TWM460390U - 晶圓測試載板及晶圓測試機台 - Google Patents

Description

晶圓測試載板及晶圓測試機台

本創作係有關於一種晶圓測試機台，特別是有關於一種用配置有可替換式晶圓測試載板的晶圓測試機台。

在半導體的製程中，通常需要進行檢測晶圓之步驟，其主要目的是要在切割半導體晶圓（wafer）之前，先以導電性的探針（probe）對晶圓上的每一晶粒（die）進行接觸，藉以進行導通檢查，並檢測不良品，此過程也稱為晶圓級測試（Wafer Level Test；WLT）。

在目前的晶圓級測試過程中，都是使用探針直到與晶粒上的焊墊（pad）接觸，以測試其電氣特性並引出晶圓訊號，再配合周邊測試儀器與軟體控制達到自動化量測的目的；而不合格的晶粒會被標上記號，而後當晶圓依晶粒為單位切割成獨立的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被淘汰。然而，由於半導體晶圓上形成有數百至數萬個晶粒，所以測試一個半導體晶圓時，需耗費相當多的時間，且在晶圓數量增加時，亦會導致成本的上升。

為了解決前述WLT的問題點，目前已有在晶圓測試機台上配置用數百至數萬個探針，並使這些探針直接與半導體晶圓上的所有晶粒、或半導體晶圓上至少1/4至1/2左右的晶粒一次接觸之FWLT（Full Wafer Level Test；全晶圓級測試）的方法來進行晶圓級測試。很明顯地，利用FWLT，可更快速的做全晶圓之檢測，以簡省製程的許多時間。

然而，因半導體晶圓上形成有數百至數萬個晶粒，於探針與晶粒上的焊墊多次且密集的接觸後，其會在探針頭上沾污污染物，而可能導致檢測失效；故通常是通過定期的清針的方式來解決；然由於晶圓測試是以時間來計算測試費用，故當需要時常清針時，除了會需耗費大量的工時外，也會降低測試者的收益；另外，由於探針為非常細之針頭，被探針接觸的晶粒，會在晶粒上留下量測痕跡，可能造成無法分辨是否為新的晶圓而影響晶粒的售價。

為了解決上述所提到問題，本創作之一主要目的在於提供一種晶圓測試載板，特別是一種可替換式的晶圓測試載板，除了可以取代目前使用探針的針頭直接與晶粒上的焊墊接觸而不需隨時進行清針的動作外，還可以根據不同晶圓的測試需求而並可快速且方便地替換測試所需的相應之晶圓測試載板，故可以增加晶圓級測試的速度。

依據上述目的，本創作提供一種晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及一圖案區，圖案區具有一貫穿區，並於貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，引腳與貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，引腳於延伸於貫穿區之自由端形成一量測端；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，而圖案區連接彈性薄膜層之下表面，且此些下焊墊與此些連接點電性連接。

依據上述目的，本創作再提供一種晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個圖案區，每圖案區具有一貫穿區，並於貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，引腳與貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，引腳於延伸於貫穿區之自由端形成一量測端；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，而此些圖案區連接彈性薄膜層之下表面，且此些下焊墊與此些連接點電性連接。

本創作之另一主要目的在於提供一種晶圓測試機台，特別是一種配置有可替換式的晶圓測試載板的晶圓測試機台，除了可以取代目前使用探針的針頭直接與晶粒上的焊墊接觸而不需隨時進行清針的動作外，還可以根據不同晶圓的測試需求而並可快速且方便地替換測試所需的相應之晶圓測試載板，故可以增加晶圓級測試的速度。

依據上述目的，本創作提供一種晶圓測試機台，包括：一探針座，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在探針座中具有複數個探針，此些探針係由上表面貫穿至下表面，每探針形成一探針上端及一探針下端；一基板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，基板之下表面係連接於探針座之上表面，基板具有複數條配線，每配線於基板之上表面形成一第一端，於基板之下表面形成一第二端，此些配線之第二端係電性連接於此些探針之探針上端；一測試頭，具有一連接座，連接座係連接於基板之上表面，並電性連接此些配線之第一端；其中晶圓測試機台之特徵在於：一晶圓測試載板，係連接於探針座之下表面，晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及一圖案區，圖案區具有一貫穿區，並於貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，引腳與貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，引腳於延伸於貫穿區之自由端形成一量測端；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，而圖案區連接彈性薄膜層之下表面，且此些下焊墊與此些連接點電性連接。

依據上述目的，本創作再提供一種晶圓測試機台，包括：一探針座，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在探針座中具有複數個探針，此些探針係由上表面貫穿至下表面，每探針形成一探針上端及一探針下端；一基板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，基板之下表面係連接於探針座之上表面，基板具有複數條配線，每配線於基板之上表面形成一第一端，於基板之下表面形成一第二端，此些配線之第二端係電性連接於此些探針之探針上端；一測試頭，具有一連接座，連接座係連接於基板之上表面，並電性連接此些配線之第一端；其中晶圓測試機台之特徵在於：一晶圓測試載板，係連接於探針座之下表面，晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個圖案區，每圖案區具有一貫穿區，並於貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，引腳與貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，引腳於延伸於貫穿區之自由端形成一量測端；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，而此些圖案區連接彈性薄膜層之下表面，且此些下焊墊與此些連接點電性連接。

本創作所提出之晶圓測試載板及晶圓測試機台，在測試量測端沾污污染物時，只需要更換測試載板，因此不需耗費大量清針時間及使用探針的成本，並增加測試晶圓的速度；同時，藉由本創作在晶圓測試載板中配置有彈性薄膜層，故可藉由彈性薄膜層之彈性，使得在晶圓測試機台的測試頭下壓時，能夠藉由此彈性薄膜層給予一定的彈性空間，以使每一量測端均可與每一測試點接觸，不會對晶圓上的晶粒產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率；且晶圓測試載板可依製程中不同尺寸之晶圓或晶粒替換不同模組，使機台有不同之用途；另外，以晶圓測試載板之測試量測端接觸晶粒之接點時，可避免留下痕跡，使製程產品更為乾淨完整。

為使本創作之目的、技術特徵及優點，能更為相關技術領域人員所了解並得以實施本創作，在此配合所附圖式，於後續之說明書闡明本創作之技術特徵與實施方式，並列舉較佳實施例進一步說明，然以下實施例說明並非用以限定本創作，且以下文中所對照之圖式，係表達與本創作特徵有關之示意。

請參閱圖1，係為本創作之晶圓測試載板之剖視圖。如圖1所示，晶圓測試載板1，包括：一印刷電路板10，具有一上表面101及相對於上表面101之一下表面103；在印刷電路板10之上表面101上具有複數個第一電性連接點12，而在印刷電路板10之下表面103上具有複數個第二電性連接點14；其中印刷電路板10中具有複數條配線105，每一條配線105將每一第一電性連接點12與每一第二電性連接點14電性連接。

一彈性薄膜層20，具有一上表面201及相對於上表面201之一下表面203，在彈性薄膜層20上具有複數個由彈性薄膜層20之上表面201貫穿至彈性薄膜層20之下表面203之貫穿孔205；本創作之彈性薄膜層20之材質為具有彈性之高分子材料（例如：聚醯亞胺；polyimide，PI）；而形成此貫穿孔205的方式可以是以半導體製程的蝕刻方式形成；然而，本創作並不對貫穿孔205之形成方式及彈性薄膜層20之材質加以限定。接著，將複數個金屬材質22填入每一貫穿孔205中，並於貫穿孔205在彈性薄膜層20的上表面201形成上焊墊221，同時於彈性薄膜層20的下表面203形成下焊墊223；本創作將金屬材質22形成在貫穿孔205中的方式，可是以物理氣相沉積（PECVD）或電鍍（Plating）之製程方式形成。

請再參考圖1與圖2，其中圖2為本創作之金屬片之下視圖。金屬片30具有一上表面301及相對於上表面301之一下表面303；金屬片30上形成複數個與待測晶粒相對應的圖案區35，並於每一圖案區35中形成有複數個與待測晶粒上的焊墊相對應的引腳305（如圖2所示）；而將金屬片30形成複數圖案區35及引腳305的方式，可以使用沖壓製程（stamping process）方式來形成。接著，將金屬片30與彈性薄膜層20連接後，需要將每一圖案區35中的多餘金屬移除，只留下引腳305；其中，移除圖案區35中的多餘金屬的方式可以使用蝕刻方式來完成。

在蝕刻完成後，每一圖案區35具有一貫穿區37，於貫穿區37之邊緣371延伸形成複數個引腳305，引腳305與貫穿區37之邊緣371形成一連接端3051，引腳305於延伸於貫穿區37之自由端形成一量測端3053。接著，在金屬片30之上表面301上具有複數個連接點32，每一連接點32與每一引腳305之連接端3051電性連接；在本實施例中，引腳305之量測端3053為一尖型設計，但本創作不對引腳305之形狀加以限定；另外，在此要強調，在本創作之實施例中，在彈性薄膜層20配置複數個圖案區35以量測複數個晶粒；但在另一實施例中，亦可僅配置一圖案區35，以量測單一晶粒，而相對的金屬片30之大小亦隨圖案區35之配置數量變動；因此，本創作不對圖案區35之配置數量及加金屬片30之大小加以限制。

接著，請參閱圖3A～3C，係為本創作各實施例之量測端之剖面圖。請先參閱圖3A，在圖3A之實施例中，是可以選擇在形成引腳305的同時，再將每一個引腳305的自由端形成垂直的一量測端3053，而在一較佳之實施例中，可以直接將引腳305之量測端3053下壓，形成一朝下之尖端30531，並使尖端30531與待測晶粒之焊墊相對，以測量晶粒；另外，在尖端30531上可鍍上一層特殊金屬材料（例如：鈀或鈷或鈷鈀合金），以增加尖端30531的硬度。

接著，請參閱圖3B，在圖3B之實施例中，是可以選擇在形成引腳305的同時，再將每一個引腳305的自由端(即量測端3053)上形成一貫穿孔，並在貫穿孔中配置一朝下延伸之探測針30533，並使探測針30533與待測晶粒之焊墊相對，以測量晶粒；同樣的，於探測針30533上可鍍上一層特殊金屬材料（例如：鈀或鈷或鈷鈀合金），以增加探測針30533的硬度。

再接著，請參閱圖3C，在圖3C之實施例中，在引腳305之量測端3053上以物理氣相沉積（PECVD）、電鍍（Plating）或打線製程方式，形成一朝下延伸之金屬凸塊30535（Metal Bump），並使金屬凸塊30535與待測晶粒之焊墊相對，以測量晶粒。同樣的，於金屬凸塊30535上可再鍍上一層特殊金屬材料（例如：鈀或鈷或鈷鈀合金），以增加探測針30533的硬度。

請參閱圖4，係為本創作之晶圓測試載板之金屬片蝕刻後之剖視圖。如圖4所示，在金屬片30連接於彈性薄膜層20並蝕刻後，在彈性薄膜層20之下表面203僅會殘留圖案區35連接，並根據圖3A～3C所述之方式，將量測端3053形成一探測點（本實施例以圖3A之尖端30531為例），藉由尖端30531與待測晶粒之焊墊相對，以測量晶粒。

本創作之晶圓測試載板1是將位於彈性薄膜層20上表面201上的上焊墊221連接至印刷電路板10之下表面103的第二電性連接點14，而位於彈性薄膜層20下表面203上的下焊墊223電性連接至圖案區35上的連接點32；很明顯地，在圖案區35上的複數個尖端30531的間距是最小的，且每一尖端30531是與每一晶粒上的複數個焊墊相對應，以便於測試時，以複數個尖端30531與晶粒上的複數個焊墊電性連接；而複數個連接點32是經由引腳305向兩端扇出（fan out），故圖案區35的複數個連接點32之間的間距較圖案區35的複數個尖端30531的間距大。此外，印刷電路板10下表面103上的複數個第二電性連接點14通過複數條配線105與在上表面101上的複數個向兩側扇出的第一電性連接點12連接；很明顯地，有扇出結構的第一電性連接點12間的間距較第二電性連接點14大；之後，可將印刷電路板10上表面101上的複數個第一電性連接點12與一晶圓測試機台2之探針座40電性連接。

由於，本創作之晶圓測試載板1可以根據待測晶圓上的每顆晶粒的大小進行不同尖端30531之設計，再藉由印刷電路板10上表面101上的複數第一電性連接點12之扇出距離的調整，故可以再測試不同的晶粒時，只需更換本創作之晶圓測試載板1，而不需要再調整晶圓測試機台2之探針座40及探針42的部份，故可以增加測試晶圓的速度。

再者，在形成圖案區35上的複數個尖端30531時，每一個尖端30531可能不在同一平面上，若直接進行測試時，可能會造成部份尖端30531無法與晶粒上的每一個焊墊電性連接，產生測量的錯誤率；故本創作之晶圓測試載板1可以藉由彈性薄膜層20之彈性特性，在進行測試時，將印刷電路板10下壓至彈性薄膜層20，在由彈性薄膜層20將圖案區35上的複數個尖端30531下壓至與晶粒上的每一個焊墊電性連接，因此，不會對晶圓上的晶粒產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率。

接著，請參閱圖5，係為本創作之晶圓測試機台之剖視圖。如圖5所示，晶圓測試機台2包括：一探針座40，具有一上表面401及相對於上表面401之一下表面403，在探針座40中具有複數個探針42，每一探針42由上表面401貫穿至下表面403，並形成一探針上端421及一探針下端423；一基板50，具有一上表面501及相對於上表面501之一下表面503，基板50之下表面503連接於探針座40之上表面401；基板50具有複數條配線52，每一配線52於基板50之上表面501形成一第一端521，於基板50之下表面503形成一第二端523，每一配線50之第二端523電性連接於每一探針42之該探針上端421；一測試頭60，具有一連接座62，連接座62連接於基板50之上表面501，並電性連接配線52之第一端521；晶圓測試載板1，連接於探針座40之下表面403；本創作之晶圓測試載板1配置於探針座40時，其每一探針42之探針下端423會與每一第一電性連接點12電性連接；而晶圓測試載板1之安裝方式本創作並不加以侷限。在晶圓測試載板1下方，具有一晶圓放置座70，並在晶圓放置座70放置一待測晶圓80，待測晶圓80上具有複數個未切割之晶粒801；其中晶圓測試載板1與待測晶圓80為同等之大小，而每一尖端30531係對應每一晶粒801上的每一測試點（未顯示於圖中）；在晶圓測試機台2運作時，會藉由測試頭60將晶圓測試載板1向下壓，並將每一尖端30531與每一晶粒801上的每一焊墊電性連接，以測量整片晶圓上的每一晶粒801。

本創作之晶圓測試機台2只需更換本創作之晶圓測試載板1，即可測試不同的晶粒，而不需要再調整晶圓測試機台2之探針座40及探針42的部份，故可以增加測試晶圓的速度。

再者，在形成圖案區35上的複數個尖端30531時，每一個尖端30531可能不在同一平面上，若直接進行測試時，可能會造成部份尖端30531無法與晶粒801上的每一個焊墊電性連接，產生測量的錯誤率；故本創作之晶圓測試機台2利用在其上安裝的晶圓測試載板1，可以藉由彈性薄膜層20之彈性特性，在進行測試時，將印刷電路板10下壓至彈性薄膜層20，在由彈性薄膜層20將圖案區35上的複數個尖端30531下壓至與晶粒801上的每一個焊墊電性連接，因此，不會對待測晶圓80上的晶粒801產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率。

另外，由於本創作是以尖端30531取代探針來接觸晶粒801上的焊墊；因此可避免在晶粒801上留下量測痕跡，進而使晶粒801更為乾淨完整。

雖然本創作以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何熟習本領域技藝者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本創作之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧晶圓測試載板

2‧‧‧晶圓測試機台

10‧‧‧印刷電路板

101‧‧‧上表面

103‧‧‧下表面

105‧‧‧配線

12‧‧‧第一電性連接點

14‧‧‧第二電性連接點

20‧‧‧彈性薄膜層

201‧‧‧上表面

203‧‧‧下表面

205‧‧‧貫穿孔

22‧‧‧金屬材質

221‧‧‧上焊墊

223‧‧‧下焊墊

30‧‧‧金屬片

301‧‧‧上表面

303‧‧‧下表面

305‧‧‧引腳

3051‧‧‧連接端

3053‧‧‧量測端

30531‧‧‧尖端

30533‧‧‧探測針

30535‧‧‧金屬凸塊

32‧‧‧連接點

35‧‧‧圖案區

37‧‧‧貫穿區

371‧‧‧邊緣

40‧‧‧探針座

401‧‧‧上表面

403‧‧‧下表面

42‧‧‧探針

421‧‧‧探針上端

423‧‧‧探針下端

50‧‧‧基板

501‧‧‧上表面

503‧‧‧下表面

52‧‧‧配線

521‧‧‧第一端

523‧‧‧第二端

60‧‧‧測試頭

62‧‧‧連接座

70‧‧‧晶圓放置座

80‧‧‧待測晶圓

801‧‧‧晶粒

圖1 係為本創作之晶圓測試載板之剖視圖；

圖2 係為本創作之金屬片之下視圖；

圖3A 係為本創作之量測端第一實施例之示意圖；

圖3B 係為本創作之量測端第二實施例之示意圖；

圖3C 係為本創作之量測端第三實施例之示意圖；

圖4 係為本創作之晶圓測試載板之金屬片蝕刻後之剖視圖；

圖5 係為本創作之晶圓測試機台之剖視圖。

1‧‧‧晶圓測試載板

10‧‧‧印刷電路板

101‧‧‧上表面

103‧‧‧下表面

105‧‧‧配線

12‧‧‧第一電性連接點

14‧‧‧第二電性連接點

20‧‧‧彈性薄膜層

201‧‧‧上表面

203‧‧‧下表面

205‧‧‧貫穿孔

22‧‧‧金屬材質

221‧‧‧上焊墊

223‧‧‧下焊墊

30‧‧‧金屬片

301‧‧‧上表面

303‧‧‧下表面

305‧‧‧引腳

32‧‧‧連接點

35‧‧‧圖案區

37‧‧‧貫穿區

Claims (24)

1. 一種晶圓測試載板，包括：
   一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接；
   一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；
   複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及
   一圖案區，該圖案區具有一貫穿區，並於該貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，該引腳與該貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，該引腳於延伸於該貫穿區之自由端形成一量測端；
   其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，而該圖案區連接該彈性薄膜層之下表面，且該些下焊墊與該些連接點電性連接。
2. 一種晶圓測試載板，包括：
   一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接；
   一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；
   複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及
   複數個圖案區，每該圖案區具有一貫穿區，並於該貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，該引腳與該貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，該引腳於延伸於該貫穿區之自由端形成一量測端；
   其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，而該些圖案區連接該彈性薄膜層之下表面，且該些下焊墊與該些連接點電性連接。
3. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該彈性薄膜層為一高分子材料。
4. 根據申請專利範圍第3項所述之晶圓測試載板，其中該高分子材料為聚醯亞胺。
5. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該彈性薄膜層之該些貫穿孔係以蝕刻製程之方式形成。
6. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該金屬材質係以沉積或電鍍之製程填入該些貫穿孔。
7. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該印刷電路板中具有複數條配線，將該些第一電性連接點與該些第二電性連接點電性連接。
8. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該引腳係向下彎折形成一尖端。
9. 根據申請專利範圍第8項所述之晶圓測試載板，其中該尖端上係鍍上鈷或鈀或鈷鈀合金。
10. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該引腳係配置一朝下延伸之探測針。
11. 根據申請專利範圍第1或2項所述之晶圓測試載板，其中該引腳係以打線製程形成一朝下延伸之金屬凸塊。
12. 根據申請專利範圍第2項所述之晶圓測試載板，其中該些圖案區彼此之間保持一間隔。
13. 一種晶圓測試機台，包括：
    一探針座，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該探針座中具有複數個探針，該些探針係由該上表面貫穿至該下表面，每該探針形成一探針上端及一探針下端；
    一基板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，該基板之下表面係連接於該探針座之上表面，該基板具有複數條配線，每該配線於該基板之上表面形成一第一端，於該基板之下表面形成一第二端，該些配線之該第二端係電性連接於該些探針之該探針上端；
    一測試頭，具有一連接座，該連接座係連接於該基板之上表面，並電性連接該些配線之該第一端；
    其中該晶圓測試機台之特徵在於：
    一晶圓測試載板，係連接於該探針座之下表面，該晶圓測試載板，包括：
    一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接；
    一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；
    複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及
    一圖案區，該圖案區具有一貫穿區，並於該貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，該引腳與該貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，該引腳於延伸於該貫穿區之自由端形成一量測端；
    其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，而該圖案區連接該彈性薄膜層之下表面，且該些下焊墊與該些連接點電性連接。
14. 一種晶圓測試機台，包括：
    一探針座，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該探針座中具有複數個探針，該些探針係由該上表面貫穿至該下表面，每該探針形成一探針上端及一探針下端；
    一基板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，該基板之下表面係連接於該探針座之上表面，該基板具有複數條配線，每該配線於該基板之上表面形成一第一端，於該基板之下表面形成一第二端，該些配線之該第二端係電性連接於該些探針之該探針上端；
    一測試頭，具有一連接座，該連接座係連接於該基板之上表面，並電性連接該些配線之該第一端；
    其中該晶圓測試機台之特徵在於：
    一晶圓測試載板，係連接於該探針座之下表面，該晶圓測試載板，包括：
    一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接；
    一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；
    複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及
    複數個圖案區，每該圖案區具有一貫穿區，並於該貫穿區之邊緣延伸形成複數個引腳，該引腳與該貫穿區之邊緣之連接端形成一連接點，該引腳於延伸於該貫穿區之自由端形成一量測端；
    其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，而該些圖案區連接該彈性薄膜層之下表面，且該些下焊墊與該些連接點電性連接。
15. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該彈性薄膜層為一高分子材料。
16. 根據申請專利範圍第15項所述之晶圓測試機台，其中該高分子材料為聚醯亞胺。
17. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該彈性薄膜層之該些貫穿孔係以蝕刻製程之方式形成。
18. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該金屬材質係以沉積或電鍍之製程填入該些貫穿孔。
19. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該印刷電路板中具有複數條配線，將該些第一電性連接點與該些第二電性連接點電性連接。
20. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該引腳係向下彎折形成一尖端。
21. 根據申請專利範圍第20項所述之晶圓測試機台，其中該尖端上係鍍上鈷或鈀或鈷鈀合金。
22. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該引腳係配置一朝下延伸之探測針。
23. 根據申請專利範圍第13或14項所述之晶圓測試機台，其中該引腳係以打線製程形成一朝下延伸之金屬凸塊。
24. 根據申請專利範圍第14項所述之晶圓測試機台，其中該些圖案區彼此之間保持一間隔。