JP2012214310A - 珪化バリウム多結晶体、その製造方法ならびに珪化バリウムスパッタリングターゲット - Google Patents
珪化バリウム多結晶体、その製造方法ならびに珪化バリウムスパッタリングターゲット Download PDFInfo
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Abstract
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムと平均粒径5mm以下のシリコン粉末を用いて、珪化バリウム多結晶体とすることで、珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が150μm以下であって、密度が3.0g/cm3以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。
【選択図】 図1
Description
(1)珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が150μm以下であって、密度が3.0g/cm3以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体。
(2)珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量が10mol%以下であることを特徴とする(1)記載の珪化バリウム多結晶体。
(3)珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の平均直径が40μm以下であることを特徴とする(1)または(2)に記載の珪化バリウム多結晶体。
(4)バリウムと平均粒径が5mm以下であるシリコン粉末から珪化バリウム合金を合成する工程と、前記珪化バリウム合金を粉砕して珪化バリウム粉末とする工程と、前記珪化バリウム粉末を600℃〜1100℃でホットプレス処理する工程とを含んでなる(1)〜(3)のいずれかに記載の珪化バリウム多結晶体の製造方法。
(5)バリウムと平均粒径が5mm以下であるシリコン粉末をアーク溶解法によって珪化バリウム合金を合成することを特徴とする(4)に記載の珪化バリウム多結晶体の製造方法。
(6)珪化バリウム粉末中の酸素含有量が10mol%以下である事を特徴とする(4)または(5)に記載の珪化バリウム多結晶体の製造方法。
(7)(1)〜(3)のいずれかに記載の珪化バリウム多結晶体を用いることを特徴とする珪化バリウムスパッタリングターゲット。
バルク体の密度はバルクの寸法から求めた体積と重量から計算して求めた。
(シリコン粗粒の粒径)
SEM−EDSを用いて珪化バリウム多結晶体を観察することでシリコン粗粒を識別し、直径は粗粒の最も長い直径と最も短い直径との平均値にて求めた。
(酸素含有量の測定)
珪化バリウムを熱分解させ、炭素・窒素・水素分析装置(Leco社製)を用いて酸素量を熱伝導度法により測定した。
バリウムとシリコン粉末(5N 平均粒径130μm)をモル比が1:2になるように100g秤量し、アーク溶解を行なった。アーク溶解は銅製の水冷鋳型に混合原料を約10gずつ投入し、真空処理後、アルゴンを封入しアーク放電を行ないながら材料を溶融し合金を作製した。アーク溶解を行なった後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金をメノウ乳鉢を用いて粉砕した。作製した珪化バリウム粉末の酸素含有量は2.6mol%であった。
放電方式:RFスパッタ
成膜装置:マグネトロンスパッタ装置
ターゲットサイズ:75mmφ
成膜圧力:0.5Pa
添加ガス:アルゴン
放電パワー:100W
基板温度:室温
以上の条件にて成膜を行なった結果、珪素−バリウム混合薄膜を作製する事が可能であることを確認した。
焼成温度を900℃とした以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。
焼成温度を700℃とした以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。
平均粒径7mmのシリコン粉末を用いた以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。
焼成温度を500℃とした以外は実施例1と同様の方法で珪化バリウム多結晶体を製造した。
珪化バリウム粉末を作製するまでは実施例1と同様に作製を行なった。作製した粉末を30MPaにて一軸プレス成形し、できた成形体を大気中1000℃にて焼成を行なった。得られた多結晶体をX線回折で確認したところ、珪酸バリウムを多く含んだ多結晶体に変化していた事が確認された。
2:シリコン凝集物
Claims (7)
- 珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の最大直径が150μm以下であって、密度が3.0g/cm3以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体。
- 珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量が10mol%以下であることを特徴とする請求項1記載の珪化バリウム多結晶体。
- 珪化バリウム多結晶体中に存在するシリコン粗粒の平均直径が40μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の珪化バリウム多結晶体。
- バリウムと平均粒径が5mm以下であるシリコン粉末から珪化バリウム合金を合成する工程と、前記珪化バリウム合金を粉砕して珪化バリウム粉末とする工程と、前記珪化バリウム粉末を600℃〜1100℃でホットプレス処理する工程とを含んでなる請求項1〜3のいずれかに記載の珪化バリウム多結晶体の製造方法。
- バリウムと平均粒径が5mm以下であるシリコン粉末をアーク溶解法によって珪化バリウム合金を合成することを特徴とする請求項4に記載の珪化バリウム多結晶体の製造方法。
- 珪化バリウム粉末中の酸素含有量が10mol%以下である事を特徴とする請求項4または5に記載の珪化バリウム多結晶体の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の珪化バリウム多結晶体を用いることを特徴とする珪化バリウムスパッタリングターゲット。
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