TWM461871U - 晶圓測試載板及晶圓測試機台 - Google Patents

Description

晶圓測試載板及晶圓測試機台

本創作係有關於一種晶圓測試機台，特別是有關於一種用配置有可替換式晶圓測試載板的晶圓測試機台。

在半導體的製程中，通常需要進行檢測晶圓之步驟，其主要目的是要在切割半導體晶圓(wafer)之前，先以導電性的探針(probe)對晶圓上的每一晶粒(die)進行接觸，藉以進行導通檢查，並檢測不良品，此過程也稱為晶圓級測試(Wafer Level Test；WLT)。

在目前的晶圓級測試過程中，都是使用探針直到與晶粒上的焊墊(pad)接觸，以測試其電氣特性並引出晶片訊號，再配合周邊測試儀器與軟體控制達到自動化量測的目的；而不合格的晶粒會被標上記號，而後當晶片依晶粒為單位切割成獨立的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被淘汰。然而，由於半導體晶圓上形成有數百至數萬個晶粒，所以測試一個半導體晶圓時，需耗費相當多的時間，且在晶圓數量增加時，亦會導致成本的上升。

為了解決前述WLT的問題點，目前已有在晶圓測試機台上配置用數百至數萬個探針，並使這些探針直接與半導體晶圓上的所有晶粒、或半導體晶圓上至少1/4至1/2左右的晶粒一次接觸之FWLT(Full Wafer Level Test；全晶圓級測試)的方法來進行晶圓級測試。很明顯地，利用FWLT，可更快速的做全晶圓之檢測，以簡省製程的許多時間。

然而，因半導體晶圓上形成有數百至數萬個晶粒，於探針與晶粒上的焊墊多次且密集的接觸後，其會在探針頭上沾污污染物，而可能導致檢測失效；故通常是通過定期的清針的方式來解決；然由於晶圓測試是以時間來計算測試費用，故當需要時常清針時，除了會需耗費大量的工時外，也 會降低測試者的收益；另外，由於探針為非常細之針頭，被探針接觸的晶粒，會在晶粒上留下量測痕跡，可能造成無法分辨是否為新的晶片而影響晶粒的售價。

為了解決上述所提到問題，本創作之一主要目的在於提供一種晶圓測試載板，特別是一種可替換式的晶圓測試載板，除了可以取代目前使用探針的針頭直接與晶粒上的焊墊接觸而不需隨時進行清針的動作外，還可以根據不同晶圓的測試需求而並可快速且方便地替換測試所需的相應之晶圓測試載板，故可以增加晶圓級測試的速度。

依據上述目的，本創作提供一種晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個引腳，具有一第一端及一第二端，第一端形成一連接點，第二端形成一金屬凸塊；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，而此些引腳連接彈性薄膜層之下表面，且此些下焊墊與此些連接點電性連接。

依據上述目的，本創作再提供一種晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連 接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個金屬凸塊，係形成於此些下焊墊上；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接。

本創作之另一主要目的在於提供一種晶圓測試機台，特別是一種配置有可替換式的晶圓測試載板的晶圓測試機台，除了可以取代目前使用探針的針頭直接與晶粒上的焊墊接觸而不需隨時進行清針的動作外，還可以根據不同晶圓的測試需求而並可快速且方便地替換測試所需的相應之晶圓測試載板，故可以增加晶圓級測試的速度。

依據上述目的，本創作提供一種晶圓測試機台，用以對一晶圓上的複數個晶粒進行測試，包括：一探針座，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在探針座中具有複數個探針，此些探針係由上表面貫穿至下表面，每探針形成一探針上端及一探針下端；一基板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，基板之下表面係連接於探針座之上表面，基板具有複數條配線，每配線於基板之上表面形成一第一端，於基板之下表面形成一第二端，此些配線之第二端係電性連接於此些探針之探針上端；一測試頭，具有一連接座，連接座係連接於基板之上表面，並電性連接此些配線之第一端；其中晶圓測試機台之特徵在於：一晶圓測試載板，係連接於探針座之下表面，晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接，且此些第一電性連接點係電性連接於此些探針下端；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上 表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個引腳，具有一第一端及一第二端，第一端形成一連接點，第二端形成一金屬凸塊；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，而此些引腳連接彈性薄膜層之下表面，且此些下焊墊與此些連接點電性連接，藉由在此些引腳上的金屬凸塊對此些晶粒進行測試。

依據上述目的，本創作再提供一種晶圓測試機台，用以對一晶圓上的複數個晶粒進行測試，包括：一探針座，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在探針座中具有複數個探針，此些探針係由上表面貫穿至下表面，每探針形成一探針上端及一探針下端；一基板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，基板之下表面係連接於探針座之上表面，基板具有複數條配線，每配線於基板之上表面形成一第一端，於基板之下表面形成一第二端，此些配線之第二端係電性連接於此些探針之探針上端；一測試頭，具有一連接座，連接座係連接於基板之上表面，並電性連接此些配線之第一端；其中晶圓測試機台之特徵在於：一晶圓測試載板，係連接於探針座之下表面，晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其此些第一電性連接點與此些第二電性連接點彼此相互電性連接，且此些第一電性連接點係電性連接於此些探針下端；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於上表面之一下表面，在彈性薄膜層上具有複數個由彈性薄膜層之上表面貫穿至彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入此些貫穿孔，位於此些貫穿孔之此些金屬材質於彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個金屬凸塊，係形 成於此些下焊墊上；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板之下表面，且此些第二電性連接點與此些上焊墊電性連接，並藉由在此些金屬凸塊對此些晶粒進行測試。

本創作所提出之晶圓測試載板及晶圓測試機台，在測試金屬凸塊沾污污染物時，只需要更換測試載板，因此不需耗費大量清針時間及使用探針的成本，並增加測試晶圓的速度；同時，藉由本創作在晶圓測試載板中配置有彈性薄膜層，故可藉由彈性薄膜層之彈性，使得在晶圓測試機台的測試頭下壓時，能夠藉由此彈性薄膜層給予一定的彈性空間，以使每一金屬凸塊均可與每一測試點接觸，不會對晶圓上的晶粒產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率；且晶圓測試載板可依製程中不同尺寸之晶圓或晶粒替換不同模組，使機台有不同之用途；另外，以晶圓測試載板之測試金屬凸塊接觸晶粒之接點時，可避免留下痕跡，使製程產品更為乾淨完整。

為使本創作之目的、技術特徵及優點，能更為相關技術領域人員所了解並得以實施本創作，在此配合所附圖式，於後續之說明書闡明本創作之技術特徵與實施方式，並列舉較佳實施例進一步說明，然以下實施例說明並非用以限定本創作，且以下文中所對照之圖式，係表達與本創作特徵有關之示意。

請參閱圖1，係為本創作之晶圓測試載板之剖視圖。如圖1所示，晶圓測試載板1A，包括：一印刷電路板10，具有一上表面101及相對於上表面101之一下表面103；在印刷電路板10之上表面101上具有複數個第一電性連接點12，而在印刷電路板10之下表面103上具有複數個第二電性連接點14；其中印刷電路板10中具有複數條配線105，每一條配線105將每一第一電性連接點12與每一第二電性連接點14電性連接。

一彈性薄膜層20，具有一上表面201及相對於上表面201之一下表面 203，在彈性薄膜層20上具有複數個由彈性薄膜層20之上表面201貫穿至彈性薄膜層20之下表面203之貫穿孔205；本創作之彈性薄膜層20之材質為具有彈性之高分子材料(例如：聚醯亞胺；polyimide，PI)；而形成此貫穿孔205的方式可以是以半導體製程的蝕刻方式形成；然而，本創作並不對貫穿孔205之形成方式及彈性薄膜層20之材質加以限定。接著，將複數個金屬材質22填入每一貫穿孔205中，並於貫穿孔205在彈性薄膜層20的上表面201形成上焊墊221，同時於彈性薄膜層20的下表面203形成下焊墊223；本創作將金屬材質22形成在貫穿孔205中的方式，可是以物理氣相沉積(PECVD)或電鍍(Plating)之製程方式形成。之後，再於每一個下焊墊223上形成金屬凸塊225(Metal Bump)；其中，本創作之彈性薄膜層之下視圖，如圖2所示。

請再參考圖1，本創作之晶圓測試載板1A是將位於彈性薄膜層20上表面201上的上焊墊221連接至印刷電路板10之下表面103的第二電性連接點14，而位於彈性薄膜層20下表面203上的金屬凸塊225電性連接。此外，印刷電路板10下表面103上的複數個第二電性連接點14通過複數條配線105與在上表面101上的複數個向兩側扇出的第一電性連接點12連接；很明顯地，有扇出結構的第一電性連接點12間的間距較第二電性連接點14大；之後，可將印刷電路板10上表面101上的複數個第一電性連接點12與一晶圓測試機台2A之探針座40電性連接。

由於，本創作之晶圓測試載板1A可以根據待測晶圓上的每顆晶粒的上的焊墊間距之大小，在彈性薄膜層20上進行相對應之金屬凸塊225間距之大小之設計，再藉由印刷電路板10上表面101上的複數第一電性連接點12之扇出距離的調整；故本創作可以在對測試不同的晶粒時，只需更換本創作之晶圓測試載板1A，而不需要再調整晶圓測試機台2A之探針座40及探針42的部份，故可以增加測試晶圓的速度。

接著，請參閱圖3，係為本創作之晶圓測試機台之剖視圖。如圖3所示， 晶圓測試機台2A包括：一探針座40，具有一上表面401及相對於上表面401之一下表面403，在探針座40中具有複數個探針42，每一探針42由上表面401貫穿至下表面403，並形成一探針上端421及一探針下端423；一基板50，具有一上表面501及相對於上表面501之一下表面503，基板50之下表面503連接於探針座40之上表面401；基板50具有複數條配線52,每一配線52於基板50之上表面501形成一第一端521，於基板50之下，面503形成一第二端523，每一配線50之第二端523電性連接於每一探針42之該探針上端421；一測試頭60，具有一連接座62，連接座62連接於基板50之上表面501，並電性連接配線52之第一端521；晶圓測試載板1A，連接於探針座40之下表面403；本創作之晶圓測試載板1A配置於探針座40時，其每一探針42之探針下端423會與每一第一電性連接點12電性連接；而晶圓測試載板1A之安裝方式本創作並不加以侷限。在晶圓測試載板1A下方，具有一晶圓放置座70，並在晶圓放置座70放置一待測晶圓80，待測晶圓80上具有複數個未切割之晶粒801；其中彈性薄膜層20可以與待測晶圓80為同等之大小，而在彈性薄膜層20上的每一金屬凸塊225係對應每一晶粒801上的每一測試點(未顯示於圖中)；在晶圓測試機台2A運作時，會藉由測試頭60將晶圓測試載板1A向下壓，並將每一金屬凸塊225與每一晶粒801上的每一焊墊電性連接，以測量整片晶圓上的每一晶粒801。

本創作之晶圓測試機台2A只需更換本創作之晶圓測試載板1A，即可測試不同的晶粒，而不需要再調整晶圓測試機台2A之探針座40及探針42的部份，故可以增加測試晶圓的速度。

再者，在彈性薄膜層20上形成的複數個金屬凸塊225時，每一個金屬凸塊225可能不在同一平面上，若直接進行測試時，可能會造成部份金屬凸塊225無法與晶粒上的每一個焊墊電性連接，產生測量的錯誤率；故本創作之晶圓測試載板1A可以藉由彈性薄膜層20之彈性特性，在進行測試時，將印刷電路板10下壓至彈性薄膜層20，藉由彈性薄膜層20的具有彈 性之特性，可將複數個金屬凸塊225下壓至與晶粒上的每一個焊墊電性連接，而不會對晶圓上的晶粒產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率。

另外，由於本創作是以金屬凸塊225取代探針來接觸晶粒上的焊墊；因此可避免在晶粒上留下量測痕跡，進而使晶粒更為乾淨完整。

請參閱圖4，係為本創作之晶圓測試載板另一實施例之剖視圖。如圖4所示，晶圓測試載板1B，包括：一印刷電路板10，具有一上表面101及相對於上表面101之一下表面103；在印刷電路板10之上表面101上具有複數個第一電性連接點12，而在印刷電路板10之下表面103上具有複數個第二電性連接點14；其中印刷電路板10中具有複數條配線105，每一條配線105將每一第一電性連接點12與每一第二電性連接點14電性連接。

一彈性薄膜層20，具有一上表面201及相對於上表面201之一下表面203，在彈性薄膜層20上具有複數個由彈性薄膜層20之上表面201貫穿至彈性薄膜層20之下表面203之貫穿孔205；本創作之彈性薄膜層20之材質為具有彈性之高分子材料(例如：聚醯亞胺；polyimide，PI)；而形成此貫穿孔205的方式可以是以半導體製程的蝕刻方式形成；然而，本創作並不對貫穿孔205之形成方式及彈性薄膜層20之材質加以限定。接著，將複數個金屬材質22填入每一貫穿孔205中，並於貫穿孔205在彈性薄膜層20的上表面201形成上焊墊221，同時於彈性薄膜層20的下表面203形成下焊墊223；本創作將金屬材質22形成在貫穿孔205中的方式，可是以物理氣相沉積(PECVD)或電鍍(Plating)之製程方式形成。很明顯地，本實施例中的彈性薄膜層20可以與圖2相同，兩者間的差異在於彈性薄膜層20的下焊墊223上不形成金屬凸塊225。

請再參考圖4與圖5，其中圖5為本創作之金屬片之下視圖。金屬片30具有一上表面301及相對於上表面301之一下表面303；金屬片30上形成複數個與待測晶粒相對應的圖案區35，並於每一圖案區35中形成有複數 個與待測晶粒上的焊墊相對應的引腳305(如圖5所示)；而將金屬片30形成複數圖案區35及引腳305的方式，可以使用沖壓製程(stamping process)方式來形成。接著，在金屬片30之上表面301上具有複數個連接點32，並在金屬片30之下表面303上具有複數個金屬凸塊34(Metal Bump)，其中，連接點32與金屬凸塊34彼此以引腳305相互電性連接；本創作之金屬凸塊34係以物理氣相沉積(PECVD)、電鍍(Plating)或打線製程方式形成，但本創作不對金屬凸塊34之形成方式加以限定。

請再參考圖4，本創作之晶圓測試載板1B是將位於彈性薄膜層20上表面201上的上焊墊221連接至印刷電路板10之下表面103的第二電性連接點14，而位於彈性薄膜層20下表面203上的下焊墊223電性連接至金屬片30上的複數個連接點32；很明顯地，在金屬片30之下表面303上的複數個金屬凸塊34的間距是最小的，且每一金屬凸塊34是與每一晶粒上的複數個焊墊相對應，以便於測試時，以複數個金屬凸塊34與晶粒上的複數個焊墊電性連接；而在金屬片30上表面301上的複數個連接點32是經由引腳305向兩端扇出(fan out)，故金屬片30上表面301上的複數個連接點32之間的間距較金屬片30之下表面303上的複數個金屬凸塊34的間距大。此外，印刷電路板10下表面103上的複數個第二電性連接點14通過複數條配線105與在上表面101上的複數個向兩側扇出的第一電性連接點12連接；很明顯地，有扇出結構的第一電性連接點12間的間距較第二電性連接點14大；之後，可將印刷電路板10上表面101上的複數個第一電性連接點12與一晶圓測試機台2B之探針座40電性連接。

此外，在金屬片30與彈性薄膜層20連接後，需要將每一圖案區35中的多餘金屬移除，只留下引腳305、連接點32及金屬凸塊34；其中，移除圖案區35中的多餘金屬的方式可以使用蝕刻方式來完成。由於，本創作之晶圓測試載板1B可以根據待測晶圓上的每顆晶粒上的焊墊間距的大小進行不同金屬凸塊34間距大小之設計，再藉由印刷電路板10上表面101上 的複數第一電性連接點12之扇出距離的調整，故可以再測試不同的晶粒時，只需更換本創作之晶圓測試載板1B，而不需要再調整晶圓測試機台2B之探針座40及探針42的部份，故可以增加測試晶圓的速度。再者，在形成金屬片30之下表面303上的複數個金屬凸塊34時，每一個金屬凸塊34可能不在同一平面上，若直接進行測試時，可能會造成部份金屬凸塊34無法與晶粒上的每一個焊墊電性連接，產生測量的錯誤率；故本創作之晶圓測試載板1B可以藉由彈性薄膜層20之彈性特性，在進行測試時，將印刷電路板10下壓至彈性薄膜層20，在由彈性薄膜層20將金屬片30上的複數個金屬凸塊34下壓至與晶粒上的每一個焊墊電性連接，因此，不會對晶圓上的晶粒產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率。

另外，由於本創作是以金屬凸塊34取代探針來接觸晶粒上的焊墊；因此可避免在晶粒上留下量測痕跡，進而使晶粒更為乾淨完整。

接著，請參閱圖6，係為本創作之晶圓測試機台之剖視圖。如圖6所示，晶圓測試機台2B包括：一探針座40，具有一上表面401及相對於上表面401之一下表面403，在探針座40中具有複數個探針42，每一探針42由上表面401貫穿至下表面403，並形成一探針上端421及一探針下端423；一基板50，具有一上表面501及相對於上表面501之一下表面503，基板50之下表面503連接於探針座40之上表面401；基板50具有複數條配線52，每一配線52於基板50之上表面501形成一第一端521，於基板50之下表面503形成一第二端523，每一配線50之第二端523電性連接於每一探針42之該探針上端421；一測試頭60，具有一連接座62，連接座62連接於基板50之上表面501，並電性連接配線52之第一端521；晶圓測試載板1B，連接於探針座40之下表面403；本創作之晶圓測試載板1B配置於探針座40時，其每一探針42之探針下端423會與每一第一電性連接點12電性連接；而晶圓測試載板1B之安裝方式本創作並不加以侷限。在晶圓測試載板1B下方，具有一晶圓放置座70，並在晶圓放置座70放置一待測晶圓80， 待測晶圓80上具有複數個未切割之晶粒801；其中金屬片30與待測晶圓80為同等之大小，而每一金屬凸塊34係對應每一晶粒801上的每一測試點(未顯示於圖中)；在晶圓測試機台2B運作時，會藉由測試頭60將晶圓測試載板1B向下壓，並將每一金屬凸塊34與每一晶粒801上的每一焊墊電性連接，以測量整片晶圓上的每一晶粒801。

本創作之晶圓測試機台2B只需更換本創作之晶圓測試載板1B，即可測試不同的晶粒，而不需要再調整晶圓測試機台2B之探針座40及探針42的部份，故可以增加測試晶圓的速度。

再者，在形成金屬片30之下表面303上的複數個金屬凸塊34時，每一個金屬凸塊34可能不在同一平面上，若直接進行測試時，可能會造成部份金屬凸塊34無法與晶粒801上的每一個焊墊電性連接，產生測量的錯誤率；故本創作之晶圓測試機台2B利用在其上安裝的晶圓測試載板1B，可以藉由彈性薄膜層20之彈性特性，在進行測試時，將印刷電路板10下壓至彈性薄膜層20，在由彈性薄膜層20將金屬片30上的複數個金屬凸塊34下壓至與晶粒801上的每一個焊墊電性連接，因此，不會對待測晶圓80上的晶粒801產生破壞性的壓迫，也因此可以增加測試的良率。

另外，由於本創作是以金屬凸塊34取代探針來接觸晶粒801上的焊墊；因此可避免在晶粒801上留下量測痕跡，進而使晶粒801更為乾淨完整。

雖然本創作以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何熟習本領域技藝者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本創作之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

1A、1B‧‧‧晶圓測試載板

2A、2B‧‧‧晶圓測試機台

10‧‧‧印刷電路板

101‧‧‧上表面

103‧‧‧下表面

105‧‧‧配線

12‧‧‧第一電性連接點

14‧‧‧第二電性連接點

20‧‧‧彈性薄膜層

201‧‧‧上表面

203‧‧‧下表面

205‧‧‧貫穿孔

22‧‧‧金屬材質

221‧‧‧上焊墊

223‧‧‧下焊墊

225‧‧‧金屬凸塊

30‧‧‧金屬片

301‧‧‧上表面

303‧‧‧下表面

305‧‧‧引腳

32‧‧‧連接點

34‧‧‧金屬凸塊

35‧‧‧圖案區

40‧‧‧探針座

401‧‧‧上表面

403‧‧‧下表面

42‧‧‧探針

421‧‧‧探針上端

423‧‧‧探針下端

50‧‧‧基板

501‧‧‧上表面

503‧‧‧下表面

52‧‧‧配線

521‧‧‧第一端

523‧‧‧第二端

60‧‧‧測試頭

62‧‧‧連接座

70‧‧‧晶圓放置座

80‧‧‧待測晶圓

801‧‧‧晶粒

圖1 係為本創作之晶圓測試載板之剖視圖； 圖2 係為本創作之彈性薄膜層之下視圖；圖3 係為本創作之晶圓測試機台之剖視圖。

圖4 係為本創作之晶圓測試載板另一實施例之剖視圖；圖5 係為本創作之金屬片之下視圖；圖6 係為本創作之晶圓測試機台另一實施例之剖視圖。

1B‧‧‧晶圓測試載板

10‧‧‧印刷電路板

101‧‧‧上表面

103‧‧‧下表面

105‧‧‧配線

12‧‧‧第一電性連接點

14‧‧‧第二電性連接點

20‧‧‧彈性薄膜層

201‧‧‧上表面

203‧‧‧下表面

205‧‧‧貫穿孔

22‧‧‧金屬材質

221‧‧‧上焊墊

223‧‧‧下焊墊

30‧‧‧金屬片

301‧‧‧上表面

303‧‧‧下表面

305‧‧‧引腳

32‧‧‧連接點

34‧‧‧金屬凸塊

Claims (34)

1. 一種晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個引腳，具有一第一端及一第二端，該第一端形成一連接點，該第二端形成一金屬凸塊；其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，而該些引腳連接該彈性薄膜層之下表面，且該些下焊墊與該些連接點電性連接。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該彈性薄膜層為一高分子材料。
3. 根據申請專利範圍第2項所述之晶圓測試載板，其中該高分子材料為聚醯亞胺。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該彈性薄膜層之該些貫穿孔係以蝕刻製程之方式形成。
5. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該金屬材質係以沉積或電鍍之製程填入該些貫穿孔。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該些金屬凸塊係以沉積之方式形成。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該些金屬凸塊係以電鍍之方式形成。
8. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該印刷電路板中具有複數條配線，將該些第一電性連接點與該些第二電性連接點電性連接。
9. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓測試載板，其中該引腳係以蝕刻製程之方式形成。
10. 一種晶圓測試機台，用以對一晶圓上的複數個晶粒進行測試，包括：一探針座，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該探針座中具有複數個探針，該些探針係由該上表面貫穿至該下表面，每該探針形成一探針上端及一探針下端；一基板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，該基板之下表面係連接於該探針座之上表面，該基板具有複數條配線，每該配線於該基板之上表面形成一第一端，於該基板之下表面形成一第二端，該些配線之該第二端係電性連接於該些探針之該探針上端；一測試頭，具有一連接座，該連接座係連接於該基板之上表面，並電性連接該些配線之該第一端；其中該晶圓測試機台之特徵在於：一晶圓測試載板，係連接於該探針座之下表面，該晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接，且該些第一電性連接點係電性連接於該些探針下端；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之 下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個引腳，具有一第一端及一第二端，該第一端形成一連接點，該第二端形成一金屬凸塊；其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，而該些引腳連接該彈性薄膜層之下表面，且該些下焊墊與該些連接點電性連接，藉由在該些引腳上的該金屬凸塊對該些晶粒進行測試。
11. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該彈性薄膜層為一高分子材料。
12. 根據申請專利範圍第11項所述之晶圓測試機台，其中該高分子材料為聚醯亞胺。
13. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該彈性薄膜層之該些貫穿孔係以蝕刻製程之方式形成。
14. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該金屬材質係以沉積或電鍍之製程填入該些貫穿孔。
15. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該些金屬凸塊係以沉積之方式形成。
16. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該些金屬凸塊係以電鍍之方式形成。
17. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該印刷電路板中具有複數條配線，將該些第一電性連接點與該些第二電性連接點電性連接。
18. 根據申請專利範圍第10項所述之晶圓測試機台，其中該引腳係以蝕刻 製程之方式形成。
19. 一種晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面形成複數個下焊墊；及複數個金屬凸塊，係形成於該些下焊墊上；其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接。
20. 根據申請專利範圍第19項所述之晶圓測試載板，其中該彈性薄膜層為一高分子材料。
21. 根據申請專利範圍第20項所述之晶圓測試載板，其中該高分子材料為聚醯亞胺。
22. 根據申請專利範圍第19項所述之晶圓測試載板，其中該彈性薄膜層之該些貫穿孔係以蝕刻製程之方式形成。
23. 根據申請專利範圍第19項所述之晶圓測試載板，其中該金屬材質係以沉積或電鍍之製程填入該些貫穿孔。
24. 根據申請專利範圍第19項所述之晶圓測試載板，其中該些金屬凸塊係以沉積之方式形成。
25. 根據申請專利範圍第19項所述之晶圓測試載板，其中該些金屬凸塊係 以電鍍之方式形成。
26. 根據申請專利範圍第19項所述之晶圓測試載板，其中該印刷電路板中具有複數條配線，將該些第一電性連接點與該些第二電性連接點電性連接。
27. 一種晶圓測試機台，用以對一晶圓上的複數個晶粒進行測試，包括：一探針座，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該探針座中具有複數個探針，該些探針係由該上表面貫穿至該下表面，每該探針形成一探針上端及一探針下端；一基板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，該基板之下表面係連接於該探針座之上表面，該基板具有複數條配線，每該配線於該基板之上表面形成一第一端，於該基板之下表面形成一第二端，該些配線之該第二端係電性連接於該些探針之該探針上端；一測試頭，具有一連接座，該連接座係連接於該基板之上表面，並電性連接該些配線之該第一端；其中該晶圓測試機台之特徵在於：一晶圓測試載板，係連接於該探針座之下表面，該晶圓測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該印刷電路板之上表面上具有複數個第一電性連接點，在該印刷電路板之下表面上具有複數個第二電性連接點，其該些第一電性連接點與該些第二電性連接點彼此相互電性連接，且該些第一電性連接點係電性連接於該些探針下端；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對於該上表面之一下表面，在該彈性薄膜層上具有複數個由該彈性薄膜層之上表面貫穿至該彈性薄膜層之下表面之貫穿孔；複數個金屬材質，係填入該些貫穿孔，位於該些貫穿孔之該些金屬材質於該彈性薄膜層的上表面形成複數個上焊墊，於該彈性薄膜層的下表面 形成複數個下焊墊；及複數個金屬凸塊，係形成於該些下焊墊上；其中，該彈性薄膜層連接該印刷電路板之下表面，且該些第二電性連接點與該些上焊墊電性連接，並藉由在該些金屬凸塊對該些晶粒進行測試。
28. 根據申請專利範圍第27項所述之晶圓測試機台，其中該彈性薄膜層為一高分子材料。
29. 根據申請專利範圍第28項所述之晶圓測試機台，其中該高分子材料為聚醯亞胺。
30. 根據申請專利範圍第27項所述之晶圓測試機台，其中該彈性薄膜層之該些貫穿孔係以蝕刻製程之方式形成。
31. 根據申請專利範圍第27項所述之晶圓測試機台，其中該金屬材質係以沉積或電鍍之製程填入該些貫穿孔。
32. 根據申請專利範圍第27項所述之晶圓測試機台，其中該些金屬凸塊係以沉積之方式形成。
33. 根據申請專利範圍第27項所述之晶圓測試機台，其中該些金屬凸塊係以電鍍之方式形成。
34. 根據申請專利範圍第27項所述之晶圓測試機台，其中該印刷電路板中具有複數條配線，將該些第一電性連接點與該些第二電性連接點電性連接。