JP2012198024A - テストプローブ用のクリーニングパッドおよびテストプローブのクリーニング方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】プローブ先端形状が変化しても針入抵抗の変化を小さくでき、研磨層(クリーナ層)に対する針入量のバラツキを小さくして全てのテストプローブを均一にクリーニングする。また表面での付着物捕捉作用を増大させてテストの信頼性向上と製品の歩止まり向上を可能にする。
【解決手段】微細な研磨剤が混入されかつテストプローブ(16,18)の先端が進入可能な研磨層(42)と、この研磨層(42)の少なくとも一方の表面に積層され高分子ゲルから成る表面層(44)とを備え、テストプローブ(16,18)の先端を表面層(44)から研磨層(42)に進入させることによりクリーニングする。
【選択図】図3

Description

この発明は、プリント配線板、電子部品等の電子回路の電気特性を検査するテストプローブの針先をクリーニングするために用いるテストプローブ用のクリーニングパッドとテストプローブのクリーニング方法とに関するものである。
電子部品(電気部品)を実装したプリント配線板、電子部品を実装する前のプリント配線板、多数の集積回路(IC)を形成したウェハ(シリコン基板)などの電子回路(電気回路)では、組立あるいは加工工程の途中や組立・加工後に回路の検査(テスト)を行っている。この検査は、例えば針状の多数のテストプローブを回路の所定位置に接触させ、各テストプローブに接続したコンピュータによってテストプローブ間の電気特性を計測することにより行う。
ここにテストプローブは、プローブプレート(プローブカード)の所定位置に貫通させて保持しておき、このプローブプレートを検査対象となるプリント配線板等に対向させて、テストプローブの先端を電子回路に接触させる。なおテストプローブはばね内蔵式のものや先端が弾性をもって湾曲するもの(ワイヤープローブ)であり、先端部分は弾性をもって押込みあるいは湾曲可能である。
テストプローブはその先端が回路基板(プリント配線板等)の電子回路に接触する時に、電子回路に付いたハンダ、フラックス、酸化物などの付着物がテストプローブ先端に強固の付着することが避けられない。テストプローブに付着物が付着しているとその後で行うテストの信頼性が低下する。テストプローブと電子回路との電気接続が不確実になったり電気的特性が変化するからである。またこの付着物が周囲に飛散してパーティクルの発生源となり、電子回路、半導体ウェハに付着すると、製品の信頼性低下の原因ともなる。
特開平10−339766
このようにテストプローブに付着する付着物を除去するためのクリーニングパッド(ソフトクリーナ)が特許文献1に開示されている。ここに開示されたクリーニングパッドは、ゴム(シリコンゴムなど)からなる基材と、この基材中に分散する砥粒(微粒体)とでクリーナ層を構成するものである。すなわちテストプローブ先端をこのクリーナ層に突き刺して付着物をゴムおよび砥粒により削り取り、付着物をゴム基材内部に捕捉するものである。
またこの特許文献1には、シリコンゴム基材に砥粒を分散させ重合開始剤を加えて熟成させることによってコンパウンドとし、このコンパウンドをシリコン基板上に塗布し、加熱、加圧、成形してコンパウンドの生ゴムを重合させ硬化させることが示されている。この時にシリコンゴムの表面に極めて平滑で多少粘着性があるスキン被膜(2A)を形成し、ここに付着物を捕捉することが示されている(段落0017)。さらにクリーナ層の表面をシリコンゴムからなるゴム薄膜(4A)で被覆することにより、クリーナ層でプローブから除去できなかった残留付着物を、このゴム薄膜(4A)の弾力で確実に除去することができると説明している(段落0025、0026)。
特許文献1にはクリーナ層の厚さtは500〜1000μmが好ましく(段落0016)、この場合にテストプローブはクリーナ層に100μm程度突き刺さる(段落0020)、という説明がある。
またクリーナ層の表面をゴム薄膜(4A)で被覆する場合には、クリーナ層の厚さを700μmとしてゴム薄膜を20〜30μmの厚さに形成するのが好ましいとしている(段落0025)。
このようにクリーナ層の表面に粘着性があるスキン被膜(2A)を形成するものでは、スキン被膜が極めて薄いために付着物の捕捉作用が不十分であり、プローブからの付着物除去の信頼性が低いという問題がある。
またクリーナ層の表面を別のゴム薄膜(4A)で被覆するものでは、このゴム薄膜を厚くするとテストプローブの進入(針入)抵抗が増大する。通常ばね内蔵式のテストプローブは、ばねを内蔵するピンソケットに、プローブ先端となるピンを伸縮自在に装着したものであるが、先端形状は種々あって、接触する電子回路の部分により使い分けている。例えば平面状の電極パッドに対しては先端が針状に尖ったものを、またスルーホールやパッド、ランドに盛り上げたハンダに対しては先端面に細かい突起を形成したセレーテッド型、多ポイントのクラウン型(王冠型)などがよく用いられる。
セレーテッド型、クラウン型のものはその直径が針型のものに比べて大きくなる。従ってセレーテッド型、クラウン型などではゴム薄膜に対する針入抵抗が針型のものに比べて著しく大きくなる。このため先端形状によってピン先端の針入量が不揃いになるから、クリーナ層に対する針入量にも変化が生じることになり、全てのテストプローブを均一にクリーニングすることが困難であった。
また従来のゴム薄膜は進入抵抗のバラツキが大きくなるのを避けるために十分に厚くできないから、プローブを抜くときにこのゴム薄膜による付着物の捕捉作用が不十分になるという問題もあった。
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、プローブ先端形状が変化しても針入抵抗の変化を小さくでき、研磨層(クリーナ層)に対する針入量のバラツキを小さくして全てのテストプローブを均一にクリーニングすることができ、また表面での付着物捕捉作用を増大させてテストの信頼性向上と製品の歩止まり向上に適するテストプローブ用のクリーニングパッドを提供することを第1の目的とする。またこのクリーニングパッドを用いたクリーニング方法を提供することを第2の目的とする。
この発明によれば第1の目的は、電子回路の検査に用いるテストプローブの先端の付着物を除去するテストプローブ用のクリーニングパッドにおいて、微細な研磨剤が混入されかつ前記テストプローブの先端が進入可能な研磨層と、この研磨層の少なくとも一方の表面に積層され高分子ゲルから成る表面層とを備え、前記テストプローブの先端を前記表面層から研磨層に進入させることによりクリーニングするテストプローブ用のクリーニングパッド、により達成される。
第2の目的は、プローブプレートに保持したテストプローブの先端を、請求項1のクリーニングパッドに突き刺すことにより、テストプローブの先端の付着物を除去することを特徴とするテストプローブのクリーニング方法、により達成される。
研磨層に積層した表面層となる高分子ゲルは、極めて柔らかく流動性に優れたものであり、針入抵抗が極めて小さく低反発性に優れたものである。すなわちシリコーンゴムやウレタンゴムなどのゴムの架橋点を大幅に減らすことによってそのモジュラス(硬さ)を極端に下げたものであり、その柔らかさのために一般のゴム硬さ計では測定できず、針入度で硬さを表したりする。ここではASKAR タイプCと、プローブの先端形状が比較的類似したASKAR タイプAで測定し、これらを併用して表す。
この高分子ゲルを含む表面層にプローブピンを突き刺す際にはプローブピンの先端形状の影響を受けにくく全てのプローブピンを小さい力で突き刺すことができる。すなわち全てのプローブピンの針入抵抗を小さくし、研磨層に対するプローブピンの針入量のバラツキを小さくできる。このため表面層があっても、また表面層を十分厚くしてもその影響をほとんど受けることなく全てのプローブピンを研磨層に円滑に進入させてクリーニングできる。
また高分子ゲルは硬化後でもゲル状であって粘着性があるため、プローブピンの付着物が表面層に容易に捕捉される。このためプローブピンをクリーニングマットから抜く時にも付着物がプローブピンの先端に残ったり、周囲に飛散せず、テストの信頼性向上とテスト済み製品の歩止まり向上が図れる。特にこの高分子ゲルの表面層は厚くすることによりこの付着物の捕捉効果を増大させることができる。
請求項10の発明によれば、本発明のクリーニングパッドを用いたテストプローブのクリーニング方法が得られる。
テスト装置によるテスト時を示す概念図である。 このテスト装置によるテストプローブのクリーニング時を示す概念図である。 本発明に係るクリーニングパッドの断面図である。 テストプローブの先端形状の例(円錐一本針型)を示す図である。 テストプローブの先端形状の例(鋭角三角錐型)を示す図である。 テストプローブの先端形状の例(8ポイントクラウン型)を示す図である。 テストプローブの先端形状の例(セレーテッド型)を示す図である。 クリーニングの経過を示す図である。 本発明に係るクリーニングパッドの他の実施例を示す断面図である。 同じく他の実施例を示す断面図である。 同じく他の実施例を示す断面図である。
表面層は針入抵抗が十分に小さいので厚くする(例えば研磨層より厚くする)ことができ、例えば実用効果から、研磨層の厚さを約3mmとし、この表面層を約7mmとすることができる。この表面層は、針入抵抗が小さい程、また流動性が大きい程、厚くすることができる。表面層は厚くすればそれだけテストプローブを抜く時の付着物除去作用が大きくなり、望ましい。通常この表面層は3mm以上であれば本発明の効果を得ることができ、好ましくは5mm以上(例えば10mm)とするのがよい(請求項2)。
表面層はシリコーンゲル、ウレタンゲルのいずれか一方のみであってもよいが、これらの混合物であってもよく、さらに他の材料を混入したものであってもよい(請求項3)。
研磨層は微細な研磨材を混入した高分子コンパウンドを適切な硬さに硬化したものとすることができる。ここに高分子コンパウンドは例えばシリコンゴムの生ゴムに微細研磨材、重合開始剤を添加し、熟成させたものである。このコンパウンドは基板(支持板)に塗布し、加熱、加圧することにより適当な硬さをもった研磨層とすることができる(請求項4)。
研磨層は高分子ゲルに微細な研磨材を分散させたものであってもよい(請求項5)。この場合は表面層と研磨層に同一種の高分子ゲルを用いてもよい。また研磨層はプローブの先端を研磨するため表面層よりも硬い高分子ゲルを用いるのがよい。研磨材とプローブとの接触圧を高くして研磨性能を高めるためである。
研磨層に高分子ゲルを用いる場合には、表面層と研磨層を同じ高分子ゲルとしてここに混入する研磨材の分布を厚さ方向に不均一として、研磨材の混入量が多い領域を研磨層とし少ない領域を表面層とすることができる(請求項6)。この場合には研磨層の高分子ゲルを表面層より硬くしておくのがよい。
表面層は十分に柔らかくするのがよく、例えばASKARのC硬度で1〜10度、同じくC硬度で5〜30度の柔らかさにするのがよい(請求項7)。研磨層はASKARのC硬度で40〜90、さらに好ましくは50〜65の硬さが望ましい。表面層は研磨層の両面に積層しておけば、両面に回路を形成した回路基板の両面にテストプローブを接触させてテストする場合に、両面のテストプローブを一度に能率良くクリーニングすることができる(請求項8)。すなわち回路基板に代えてこのクリーニングパッドをテスト装置に挿入すればよいからである。
表面層に含まれる高分子ゲルは、テストプローブの進入穴の跡を自己修復できるものでもよい(請求項9)。この場合には何度もテストプローブを突き刺してクリーニングを行ったために同じ場所が傷んで十分な効果が得られなくなるのを防ぐことができる。
このような自己修復作用を持つものとしては、例えば自己修復作用をもつ化学反応剤をマイクロカプセルや中空フィラーに入れて高分子ゲルに混入しておくものが考えられる(請求項9)。この時にはプローブが進入(針入)してマイクロカプセル、中空フィラーを破壊して自己修復作用を自律的に発現させることができる。
本発明によればプローブプレートに保持したテストプローブは、その先端をこのクリーニングパッドに突き刺し、表面層を通して研磨層に入れて付着物を削り取り除去するものである(請求項10)。この時表面層の厚さを十分に厚くして、クリーニングパッドにプローブプレートを押し付けた時にクリーニングパッドの表面がプローブプレートの表面に接触するようにするのが望ましい(請求項11)。このようにすれば、表面層の粘着力によってプローブプレートの表面に付いた微細なゴミやテストプローブの先端から飛散した付着物などを捕捉することができるからである。
またテストプローブとクリーニングパッドの少なくとも一方に振動(例えば高周波振動あるいは超音波振動)を加えることも望ましい(請求項12)。この場合には、テストプローブをクリーニングパッドに突き刺したり抜いたりする際の動作が円滑になり、付着物の除去効果が向上する。特にテストプローブに小さい圧力で突き刺すことができ、抜く時にテストプローブと表面層との分離性を向上できる。
図1、2において符号10は下側プローブプレート、12は上側プローブプレート、14はこれらの間に水平に保持されるプリント配線板(PCB)である。これらのプローブプレート10,12にはそれぞれ多数のテストプローブ16,18が貫通して保持されている。ここにテストプローブ16,18はばね内蔵のものであり、先端のプローブピンがピンソケットに伸縮自在に保持されると共に、このプローブソケットに内蔵したばねによりプローブピンに突出方向への復帰習性を付与したものである。プローブプレート10,12にはプローブソケット部分が保持されプローブピンがプリント配線板(PCB)14の下面および上面の電子回路に対向している。なおテストプローブ16、18はばね内蔵式のものに代えて、先端が弾性をもって湾曲するもの(ワイヤープローブ)であってもよい。
PCB14の下面にはプリント回路が形成され、上面にはIC、抵抗器などの表面実装型の電子部品20が実装されている。下側のテストプローブ16は下面のプリント回路のランドやパッド、スルーホール等に対向し、上側のテストプローブ18は上面の部品20の間から上面のプリント回路や部品のリードやスルーホールなどに対向している。下側のプローブプレート10はその下面を図示しない支持台に載せて保持されている。
上側のプローブプレート12は上下動可能な可動台22に保持されている。すなわちこの可動台22には、PCB14に重ならない位置(例えば四隅)から下向きに延びる複数のガイドピン24が固定され、前記上側のプローブプレート12はこれらのガイドピン24に保持されている。なお下側のプローブプレート12にはこれらのガイドピン24が貫通するガイド孔26が形成されている。
可動台22,上側のPCB14は下側のPCB10と平行であり、上側のプローブプレート12はガイドピン24にガイドされて常に下側のプローブプレート10と平行に上下動する。テストの対象であるPCB14は、下側のプローブプレート10に位置決めされて保持され、この状態で上側のプローブプレート12が可動台22と共に下降する。プローブプレート10,12のテストプローブ16,18は、この上側のプローブプレート12が下降した時に、PCB14の下面および上面の電子回路の所定位置に所定圧力をもって接触する。
なおこの時、テストプローブ16,18の先端(プローブピン)は、ばね内蔵式のものではテストプローブ16,18の内蔵ばねを圧縮し、ばね非内蔵式(ワイヤープローブ式)のものではワイヤープローブが曲がることによって接触位置の高さのバラツキによる接触不良を防ぐ。また下のプローブプレート10とPCB14の下面との間には、適宜の場所(テストプローブ16と干渉しない位置)に緩衝部材(図示せず)が介在され、PCB14の湾曲や歪みの発生が防止される。
下側のプローブプレート10と上側のプローブプレート12の対向面には、PCB14と干渉しない位置に、互いに係脱可能なコネクタ28の雄側28aと雌側28bとが固定されている。上側のプローブプレート12に固定した雌側28bは、テストプローブ18が配線30により接続されている。この結果上側のプローブプレート12が下降してテストプローブ16,18がPCB14の下面および上側に接触した時に、コネクタ28の雌側28bが雄側28aに接続される。
雄側28aの接続ピンは下側のプローブテスト10を貫通してコンピュータ32に接続される。下側のプローブプレート10のテストプローブ16もこのコンピュータ32に接続される。コンピュータ32は所定のテストプログラムに従って所定のテストプローブ16,18の電気特性を測定し、PCB14の良否を判別する。
テストが終わると可動台22を上昇させてプローブプレート10,12を離隔させる。そしてPCB14を交換した後再び可動台22を下降させ、異なるPCB14についてテストを繰り返す。
このようにテストの度にテストプローブ16,18をPCB14の電気回路に接触させると、テストプローブ16,18の先端に付着物が付着する。例えば電気回路のメッキ材料の酸化物や、はんだ付け部のはんだ、表面に塗ったはんだフラックス等が、テストプローブの先端によって削り取られ、付着物となる。この付着物は電気回路の電気特性の測定精度に悪影響を及ぼし、テスト精度の低下を招く。また脱落した付着物が周囲に飛散してプローブプレート10,12に付着し、さらにPCB14に付着すると、PCB14の歩止まりを低下させる。
そこで所定枚数のPCB14をテストした後に、テストプローブ16,18の先端をクリーニングパッド40に突き刺して付着物を除去している。すなわちクリーニングする。このクリーニング処理は図2に示すように、PCB14の代わりにこのPCB14と略同一寸法のクリーニングパッド40をセットして可動台22を空気圧あるいは空気負圧を利用して下降させることによって行う。ここに用いるクリーニングパッド40は例えば図3に示す構造のものである。
この図3において42は研磨層、44はこの研磨層42の両面に積層した表面層である。研磨層42は微細な研磨材を練り込んだ高分子コンパウンドを適切な硬さに硬化させたものである。ここに研磨材は、例えば硅砂、ガラス粉末などの石英系の微細粒、セラミックス砥粒、酸化アルミニウム砥粒、アルミナセラミックス砥粒などが適する。高分子コンパウンドは、ゴム系あるいは軟質樹脂系のもので、厚さ3mmのものが適する。
表面層44は、シリコーンゲルあるいはウレタンゲルなどの高分子ゲルで形成される。この高分子ゲルは極めて柔らかく(超軟質)、流動性があり、針入抵抗が極めて小さく、低反発性の材料である。例えばASKAR(アスカー)硬度計のタイプC硬度で1〜10度、タイプC硬度で5〜30度の柔らかさのもので、厚さ7mmのものが適する。またこの高分子ゲルは自己粘着性をもつ。
このように表面層を厚くしてもテストプローブ16,18の針入抵抗が大きくならないからテストプローブ16,18は表面層44を容易に突き抜けて研磨層42に到達し、この研磨層42に針入してテストプローブ16,18の先端の付着物を研磨できる。
テストプローブ16,18を抜く時にはテストプローブ16,18の先端は再び表面層44を逆方向に通るから、この表面層44の粘着性により、研磨層42で削り落とされた付着物を確実に捕捉することができる。このため削り落とした付着物が周囲に飛散することがない。
テストプローブ16,18の先端形状は電気回路の構造に対応して種々のものが予め用意され、接触させる電気回路の場所により使い分けられる。図4〜8はこれらの先端形状の例を示す図である。これら図4〜8の(A)はプローブピン先端50(50A〜50E)の形状を示す斜視図、(B)はその使用状態を示す図である。
図4は、円錐1本針型の先端50A(プローブピンの先端)を示し、これはPCB14Aのはんだ盛り付け部52Aに接触させる時に用いる。図5は先端50Bを3つの平面で形成して鋭角三角錐型としたものである。これはPCB14Bのスルーホール54Aに先端を進入させたり、回路パターンのランド54Bに先端を突き当てて使用する。
図6の先端50Cは、8個の針状の突起を環状に並べた8ポイントクラウン型のものである。この先端50Cは、PCB14Cに貫通させてはんだ付けした電子部品58Aのピン型のリード58Bに接触させる時に用いる。リード58Bの先端は直立しているものばかりでなく傾いていることも多い。この先端50Dはリード58Bが多少傾いていても常に確実に接触することができる。
図7の先端50Dは、端面に多数の突起を平面的に並べてセレーション状としたセレーテッド型のものである。この先端50Dは、前記図6のクラウン型のものと同様に、電子部品60Aのピン型のリード60Bに接触させるのに適する。
このようにテストプローブ16,18の先端には種々の形状のが有る。このため一般にクリーニングパッドに突き刺す時の進入抵抗(針入抵抗)が先端形状により変化する。例えば図4,5のような略針状のものに比べて、図6,7のものは断面積が大きくなり進入抵抗が大きい。このため全てのテストプローブ16,18を同じ力でクリーニングパッドに突き刺したのでは進入量(針入量)に大きな差が生じる。
しかし本発明に係るクリーニングパッド40は、表面が高分子ゲルの表面層44で覆われているので、テストプローブ16,18はほとんど抵抗を受けることなく表面層44を通過して研磨層42に到達する。
図8はこの時のクリーニングの経過を示す図である。なおこの図8では表面層44を研磨層42の上面だけに積層している。またプローブピン先端50としては針入抵抗が大きいクラウン型を用いるものとする。
まず先端50が表面層44に進入すると、先端50の端面により高分子ゲルが突起の間から周囲に押し出される(図8の(A))。この時高分子ゲルは流動性が大きく低反発性であるから先端50の進入抵抗は小さい。そして先端50が研磨層42に進入して研磨され、先端50の付着物が削り取られる。
先端50を引き上げると、表面層44の高分子ゲルの復元性により、先端50の突起の間に高分子ゲルが流入する(図8の(B))。高分子ゲルには粘着性があるので、研磨層42で削り落とした付着物がこの先端50に付着していても、高分子ゲルに捕捉される。このため削り落とした付着物が周囲に飛散することがない。先端50が表面層44から離れると、表面層44に付いた先端50の傷は高分子ゲルの復元性により修復される(図8の(C))。従って先端50が付けた傷が次回のクリーニング時に障害となることがない。
図9は本発明の他の実施例であるクリーニングパッド40Aを示す断面図である。このクリーニングパッド40Aは、前記図3に示したクリーニングパッド40における研磨層42を変更したものである。ここで用いる研磨層42Aは、高分子コンパウンドに代えて高分子ゲルを用いたものである。
この実施例によれば、テストプローブ先端50は表面層44だけでなく研磨層42Aにも低進入抵抗かつ低反発力で進入できる。このため先端50の形状の影響を一層受けにくくなる。なおここに混入した研磨材がプローブ先端を確実に研磨するためには、ここに用いる高分子ゲルは適度な硬さを有するものが望ましい。
図10は本発明の他の実施例であるクリーニングパッド40Bの断面図である。この実施例は、2枚の研磨層42Aの間に基板42Bを挟んだものである。ここに基板42Bは、適当な硬さを持つ樹脂や硬質ゴムで作られ、クリーニングパッド40B全体の剛性を高めるものである。
図11は本発明の他の実施例であるクリーニングパッド40Cの断面図である。この実施例は、前記図3に示したものにおいて、表面層44を研磨層42の片面だけに積層したものである。前記図1〜3に示した実施例では、上下のプローブプレート10,12に保持したテストプローブ16,18を同時にクリーニングするため、両面に表面層44を積層したものである。しかしPCBの片面だけや、ウェハの回路をテストする装置ではプローブプレートは1枚であるから、このような装置で用いるクリーニングパッドはこの図11に示すような片面だけに表面層を設けたものが適する。
10、12 プローブプレート
14 プリント配線板(PCB)
16、18 テストプローブ
20 電子部品
22 可動台
40、40A〜40C クリーニングパッド
42、42A 研磨層
44 表面層
50、50A〜50D プローブピンの先端

Claims (12)

  1. 電子回路の検査に用いるテストプローブの先端の付着物を除去するテストプローブ用のクリーニングパッドにおいて、
    微細な研磨材が混入されかつ前記テストプローブの先端が進入可能な研磨層と、
    この研磨層の少なくとも一方の表面に積層され高分子ゲルから成る表面層とを備え、
    前記テストプローブの先端を前記表面層から研磨層に進入させることによりクリーニングするテストプローブ用のクリーニングパッド。
  2. 表面層の厚さを3mm以上とした請求項1のクリーニングパッド。
  3. 表面層はシリコーンゲルおよびウレタンゲルの少なくとも一方を含む請求項1のクリーニングパッド。
  4. 研磨層は高分子コンパウンドを硬化したものである請求項1のクリーニングパッド。
  5. 研磨層は微細な研磨材を混入した高分子ゲルである請求項1のクリーニングパッド。
  6. 共通な高分子ゲルに混入する研磨材の分布を厚さ方向に不均一とし、研磨材の混入量が多い領域を研磨層とし少ない領域を表面層とする請求項5のクリーニングパッド。
  7. 表面層はASKARのC硬度で1〜10度、A硬度で5〜30の柔らかさを有する請求項1のクリーニングパッド。
  8. 表面層は研磨層の両面に積層されている請求項1のクリーニングパッド。
  9. 表面層に含まれる高分子ゲルは、テストプローブの進入穴の跡を自己修復するものである請求項1のクリーニングパッド。
  10. プローブプレートに保持したテストプローブの先端を、請求項1のクリーニングパッドに突き刺すことにより、テストプローブの先端の付着物を除去することを特徴とするテストプローブのクリーニング方法。
  11. クリーニングパッドにプローブプレートを押し付けた時にクリーニングパッドの表面層がプローブプレートの表面に接触するようにクリーニングパッドの表面層の厚さを設定しておく請求項9のテストプローブのクリーニング方法。
  12. テストプローブおよびクリーニングパッドの少なくとも一方に振動を加えながらテストプローブの先端をクリーニングする請求項10または11のテストプローブのクリーニング方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101517065B1 (ko) * 2013-05-21 2015-05-04 실리콘밸리(주) 반도체 탐침봉의 연마클리닝시트
JPWO2020158575A1 (ja) * 2019-01-29 2021-12-02 株式会社ヨコオ プランジャーおよびコンタクトプローブ
TWI805107B (zh) * 2021-12-01 2023-06-11 神興科技股份有限公司 雙層探針清潔片及該探針清潔片之製造方法
JP7497303B2 (ja) 2019-01-29 2024-06-10 株式会社ヨコオ プランジャーおよびコンタクトプローブ

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013018809A1 (ja) 2011-08-02 2015-03-05 日本発條株式会社 プローブユニット
CN108417920B (zh) * 2018-03-21 2023-09-01 浙江杭可科技股份有限公司 一种动力电池化成负压设备
CN109530345A (zh) * 2018-10-18 2019-03-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 探针清洁装置及探针清洁方法
CN112462104B (zh) * 2020-11-28 2022-03-04 法特迪精密科技(苏州)有限公司 测试探针清洁方法
CN112462109B (zh) * 2020-11-28 2022-04-19 法特迪精密科技(苏州)有限公司 一种测试探针清洁装置及其夹持构件和测试基座

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187438A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Mitsubishi Electric Corp プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法
US6840374B2 (en) * 2002-01-18 2005-01-11 Igor Y. Khandros Apparatus and method for cleaning test probes
JP3784364B2 (ja) * 2002-10-15 2006-06-07 松下電器産業株式会社 プローブカードのクリーニング方法
JP2006165395A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Jsr Corp プローブクリーニングフィルム及びプローブクリーニング部材

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101517065B1 (ko) * 2013-05-21 2015-05-04 실리콘밸리(주) 반도체 탐침봉의 연마클리닝시트
JPWO2020158575A1 (ja) * 2019-01-29 2021-12-02 株式会社ヨコオ プランジャーおよびコンタクトプローブ
JP7497303B2 (ja) 2019-01-29 2024-06-10 株式会社ヨコオ プランジャーおよびコンタクトプローブ
TWI805107B (zh) * 2021-12-01 2023-06-11 神興科技股份有限公司 雙層探針清潔片及該探針清潔片之製造方法

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