JP7062481B2 - 電磁波計測装置 - Google Patents
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Description
第2の距離G2をおいて互いに対向する第1及び第2の対向部36A1及び36B1を有する。また、第1の検出電極36Aは、第1の対向部36A1に接続された第1の接続部36A2を有する。また、第2の検出電極36Bは、第2の対向部36B1に接続された第2の接続部36B2を有する。
20 電磁波発生素子
21 第1の基板
22 バッファ層
23 第1の光伝導層
30、30A 電磁波検出素子
31 第2の基板
32 バッファ層
33、35 第2の光伝導層
Claims (6)
- 格子定数a1の半導体結晶からなる第1の基板と、格子定数a2の半導体結晶からなりかつ前記第1の基板上にエピタキシャル成長した第1の光伝導層と、前記第1の基板と前記第1の光伝導層との間に形成され、前記格子定数a 1 と前記格子定数a 2 との間の範囲内の格子定数の半導体結晶からなる第1のバッファ層と、を含む電磁波発生素子と、
格子定数a3の半導体結晶からなる第2の基板と、格子定数a4の半導体結晶からなりかつ前記第2の基板上にエピタキシャル成長した第2の光伝導層と、前記第2の基板と前記第2の光伝導層との間に形成され、前記格子定数a 3 と前記格子定数a 4 との間の範囲内の格子定数の半導体結晶からなる第2のバッファ層と、を含む電磁波検出素子と、を含み、
前記第1の基板および前記第2の基板のそれぞれは、GaAs、InP、またはSiのいずれかの組成を有し、かつ前記第1の光伝導層、前記第1のバッファ層、前記第2の光伝導層、および前記第2のバッファ層のそれぞれは、GaAs、AlGaAs、InGaP、AlAs、InP、InAlAs、InGaAs、GaAsSb、InGaAsP、InAs、またはInSbのいずれかの組成を有し、
前記第1の基板と前記第2の基板とは互いに異なる組成を有し、
前記電磁波発生素子における前記第1の基板と前記第1の光伝導層との間の格子定数のずれ度合D1を、
の式で定義し、前記電磁波検出素子における前記第2の基板と前記第2の光伝導層との間の格子定数のずれ度合D2を、
の式で定義した場合、前記ずれ度合D1は、前記ずれ度合D2よりも小さいことを特徴とする電磁波計測装置。 - 前記第1の基板及び前記第1の光伝導層は、前記ずれ度合D1が1.3%以下となる格子定数の半導体結晶からなり、
前記第2の基板及び前記第2の光伝導層は、前記ずれ度合D2が2.5%以上となる格子定数の半導体結晶からなることを特徴とする請求項1に記載の電磁波計測装置。 - 前記電磁波発生素子の前記第1の基板はInPの組成を有し、
前記電磁波発生素子の前記第1の光伝導層はInGaAsの組成を有し、
前記電磁波検出素子の前記第2の基板はGaAsの組成を有し、
前記電磁波検出素子の前記第2の光伝導層は、InGaAsの組成を有することを特徴とする請求項1または2に記載の電磁波計測装置。 - 前記電磁波発生素子及び前記電磁波検出素子は、1.45~1.65μmの範囲内の波長のパルス光が照射されることで、それぞれ電磁波の発生動作及び検出動作を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の電磁波計測装置。
- 前記電磁波発生素子の前記第1の光伝導層は、前記パルス光の被照射領域を有する上面を有し、
前記電磁波検出素子の前記第2の光伝導層は、前記パルス光の被照射領域を有しかつ前記第1の光伝導層の前記上面よりも小さな上面を有することを特徴とする請求項4に記載の電磁波計測装置。 - 前記電磁波発生素子は、前記第1の光伝導層上に形成されかつ前記パルス光の前記被照射領域上において第1の距離をおいて互いに離間する第1の電極対を有し、
前記電磁波検出素子は、前記第2の光伝導層上に形成されかつ前記パルス光の前記被照射領域上において前記第1の距離よりも小さな第2の距離をおいて互いに離間する第2の電極対を有することを特徴とする請求項5に記載の電磁波計測装置。
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