JP2012186220A - 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パターンマスクが形成された基板を処理容器内のステージに載置する工程と、前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の中央部に溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返す工程とを行う。溶剤ガスが基板上を流れる方向と、乾燥用のガスが基板上を流れる方向とが互いに揃うことで基板の面内で溶剤が多く供給される箇所が乾燥用のガスにより早く乾燥し、溶剤ガスの供給と乾燥用のガスの供給とを繰り返すことで、パターンマスク内部への溶剤の浸透を抑えることができる。
【選択図】図13
Description
前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、
前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の中央部に溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする。
前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、
前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の周囲に溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする。
前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、
前記パターンマスクを膨潤させるために、前記基板の一端側に溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に、溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする。
(a)前記基板は、処理容器内に載置された後、溶剤が供給される前に温調される。
(b)基板に対して前記溶剤を供給するステップと前記乾燥用のガスを供給するステップとを行った後、次の溶剤を供給するステップを行う前に、これらのステップを行うときの温度以上の温度に基板を加熱する工程を含む。
(c)第1の基板に対して溶剤を供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行った後、当該第1の基板を処理容器の外に搬出すると共に処理容器の外から第2の基板を処理容器内に搬入する工程と、
処理容器の外に搬出された第1の基板を第1の加熱板上において加熱する一方で、第2の基板に対して溶剤を供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行う工程と、を含み、
第1の基板及び第2の基板を交互に処理容器内に搬入し、処理容器の外の基板に対しては加熱板により加熱する。
(d)第1の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第1の基板を加熱するための第1の加熱板と、第2の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第2の基板を加熱するための第2の加熱板と、を用いる。
処理容器と、
当該処理容器内に設けられたステージと、
前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の中央部に供給する溶剤ガス供給部と、
基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の中央部に供給する乾燥用ガス供給部と、
前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の周囲から排気するために設けられた排気口と、
前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と、前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の中央部に前記溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、前記乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする。
処理容器と、
当該処理容器内に設けられたステージと、
前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の周囲に供給する溶剤ガス供給部と、
基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の周囲に供給する乾燥用ガス供給部と、
前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の中央部の上方から排気するために設けられた排気口と、
前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の周囲に前記溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする。
処理容器と、
当該処理容器内に設けられたステージと、
前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の一端側に供給する溶剤ガス供給部と、
基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の一端側に供給する乾燥用ガス供給部と、
前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の他端側から排気するために設けられた排気口と、
前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の一端側に前記溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明の実施の形態に係る溶剤供給装置1について、その縦断側面図、横断平面図である図1、図2を参照しながら説明する。溶剤供給装置1は、ウエハWを処理するための処理容器2と、処理容器2と溶剤供給装置1の外部との間で基板であるウエハWを搬送する搬送機構6と、を備えている。この処理容器2に搬送されるウエハW表面にはレジスト膜が形成されている。レジスト膜は露光、現像処理を受けており、パターンマスクであるレジストパターンが形成されている。
図15には第2の実施形態である溶剤供給装置8を示している。この溶剤供給装置8において、溶剤供給装置1と同様に構成されている箇所には同じ符号を付し、説明を省略する。この溶剤供給装置8における溶剤供給装置1との差異点は、搬送機構6が2枚の移動プレートにより構成されている点である。図16にはこれら移動プレート62A、62Bの斜視図を示している。これら移動プレート62A、62Bは移動プレート62と同様に構成されており、移動機構64により互いに独立して移動できるように構成されている。図中63A、63Bは支持部であり、第1の実施形態の支持部63に相当する。上側の移動プレート62Aを支持する支持部63Aは、移動プレート62A、62Bの独立移動を妨げないように下方側から外方側へ屈曲し、さらに下方へ向けて屈曲して形成されている。また、以降の説明では図14に示す各移動プレート62A,62Bの位置を、各移動プレート62A,62Bの待機位置とする。
続いて本発明に関連して行った評価試験について説明する。レジストパターンが形成されたウエハW(ウエハA1とする)の径方向に沿った複数箇所において、当該レジストパターンの測定寸法のばらつき(LWR)を測定した。LWRはばらつきの標準偏差の3倍(3シグマ)で示す。また、ウエハA1と同様にレジストパターンが形成されたウエハA2、A3を用意した。ウエハA2については第1の実施形態に従って処理し、ウエハA1と同様に測定を行って、各部のレジストパターンの粗さの3シグマを算出した。また、ウエハA3については本発明の手法を用いず連続して所定の時間ウエハWに処理ガスを供給した後、加熱処理を行い、ウエハA1、A2と同様に各部の3シグマを算出した。
1 溶剤供給装置
10 制御部
2 処理容器
24 ステージ
25 ヒータ
4 ガス供給部
44 ガス吐出口
6 搬送機構
62 移動プレート
66 ヒータ
71 レジストパターン
Claims (14)
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、
前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、
前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の中央部に溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、
前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、
前記パターンマスクを膨潤させるために前記基板の周囲に溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、
前記基板を処理容器内のステージに載置する工程と、
前記パターンマスクを膨潤させるために、前記基板の一端側に溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に、基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返す工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板は、処理容器内のステージに載置された後、溶剤ガスが供給される前に温調されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板に対して前記溶剤ガスを供給するステップと前記乾燥用のガスを供給するステップとを行った後、次の溶剤ガスを供給するステップを行う前に、これらのステップを行うときの温度以上の温度に基板を加熱する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 第1の基板に対して溶剤ガスを供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行った後、当該第1の基板を処理容器の外に搬出すると共に処理容器の外から第2の基板を処理容器内に搬入する工程と、
処理容器の外に搬出された第1の基板を第1の加熱板上において加熱する一方で、第2の基板に対して溶剤ガスを供給する前記ステップと乾燥用のガスを供給する前記ステップとを行う工程と、を含み、
第1の基板及び第2の基板を交互に処理容器内に搬入し、処理容器の外の基板に対しては加熱板により加熱することを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。 - 第1の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第1の基板を加熱するための第1の加熱板と、第2の基板を処理容器内に対して搬入搬出する機能を備え、第2の基板を加熱するための第2の加熱板と、を用いることを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。
- 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
処理容器と、
当該処理容器内に設けられたステージと、
前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の中央部に供給する溶剤ガス供給部と、
基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の中央部に供給する乾燥用ガス供給部と、
前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の周囲から排気するために設けられた排気口と、
前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と、前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の中央部に前記溶剤ガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、次いで当該基板の中央部に、前記乾燥用のガスを供給しながら基板の周囲から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。 - 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
処理容器と、
当該処理容器内に設けられたステージと、
前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の周囲に供給する溶剤ガス供給部と、
基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の周囲に供給する乾燥用ガス供給部と、
前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の中央部の上方から排気するために設けられた排気口と、
前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の周囲に前記溶剤ガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、次いで当該基板の周囲に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の中央部の上方から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。 - 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
処理容器と、
当該処理容器内に設けられたステージと、
前記パターンマスクを膨潤させるための溶剤ガスを前記ステージに載置された基板の一端側に供給する溶剤ガス供給部と、
基板に供給された溶剤を乾燥させるための乾燥用のガスを、前記ステージに載置された基板の一端側に供給する乾燥用ガス供給部と、
前記溶剤ガス及び乾燥用ガスを前記基板の他端側から排気するために設けられた排気口と、
前記溶剤ガス供給部による溶剤ガスの供給と、前記乾燥用ガス供給部による乾燥用ガスの供給と前記排気口からの排気とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の一端側に前記溶剤ガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、次いで当該基板の一端側に前記乾燥用のガスを供給しながら基板の他端側から排気するステップと、を複数回繰り返すように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。 - 前記ステージは基板を温調する温調機構を備えることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 処理容器内に対して基板を搬入搬出すると共に基板を加熱する加熱板を備えることを特徴とする請求項8ないし11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記加熱板は、第1の基板の前記搬入搬出を行うための第1の加熱板と、第2の基板の前記搬入搬出を行うための第2の加熱板とからなり、
第1の基板に対して溶剤ガス及び乾燥用のガスを供給する間に、第2の加熱板が処理容器の外に搬出した第2の基板を加熱し、
第2の基板に対して溶剤ガス及び乾燥用のガスを供給する間に、第1の加熱板が処理容器の外に搬出した第1の基板を加熱することを特徴とする請求項12記載の基板処理装置。 - 露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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