JP2012212868A - 光伝導素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層14を有し、半導体低温成長層14と半導体基板10との間に位置し且つ半導体低温成長層14よりも薄い半導体層11、12、13を有する。半導体低温成長層14は、半導体層11、12、13と格子整合し半導体基板10と格子整合しない半導体を含む。
【選択図】図1
Description
(実施形態1)
本発明による実施形態1について図1を参照して説明する。本実施形態では、半絶縁性InP基板10に、通常の成長温度でInGaAs層11、InAlAs層12、InGaAs層13が形成され、その上に半導体低温成長層として低温成長によるLT-InGaAs層14が形成されている。光伝導素子として機能させるため、アンテナを兼ねた一対の電極15a、15bが表面に形成されている。
electronics vol.28,p.2464)。また、これらのAsはアニールによってクラスタ状(数nm以上)になる。TEMで観察した例が一般に知られている(JJAP vol.46, 6514)。本文献に記載のX線測定のデータによると、低温成長GaAs層はGaAs基板と比べて低ピーク強度、広ピーク線幅、ピーク角度ズレといった性質がある。低ピーク強度、広ピーク線幅は半導体低温成長層の結晶性の低さを表し、ピーク角度ズレは格子定数の変化を表している。上記のような低温成長層の特徴により、半導体低温成長層を通常成長温度の層(結晶性良好、低欠陥量(EPD:Etch Pit Density)、低過剰As量、Asクラスタなし)と見分けることが可能である。
次に、実施形態1による実施例1を説明する。本実施例はInP基板(格子定数はおよそ0.587nm)に格子整合する層を用いたものである。本発明では素子の実用上、概ね数100nm以上の厚さを成長しても臨界膜厚を越えない0.1%以下の格子不整合量のものを格子整合とし(たとえば、結晶成長ハンドブック(小松啓編、共立出版、p.699、1995)参照)、それより大きい値の格子不整合量のものを格子整合しないとする。そこで、InGaAs層11のIn組成は0.53、InAlAs層12のIn組成は0.52、InGaAs層13のIn組成は0.53とし、厚さはそれぞれ270nm、20nm、5nmとした。半導体低温成長層14はIn組成0.53とし、厚さを1.6μmとした。
実施形態1による実施例2を説明する。本実施例は、さらに抵抗率を向上させるために、半導体低温成長層14のIn組成を0.45とした。バンドギャップ波長は1.49μmとなるが、発生素子として動作させる場合は電界印加をするため、実際には1.55μm近傍のレーザ光も吸収することができる。
実施形態1による実施例3を図7を参照して説明する。本実施例では、さらに抵抗率を向上させるために、半導体低温成長層71にLT-GaAsを用いている。GaAsのバンドギャップ波長は0.87μm程度であるが、バンドギャップ内の中間準位を用いた2段階の吸収過程や2光子吸収過程によって1.55μm帯のレーザ光72も吸収できることが知られている(非特許文献 Applied Physics Letters vol.77,p.1396(2000))。非線形過程を主に利用するためにレーザ光72が高いピークパワーである場合に実用的な手法となる。したがって、レーザ光72のパルス幅を狭くしてピークパワーを増大することが有効である。さらに、レーザ光72の半導体低温成長層71上での集光ビーム直径(1/e2)を小さくすることでピークパワーを増大するようにしてもよい。パルス幅30fs、繰り返し周波数50MHzのレーザ光72を用い、ビーム直径を10μmとしたとき、典型的にはレーザ光72の平均パワーは1mW以上とし、望ましくは10mW以上とするとよい。これらの値に限るものではもちろんなく、パルス幅100fsのレーザ光72を用いた時などは、ビーム直径をより小さくしたり、平均パワーをより増大したりすればよい。バンドギャップ内の中間準位は主にAs欠陥に因るとされており、励起キャリア数向上のために、As欠陥の多い半導体低温成長のGaAsの使用が望ましい。ここでは、250℃でMBE成長したLT-GaAsを用いる。
revised Edition (Otfried Madelung編、Springer))。格子不整合度は各層間で概ね0.1%以下である。
実施形態1による実施例4を図9を参照して説明する。本実施例では、半導体低温成長層91にLT-GaAsを、基板93にSiを用いている。Si基板93はいわゆる高抵抗Siを用いており、抵抗率1kohm.cm以上のものが望ましい。GaAs層の成長にはGaAs基板が通常使用されるが、本実施例のようにSi基板を使うことでテラヘルツ波の吸収損失を低減できる。
Basic Data 2nd revised Edition (Otfried Madelung編、Springer))。格子不整合度は、SiとGaAsで4.09%(格子不整合)、SiとGeで4.18%(格子不整合)、GeとGaAsで0.08%(格子整合)である。Si基板93とLT-GaAs半導体低温成長層91は格子定数が大きく異なるが、バッファ層94によって格子定数差を吸収して、LT-GaAs半導体低温成長層91を結晶性良く成長させることができる。バッファ層94はテラヘルツ波96の吸収を低減するために、半導体低温成長層91の結晶性を悪化させない範囲内でできるだけ薄くすることが望ましい。望ましくは、1μm以下とする。キャリアブロック層95は、抵抗率の低いバッファ層94に電流パスが通じないようにするためのもので、バッファ層94より高抵抗の材料が用いられる。望ましくは、抵抗率108ohm.cm以上とする。ここではキャリアブロック層95の厚さは1μmとする。キャリアブロック層95は図7のように多層構造にしたりグレーデッド層などを入れたりしてもよい。
本発明による実施形態2は図2に示すように保持基板30の一部に穴33を開けている。これは、励起レーザ光35を半導体層31上のアンテナ兼電極32のギャップ部に照射することで発生したテラヘルツ波が34のように基板30を透過せずに直接出射できるようにするためである。ここでは、実施形態1で示した多層の半導体層を31として表現している。このとき、これまでの半導体低温成長層のみの場合には、穴を開けた薄膜部が破壊されやすかったが、本発明にように通常温度による成長層を入れることで強度を向上させることができる。ここでは、半導体層31をエピタキシャル成長したときの基板30をそのまま用いているが、後述の実施形態3で述べるように半導体層31を別基板へ転写する形態において穴開けを適用してもよい。
本発明による実施形態3は、実施形態1や2と異なり、半導体層をエピタキシャル成長するときに用いた基板とは異なる保持基板或いは構造体の上に転写して光伝導素子を形成したものである。一般に、InPやGaAsのような化合物半導体基板は7THz近傍にフォノンによる吸収帯があり、発生したテラヘルツ波が吸収されて帯域制限の原因になったりする。実施形態2のように基板に穴を開けてこれを回避する方法もあるが、ここでは、Si基板などに転写するものである。つまり、本実施形態は、通常温度で成長させた半導体成長層、半導体低温成長層及び電極を含む構成が、成長に用いた半導体基板とは異なる基板に接着されていることを特徴とする。基板の吸収を低減する方法としては実施形態1の実施例4に示したようなSi基板上に低温成長層をエピ成長させる方法があるが、本実施形態の方法はその他の実現方法である。
本発明による実施形態4を説明する。ここでは、図5に示すように、電極兼アンテナ22側を保持基板20に接着して、半導体層21はエピタキシャル成長時に使用した半導体基板を除去して保持基板20に転写されている。バイアスするための電極配線25は基板20の表面に形成しておき、半導体層21表面の電極22を電気的にコンタクトするように接着すればよい。本構造では、保持基板20として、テラヘルツ波透過性の良い高抵抗シリコンや石英、オレフィン・テフロン(登録商標)・ポリエチレンなどの樹脂が好適に用いられる。
Claims (12)
- 半導体低温成長層を有する光伝導素子であって、
前記半導体低温成長層と半導体基板との間に位置し、かつ前記半導体低温成長層よりも薄い半導体層を有し、
前記半導体低温成長層は、前記半導体層と格子整合し前記半導体基板と格子整合しない半導体を含むことを特徴とする光伝導素子。 - 半導体低温成長層を有する光伝導素子であって、
前記半導体低温成長層と半導体基板との間に位置し、かつ前記半導体低温成長層よりも薄い半導体層を備え、
前記半導体層は、少なくとも第1半導体領域と第2半導体領域を有し、
前記第1半導体領域は、前記半導体低温成長層と格子整合する半導体を含み、
前記第2半導体領域は、前記半導体基板と格子整合する半導体を含むことを特徴とする光伝導素子。 - 前記半導体層は、前記半導体低温成長層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つことを特徴とする請求項1または2に記載の光伝導素子。
- 前記半導体層、前記半導体低温成長層および電極を含む構成が、前記半導体基板と異なる基板上に配置され、前記半導体基板が除去されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光伝導素子。
- 前記半導体基板の一部に穴を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光伝導素子。
- 前記半導体基板と異なる基板の一部に穴を有することを特徴とする請求項4に記載の光伝導素子。
- 前記半導体低温成長層はInxGa1-xAs(0≦x≦1)層またはGaAsySb1-y(0≦y≦1)層であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光伝導素子。
- 前記半導体層がGe層を含むことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の光伝導素子。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の光伝導素子と、
前記光伝導素子を励起するための光を発する光源と、
前記光伝導素子の光照射面に前記光源の光を照射するための光学手段と、を有することを特徴とするテラヘルツ波発生・検出装置。 - 電磁波発生素子を含むテラヘルツ波発生装置と、電磁波検出素子を含むテラヘルツ波検出装置を備え、前記電磁波発生素子のテラヘルツ波発生タイミングと前記電磁波検出素子のテラヘルツ波検出タイミングとの時間差を制御することで、発生しているテラヘルツ波パルスの時間波形をサンプリングの原理により測定するテラヘルツ時間領域分光装置であって、
前記テラヘルツ波発生装置と前記テラヘルツ波検出装置の少なくとも一方を、請求項9に記載のテラヘルツ波発生・検出装置を用いて構成したことを特徴とするテラヘルツ時間領域分光装置。 - 半導体低温成長層を有する光伝導素子の製造方法であって、
半導体基板上に半導体層を400℃以上700℃以下で形成する工程と、
前記半導体層上に、前記半導体層と格子整合しつつ前記半導体基板と格子整合しない半導体を含む半導体低温成長層を200℃以上400℃未満で形成する工程と、を有することを特徴とする光伝導素子の製造方法。 - 半導体低温成長層を有する光伝導素子の製造方法であって、
半導体基板上に、前記半導体基板と格子整合する半導体を含む第2半導体領域を400℃以上700℃以下で形成し、前記第2半導体領域上に第1半導体領域を形成する工程と、
前記第1半導体領域上に、前記第1半導体領域と格子整合をする半導体を含む半導体低温成長層を200℃以上400℃未満で形成する工程と、を有することを特徴とする光伝導素子の製造方法。
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