JP2012198966A - 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置10は、共通の半導体領域に設けられた複数のページを有し、複数のページの各々は電気的に書き換え可能な複数のメモリセルを有する、メモリセルアレイ11と、選択ページに対して消去動作を行う制御回路23と、消去動作後に、メモリセルアレイ11に対して消去し過ぎたメモリセルが存在するか否かを判定するベリファイ回路18とを含む。ベリファイ回路18は、選択ページの全メモリセルが閾値OEV1以上であるか否かを判定し、非選択ページのうち消去状態のメモリセルが閾値OEV1より低い閾値OEV2以上であるか否かを判定する。
【選択図】 図6
Description
以下に、不揮発性半導体記憶装置として、NOR型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。図1は、本実施形態に係るNOR型フラッシュメモリ10のブロック図である。
上記のように構成されたNOR型フラッシュメモリ10の動作について説明する。本実施形態では、メモリセルアレイ11のデータを消去する場合、ブロック単位及びページ単位の両方で消去動作を行うことが可能である。ブロック単位の消去動作は、一般的な消去動作と同じである。以下に、ページ単位で行う消去動作について説明する。消去対象のページを選択ページと呼び、選択ページが含まれるブロックを選択ブロックと呼ぶ。
以上詳述したように本実施形態では、NOR型フラッシュメモリ10は、ページ単位で消去動作を行うことが可能であり、選択ページの消去動作を行った後、選択ページを含む選択ブロック全体に対して過消去ベリファイ動作を行う。そして、選択ページに含まれるメモリセルには過消去ベリファイ電圧OEV1を用いて過消去ベリファイ動作を行い、非選択ページに含まれるメモリセルには過消去ベリファイ電圧OEV1より低い過消去ベリファイ電圧OEV2を用いて過消去ベリファイ動作を行うようにしている。
Claims (6)
- 共通の半導体領域に設けられた複数のページを有し、前記複数のページの各々は電気的に書き換え可能な複数のメモリセルを有する、メモリセルアレイと、
選択ページに対して消去動作を行う制御回路と、
前記消去動作後に、前記メモリセルアレイに対して消去し過ぎたメモリセルが存在するか否かを判定するベリファイ回路と、
を具備し、
前記ベリファイ回路は、前記選択ページの全メモリセルが第1の閾値以上であるか否かを判定し、非選択ページのうち消去状態のメモリセルが前記第1の閾値より低い第2の閾値以上であるか否かを判定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記選択ページのうち前記第1の閾値より低いメモリセル、及び前記非選択ページのうち前記第2の閾値より低いメモリセルに対して、通常の書き込み動作よりも低い電圧を用いた弱い書き込み動作を行うことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記複数のページの各々に接続されたワード線をさらに具備し、
前記制御回路は、前記消去動作時に、前記選択ページのワード線に負の第1の電圧を印加し、前記非選択ページのワード線に前記第1の電圧より高い第2の電圧を印加することを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法であって、
前記不揮発性半導体記憶装置は、共通の半導体領域に設けられた複数のページを有するメモリセルアレイを具備し、前記複数のページの各々は、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルを有し、
前記データ消去方法は、
選択ページに対して消去動作を行う工程と、
前記消去動作後に、前記選択ページの全メモリセルが第1の閾値以上であるか否かを判定する工程と、
前記消去動作後に、非選択ページのうち消去状態のメモリセルが前記第1の閾値より低い第2の閾値以上であるか否かを判定する工程と、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法。 - 前記選択ページのうち前記第1の閾値より低いメモリセル、及び前記非選択ページのうち前記第2の閾値より低いメモリセルに対して、通常の書き込み動作よりも低い電圧を用いた弱い書き込み動作を行う工程をさらに具備することを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法。
- 前記不揮発性半導体記憶装置は、前記複数のページの各々に接続されたワード線をさらに具備し、
前記消去動作を行う工程は、前記選択ページのワード線に負の第1の電圧を印加する工程と、前記非選択ページのワード線に前記第1の電圧より高い第2の電圧を印加する工程とを含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法。
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