JP2012211088A - フッ素含有化合物並びにそれを含有する組成物及び薄膜 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率に優れる発光素子の製造に有用な化合物を提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表されるフッ素含有化合物。

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、ｎ^１、ｎ^２及びｎ^３はそれぞれ独立に０又は１を示し、Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、シアノ基又は−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基（ｐは１以上１０以下の整数を示し、ｑは１以上２ｐ＋１以下の整数を示し、ｒは０以上２ｐ＋１−ｑ以下の整数を示し、ｓは０又は１を示す。）を示す。但し、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５のうち少なくとも一つは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であり、前記アリーレン基の置換基並びにＺ^１及びＺ^２のうち少なくとも一つは、−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基である。］
【選択図】なし

Description

本発明は、フッ素含有化合物並びにそれを含有する組成物及び薄膜に関する。

従来、真空蒸着法によりトリス（８−キノリノール）アルミニウム等の低分子化合物を含む層構造を形成して、発光素子を作製することが検討されている（例えば、特許文献１）。

特開平５−３２０６３３号公報

しかしながら、従来の低分子化合物を用いた発光素子は、その発光効率が必ずしも十分ではない。

そこで、本発明は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、当該化合物を含む組成物及び薄膜を提供することを目的とする。

すなわち本発明は、下記式（１）で表されるフッ素含有化合物を提供する。

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、ｎ^１、ｎ^２及びｎ^３はそれぞれ独立に０又は１を示し、Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、シアノ基又は−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基（ｐは１以上１０以下の整数を示し、ｑは１以上２ｐ＋１以下の整数を示し、ｒは０以上２ｐ＋１−ｑ以下の整数を示し、ｓは０又は１を示す。）を示す。但し、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５のうち少なくとも一つは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であり、上記アリーレン基の置換基並びにＺ^１及びＺ^２のうち少なくとも一つは、−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基である。］

本発明の高分子化合物は、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５が全て置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であってもよい。

また、本発明の高分子化合物において、式（１）中のｓは０であってもよい。

本発明はまた、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種と、上記フッ素含有化合物と、を含有する組成物を提供する。

本発明はさらに、上記本発明のフッ素含有化合物を含有する薄膜を提供する。

本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な化合物が提供される。また本発明によれば、当該化合物を含む組成物及び薄膜が提供される。

本発明のフッ素含有化合物、組成物及び薄膜の好適な実施形態について、以下に説明する。

なお、本明細書中、「Ｍｅ」はメチル基を示し、「Ｅｔ」はエチル基を示し、「Ｐｈ」はフェニル基を示し、「ｔ−Ｂｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。

また、「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」（ｘ、ｙはｘ＜ｙを満たす正の整数である。）という用語は、この用語の直後に記載された官能基名に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。すなわち、「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」の直後に記載された有機基が、複数の官能基名を組み合わせて命名された有機基（例えば、Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙアルコキシフェニル基）である場合、複数の官能基名のうち「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」の直後に記載された官能基名（例えば、アルコキシ）に該当する部分構造の炭素原子数が、ｘ〜ｙ個であることを意味する。例えば、「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基」は炭素原子数が１〜１２個であるアルキル基を意味し、「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基」は「炭素原子数が１〜１２個であるアルコキシ基」を有するフェニル基を意味する。

（フッ素含有化合物）
本実施形態に係るフッ素含有化合物は、下記式（１）で表される。

式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、ｎ^１、ｎ^２及びｎ^３はそれぞれ独立に０又は１を示し、Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、シアノ基又は−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基（ｐは１以上１０以下の整数を示し、ｑは１以上２ｐ＋１以下の整数を示し、ｒは０以上２ｐ＋１−ｑ以下の整数を示し、ｓは０又は１を示す。）を示す。但し、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５のうち少なくとも一つは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であり、前記アリーレン基の置換基並びにＺ^１及びＺ^２のうち少なくとも一つは、−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基である。

アリーレン基は、芳香族炭化水素化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団である。アリーレン基には、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基等が含まれる。アリーレン基の炭素原子数は、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜２０である。上記芳香族炭化水素化合物としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオレン、ベンゾフルオレン、ピレン、ペリレンが挙げられる。

アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、二価の縮合環基が挙げられる。アリール基としては、発光素子の耐久性が一層向上するので、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基が好ましく、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基がより好ましく、フルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基がさらに好ましく、フルオレンジイル基が特に好ましい。また、フルオレンジイル基としては、２，７−フルオレンジイル基が好ましい。

アリーレン基としては、例えば、下記式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）で表されるフェニレン基；下記式（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）、（Ａ−７）、（Ａ−８）、（Ａ−９）、（Ａ−１０）、（Ａ−１１）、（Ａ−１２）、（Ａ−１３）で表されるナフタレンジイル基；下記式（Ａ−１４）、（Ａ−１５）、（Ａ−１６）、（Ａ−１７）、（Ａ−１８）、（Ａ−１９）で表されるアントラセンジイル基；下記式（Ａ−２０）、（Ａ−２１）、（Ａ−２２）、（Ａ−２３）、（Ａ−２４）、（Ａ−２５）、（Ａ−２６）で表される二価の縮合環基；下記式（Ａ−２７）、（Ａ−２８）、（Ａ−２９）で表されるフルオレンジイル基；下記式（Ａ−３０）、（Ａ−３１）、（Ａ−３２）、（Ａ−３３）、（Ａ−３４）、（Ａ−３５）、（Ａ−３６）、（Ａ−３７）で表されるベンゾフルオレンジイル基が挙げられる。

アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、カルバモイル基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基が挙げられ、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。また、アリーレン基は、置換基として−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基を有していてもよい。

上記アルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基及び環状アルキル基（シクロアルキル基）のいずれであってもよい。アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、さらに好ましくは１〜１２である。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基が挙げられる。

上記アルキル基は置換基を有していてもよい。アルキル基が置換基を有するとき、該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基等が挙げられる。すなわち、置換基を有するアルキル基としては、ハロゲン化アルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基、アリールチオアルキル基等が挙げられる。

これらのうち、ハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられる。

また、アリールアルキル基はさらに置換基を有してもよく、アリールアルキル基の炭素原子数は、通常７〜６０である。アリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基が挙げられる。

上記アルコキシ基は、直鎖状アルコキシ基、分岐状アルコキシ基及び環状アルコキシ基（シクロアルコキシ基）のいずれであってもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、さらに好ましくは１〜１２である。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

上記アルコキシ基は置換基を有していてもよい。アルコキシ基が置換基を有するとき、該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基等が挙げられる。すなわち、置換基を有するアルコキシ基としては、ハロゲン化アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルキルチオアルコキシ基、アリールアルコキシ基、アリールオキシアルコキシ基、アリールチオアルコキシ基等が挙げられる。

これらのうち、ハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基が挙げられる。また、アルコキシアルコキシ基としては、例えば、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。

また、アリールアルコキシ基はさらに置換基を有していてもよく、アリールアルコキシ基の炭素原子数は、通常７〜６０である。アリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基が挙げられる。

上記アルキルチオ基は、直鎖状アルキルチオ基、分岐鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基（シクロアルキルチオ基）のいずれであってもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、特記しない限り、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１５、さらに好ましくは１〜１２である。アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基が挙げられる。

上記アルキルチオ基は置換基を有していてもよい。アルキルチオ基が置換基を有するとき、該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基等が挙げられる。すなわち、置換基を有するアルキルチオ基としては、ハロゲン化アルキルチオ基、アルコキシアルキルチオ基、アルキルチオアルキルチオ基、アリールアルキルチオ基、アリールオキシアルキルチオ基、アリールチオアルキルチオ基等が挙げられる。

これらのうち、ハロゲン化アルキルチオ基としては、例えば、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。

また、アリールアルキルチオ基はさらに置換基を有していてもよく、アリールアルキルチオ基の炭素原子数は、通常７〜６０である。アリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチオ基が挙げられる。

上記アリール基は、芳香族炭化水素化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団である。アリール基には、ベンゼン環を有する基、縮合環を有する基、独立したベンゼン環及び縮合環のうち２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した基等が含まれる。アリール基の炭素原子数は、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。上記芳香族炭化水素化合物としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオレン、ベンゾフルオレン、ピレン、ペリレンが挙げられる。

上記アリール基は置換基を有していてもよい。アリール基が置換基を有するとき、該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基等が挙げられる。すなわち、置換基を有するアリール基としては、ハロゲン化アリール基、アルキルアリール基、アルコキシアリール基、アルキルチオアリール基、アリールオキシアリール基、アリールチオアリール基等が挙げられる。

上記アリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基がより好ましい。

Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基が挙げられる。

Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基が挙げられる。

上記アリールオキシ基は、−Ｏ−Ａｒ^１１で表される基（Ａｒ^１１は、上記アリール基を示す。）であり、Ａｒ^１１におけるアリール基は置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の炭素原子数（すなわち、Ａｒ^１１におけるアリール基の炭素原子数）は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。

上記アリールオキシ基としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基がより好ましい。

Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基が挙げられる。

Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基が挙げられる。

上記アリールチオ基は、−Ｓ−Ａｒ^１２で表される基（Ａｒ^１２は、上記アリール基を示す。）であり、Ａｒ^１２におけるアリール基は置換基を有していてもよい。アリールチオ基の炭素原子数（すなわち、Ａｒ^１２におけるアリール基の炭素原子数）は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは６〜６０、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０である。

上記アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基が好ましい。

上記アルケニル基は、アルケンのｓｐ^２炭素に結合する水素原子を１個除いた残りの原子団である。アルケニル基は、直鎖状アルケニル基、分岐状アルケニル基及び環状アルケニル基のいずれであってもよい。アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１５、さらに好ましくは２〜１０である。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基が挙げられる。

上記アルケニル基は置換基を有していてもよい。アルケニル基が置換基を有するとき、該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基等が挙げられる。すなわち、置換基を有するアルケニル基としては、ハロゲン化アルケニル基、アルコキシアルケニル基、アルキルチオアルケニル基、アリールアルケニル基、アリールオキシアルケニル基、アリールチオアルケニル基等が挙げられる。

これらのうち、アリールアルケニル基はさらに置換基を有していてもよく、アリールアルケニル基の炭素原子数は、通常、８〜６０である。アリールアルケニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル基が好ましい。

上記アルキニル基は、アルキンのｓｐ^１炭素に結合する水素原子を１個除いた残りの原子団である。アルキニル基は、直鎖状アルキニル基、分岐状アルキニル基及び環状アルキニル基のいずれであってもよい。アルキニル基の炭素原子数は、特記しない限り、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１５、さらに好ましくは２〜１０である。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基が挙げられる。

上記アルキニル基は置換基を有していてもよい。アルキニル基が置換基を有するとき、該置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基等が挙げられる。すなわち、置換基を有するアルキニル基としては、ハロゲン化アルキニル基、アルコキシアルキニル基、アルキルチオアルキニル基、アリールアルキニル基、アリールオキシアルキニル基、アリールチオアルキニル基等が挙げられる。

これらのうち、アリールアルキニル基はさらに置換基を有していてもよく、アリールアルキニル基の炭素原子数は、通常、８〜６０である。アリールアルキニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基が挙げられ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２〜Ｃ_１２アルキニル基が好ましい。

上記アミノ基は、無置換のアミノ基であっても、該アミノ基における水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群より選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基（以下、「置換アミノ基」という。）であってもよい。置換アミノ基は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基の炭素原子数は、通常、１〜６０であり、好ましくは２〜４８である。

置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルアミノ基が挙げられる。

上記シリル基は、無置換のシリル基であっても、該シリル基における水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群より選ばれる１〜３個の基で置換されたシリル基（以下、「置換シリル基」という。）であってもよい。置換シリル基は、置換基を有していてもよく、置換シリル基の炭素原子数は、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。

置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が挙げられる。

上記アシル基としては、例えば、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^１１（Ｒ^１１は、上記アルキル基、上記アリール基又は後述する１価の複素環基を示す。）で表される基が挙げられる。Ｒ^１１におけるアルキル基、アリール基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。アシル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１８である。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

上記アシルオキシ基としては、例えば、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^１２（Ｒ^１２は、上記アルキル基、上記アリール基又は後述する１価の複素環基を示す。）で表される基が挙げられる。Ｒ^１２におけるアルキル基、アリール基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。アシルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜１８である。アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。

上記イミン残基は、式Ａ：Ｈ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^１３）_２又は式Ｂ：Ｈ−Ｃ（Ｒ^１４）＝Ｎ−Ｒ^１５の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、該式中の「Ｈ」を除いた残基を意味する。式中、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５はそれぞれ独立に、上記アルキル基、上記アリール基、上記アルケニル基、上記アルキニル基又は後述する１価の複素環基を示す。Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５におけるアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基及び１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１３は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに連結して環構造を形成してもよい。イミン残基としては、例えば、以下の構造式で示される基が挙げられる。

上記カルバモイル基の炭素原子数は、通常、１〜２０であり、好ましくは１〜１８である。カルバモイル基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

上記酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子１個を除いて得られる残基を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、好ましくは４〜２０、より好ましくは４〜１８である。酸イミド残基としては、例えば以下の構造式で示される基が挙げられる。

上記１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団である。１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、１価の複素環基としては単環の基、縮合環を有する基等が含まれる。１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに、通常、４〜６０であり、好ましくは４〜２０である。

複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。

上記１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。１価の芳香族複素環基は、芳香族複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団である。芳香族複素環式化合物としては、例えば、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン等のヘテロ原子を含む複素環自体が芳香族性を示す化合物、並びに、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環それ自体は芳香族性を示さなくとも、該複素環に芳香環が縮環されている化合物が挙げられる。

上記１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、これらのうち、チエニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルピリジル基が好ましい。

上記オキシカルボニル基としては、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^１６（Ｒ^１６は、上記アルキル基、上記アリール基又は上記１価の複素環基を示す。）で表される基が挙げられる。Ｒ^１６におけるアルキル基、アリール基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。オキシカルボニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めずに好ましくは２〜６０、より好ましくは２〜４８である。

上記オキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。

−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基（以下、「フッ素含有基」という。）としては、例えば、フッ素化アルキル基、フッ素化アリール基、フッ素化アルキルアリール基、フッ素化アルキルオキシ基、フッ素化アリールオキシ基、フッ素化アルキルアリールオキシ基、フッ素化アシル基が挙げられる。ここで、「フッ素化」とは、この語の直後に記載された官能基が置換基として少なくとも１つのフッ素原子を有することを意味する。

フッ素含有基としては、例えば、下記式（Ｆ−１）、（Ｆ−２）、（Ｆ−３）、（Ｆ−４）で表されるフッ素化アルキル基；下記式（Ｆ−５）、（Ｆ−６）、（Ｆ−７）、（Ｆ−８）、（Ｆ−９）で表されるフッ素化アリール基；下記式（Ｆ−１０）、（Ｆ−１１）、（Ｆ−１２）、（Ｆ−１３）で表されるフッ素化アルキルアリール基；下記式（Ｆ−１４）、（Ｆ−１５）、（Ｆ−１６）、（Ｆ−１７）で表されるフッ素化アルコキシ基；下記式（Ｆ−１８）、（Ｆ−１９）で表されるフッ素化アリールオキシ基；下記式（Ｆ−２０）、（Ｆ−２１）、（Ｆ−２２）で表されるフッ素化アルキルアリールオキシ基；下記式（Ｆ−２３）、（Ｆ−２４）、（Ｆ−２５）、（Ｆ−２６）、（Ｆ−２７）、（Ｆ−２８）、（Ｆ−２９）、（Ｆ−３０）、（Ｆ−３１）で表されるフッ素化アシル基；が挙げられる。

フッ素含有基としては、フッ素含有化合物の化学的安定性が良好になるため、ｓが０である基、すなわち−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒで表される基が好ましく、上記のうち式（Ｆ−１）〜（Ｆ−１３）で表される基が好ましい。

上記のうち、アリーレン基が有する置換基としては、フッ素含有化合物の溶解性が良好となる、蛍光特性が良好となる、合成が容易となる、得られる発光素子の特性が良好となる等の理由から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、シアノ基、−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基が好ましく、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。

アリーレン基が有する置換基は、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、シアノ基又はフッ素含有基とすることができる。

ここで置換基を有していてもよいアルキル基としては、無置換のアルキル基、アリールアルキル基、アルキルアリールアルキル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基がより好ましい。

また、置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、無置換のアルコキシ基、アリールアルコキシ基、アルキルアリールアルコキシ基が好ましく、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基がより好ましい。

また、置換基を有していてもよいアリール基としては、無置換のアリール基、ハロゲン化アリール基、アルコキシアリール基、アルキルアリール基が好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基がより好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基がさらに好ましい。

さらに、置換基を有していてもよいアリールオキシ基としては、無置換のアリールオキシ基、ハロゲン化アリールオキシ基、アルコキシアリールオキシ基、アルキルアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基がより好ましい。

フッ素含有化合物は、フッ素含有基を１つ又は２つすることが好ましく、２つ有することがより好ましい。

式（１）においてｎ^１＋ｎ^２＋ｎ^３が１〜３の整数であるとき、フッ素含有化合物は、Ａｒ^３、Ａｒ^４又はＡｒ^５の置換基としてフッ素含有基を有することが好ましい。

式（１）においてｎ^１＋ｎ^２＋ｎ^３は０又は１であることが好ましく、１であることがより好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２におけるアルキル基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアルキル基が挙げられる。該アルキル基は上述したとおり置換基を有していてもよい。Ｚ^１及びＺ^２におけるアルキル基としては、無置換のアルキル基、アリールアルキル基、アルキルアリールアルキル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基がより好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２におけるアルコキシ基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアルコキシ基が挙げられる。該アルコキシ基は上述したとおり置換基を有していてもよい。Ｚ^１及びＺ^２におけるアルコキシ基としては、無置換のアルコキシ基、アリールアルコキシ基、アルキルアリールアルコキシ基が好ましく、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基がより好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２におけるアリールオキシ基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアリールオキシ基が挙げられる。該アリールオキシ基は上述したとおり置換基を有していてもよい。Ｚ^１及びＺ^２におけるアリールオキシ基としては、無置換のアリールオキシ基、ハロゲン化アリールオキシ基、アルコキシアリールオキシ基、アルキルアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基がより好ましい。

フッ素含有化合物は、式（１）におけるＡｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５のうち少なくとも一つが下記式（Ｂ−１）又は（Ｂ−２）で表される基であってもよく、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５がいずれも下記式（Ｂ−１）又は（Ｂ−２）で表される基であってもよい。

式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又はフッ素含有基を示す。式（１）中にＲ^１及びＲ^２が複数存在するとき、複数存在するＲ^１及びＲ^２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^１及びＲ^２におけるアルキル基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアルキル基が挙げられる。該アルキル基は上述したとおり置換基を有していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２におけるアルキル基としては、無置換のアルキル基、アリールアルキル基、アルキルアリールアルキル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基がより好ましい。

Ｒ^１及びＲ^２におけるアリール基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアリール基が挙げられる。該アルキル基は上述したとおり置換基を有していてもよい。Ｒ^１及びＲ^２におけるアリール基としては、無置換のアルコキシ基、アリールアルコキシ基、アルキルアリールアルコキシ基が好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基がより好ましい。

フッ素含有化合物はまた、下記式（２）で表される化合物であってもよい。

式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｒ^１及びＲ^２は上記と同義であり、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示し、ｎ^４は２〜５の整数を示す。複数存在するＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。但し、Ｚ^１及びＺ^２並びに複数存在するＲ^１及びＲ^２のうち、少なくとも一つは、フッ素含有基である。

Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８におけるアルキル基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアルキル基が挙げられる。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８におけるアルキル基としては、無置換のアルキル基、アリールアルキル基、アルキルアリールアルキル基が好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基がより好ましい。

Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８におけるアリール基としては、上記アリーレン基の置換基として例示したアリール基が挙げられる。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８におけるアリール基としては、無置換のアリール基、ハロゲン化アリール基、アルコキシアリール基、アルキルアリール基が好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基がより好ましく、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル基がさらに好ましい。

式（２）で表される化合物において、複数存在するＲ^１及びＲ^２のうち少なくとも一つが、フッ素含有基であることが好ましい。

フッ素含有化合物としては、例えば、下記構造式で表される化合物が挙げられる。

（組成物）
本実施形態の組成物は、上記フッ素含有化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種と、を含有する。本実施形態の組成物は、上記フッ素含有化合物を二種以上含有していてもよい。本実施形態の組成物は、発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。

正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。その他にも、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載された正孔輸送材料が挙げられる。

本実施形態の組成物が正孔輸送材料を含有するとき、正孔輸送材料の含有量は、組成物の全量に対して、１〜８０質量％であることが好ましく、５〜６０質量％であることがより好ましい。

電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、アントラセンとフルオレンの共重合体等が挙げられる。その他にも、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載された電子輸送材料が挙げられる。

本実施形態の組成物が電子輸送材料を含有するとき、電子輸送材料の含有量は、組成物の全量に対して、１〜８０質量％であることが好ましく、５〜６０質量％であることがより好ましい。

発光材料としては、低分子蛍光発光材料、燐光発光材料等が挙げられる。発光材料の例としては、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、アントラセンとフルオレンとの共重合体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素等の色素類、８−ヒドロキシキノリンを配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料、イリジウム錯体、白金錯体等の金属錯体、三重項発光錯体等が挙げられる。その他にも、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報等に記載された発光材料が挙げられる。

本実施形態の組成物が発光材料を含有するとき、発光材料の含有量は、組成物の全量に対して、１〜８０質量％であることが好ましく、５〜６０質量％であることがより好ましい。

本実施形態の組成物は、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤等をさらに含有していてもよい。本実施形態の組成物が発光素子や有機トランジスタの作製等に用いられる場合、これらの成分は、発光や電荷輸送を阻害しないものから選択されることが好ましい。

安定剤としては、例えば、酸化防止剤が挙げられ、酸化防止剤としてはフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。このような酸化防止剤を含有することで、組成物の保存安定性が良好になる。

粘度及び／又は表面張力を調製するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤、を適宜組合せて用いることができる。増粘剤としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。増粘剤のポリスチレン換算の重量平均分子量は、５０万以上であることが好ましく、１００万以上であることがより好ましい。また、粘度を高めるための添加剤としては、フッ素含有化合物の貧溶媒を用いることもできる。

（液状組成物）
本実施形態の液状組成物は、上記フッ素含有化合物と溶媒とを含有する。ここで、「液状組成物」は、少なくとも後述する発光素子の作製時に液状であればよく、典型的には、常圧（即ち、１気圧）２５℃において液状であればよい。液状組成物は、インク、インク組成物等と呼ぶこともでき、単に溶液と呼ぶこともできる。本実施形態の液状組成物は、発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。

本実施形態の液状組成物は、発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、等をさらに含有していてもよい。これらの成分は、各々、単独で用いても二種以上を併用してもよい。

発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調製するための添加剤としては、上記と同様のものが例示できる。また、これらの成分は、上記溶媒に可溶性のものであることが好ましい。

本実施形態の液状組成物が正孔輸送材料を含有するとき、その含有量は、液状組成物の全量に対して、１〜８０質量％であることが好ましく、５〜６０質量％であることがより好ましい。また、電子輸送材料を含有するとき、その含有量は、液状組成物の全量に対して、１〜８０質量％であることが好ましく、５〜６０質量％であることがより好ましい。また、発光材料を含有するとき、正孔輸送材料の含有量は、液状組成物の全量に対して、１〜８０質量％であることが好ましく、５〜６０質量％であることがより好ましい。

上記溶媒としては、上記フッ素含有化合物を溶解又は分散できるものが好ましい。溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒；が挙げられる。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。これらの溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、融点が０℃以下であり、且つ沸点が１００℃以上である溶媒を含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。

上記溶媒としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の溶解性、成膜時の均一性、及び、粘度特性の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒及びケトン系溶媒のうち少なくとも一種を含むことが好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン及びジシクロヘキシルケトンのうち少なくとも一種を含むことがより好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン及びビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも一種を含むことがさらに好ましい。

液状組成物は、成膜性及び素子特性が良好となるため、二種以上の溶媒を含有することが好ましく、二又は三種の溶媒を含有することより好ましい。

液状組成物に二種の溶媒が含まれるとき、そのうちの一種は融点が２５℃より高い化合物であってもよい。また、成膜性が良好となるため、二種の溶媒のうち、一方の沸点が１８０℃以上であり、他方の沸点が１８０℃未満であることが好ましい。また、二種以上の溶媒のうち、一方の沸点が２００℃以上であり、他方の沸点が１８０℃未満であることがより好ましい。

液状組成物に三種の溶媒が含まれるとき、そのうちの一種又は二種は融点が２５℃より高い化合物であってもよい。また、成膜性が良好となるため、三種の溶媒のうち、少なくとも一種の沸点が１８０℃以上であり、且つ、少なくとも一種の沸点が１８０℃未満であることが好ましい。また、三種の溶媒のうち、少なくとも一種の沸点が２００℃以上３００℃以下であり、且つ、少なくとも一種の沸点が１８０℃未満であることが好ましい。

液状組成物が二種以上の溶媒を含有するとき、粘度及び成膜性の観点から、溶媒のうち少なくとも一種は、６０℃において液状組成物の溶媒以外の成分を０．２質量％以上の濃度で溶解できるものであることが好ましく、２５℃において液状組成物の溶媒以外の成分を０．２質量％以上の濃度で溶解できるものであることがより好ましい。

液状組成物が二種以上の溶媒を含有するとき、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒の含有量が、全溶媒の総量に対して、４０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、６５〜８５質量％であることがさらに好ましい。

液状組成物中の溶媒の含有量は、液状組成物の全量に対して、通常１〜９９．９質量％であり、好ましくは６０〜９９．９質量％であり、さらに好ましく９０〜９９．８質量％である。液状組成物の好適な粘度は印刷法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。また、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由する場合、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、液状組成物の粘度は、２５℃において０．５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。

発光素子の作製に際し、本実施形態の液状組成物を用いれば、液状組成物を塗布した後に乾燥により溶媒を除去することで、上記フッ素含有化合物を含む薄膜を容易に成膜することができる。溶媒の除去は、使用される溶媒に応じて条件を変更して行うことができ、例えば、５０〜１５０℃程度の加熱や、１０^−３Ｐａ程度の減圧により行うことができる。

液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

（薄膜）
本実施形態の薄膜は、上記フッ素含有化合物又は上記組成物を含有する。本実施形態の薄膜は、上述のように上記液状組成物から容易に作製することができる。

本実施形態の薄膜は、後述する発光素子における発光層等に好適に使用することができる。本実施形態の薄膜は、上記フッ素含有化合物又は上記組成物を含有するため、発光素子の発光層として使用した場合に当該発光素子の発光効率が優れたものとなる。

本実施形態の薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗は、１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。

有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であり、より好ましくは１０^−３ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であり、さらに好ましくは１０^−１ｃｍ^２／Ｖ／秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ_２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。

（フッ素含有化合物の用途）
本実施形態のフッ素化合物は、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、太陽電池等に用いることができる。また、ドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

まず、有機トランジスタの一態様である電界効果トランジスタについて説明する。

本実施形態のフッ素含有化合物は、電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。

電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。

電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平５−１１００６９号公報に記載の方法により製造することができる。

活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の化合物を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止電界効果トランジスタが好ましい。これにより、電界効果トランジスタが、大気から遮断され、電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。

封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中で）行うことが好ましい。

次に、有機太陽電池について、有機太陽電池の一態様である有機光電変換素子で、光起電力効果を利用する固体光電変換素子を例にとり、説明する。

本実施形態のフッ素含有化合物は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。

さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性化合物、電子受容性化合物としても好適に用いることができる。

有機光電変換素子の構造としては、例えば、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。

有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は制限されず、例えば、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板、プラスチック基板等を用いることができる。

有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１０２，９８２（１９９９）に記載の方法やＳｃｉｅｎｃｅ，２７０，１７８９（１９９５）に記載の方法により製造することができる。

次に、発光素子について説明する。

発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた上記フッ素含有化合物を含む有機層とを有するものである。

上記有機層とは、発光層、正孔輸送層又は電子輸送層を意味する。中でも本実施形態のフッ素含有化合物を電子輸送層として用いることが、素子作製の観点から好ましい。

また、発光素子としては、（１）陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた発光素子、（２）陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた発光素子、（３）陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた発光素子等が挙げられる。

より具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合もある。

発光層の成膜方法としては、溶液からの成膜が好ましい。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

発光素子作製の際に、本実施形態のフッ素含有化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。

発光層の厚さとしては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光素子においては、有機層に上記フッ素含有化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、発光素子においては、上記フッ素含有化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記フッ素含有化合物を含む有機層と積層されていてもよい。

上記フッ素含有化合物以外の発光材料としては、公知のものが使用でき、例えば上記と同様のものが例示できる。また、発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、上記と同様のものが例示できる。

上記例示の中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。

正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、上記と同様のものが例示できる。

上記例示の中で、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液又は溶融状態からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。

電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子が挙げられる。

例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層が例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^−５Ｓ／ｃｍ以上１０^３Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。

電荷注入層の厚さは、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボンが例示される。

絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、０．１〜２０ｎｍであり、好ましくは０．５〜１０ｎｍ、より好ましくは１〜５ｎｍである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた発光素子が挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極

発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であることが好ましく、陽極側が透明又は半透明であることがより好ましい。

陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。

保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置等に用いることができる。

発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメント表示装置が得られる。更に、ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等に用いることができる。

さらに、面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。例えば照明用光源には白色発光、赤色発光、緑色発光または青色発光等の発光色があげられる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

＜合成例１＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１から化合物Ｍ−２を合成した。

アルゴン雰囲気下、５００ｍＬの４つ口フラスコ中で、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（ｐ−オクチルフェニル）フルオレン（化合物Ｍ−１、２１．０２ｇ）、及び、ＴＨＦ（３９０ｍＬ）を混合し−７８℃に冷却した。反応溶液へ１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム・へキサン溶液（２０ｍＬ）を１０分かけて滴下し、１時間攪拌した。トリメチルシリルクロライド（４．９ｇ）を滴下した後、室温に昇温し、２時間攪拌した。反応の進行を確認し、反応溶液に水を加え、反応を停止させた。有機層を水で洗浄した後、有機層を濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン）により精製することで化合物Ｍ−２を得た。なお、式中、「ＴＭＳ」はトリメチルシリル基を示す。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：６９３［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜合成例２＞
下記のとおり、化合物Ｍ−２から化合物Ｍ−３を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−２（１７．３５ｇ）、ＴＨＦ（３３０ｍＬ）、及び、２，２’−ビピリジル（４．２９ｇ）を混合し、６０℃に加熱した。ここへビス（シクロオクタジエン）ニッケル（０）（Ｎｉ（ＣＯＤ）_２、７．５６ｇ）を加え、３時間攪拌した。反応の進行を確認し、反応溶液を室温まで冷却した後、反応溶液をセライトろ過した。得られた溶液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／トルエン＝１０／１（体積比））により精製を行うことにより、化合物Ｍ−３を得た（１２．４ｇ）。

^１Ｈ−ＮＭＲ；δ ０．２２（１８Ｈ，ｓ），０．８６（１２Ｈ，ｔ），１．２５（４０Ｈ，ｍ），１．５３（８Ｈ，ｍ），２．５３（８Ｈ，ｔ），７．０１（８Ｈ，ｄ），７．１１（８Ｈ，ｄ），７．５０（８Ｈ，ｍ），７．７１（２Ｈ，ｄ），７．７４（２Ｈ，ｄ）ｐｐｍ．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：１２２８［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜合成例３＞
下記のとおり、化合物Ｍ−３から化合物Ｍ−４を合成した。

アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの４つ口フラスコ中で化合物Ｍ−３（５．５３ｇ）、及び、塩化メチレン（３０ｍＬ）を混合し、０℃に冷却した。ここへ１規定のＩＣｌ／塩化メチレン溶液（１０ｍＬ）を滴下し、１時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで昇温し、水で洗浄後、有機層を濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／トルエン＝１０／１（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−４を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ；δ ０．８６（１２Ｈ，ｔ），１．２７（４０Ｈ，ｍ），１．５５（８Ｈ，ｍ），２．５３（８Ｈ，ｔ），７．０７（１６Ｈ，ｍ），７．４９（６Ｈ，ｍ），７．７０（６Ｈ，ｍ）ｐｐｍ．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：１３３５［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜実施例１＞
下記のとおり、化合物Ｍ−４から化合物Ｍ−５を合成した。

アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの４つ口フラスコ中で、化合物Ｍ−４（１．３４ｇ）、ペンタフルオロフェニルホウ酸（０．８５ｇ）、フッ化セシウム（０．６１ｇ）、酸化銀（０．５６ｇ）、及び、ＤＭＦ（２０ｍＬ）を混合した。この反応溶液にＰｄ_２（ｄｂａ）_３（９２ｍｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（５１ｍｇ）を加え、１００℃で３時間攪拌した。反応進行を確認した後、セライトろ過を行い、次いでシリカゲルろ過を行った。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１０／１（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−５（４２０ｍｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ；δ ０．８６（１２Ｈ，ｔ），１．２５（４０Ｈ，ｍ），１．５４（８Ｈ，ｍ），２．５３（８Ｈ，ｔ），７．０５（８Ｈ，ｄ），７．１３（８Ｈ，ｄ），７．４２（４Ｈ，ｄｄ），７．５９（４Ｈ，ｄｄ），７．８４（４Ｈ，ｄｄ）ｐｐｍ．
^１９Ｆ−ＮＭＲ；δ １４．７，−１３８．４，−１５６．０ ｐｐｍ．

＜合成例４＞
下記のとおり、化合物Ｍ−４から化合物Ｍ−６を合成した。

アルゴン雰囲気下、ＴＨＦ（７０ｍＬ）、及び、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム・へキサン溶液（１５ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。ここへ化合物Ｍ−４（４．０１ｇ）をＴＨＦ（７０ｍＬ）に溶かした溶液を３０分かけて滴下した。滴下２時間後よりＤＭＦ（６０ｇ）を１時間かけて滴下し、滴下終了後、室温に昇温し、２時間攪拌した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルを用いて分液し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られたオイルをアルミナカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／へキサン＝１／１０（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−６を得た（２．１ｇ）。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ）：１１７７［Ｍ＋Ｋ］^＋

＜実施例２＞
下記のとおり、化合物Ｍ−６から化合物Ｍ−７を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−６（２．０５ｇ）、トリデカフルオロへキシルヨージド（２０ｇ）、及び、ＴＨＦ（２９０ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。ここへ３規定のフェニルマグネシウムブロマイド／エーテル溶液（１２ｍＬ）を３０分かけて滴下した後、−７８℃を維持しながら３時間攪拌した。反応溶液へ３規定のＨＣｌ水溶液（２０ｍＬ）を加え、室温に昇温しながら攪拌した。反応終了後、分液し、有機層をイオン交換水で３回洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝２０：１（体積比））で４回精製することにより、化合物Ｍ−７（１．２ｇ）を得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ）：１８１７［Ｍ＋Ｋ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ；δ ０．８７（１２Ｈ，ｔ），１．２５（４０Ｈ，ｍ），１．５４（８Ｈ，ｍ），２．３８（２Ｈ，ｓ），２．５３（８Ｈ，ｔ），５．１８（２Ｈ，ｍ），７．０１（８Ｈ，ｄ），７．１０（８Ｈ，ｄ），７．５０（４Ｈ，ｄｄ），７．５７（４Ｈ，ｄｄ），７．７７（４Ｈ，ｍ）ｐｐｍ．

＜実施例３＞
下記のとおり、化合物Ｍ−７から化合物Ｍ−８を合成した。

アルゴン雰囲気下、デス・マーチン パーヨージナン（２．８ｇ）と塩化メチレン（１５ｍＬ）を混合し、溶解させた。ここへ化合物Ｍ−７（１．８ｇ）を塩化メチレン（１５ｍＬ）に溶かした溶液を１０分かけて室温で滴下した。滴下終了後、室温で２時間攪拌した。反応溶液にチオ硫酸ナトリウム飽和水溶液を加えることにより、反応を停止させた後、分液した。有機層を濃縮後、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１（体積比））で精製し、得られた固体をメタノールで洗浄することで、化合物Ｍ−８（１．２ｇ）を得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ）：１８１５［Ｍ＋Ｋ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ；δ ０．８５（１２Ｈ，ｔ），１．２２（４０Ｈ，ｍ），１．５４（８Ｈ，ｍ），２．５４（８Ｈ，ｔ），７．０３（８Ｈ，ｄ），７．１５（８Ｈ，ｄ），７．５８（４Ｈ，ｄｄ），７．６７（４Ｈ，ｄｄ），７．８５（４Ｈ，ｍ）ｐｐｍ．

＜実施例４＞
下記のとおり、化合物Ｍ−４から化合物Ｍ−９を合成した。

アルゴン雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸（１．５０ｇ）、化合物Ｍ−４（０．７７７ｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．０４５ｇ）、及び、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．０５４ｇ）を、テトラヒドロフラン（１５．０ｍＬ）中で攪拌した。この反応液に、炭酸ナトリウム（０．３７０ｇ）の水溶液（７．５ｍＬ）を滴下し、１６時間、４０℃で撹拌した。室温に戻した後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．０５５ｇ）を加えて６日間、４０℃で攪拌した。冷却後、反応液を濃縮しクロロホルムを加えて水層を取り除き、有機層を水で洗浄した。洗浄液はクロロホルムで抽出して有機層と混ぜた。これに硫酸マグネシウムを加えて乾燥させて、ろ過で吸湿した硫酸マグネシウムを取り除き、濃縮して、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／展開溶媒：ヘキサン）で精製した。ヘキサンをエバポレーターで取り除き、メタノールを加えると結晶化した。結晶を取り出してクロロホルムに溶かし、メタノールに滴下して沈殿を生成させた。沈殿をろ過によって取り出し、メタノールで洗浄し、乾燥させることによって、化合物Ｍ−９（０．６０７ｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ／３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ ０．８６（１２Ｈ，ｔ），１．２〜１．３（４０Ｈ，ｍ），１．６（８Ｈ，ｍ），２．５５（８Ｈ，ｔ），７．１（８Ｈ，ｄ），７．２（８Ｈ，ｄ），７．５７（２Ｈ，ｍ），７．６０（６Ｈ，ｍ），７．８〜７．９（６Ｈ，ｍ），７．９４（４Ｈ）ｐｐｍ．

＜合成例５＞
下記のとおり、化合物Ｍ−２及び化合物Ｍ−１０から、化合物Ｍ−１１を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−２（５．８３ｇ）、化合物Ｍ−１０（３．１８ｇ）、トルエン（４０ｍＬ）、酢酸パラジウム（４５ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２８２ｍｇ）を混合し、８０℃に加温した。反応溶液に、水酸化テトラエチルアンモニウム（１０ｍＬ）を１０分かけて滴下し、１０５℃に２時間加温した。反応終了後、有機層を水で洗浄し、洗浄した有機層を濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／トルエン＝５／１（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−１１を得た（６．５ｇ）。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：１７６８［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜合成例６＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１１から化合物Ｍ−１２を合成した。

アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの４つ口フラスコ中で化合物Ｍ−１１（６．５２ｇ）、及び、塩化メチレン（２５ｍＬ）を混合し、０℃に冷却した。ここへ１規定のＩＣｌ／塩化メチレン溶液（８．４ｍＬ）を滴下し、１時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで昇温し、有機層を水で洗浄し、洗浄した有機層を濃縮した。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／トルエン＝５／１（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−１２を得た（３．９１ｇ）。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：１８７７［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜実施例５＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１２から化合物Ｍ−１３を合成した。

アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの４つ口フラスコ中で、化合物Ｍ−１２（２．８１ｇ）、ペンタフルオロフェニルホウ酸（１．２７ｇ）、フッ化セシウム（０．９１ｇ）、酸化銀（０．８３ｇ）、及び、ＤＭＦ（３０ｍＬ）を混合した。反応溶液にＰｄ_２（ｄｂａ）_３（１４０ｍｇ）、及び、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（７５ｍｇ）を加え、１００℃で３時間攪拌した。反応進行を確認した後、セライトろ過を行い、次いでシリカゲルろ過を行った。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１／１（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−１３（２．４ｇ）を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ）：１９９４［Ｍ＋Ｋ］^＋

＜合成例７＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１４を合成した。

アルゴン雰囲気下、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ブロモベンゼン（２５．０ｇ）とＴＨＦ（２５０ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。反応溶液へ１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム・へキサン溶液（５０ｍＬ）を２時間かけて滴下し、さらに３０分攪拌した。−７８℃を保ったまま、４，４’−ジブロモビフェニル−２−メチルエステル（１３．２ｇ）をＴＨＦ（３０ｍＬ）に溶かした溶液を１時間かけて滴下した。滴下終了後、昇温し、６時間かけて−２０℃とした。反応溶液に水を加えることで、反応を停止させた。得られた溶液に酢酸エチルを加え、食塩の飽和水溶液で２回洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶液をシリカゲルで濾過カラムを行い、得られた溶液を濃縮することにより黄色オイル（３３．９ｇ）を得た。

アルゴン雰囲気下、得られた黄色オイル（３３．９ｇ）とトルエン（８０ｍＬ）を混合し、０℃に冷却した。ここへ三フッ化ホウ素のジエチルエーテル錯体（１７．６ｍＬ）を３０分かけて滴下し、室温に昇温し１時間攪拌した。反応溶液にクロロホルムを加え、イオン交換水で４回洗浄した。得られた懸濁液を濃縮し、析出した固体をろ取し、減圧乾燥させた。得られた白色固体をトルエンから再結晶することで化合物Ｍ−１４（収率：２１．７４％）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ７．３４（２Ｈ，ｓ），７．５２（４Ｈ，ｓ），７．６２（２Ｈ，ｄ），７．７０（２Ｈ，ｄ），７．８７（２Ｈ，ｓ）ｐｐｍ．
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ−６３．２ｐｐｍ．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：７４７［Ｍ］^＋．

＜合成例８＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１５を合成した。

アルゴン雰囲気下、３Ｌの三つ口フラスコに、３−ｎ−ヘキシル−５−メチルブロモベンゼン（２６２ｇ）、及び、無水テトラヒドロフラン（１．５Ｌ）を加え均一溶液とし、−７８℃に冷却した。得られた溶液に、２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム・ヘキサン溶液（３８０ｍＬ）を、溶液の温度が−７０℃以下に保たれるように滴下し、４時間撹拌し、溶液Ａを得た。別途、１Ｌの二口フラスコに、２−メトキシカルボニル−４，４’−ジブロモビフェニル（１６０ｇ）、及び、無水テトラヒドロフラン（５００ｍＬ）を加え、均一溶液を調製した（溶液Ｂ）。

溶液Ａに溶液Ｂを、溶液Ａの温度が−７０℃以下に保たれるように滴下し、撹拌した。次いで、反応溶液を室温にて１５時間撹拌した。次いで、反応溶液に水（１５０ｍＬ）を０℃にて加え、撹拌した。次いで、減圧下で濃縮操作により溶媒を留去し、残留物にヘキサン（１Ｌ）及び水（２００ｍＬ）を加え、撹拌し、静置して生成した水層を除去し有機層を得た。この有機層を飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、減圧下で濃縮することにより、中間体を得た。

アルゴン雰囲気下、３Ｌの三つ口フラスコに、上記で得られた中間体（２９９ｇ）、及び、塩化メチレン（９００ｍＬ）を加え、５℃に冷却した。得られた混合物に、温度が０〜５℃の範囲内に保たれるように、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２２４ｍＬ）を滴下した後、室温にて終夜撹拌した。反応溶液を、２Ｌの氷水に注意深く注ぎ、３０分撹拌し、静置して分液した水層を有機層から除去した。この有機層に１０質量％リン酸カリウム水溶液（１Ｌ）を加え、２時間撹拌した後、静置して生成した水層を有機層から除去した。得られた有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた後、濃縮することにより溶媒を留去し、オイル状の液体を得た。このオイル状の液体にメタノールを加え、固体を得た。この固体をｎ−ブチルアセテート及びメタノールから再結晶を行うことにより、化合物Ｍ−１５（２４０ｇ）を得た。

＜合成例９＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１５から化合物Ｍ−１６を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−１５（５１．１ｇ）とＴＨＦ（８００ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。この反応溶液に１．６Ｍのｎ−ブチルリチウム・へキサン溶液（５０ｍＬ）を１時間かけて滴下し、さらに１．５時間撹拌を行った。ここへトリメチルシリルクロライド（１２．４ｇ）を０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温まで昇温し、イオン交換水を加え、反応を停止させた。酢酸エチルを加え、分液を行った後、食塩の飽和水溶液で３回洗浄した後、濃縮、乾燥させることにより、化合物Ｍ−１６（４９．２ｇ）を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：６９５［Ｍ］^＋．

＜合成例１０＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１６から化合物Ｍ−１７を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−１６（３０．０ｇ）、ピナコレートジボラン（１２．２ｇ）、酢酸カリウム（２６．５ｇ）、ジオキサン（１９０ｍＬ）、（ジフェニルホスフィノフェロセン）パラジウムジクロライド（１．１ｇ）、及び、ジフェニルホスフィノフェロセン（０．７５ｇ）を混合し、４時間、１１０℃に加熱した。反応終了後、室温に冷却させた後、セライトろ過を行い、濃縮を行った。得られたオイルをシリカゲルろ過（展開溶媒：トルエン／ヘキサン＝１／１（体積比））を行った。さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２０（体積比））で２回精製することにより化合物Ｍ−１７（２２．１ｇ）を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：７１３［Ｍ］^＋．

＜実施例６＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１４及び化合物Ｍ−１７から化合物Ｍ−１８を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−１４（２．２４ｇ）、化合物Ｍ−１７（４，７１ｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、酢酸パラジウム（３．４ｍｇ）、及び、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２１１ｍｇ）を混合し、８０℃に加熱した。ここへ、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍＬ）を滴下し、３時間還流させた。反応を室温まで冷却した後、酢酸エチルを加え、イオン交換水で４回洗浄し、得られた有機層を濃縮した。シリカゲルろ過カラム（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０（体積比））を行い、濃縮乾固させることで白色固体を得た。得られた固体をヘキサンとエタノールとの混合溶液から３回再結晶することにより、化合物Ｍ−１８（２．４ｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ０．２２（１８Ｈ，ｓ），０．８２（１２Ｈ，ｔ），１．２３（２４Ｈ，ｍ），１．５３（８Ｈ，ｍ），２．１５（１２Ｈ，ｓ），２．４４（８Ｈ，ｔ），６．７１（４Ｈ，ｓ）６．８３（４Ｈ，ｓ），６．９２（４Ｈ，ｓ），７．３８−７．４２（４Ｈ，ｍ），７．５０−７．６３（１２Ｈ，ｍ），７．７２−７．８５（８Ｈ，ｍ）ｐｐｍ．
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ−６３．１ｐｐｍ．

＜実施例７＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１８から化合物Ｍ−１９を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−１８（２．１１ｇ）、ＤＭＦ（８０ｍＬ）、及び、酢酸（２０ｍＬ）を混合した。ここへ、ＮＢＳ（０．４７ｇ）を混合し、４時間、８０℃に加熱した。反応終了後、反応溶液をイオン交換水（３００ｍＬ）に注ぎ込み、析出した固体をろ取し、乾燥させた。得られた固体をヘキサン、酢酸エチル、及び、エタノールの混合溶液より３回再沈殿を行うことにより、化合物Ｍ−１９（２．０１ｇ）を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：１７７０［Ｍ＋Ｋ］^＋．

＜実施例８＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１９から化合物Ｍ−２０を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−１９（０．４９ｇ）、ペンタフルオロフェニルホウ酸（０．２５ｇ）、フッ化セシウム（０．１８ｇ）、酸化銀（０．１７ｇ）、及び、ＤＭＦ（６ｍＬ）を混合し、３０℃に加温した。反応溶液にＰｄ_２（ｄｂａ）_３（２７ｍｇ）、及び、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１５ｍｇ）を混合し、１００℃で７時間反応させた。反応進行を確認後、酢酸エチル、及び、水を加え、分液を行った。有機層をセライトでろ過し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮乾固させた。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）で精製することにより、化合物Ｍ−２０（８１ｍｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ０．８２（１２Ｈ，ｔ），１．２５（２４Ｈ，ｍ），１．５０（８Ｈ，ｍ），２．１７（１２Ｈ，ｓ），２．４４（８Ｈ，ｔ），６．７４（４Ｈ，ｓ）６．８５（４Ｈ，ｓ），６．９０（４Ｈ，ｓ），７．４０−７．４７（８Ｈ，ｍ），７．６０−７．６４（８Ｈ，ｍ），７．７８−７．８９（８Ｈ，ｍ）ｐｐｍ．
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ−６３．１，−１４３．３，−１５６．２，−１６２．７ｐｐｍ．
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：１９４６［Ｍ＋Ｋ］^＋．

＜実施例９＞
下記のとおり、化合物Ｍ−１９から化合物Ｍ−２１を合成した。

アルゴン雰囲気下、化合物Ｍ−１９（１．９９ｇ）、フェニルホウ酸（０．４２ｇ）、テトラブチルアンモニウムブロマイド（０．１９ｇ）、水酸化カリウム（０．２０ｇ）、トルエン（３５ｍＬ）、及び、水（１０ｍＬ）を混合し、１００℃に加温した。反応溶液にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６７ｍｇ）を混合し、１０５℃で７時間反応させた。反応進行を確認後、分液し、有機層を、イオン交換水で２回洗浄した。有機層を濃縮した後、シリカゲルろ過を行った（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１（体積比））。得られた有機層に活性炭を加え１時間還流させた後、セライトを用いてろ過を行い、有機層を濃縮した。得られたオイルをＯＤＳカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ＴＨＦ／メタノール＝１／１（体積比））で精製することにより、化合物Ｍ−２１（１．２ｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ０．８１（１２Ｈ，ｔ），１．２１（２４Ｈ，ｍ），１．５０（８Ｈ，ｍ），２．４５（８Ｈ，ｔ），６．７６（４Ｈ，ｓ）６．８５（４Ｈ，ｓ），６．９６（４Ｈ，ｓ），７．２５−７．４２（１２Ｈ，ｍ），７．５４−７．６５（１８Ｈ，ｍ），７．８３（８Ｈ，ｍ）ｐｐｍ．
^１９Ｆ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；δ−６２．４ｐｐｍ．

＜実施例１０＞
化合物Ｍ−５をヘキサンに溶解させ、化合物濃度０．５質量％のヘキサン溶液を調製した。調製したヘキサン溶液を用いてガラス基板上に、スピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜することにより、薄膜を作製した。この薄膜の厚さは２０ｎｍであった。なお、薄膜の厚さはＶｅｅｃｏ社製Ｄｅｋｔａｋ１０を用いて測定した。

＜合成例１４：高分子化合物Ｐ−１の合成＞
不活性雰囲気下、下記式：

で表される化合物ＭＭ−１（７．２８ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（４．９４ｇ）、下記式：

で表される化合物ＭＭ−２（０．７４ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（７．０ｍｇ）、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ製）（１．３０ｇ）、及びトルエン（１００ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液（２７ｍＬ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（１２０ｍｇ）を加え、さらに４時間還流させた。次いで、１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（６０ｍＬ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却後、水で３回、３質量％の酢酸水溶液で３回、水で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノールに滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式：

（式中、括弧の外に添えた数字は、各繰り返し単位のモル比を表す。）
で表される高分子化合物Ｐ−１を８．０ｇ得た。高分子化合物Ｐ−１は、ポリスチレン換算の数平均分子量が５．１×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１．４×１０^５であった。なお、化合物ＭＭ−１は、ＷＯ２００８／１１１６５８に記載の方法で合成し、化合物ＭＭ−２は、ＥＰ１３９４１８８に記載の方法で合成した。

＜合成例１５：高分子化合物Ｐ−２の合成＞
不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（６．４０ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１．３７ｇ）、下記式：

で示される化合物ＭＭ−３（０．６４ｇ）、下記式：

で表される化合物ＭＭ−４（４．１０ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（２１ｍｇ）、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、ｏ−トリメトキシフェニルホスフィン（２８ｍｇ）及びトルエン（１００ｍＬ）を混合し、１０５℃に加熱した。反応溶液に２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（３５ｍＬ）を滴下し、２時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸（６１ｍｇ）を加え、さらに４時間還流させた。次いで、１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。室温まで冷却後、水で３回、３質量％の酢酸水溶液で３回、水で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノールに滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させたところ、下記式：

（式中、括弧の外に添えた数字は、各繰り返し単位のモル比を表す。）
で表される高分子化合物Ｐ−２を６．２ｇ得た。高分子化合物Ｐ−２は、ポリスチレン換算の数平均分子量が９．７×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が３．０×１０^５であった。なお、化合物ＭＭ−３は、ＵＳ２００４／０３５２２１に記載の方法で合成し、化合物ＭＭ−４は、特開２００３−２２６７４４号公報に記載の方法で合成した。

＜溶液の調製例＞
・キシレン溶液Ｓ−１（高分子化合物Ｐ−１溶液）の調製
高分子化合物Ｐ−１をキシレンに溶解させ、ポリマー濃度１．３質量％のキシレン溶液Ｓ−１を調製した。

・キシレン溶液Ｓ−２（高分子化合物Ｐ−２溶液）の調製
高分子化合物Ｐ−２をキシレンに溶解させ、ポリマー濃度０．７質量％のキシレン溶液Ｓ−２を調製した。

・トリフルオロメチルベンゼン溶液Ｓ−３（化合物Ｍ−５溶液）の調製
化合物Ｍ−５をトリフルオロメチルベンゼンに溶解させ、化合物濃度０．２質量％のトリフルオロメチルベンゼン溶液Ｓ−３を調製した。

＜エレクトロルミネッセンス素子の作製例＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚さで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。次に、上記で得たキシレン溶液Ｓ−２を用いて、スピンコートにより１６００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより薄膜を硬化させた。成膜後の厚さは約２０ｎｍであった。さらに、上記で得たキシレン溶液Ｓ−１を用いて、スピンコートにより１６００ｒｐｍの回転速度で成膜し、ホットプレート上で１３０℃、１０分間加熱した。成膜後の厚さは約６０ｎｍであった。さらに、上記で得たトリフルオロメチルベンゼン溶液Ｓ−３を用いて、スピンコートにより１６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の厚さは約１０ｎｍであった。これを減圧下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ蒸着し、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着してエレクトロルミネッセンス素子を作製した。なお真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。

＜エレクトロルミネッセンス素子の性能評価例＞
得られたエレクトロルミネッセンス素子に電圧を印加することにより、この素子から４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、最大発光効率は５．４ｃｄ／Ａであった。

Claims (6)

1. 下記式（１）で表されるフッ素含有化合物。
   

   

   
   ［式中、
   Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、
   ｎ^１、ｎ^２及びｎ^３はそれぞれ独立に０又は１を示し、
   Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、シアノ基又は−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基（ｐは１以上１０以下の整数を示し、ｑは１以上２ｐ＋１以下の整数を示し、ｒは０以上２ｐ＋１−ｑ以下の整数を示し、ｓは０又は１を示す。）を示す。
   但し、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５のうち少なくとも一つは、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基であり、
   前記アリーレン基の置換基並びにＺ^１及びＺ^２のうち少なくとも一つは、−Ｃ_ｐＦ_ｑＨ_ｒＯ_ｓで表される基である。］
2. Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４及びＡｒ^５がいずれも、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基である、請求項１に記載のフッ素含有化合物。
3. ｓが０である、請求項１又は２に記載のフッ素含有化合物。
4. 正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種と、請求項１〜３のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物と、を含有する組成物。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物と溶媒とを含有する液状組成物。
6. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物を含有する薄膜。