JP2013002995A - 光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の電磁波発生検出装置1は、基板3と、基板3上に成長させたバッファ層4と、バッファ層4上に成長させた半導体層5と、を備え、半導体層5は、光電効果が生じる領域内に転位を有した光伝導基板2を備え、半導体層5上に形成されたアンテナ6を備えている。
【選択図】図2
Description
また、従来、Si基板上に形成された第1のGaAs層と、第1のGaAs層上に形成されたSiC混晶層と、SiC混晶層上に形成された第2のGaAs層と、を備えた光伝導基板(化合物半導体基板)が知られている(特許文献1参照)。この光伝導基板は、Si基板とGaAs層との格子定数等の差により、第1のGaAs層中に多数発生した転位を、結晶が硬いSiC混晶層を設けることにより、第2のGaAs層に転位が伝播しないようにしている。これにより、第2のGaAs層の結晶性が低下することを防止し、デバイス等としての機能が担保されている。
図5を参照して、第2実施形態に係る電磁波発生検出装置1について説明する。図5は、第2実施形態に係る電磁波発生検出装置1を模式的に示した側面図である。なお、第1実施形態に係るものと同様の説明は省略する。
図6を参照して、第3実施形態に係る電磁波発生検出装置1について説明する。図6は、第3実施形態に係る電磁波発生検出装置1を模式的に示した側面図である。なお、第1実施形態に係るものと同様の説明は省略する。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に成長させた半導体層と、を備え、
前記半導体層は、光電効果が生じる領域内に転位を有していることを特徴とする光伝導基板。 - 前記基板と前記半導体層との間にバッファ層を、更に備え、
前記基板の格子定数と前記半導体層の格子定数とは異なっており、
前記バッファ層の格子定数は、前記基板の格子定数と前記半導体層の格子定数との間の値であることを特徴とする請求項1に記載の光伝導基板。 - 前記バッファ層は、少なくとも2層以上積層して形成されていることを特徴とする請求項2に記載の光伝導基板。
- 前記半導体層は、III−V族化合物をエピタキシャル成長させてなることを特徴とする請求項1に記載の光伝導基板。
- 前記基板は、Siで構成され、前記半導体層は、GaAsで構成されていることを特徴とする請求項4に記載の光伝導基板。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の光伝導基板と、
前記半導体層上に形成されたアンテナと、を備えていることを特徴とする電磁波発生検出装置。
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