチャネル形成領域34上に形成されたゲート絶縁層32(絶縁層に相当する)、並びに、
(D)ゲート絶縁層32上に形成されたゲート電極31(制御電極に相当する)、
を備えている。
先ず、実施例1の[工程−100]及び[工程−140]と同様にして、支持基板20上に第1基材21及び第2基材22を順次形成し、次いで、第2基材22上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域34及びチャネル形成領域延在部35を形成する。
次いで、実施例1の[工程−130]と同様の方法で、チャネル形成領域延在部35上にソース/ドレイン電極33を形成する。
その後、全面にゲート絶縁層32を実施例1の[工程−120]と同様の方法で形成する。次いで、チャネル形成領域34の上のゲート絶縁層32の部分に、実施例1の[工程−110]と同様の方法でゲート電極31を形成する。
次いで、パッシベーション膜(図示せず)の形成、配線(図示せず)の形成を、実施例1と同様に行い、支持基板20を第1基材21から剥離することで、実施例4の薄膜素子10Dを完成させることができる。
第1電極41及び第2電極42、並びに、
第1電極41と第2電極42との間に形成された能動層43、
を備えている。尚、能動層43は有機半導体材料から成る。そして、能動層43への光の照射によって電力が生成する。即ち、実施例6の薄膜素子10Eは、光電変換素子あるいは太陽電池として機能する。あるいは又、第1電極41及び第2電極42への電圧の印加によって能動層43が発光する発光素子として機能する。
Claims (20)
- 支持基板上に樹脂材料から成る第1基材を塗布法にて形成した後、
第1基材上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第2基材を形成し、次いで、
第2基材上に薄膜素子能動部を形成し、その後、
支持基板を第1基材から剥離する、
各工程を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上である薄膜素子の製造方法。 - 第1基材を構成する樹脂材料は、硬化あるいは架橋をしない樹脂材料から構成され、
第2基材を構成する材料は、第1基材を構成する樹脂材料成分を含んでいる請求項1に記載の薄膜素子の製造方法。 - 支持基板に対する剥離強度は1.0N/cm乃至4.9N/mである請求項1又は請求項2に記載の薄膜素子の製造方法。
- 支持基板上に樹脂材料から成る第1基材を塗布法にて形成した後、
第1基材上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第2基材を形成し、次いで、
第2基材上に薄膜素子能動部を形成し、その後、
支持基板を第1基材から剥離する、
各工程を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は、薄膜素子能動部を形成するときのプロセス温度の最高温度よりも高い薄膜素子の製造方法。 - 第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上である請求項4に記載の薄膜素子の製造方法。
- 支持基板に対する剥離強度は1.0N/cm乃至4.9N/mである請求項4又は請求項5に記載の薄膜素子の製造方法。
- 支持基板上に非晶性熱可塑性樹脂から成る第1基材を塗布法にて形成した後、
第1基材上に、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂から成る第2基材を形成し、次いで、
第2基材上に薄膜素子能動部を形成し、その後、
支持基板を第1基材から剥離する、
各工程を備えている薄膜素子の製造方法。 - 第1基材を構成する非晶性熱可塑性樹脂は、ポリスルホン系樹脂から成る請求項7に記載の薄膜素子の製造方法。
- 第1基材を構成する熱硬化型樹脂は、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂又はポリエーテルイミド樹脂である請求項8に記載の薄膜素子の製造方法。
- 第2基材を構成する熱硬化型樹脂はエポキシ系樹脂である請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法。
- 薄膜素子能動部は、
第1電極及び第2電極、
第1電極と第2電極との間に形成された能動層、並びに、
絶縁層を介して能動層と対向した制御電極、
を備えている請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法。 - 薄膜素子能動部は薄膜トランジスタから成り、
第1電極及び第2電極はソース/ドレイン電極に該当し、
制御電極はゲート電極に該当し、
絶縁層はゲート絶縁層に該当し、
能動層はチャネル形成領域に該当する請求項11に記載の薄膜素子の製造方法。 - 薄膜素子能動部は、
第1電極及び第2電極、並びに、
第1電極と第2電極との間に形成された能動層、
を備えている請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法。 - 能動層は有機半導体材料から成る請求項11乃至請求項13のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法。
- 薄膜素子能動部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法。
- 薄膜素子能動部は、マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子から成る請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の薄膜素子の製造方法を含む画像表示装置の製造方法。
- 第1基材、
第1基材上に形成された第2基材、及び、
第2基材上に形成された薄膜素子能動部、
を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上であり、
第2基材を構成する樹脂は、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る薄膜素子。 - 第1基材、
第1基材上に形成された第2基材、及び、
第2基材上に形成された薄膜素子能動部、
を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料のガラス転移温度は、薄膜素子能動部を形成するときのプロセス温度の最高温度よりも高く、
第2基材を構成する樹脂は、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る薄膜素子。 - 第1基材、
第1基材上に形成された第2基材、及び、
第2基材上に形成された薄膜素子能動部、
を備えており、
第1基材を構成する樹脂材料は非晶性熱可塑性樹脂から成り、
第2基材を構成する樹脂は、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂から成る薄膜素子。
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