JP2012204375A - 微細パターンを表面に有する物品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 94
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 38
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 16
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 15
- -1 acryloyloxy group Chemical group 0.000 description 14
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 5
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C(C)(C)C HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 4h-chromene-2,3-dione Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(=O)CC2=C1 CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- REQPQFUJGGOFQL-UHFFFAOYSA-N dimethylcarbamothioyl n,n-dimethylcarbamodithioate Chemical compound CN(C)C(=S)SC(=S)N(C)C REQPQFUJGGOFQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000002070 germicidal effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
【解決手段】(a)塗工用組成物20を硬質基材10の表面に塗布する工程、(b)粘度が10000mPa・s以上となるように塗工用組成物20を高粘度化し硬質モールド30の反転パターン32の深さ以下の厚さの光硬化性薄膜22を形成する工程、(c)硬質モールド30と硬質基材10との間に光硬化性薄膜22を挟んで光を照射し光硬化性薄膜22を硬化させて硬化物24とする工程、(d)硬化物24から硬質モールド30を分離して硬化物24からなる微細パターン26を表面に有する物品を得る工程、(e)微細パターン26をレジストパターンとしてエッチングを行い硬質基材10の表面に微細パターン12を直接形成する工程を有する微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
【選択図】図1
Description
レジストパターンの反転パターンを表面に有するモールドを、基材の表面に塗布された光硬化性組成物(レジスト膜)に押し付け、光硬化性組成物に光を照射し、光硬化性組成物を硬化させて、光硬化性組成物の硬化物からなるレジストパターンを基材の表面に形成する方法。
(i)モールドの凸部が押し付けられた部分に形成される、レジストパターン(凸部)間の凹部と基材との間の残膜(図1中の符号28)の厚さ(図1中の符号R)が不均一になる。そのため、レジストパターンを目視にて観察した場合に、残膜の不均一さが原因となって色ムラが発生する。また、後段のエッチング工程において、エッチングによって基材に直接形成される微細パターンの加工精度が低下する(凹部の深さが不均一になる)。
(ii)レジストパターン(凸部)や残膜内に気泡が混入しやすい。
また、本発明は、光硬化性化合物の硬化物からなる微細パターンをレジストパターンとしてエッチングを行うことによって硬質基材に直接形成される微細パターンの加工精度が良好である、微細パターンを表面に有する物品の製造方法を提供する。
(a)塗工用組成物を硬質基材の表面に塗布する工程。
(b)下記の方法によって測定される粘度が10000mPa・s以上となるように前記塗工用組成物を高粘度化し、下記反転パターンの凹部の深さ以下の厚さの光硬化性薄膜を形成する工程。
たて10mm、よこ10mmの石英板を光硬化性薄膜に0.2μm/秒の一定速度で押し付けながら押し付ける圧力の時間変化を測定し、下式(1)から粘度を求める。
粘度[Pa・s]=1×106[Pa]×t[s] ・・・(1)。
ただし、tは、押し付ける圧力が1MPaに到達するまでの時間である。
(c)前記微細パターンの反転パターンを表面に有する硬質モールドと、前記硬質基材との間に、前記光硬化性薄膜を挟んだ状態にて光を照射し、前記光硬化性薄膜を硬化させて硬化物とする工程。
(d)前記硬化物から前記硬質モールドを分離して、前記硬化物からなる微細パターンを表面に有する物品を得る工程。
(e)前記硬化物からなる微細パターンをレジストパターンとしてエッチングを行い、前記硬質基材の表面に微細パターンを直接形成する工程。
(a’)粘度が10000mPa・s以上の光硬化性化合物と溶媒とを含む塗工用組成物を硬質基材の表面に塗布する工程。
(b’)前記塗工用組成物から溶媒を除去し、下記反転パターンの凹部の深さ以下の厚さの光硬化性薄膜を形成する工程。
(c)前記微細パターンの反転パターンを表面に有する硬質モールドと、前記硬質基材との間に、前記光硬化性薄膜を挟んだ状態にて光を照射し、前記光硬化性薄膜を硬化させて硬化物とする工程。
(d)前記硬化物から前記硬質モールドを分離して、前記硬化物からなる微細パターンを表面に有する物品を得る工程。
(e)前記硬化物からなる微細パターンをレジストパターンとしてエッチングを行い、前記硬質基材の表面に微細パターンを直接形成する工程。
また、光硬化性化合物の硬化物からなる微細パターンをレジストパターンとしてエッチングを行った場合には、硬質基材に直接形成される微細パターンの加工精度が良好となる。
微細パターンないし反転パターンとは、幅、長さおよび高さ(深さ)のうち最小の寸法が1nm〜100μmである1つ以上の凸部および/または凹部からなる形状をいう。
硬化物とは、光硬化性薄膜に光を照射して、光硬化性薄膜に含まれる光硬化性化合物の一部または全部を硬化させたものをいう。
(メタ)アクリロイルオキシ基は、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基をいう。
(メタ)アクリレートは、アクリレートまたはメタクリレートをいう。
本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法は、下記の方法(I)または下記の方法(II)である。
(a)図1に示すように、塗工用組成物20を硬質基材10の表面に塗布する工程。
(b)図1に示すように、工程(a)の後、後述する方法によって測定される粘度が10000mPa・s以上となるように塗工用組成物20を高粘度化し、硬質モールド30の反転パターン32(凹部)の深さB以下の厚さAの光硬化性薄膜22を形成する工程。
(c)図1に示すように、工程(b)の後、微細パターン26の反転パターン32を表面に有する硬質モールド30と、硬質基材10との間に、光硬化性薄膜22を挟んだ状態にて光を照射し、光硬化性薄膜22を硬化させて硬化物24とする工程。
(d)図1に示すように、工程(c)の後、硬化物24から硬質モールド30を分離して、硬化物24からなる微細パターン26(凸部)を表面に有する物品を得る工程。
(e)図1に示すように、工程(d)の後、硬化物24からなる微細パターン26をレジストパターンとしてエッチングを行い、硬質基材10の表面に微細パターン12を直接形成する工程。
(a’)図1に示すように、粘度が10000mPa・s以上の光硬化性化合物と溶媒とを含む塗工用組成物20を硬質基材10の表面に塗布する工程。
(b’)図1に示すように、工程(a’)の後、塗工用組成物20から溶媒を除去し、硬質モールド30の反転パターン32(凹部)の深さB以下の厚さAの光硬化性薄膜22を形成する工程。
(c)図1に示すように、工程(b’)の後、微細パターン26の反転パターン32を表面に有する硬質モールド30と、硬質基材10との間に、光硬化性薄膜22を挟んだ状態にて光を照射し、光硬化性薄膜22を硬化させて硬化物24とする工程。
(d)図1に示すように、工程(c)の後、硬化物24から硬質モールド30を分離して、硬化物24からなる微細パターン26(凸部)を表面に有する物品を得る工程。
(e)図1に示すように、工程(d)の後、硬化物24からなる微細パターン26をレジストパターンとしてエッチングを行い、硬質基材10の表面に微細パターン12を直接形成する工程。
(工程(a))
硬質基材10の表面に塗工用組成物20を塗布する。
硬質材料としては、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、窒化珪素、窒化アルミニウム、石英、ガラス、シリコンカーバイド、サファイア、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、金属(アルミニウム、ニッケル、銅等)、金属酸化物(アルミナ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等)、およびこれらの基材の表面に酸化物層、金属層(クロム、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タンタル、タングステン、ITO、酸化錫、金、銀、銅、白金、チタン等を主成分とするもの)を形成したもの等が挙げられる。
硬質基材10および硬質モールド30のうち少なくとも一方は、光重合開始剤が作用する波長の光を40%以上透過する材料とする。
(メタ)アクリロイルオキシ基を有する化合物(以下、(メタ)アクリレート系化合物とも記す。)としては、1分子あたり(メタ)アクリロイルオキシ基を1〜6個有する化合物が好ましく、硬化物が硬くなり過ぎない点から、1分子あたり(メタ)アクリロイルオキシ基を1〜3個有する化合物が特に好ましい。
(メタ)アクリレート系化合物としては、(メタ)アクリレート系モノマーの1種以上からなるもの、(メタ)アクリレート系オリゴマーの1種以上からなるもの、(メタ)アクリレート系モノマーの1種以上と(メタ)アクリレート系オリゴマーの1種以上とからなるものが挙げられる。
含フッ素界面活性剤としては、フッ素含有量が10〜70質量%の含フッ素界面活性剤が好ましく、フッ素含有量が10〜40質量%の含フッ素界面活性剤がより好ましい。含フッ素界面活性剤は、水溶性であってもよく、脂溶性であってもよい。
光重合開始剤としては、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤、α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α−アシルオキシムエステル、ベンジル−(o−エトキシカルボニル)−α−モノオキシム、アシルホスフィンオキシド、グリオキシエステル、3−ケトクマリン、2−エチルアンスラキノン、カンファーキノン、テトラメチルチウラムスルフィド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、ジアルキルパーオキシド、tert−ブチルパーオキシピバレート等が挙げられ、感度および相溶性の点から、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤またはベンゾフェノン系光重合開始剤が好ましい。
溶媒としては、ケトン類、アルコール類、環式エーテル類、エステル類等が挙げられる。
塗工用組成物20は、光増感剤、重合禁止剤、樹脂、金属酸化物微粒子、炭素化合物、金属微粒子、他の有機化合物等の他の添加剤を含んでいてもよい。
塗工用組成物20の粘度は、塗布前にE型粘度計によって測定した、工程(a)における温度と同じ温度(たとえば、室温(25℃))における粘度である。
塗工用組成物20を高粘度化し、光硬化性薄膜22を形成する。
高粘度化は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
工程(c)において硬質モールド30と硬質基材10との間に光硬化性薄膜22を挟む際の温度と同じ温度(たとえば、室温(25℃))にて、たて10mm、よこ10mmの石英板を光硬化性薄膜に0.2μm/秒の一定速度で押し付けながら押し付ける圧力の時間変化を測定し、下式(1)から粘度を求める。
粘度[Pa・s]=1×106[Pa]×t[s] ・・・(1)。
ただし、tは、押し付ける圧力が1MPaに到達するまでの時間である。
厚さ525μmの4インチシリコン基板の表面に、塗工用組成物をスピンコート法によって塗布し、所定の条件(温度、時間等)にて高粘度化を行う。塗工用組成物の塗膜の厚さは、高粘度化後の光硬化性薄膜の厚さが90nm以上になるようにあらかじめ調整する。
光硬化性薄膜付きのシリコン基板を、ロードセル分解能:10N、プレス軸の移動分解能:50nmのナノインプリント装置に取り付ける。
ナノインプリント装置のモールド取付けステージに、石英板(たて:10mm、よこ:10mm、厚さ:1mm、微細パターンなし)を取り付ける。
工程(c)において硬質モールド30と硬質基材10との間に光硬化性薄膜22を挟む際の温度と同じ温度(たとえば、室温(25℃))にて、石英板を光硬化性薄膜に0.2μm/秒の一定速度で押し付けながら、ロードセルが検出した圧力の時間変化を0.1秒間隔で測定する。
時間に対する圧力のグラフを作成し、圧力が上昇し始めてから、圧力が1MPaに到達するまでの時間tを読み取り、前記式(1)から所定の条件(温度、時間等)にて高粘度化を行った後の光硬化性薄膜の粘度を求める。
厚さAは、光硬化性薄膜22の厚さを3箇所で測定し、これら厚さを平均したものである。
硬質モールド30と硬質基材10との間に、光硬化性薄膜22を挟んだ状態にて光を照射し、光硬化性薄膜22を硬化させて硬化物24とする。
硬質材料としては、硬質基材10の材料と同様のものが挙げられる。
硬質モールド30および硬質基材10のうち少なくとも一方は、光重合開始剤が作用する波長の光を40%以上透過する材料とする。
反転パターン32は、微細な凹部を有する。凹部としては、モールドの表面に延在する溝、表面に点在する孔等が挙げられる。
溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。
孔の形状としては、三角柱、四角柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角錐、円錐、半球、多面体等が挙げられる。
孔の幅は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。孔の幅とは、開口部が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味し、そうでない場合、孔の開口部における最大長さを意味する。
凹部の深さBは、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。
反転パターンが密集している領域において、隣接する凹部間の間隔は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。隣接する凹部間の間隔とは、凹部の断面の上辺の終端から、隣接する凹部の断面の上辺の始端までの距離を意味する。
前記各寸法は、3箇所で測定した寸法を平均したものである。
凹部の最小寸法は、1nm〜100μmが好ましく、1nm〜10μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。最小寸法とは、凹部の幅、長さおよび深さのうち最小の寸法を意味する。
紫外線の光源としては、殺菌灯、紫外線用蛍光灯、カーボンアーク、キセノンランプ、複写用高圧水銀灯、中圧または高圧水銀灯、超高圧水銀灯、無電極ランプ、メタルハライドランプ、自然光等が挙げられる。
光の照射は、常圧下で行ってもよく、減圧下で行ってもよい。また、空気中で行ってもよく、窒素雰囲気、二酸化炭素雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
硬化物24から硬質モールド30を分離して、硬化物24からなる微細パターン26を表面に有する物品を得る。
硬化物24から硬質モールド30を分離した後、硬化物24をさらに硬化させてもよい。硬化の方法としては、加熱処理、光照射等が挙げられる。
硬化物24からなる微細パターン26をレジストパターンとしてエッチングを行い、硬質基材10の表面に微細パターン12を直接形成する。
エッチングの後、硬質基材10の微細パターン12の表面に残ったレジストを除去することが好ましい。除去方法としては、剥離液等によるウエット処理、酸素プラズマ等によるドライ処理、レジストの熱分解を促す温度での熱処理等が挙げられる。
(工程(a’))
硬質基材10の表面に塗工用組成物20を塗布する。
塗工用組成物20は、光硬化性化合物および溶媒を含み、必要に応じて含フッ素界面活性剤、光重合開始剤、他の添加剤を含む。
溶媒、含フッ素界面活性剤、光重合開始剤、他の添加剤としては、方法(I)において例示したものと同様のものが挙げられる。
(メタ)アクリレート系オリゴマーとしては、繰り返し単位を2個以上有する鎖(ポリウレタン鎖、ポリエステル鎖、ポリエーテル鎖、ポリカーボネート鎖等)と(メタ)アクリロイルオキシ基とを有する分子構造の(メタ)アクリレート系オリゴマーが挙げられ、硬化後の膜の柔軟性や表面硬度の調整が容易であること、さらに硬質基材との密着性に優れるという点から、ウレタン結合と2個以上の(メタ)アクリロイルオキシ基とを有するウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーがより好ましく、ウレタン結合と6〜10個の(メタ)アクリロイルオキシ基とを有するウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーがさらに好ましい。
光硬化性化合物の粘度は、E型粘度計によって測定した、工程(c)において硬質モールド30と硬質基材10との間に光硬化性薄膜22を挟む際の温度と同じ温度(たとえば、室温(25℃))における粘度である。また、塗工用組成物20が2種類以上の光硬化性化合物を含む場合は、これら光硬化性化合物の混合物の粘度とする。
塗工用組成物20の粘度は、塗布前にE型粘度計によって測定した、工程(a’)における温度と同じ温度(たとえば、室温(25℃))における粘度である。
塗工用組成物20の塗布は、方法(I)における塗布と同様に行えばよい。
塗工用組成物20から溶媒を除去し、光硬化性薄膜22を形成する。
厚さAは、光硬化性薄膜22の厚さを3箇所で測定し、これら厚さを平均したものである。
工程(c)〜(e)は、方法(I)と同様に行えばよい。
以上説明した本発明の微細パターンを表面に有する物品の製造方法にあっては、工程(b)または工程(b’)において、塗工用組成物を高粘度化し、高粘度の光硬化性薄膜22を形成しているため、基材およびモールドとして硬質材料(シリコン、石英、ガラス等)からなるものを用いて大気圧下にてナノインプリントリソグラフィ法によって微細パターン26を形成しても、硬質モールド30の凸部が押し付けられた部分に形成される光硬化性化合物の硬化物24からなる残膜28の厚さの均一性が高くなり、かつ光硬化性化合物の硬化物24からなる微細パターン26(凸部)や残膜28に気泡が混入しにくい。
例1〜3、6、7は実施例であり、例4、5、8〜10は比較例である。
E型粘度計としてモジュラーレオメーター(Anton Paar社製、Physica MCR301)を用い、光硬化性化合物および塗工用組成物の粘度を測定した。25mmコーンプレートを用い、温度:25℃、せん断速度:10[1/s]における粘度を測定した。
厚さ525μmの4インチシリコン基板の表面に、塗工用組成物をスピンコート法によって塗布し、実際の工程(b)における高粘度化の条件と同じ条件(温度、時間)にて高粘度化を行った。塗工用組成物の塗膜の厚さは、高粘度化後の光硬化性薄膜の厚さが90nm以上になるようにあらかじめ調整した。
光硬化性薄膜付きのシリコン基板を、ロードセル分解能:10N、プレス軸の移動分解能:50nmのナノインプリント装置に取り付けた。
ナノインプリント装置のモールド取付けステージに、石英板(たて:10mm、よこ:10mm、厚さ:1mm、微細パターンなし)を取り付けた。
25℃において、石英板を光硬化性薄膜に0.2μm/秒の一定速度で押し付けながら、ロードセルが検出した圧力の時間変化を0.1秒間隔で測定した。
時間に対する圧力のグラフを作成し、圧力が上昇し始めてから、圧力が1MPaに到達するまでの時間tを読み取り、前記式(1)から光硬化性薄膜の粘度を求めた。
高粘度化した直後の光硬化性薄膜の厚さを、卓上膜厚測定システム(フィルメトリクス社製、F20)を用いて測定した。
工程(d)の直後に、微細パターン側から物品に白色光を照射しながら物品を目視で観察し、色ムラの有無を下記の基準にて官能評価した。
○:ムラ模様が見られない。
×:ムラ模様が見られる。
工程(d)の直後に、微細パターン側から物品を目視で観察し、視認可能な気泡の混入の有無を下記の基準にて評価した。
○:気泡がまったく見られない。
×:気泡が1つ以上見られる。
工程(d)の直後に、物品の表面における、光硬化性化合物の硬化物からなる微細パターン(凸部)の高さCを、原子間力顕微鏡(SIIナノテクノロジ社製、L−trace)を用いて測定し、下式(2)から充填率を求めて、硬質モールドの反転パターン(凹部)をどの程度忠実に転写できたかを下記の基準にて評価した。
充填率[%]=物品の微細パターン(凸部)の高さC[nm]/硬質モールドの反転パターン(凹部)の深さB[nm]×100 ・・・(2)。
工程(e)の直後に、物品を割断して得られた断面を、走査電子顕微鏡(日立製作所社製、S4300)を用いて観察し、硬質基材のエッチング量(凹部の深さ)のばらつきを下記の基準にて評価した。
○:ばらつきが10nm未満である。
×:ばらつきが10nm以上である。
塗工用組成物として、PAK−01−200(東洋合成工業社製、アクリル系紫外線硬化性樹脂液)を用意した。溶媒を含まないPAK−01の粘度(25℃)は約60mPa・s(カタログ値)であり、工程(b)と同じ条件にて高粘度化した後の光硬化性薄膜の粘度(25℃)は39500mPa・sであった。
4インチシリコン基板(SUMCO社製、厚さ:525μm、<1.0.0>面 片面ミラーウエハ CZ法、ヤング率:130GPa)の表面に、PAK−01−200をスポイトで滴下し、スピンコーター(ミカサ社製、1H−DX2)を用い、25℃にて、3000rpmで20秒間のスピンコートを行い、塗膜を形成した。
塗膜付きシリコン基板をホットプレート上にて160℃で10分間加熱し、塗膜を脱溶媒し、かつ樹脂を変質させ、高粘度の光硬化性薄膜を得た。光硬化性薄膜の厚さは120nmであった。
光硬化性薄膜に対して、ライン/スペースの微細パターンを有する石英モールド(パターンエリアサイズ:8mm×8mm、ラインの線幅:100nm、スペースの溝幅:100nm、ピッチ:200nm、溝深さ:200nm、外形サイズ:11mm×11mm、厚さ:1.0mm、ヤング率:72GPa)を、ナノインプリント装置(東芝機械社製、ST50)を用い、大気圧下、25℃にて、4MPaの圧力で40秒間押し付けて密着させ、その状態のまま紫外線(200mJ/cm2)を照射した。
石英モールドを剥がし取り、レジストパターン付きシリコン基板を得た。色ムラ、気泡、充填率の評価を行った。
レジストパターン付きシリコン基板に対して、CF4とO2の1:1混合ガス(流量比)を用いて100nmの深さでエッチングを行った。エッチング終了後、シリコン基板の表面に残存するレジストを酸素プラズマで除去した。エッチング量の評価を行った。
塗工用組成物として例1と同じPAK−01−200を用意した。工程(b)と同じ条件にて高粘度化した後の光硬化性薄膜の粘度(25℃)は12000mPa・sであった。
例1と同様に塗膜を形成した後、塗膜付きシリコン基板をホットプレート上にて140℃で10分間加熱し、塗膜を脱溶媒し、かつ樹脂を変質させ、高粘度の光硬化性薄膜を得た。光硬化性薄膜の厚さは150nmであった。
例1と同様に工程(c)〜(e)を行った。
(工程(a)〜(b))
例2と同様に工程(a)〜(b)を行った。
工程(c)における圧力を4MPaから2MPaに変更した以外は、例1と同様に工程(c)〜(e)を行った。
塗工用組成物として例1と同じPAK−01−200を用意した。工程(b)と同じ条件にて高粘度化した後の光硬化性薄膜の粘度(25℃)は3600mPa・sであった。
例1と同様に塗膜を形成した後、塗膜付きシリコン基板をホットプレート上にて120℃で10分間加熱し、塗膜を脱溶媒し、かつ樹脂を変質させ、高粘度の光硬化性薄膜を得た。光硬化性薄膜の厚さは170nmであった。
例1と同様に工程(c)〜(e)を行った。
塗工用組成物として例1と同じPAK−01−200を用意した。工程(b)と同じ条件にて高粘度化した後の光硬化性薄膜の粘度(25℃)は750mPa・sであった。
例1と同様に塗膜を形成した後、塗膜付きシリコン基板をホットプレート上にて80℃で2分間加熱し、塗膜を脱溶媒し、高粘度の光硬化性薄膜を得た。光硬化性薄膜の厚さは196nmであった。
例1と同様に工程(c)〜(e)を行った。
バイヤル容器(内容積:30mL)に、U−6H(新中村化学工業社製、ウレタンメタクリレート系反応性オリゴマー、分子量:1047、官能基数:6、粘度(50℃):70000mPa・s(カタログ値)、粘度(25℃):5058000mPa・s(実測値)、硬化後の鉛筆硬度:4H)の1.00g、S420(AGCセイミケミカル社製、ノニオン性含フッ素界面活性剤)の0.02g、IRGACURE907(BASFジャパン社製、光重合開始剤)の0.03gをはかりとり、さらに、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、関東化学社製、電子工業用試薬)の18.18gを加え、充分な撹拌を行ない、塗工用組成物1を得た。塗工用組成物1の粘度(25℃)は1.5mPa・sであった。
プライマー塗布処理を行ったシリコン基板の表面に、塗工用組成物1をスポイトで滴下し、スピンコーター(ミカサ社製、1H−DX2)を用い、25℃にて、3000rpmで20秒間のスピンコートを行い、塗膜を形成した。
塗膜付きシリコン基板をホットプレート上にて70℃で2分間加熱し、塗膜を脱溶媒し、高粘度の光硬化性薄膜を得た。光硬化性薄膜の厚さは110nmであった。
光硬化性薄膜に対して、ライン/スペースの微細パターンを有する石英モールド(パターンエリアサイズ:20mm×20mm、ラインの線幅:60nm、スペースの溝幅:60nm、ピッチ:120nm、溝深さ:130nm 外形サイズ:20mm×20mm、厚さ:6.35mm、ヤング率:72GPa)を、ナノインプリント装置(東芝機械社製、ST50)を用い、大気圧下、25℃にて、4MPaの圧力で40秒間押し付けて密着させ、その状態のまま紫外線(1000mJ/cm2)を照射した。
石英モールドを剥がし取り、レジストパターン付きシリコン基板を得た。色ムラ、気泡、充填率の評価を行った。
レジストパターン付きシリコン基板に対して、CF4とO2の1:1混合ガス(流量比)を用いて100nmの深さでエッチングを行った。エッチング終了後、シリコン基板の表面に残存するレジストを酸素プラズマで除去した。エッチング量の評価を行った。
U−6HをU−324A(新中村化学工業社製、ウレタンアクリレート系反応性オリゴマー、分子量:350〜1300、官能基数:6〜10、粘度(40℃):20000mPa・s(カタログ値)、粘度(25℃):128500mPa・s(実測値)、硬化後の鉛筆硬度:7H)に変更した以外は、例6と同様にして行った。
U−6Hの1.00gを、EA−1020(新中村化学工業社製、NKオリゴ、ビスフェノールA型エポキシアクリレート)の0.65gおよびA−HD−N(新中村化学工業社製、NKエステル、2官能アクリレート)の0.35gの混合物(粘度(25℃):1000mPa・s(実測値))に変更した以外は、例6と同様にして行った。
U−6Hの1.00gを、A−DPH(新中村化学工業社製、NKエステル、多官能アクリレート)の0.6gおよびA−NPG(新中村化学工業社製、NKエステル、2官能アクリレート)の0.4gの混合物(粘度(25℃):100mPa・s(実測値))に変更した以外は、例6と同様にして行った。
U−6Hの1.00gを、A−DCP(新中村化学工業社製、NKエステル、2官能アクリレート)の0.7gおよびA−NPGの0.3gの混合物(粘度(25℃):50mPa・s(実測値))に変更した以外は、例6と同様にして行った。
12 微細パターン
20 塗工用性組成物
22 光硬化性薄膜
24 硬化物
26 微細パターン
28 薄膜
30 モールド
32 反転パターン
Claims (3)
- 下記の工程(a)、工程(b)、工程(c)、工程(d)および工程(e)を有する、微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
(a)塗工用組成物を硬質基材の表面に塗布する工程。
(b)下記の方法によって測定される粘度が10000mPa・s以上となるように前記塗工用組成物を高粘度化し、下記反転パターンの凹部の深さ以下の厚さの光硬化性薄膜を形成する工程。
たて10mm、よこ10mmの石英板を光硬化性薄膜に0.2μm/秒の一定速度で押し付けながら押し付ける圧力の時間変化を測定し、下式(1)から粘度を求める。
粘度[Pa・s]=1×106[Pa]×t[s] ・・・(1)。
ただし、tは、押し付ける圧力が1MPaに到達するまでの時間である。
(c)前記微細パターンの反転パターンを表面に有する硬質モールドと、前記硬質基材との間に、前記光硬化性薄膜を挟んだ状態にて光を照射し、前記光硬化性薄膜を硬化させて硬化物とする工程。
(d)前記硬化物から前記硬質モールドを分離して、前記硬化物からなる微細パターンを表面に有する物品を得る工程。
(e)前記硬化物からなる微細パターンをレジストパターンとしてエッチングを行い、前記硬質基材の表面に微細パターンを直接形成する工程。 - 下記の工程(a’)、工程(b’)、工程(c)、工程(d)および工程(e)を有する、微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
(a’)粘度が10000mPa・s以上の光硬化性化合物と溶媒とを含む塗工用組成物を硬質基材の表面に塗布する工程。
(b’)前記塗工用組成物から溶媒を除去し、下記反転パターンの凹部の深さ以下の厚さの光硬化性薄膜を形成する工程。
(c)前記微細パターンの反転パターンを表面に有する硬質モールドと、前記硬質基材との間に、前記光硬化性薄膜を挟んだ状態にて光を照射し、前記光硬化性薄膜を硬化させて硬化物とする工程。
(d)前記硬化物から前記硬質モールドを分離して、前記硬化物からなる微細パターンを表面に有する物品を得る工程。
(e)前記硬化物からなる微細パターンをレジストパターンとしてエッチングを行い、前記硬質基材の表面に微細パターンを直接形成する工程。 - 前記工程(c)においては、大気圧下にて硬質モールドと硬質基材との間に光硬化性薄膜を挟む、請求項1または2に記載の微細パターンを表面に有する物品の製造方法。
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JP2012204375A true JP2012204375A (ja) | 2012-10-22 |
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JP (1) | JP5733747B2 (ja) |
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