JP2012169600A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面が樹脂組成物からなる基板1の当該表面上に、無電解めっきにより無電解めっき層2を形成する工程と、無電解めっき層2上に、開口を有するレジストマスク3を形成する工程と、開口内に、電解めっきにより電解めっき層4を形成する工程と、レジストマスク3を除去する工程と、無電解めっき層2のうち、平面視で電解めっき層4と重ならない部分をエッチングにより選択的に除去する工程と、を備え、無電解めっき層2を形成する工程の後であって電解めっき層4を形成する工程の前において基板1を加熱する第1の加熱工程、及び/又は電解めっき層4を形成する工程の後において基板1を加熱する第2の加熱工程を有する。
【選択図】図1
Description
プリント配線板の基板上に高密度でパターン精度の高い導体回路層を効率よく形成する方法として、セミアディティブ法(SAP法)が行われ始めている。
SAP法によれば、樹脂表面上に積層する金属層を薄膜化できる。このため、より微細な回路配線を形成することが可能となる。
前記無電解めっき層上に、開口を有するレジストマスクを形成する工程と、
前記開口内に、電解めっきにより電解めっき層を形成する工程と、
前記レジストマスクを除去する工程と、
前記無電解めっき層のうち、平面視で前記電解めっき層と重ならない部分をエッチングにより選択的に除去する工程と、
を備え、
前記無電解めっき層を形成する工程の後であって前記電解めっき層を形成する工程の前において前記基板を加熱する第1の加熱工程、及び/又は前記電解めっき層を形成する工程の後において前記基板を加熱する第2の加熱工程を有するプリント配線板の製造方法が提供される。
本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、表面が樹脂組成物からなるプリント配線板用基板1の当該表面上に、無電解めっきにより無電解めっき層2を形成する工程と、無電解めっき層2上に、開口を有するレジストマスク3を形成する工程と、レジストマスク3の開口内に、電解めっきにより電解めっき層4を形成する工程と、レジストマスク3を除去する工程と、無電解めっき層2のうち、平面視で電解めっき層4と重ならない部分をエッチングにより選択的に除去する工程と、を備える。また、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、無電解めっき層2を形成する工程の後であって電解めっき層4を形成する工程の前においてプリント配線板用基板1を加熱する第1の加熱工程、及び/又は電解めっき層4を形成する工程の後においてプリント配線板用基板1を加熱する第2の加熱工程を有する。
このような本実施形態によれば、プリント配線板用基板と導体回路層との密着性を向上することができる。このため、本実施形態により得られるプリント配線板を構成する導体回路層のピール強度を高くすることが可能となる。
第1の加熱工程および第2の加熱工程のいずれも行うことにより、プリント配線板用基板と導体回路層との密着性を、さらに向上させることが可能となる。
なお、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、上記の方法に限定されない。第1の加熱工程は、工程(b)と工程(c)の間、または工程(c)と工程(d)の間に行うことができる。また、第2の加熱工程は、工程(d)と工程(e)の間、工程(e)と工程(f)の間、または工程(f)後に行うことができる。また、第1の加熱工程と第2の加熱工程の両方を行ってもよいし、どちらか一方のみを行ってもよいが、第1の加熱工程および第2の加熱工程の両方を行うことが好ましい。
プリント配線板用基板1としては、特に限定されないが、例えば積層体や金属張積層板等からなるコア基板、または内層回路を被覆した絶縁層を有する多層化基板等を用いることができる。本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁性樹脂組成物からなる表面にSAP法によって導体回路層を形成する場合であれば適用することができる。本実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、例えばコア基板上の導体回路層、または多層プリント配線板の内層回路若しくは外層回路を形成する場合に適用することができる。
コア基板を構成する前記金属張積層板としては、例えばプリプレグ又は前記積層体の少なくとも片面に金属箔を重ね合わせて加熱加圧成形したもの等を用いることができる。なお、金属張積層板をプリント配線板用基板1として用いる場合、表面に設けられた金属箔をエッチング等の方法により除去した金属張積層板が用いられる。これにより、プリント配線板用基板1の表面が、樹脂組成物により構成されることとなる。
前記内層回路となる導体回路層は、例えばSAP法による回路形成段階において第1の加熱工程を行うことを特徴とする本実施形態に係る回路形成方法によって形成される。これにより、内層回路となる導体回路層のピール強度を向上させることができる。なお、内層回路となる導体回路層は、従来公知の回路形成方法によって形成されてもよい。
また、前記積層体または前記金属張積層板からなるコア基板の両面に設けられた導体回路層は、例えばドリル加工、またはレーザー加工等によりコア基板に形成されたスルーホール内にめっき層等を形成することで互いに電気的に接続される。
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂および/またはシアネート樹脂を用いることにより、樹脂組成物の線膨張を小さくし、また樹脂組成物の耐熱性を著しく向上させることができる。また、エポキシ樹脂および/またはシアネート樹脂を高充填量の充填材と組み合わせることにより、難燃性、耐熱性、耐衝撃性、高剛性、および電気特性(低誘電率、低誘電正接)に優れた樹脂組成物を得ることができる。
ここで、耐熱性の向上は、硬化反応後における熱硬化性樹脂のガラス転移温度が200℃以上になること、硬化後の樹脂組成物の熱分解温度が高くなること、250℃以上での反応残渣などの低分子量成分が低減することに起因すると考えられる。
また、難燃性の向上は、構造上ベンゼン環の割合が高い芳香族系の熱硬化性樹脂において、ベンゼン環が炭化(グラファイト化)し易いために炭化部分が生じることに起因すると考えられる。
ノボラック型シアネート樹脂の中でも好適なものとしては、下記式(1)で表わされるノボラック型シアネート樹脂が挙げられる。この場合、重量平均分子量が大きいノボラック型シアネート樹脂と、重量平均分子量が小さいノボラック型シアネート樹脂と、を組み合わせて用いることが好ましい。重量平均分子量が大きいノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量は、2000以上が好ましく、2000〜10,000がより好ましく、2,200〜3,500がさらに好ましい。また、重量平均分子量が小さいノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量は、1500以下が好ましく、200〜1,300がより好ましい。なお、本実施形態における重量平均分子量は、ポリスチレン換算のゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定した値である。
また、前記熱硬化性樹脂組成物中には、金属箔との密着性の点から、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフェノキシ樹脂が含まれていてもよい。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、0.1μm〜5.0μmが好ましく、特に0.1μm〜3.0μmが好ましい。無機充填材の粒径を前記下限値以上とすることで、樹脂組成物の粘度が高くなることを抑制し、プリプレグ作製時の作業性を良好とすることができる。また、無機充填材の粒径を前記上限値以下とすることで、樹脂組成物中で無機充填材の沈降等の現象が起こることを抑制することができる。尚、平均粒径は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置(島津製作所SALD−7000等の一般的な機器)を用いて測定することができる。
前記カップリング剤の添加量は、特に限定されないが、無機充填材100重量部に対して0.05〜3重量部が好ましく、特に0.1〜2重量部が好ましい。カップリング剤の含有量を前記下限値以上とすることで、無機充填材を十分に被覆して、耐熱性を向上する効果が十分に得ることができる。また、カップリング剤の含有量を前記上限値以下とすることで、反応に影響を与えることを抑制することができる。これにより、曲げ強度等の低下を抑制することが可能となる。
湿式法のデスミア処理は、例えば次のように行われる。まず、樹脂表面に膨潤処理を施す。次いで、アルカリ処理によるエッチングを行う。その後、樹脂表面に中和処理を施す。
無電解めっき層2の厚さは、特に限定されないが、0.1μm以上2μm以下であることが好ましい。無電解めっき層2の厚さを0.1μm以上とすることで、後述する電解めっき工程を容易に行うことができる。また、無電解めっき層2の厚さを2μm以下とすることで、無電解めっき層2の形成を短時間で行うことが可能となる。これにより、作業効率の向上を図ることができる。
第1の加熱工程における加熱処理の加熱温度は、130〜280℃であることが好ましく、140〜230℃であることがより好ましい。加熱温度がこの範囲内であることにより、導体回路層5のピール強度を向上させることができる。
第1の加熱工程における加熱処理は、特に限定されないが、例えば、クリーンオーブン等の窒素(N2)を導入できる公知の装置によって行うことができる。
第1の加熱工程における加熱処理は、さらに窒素(N2)濃度が78%以上の雰囲気下で行われることがより好ましく、窒素(N2)濃度が85%以上の雰囲気下で行われることがより好ましい。これにより、導体回路層5のピール強度をさらに向上させることができる。
さらに、第1の加熱工程において、プリント配線用基板1を加熱処理する時間は、30分以上300分以下であることが好ましい。加熱処理する時間が30分以上である場合、導体回路層5のピール強度を向上させる効果を十分に得ることができる。また、加熱処理する時間が300分以下である場合、良好な作業効率を実現することができる。
レジストマスク3により、無電解めっき層2のうち導体回路が形成されない領域をマスクする。すなわち、レジストマスク3の開口内が、導体回路を形成する領域となる。
レジストマスク3としては、特に限定されないが、公知の材料を用いることができる。レジストマスク3は、例えば感光性ドライフィルム等により構成される。レジストマスク3として感光性ドライフィルムを用いる場合、レジストマスク3の形成は例えば次のように行われる。まず、無電解めっき層2上に感光性ドライフィルムを積層する。次いで、感光性ドライフィルムのうち、導体回路が形成されない領域に位置する部分を露光して光硬化する。次いで、感光性ドライフィルムのうちの未露光部を、現像液によって溶解・除去する。このとき、無電解めっき層2上に残存する硬化した感光性ドライフィルムが、レジストマスク3となる。
電解めっきは、めっき対象物をめっき液中に浸漬して電気を流す等の公知の方法によって行うことができる。
次に、図1(f)に示すように、工程(f)において、無電解めっき層2のうち、平面視で電解めっき層4と重ならない部分をフラッシュエッチングにより選択的に除去する。すなわち、導体回路が形成されない領域に位置する無電解めっき層2が除去されることとなる。これにより、プリント配線板用基板1上に導体回路層5が形成されることとなる。なお、フラッシュエッチングは、過硫酸ナトリウム等のエッチング液をスプレー等により局所的にエッチングする等の公知の方法により行うことができる。
以下、当該工程(f)を、パターン状エッチング工程とも呼ぶ。
第2の加熱工程における加熱処理の加熱温度は、130〜280℃であることが好ましく、140〜230℃であることがより好ましい。加熱温度がこの範囲内であることにより、導体回路層5のピール強度を向上させることができる。
第2の加熱工程における加熱処理は、特に限定されないが、上述の第1の加熱工程の加熱処理と同様にして行うことができる。
第2の加熱工程における加熱処理は、さらに窒素(N2)濃度が78%以上の雰囲気下で行われることが好ましく、窒素(N2)濃度が85%以上の雰囲気下で行われることがより好ましい。これにより、導体回路層5のピール強度をさらに向上させることができる。
さらに、第2の加熱工程において、プリント配線用基板1を加熱処理する時間は、30分以上300分以下であることが好ましい。加熱処理する時間が30分以上である場合、導体回路層5のピール強度を向上させる効果を十分に得ることができる。また、加熱処理する時間が300分以下である場合、良好な作業効率を実現することができる。
エポキシ樹脂として、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂(DIC社製、HP−5000)8.5重量部、フェノール硬化剤として、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂(明和化成株式会社、MEH7851−4H)8.5重量部、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)17重量部、球状溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−25R、平均粒径0.5μm)65.5重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.5重量部を、メチルエチルケトンに混合溶解させた。次いで、高速撹拌装置を用いて撹拌することにより、不揮発分(固形分)が70重量%となるように樹脂ワニスを調製した。
次いで、前記樹脂ワニスをガラス織布(厚さ87μm、日東紡製Eガラス織布、WEA−2116)に含浸した後、150℃の加熱炉で2分間乾燥した。これにより、プリプレグ中のワニス固形分が約50重量%であるプリプレグを得た。
次いで、前記プリプレグを2枚重ねてなる積層体の両面に、12μmの銅箔(三井金属鉱業社製、3EC−VLP箔)を重ね、圧力3MPa、温度220℃で2時間加熱加圧成形した。これにより、厚さが0.20mmである絶縁層の両面に銅箔を有する積層板を得た。
エポキシ樹脂として、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)11重量部、ビスマレイミド化合物(ケイアイ化成工業社製、BMI−70)20重量部、4,4'−ジアミノジフェニルメタン3.5重量部、水酸化アルミニウム(昭和電工製HP−360)65重量部、エポキシシラン(信越化学工業社製、KBM−403)0.5重量部を、メチルエチルケトンに混合・溶解させた。次いで、高速撹拌装置を用いて撹拌することにより、不揮発分(固形分)が70重量%となるように樹脂ワニスを調製した。
次いで、前記樹脂ワニスをガラス織布(厚さ87μm、日東紡製Eガラス織布、WEA−2116)に含浸した後、150℃の加熱炉で2分間乾燥した。これにより、プリプレグ中のワニス固形分が約50重量%であるプリプレグを得た。
次いで、前記プリプレグを2枚重ねてなる積層体の両面に、12μmの銅箔(三井金属鉱業社製、3EC−VLP箔)を重ね、圧力3MPa、温度220℃で2時間加熱加圧成形した。これにより、厚さが0.20mmである絶縁層の両面に銅箔を有する積層板を得た。
製造例1によって得られた積層板が有する銅箔を全面エッチング除去し、露出した樹脂表面に無電解銅めっき層(上村工業社製、スルカップPEAプロセス)を目標膜厚1μmで形成した。続いて、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%、大気圧)、150℃にて30分間加熱処理することにより第1の加熱工程を行った。第1の加熱工程後、この無電解めっき層の表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム(旭化成社製、サンフォートUFG−255)をホットロールラミネーターにより貼り合わせた。次いで、最小線幅/線間が20/20μm、および10mm×150mm(ピール強度測定部位)のパターンが描画されたガラスマスク(トピック社製)の位置合わせを行った。次いで、当該ガラスマスクを使用して、紫外線感光性ドライフィルムを、露光装置(小野測器EV−0800)により露光した。次いで、露光された紫外線感光性ドライフィルムを、炭酸ソーダ水溶液により現像した。これにより、レジストマスクが形成された。
次に、無電解めっき層を給電層電極として、電解銅めっき(奥野製薬社製81−HL)を3A/dm2の条件下で25分間行って、厚さ約20μmの銅配線のパターンを形成した。次に、剥離機を用いて、モノエタノールアミン溶液(三菱ガス化学社製R−100)により、前記レジストマスクを剥離した。そして、給電層である無電解めっき層をフラッシュエッチング(荏原電産社製SAC−702MとSAC−701R35の純水溶液)により除去して、L/S=20/20μm、および10mm×150mm(ピール強度測定部位)のパターンを形成し(パターン状エッチング工程)、プリント配線板を得た。
製造例1によって得られた積層板が有する銅箔を全面エッチング除去し、露出した樹脂表面に無電解銅めっき層(上村工業社製、スルカップPEAプロセス)を目標膜厚1μmで形成した。続いて、樹脂表面膨潤処理(SW処理)として、前記積層板を、液温60℃の市販の水酸化ナトリウムとエチレングリコール系溶剤含有液(アトテック社製、スウェリングディップセキュリガントP建浴液)の混合液(pH12)に2分間浸漬し、3回水洗した。続いて、アルカリ処理(ME処理)として、前記積層板を、液温60℃の過マンガン酸ナトリウム含有粗化処理液(アトテック社製、コンセントレートコンパクトCP建浴液)に5分間浸漬し、3回水洗した。さらに、中和処理(Re処理)として、前記積層板を、液温40℃の中和処理液(アトテック社製、リダクションセキュリガントP500建浴液)に3分間浸漬した後、3回水洗した。続いて、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%)、150℃にて30分間加熱処理することにより第1の加熱工程を行った。第1の加熱工程後は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得た。
フラッシュエッチングによるパターン状エッチング工程の後、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより第2の加熱工程を行った。この点以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得た。
フラッシュエッチングによるパターン状エッチング工程の後、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより第2の加熱工程を行った。この点以外は、実施例2と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を、窒素雰囲気下(酸素濃度450ppm、窒素濃度約99%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得た。
製造例1によって得られた積層板が有する銅箔を全面エッチング除去し、露出した樹脂表面に無電解銅めっき層(上村工業社製、スルカップPEAプロセス)を目標膜厚1μmで形成した。続いて、中和処理(Re処理)として、前記積層板を、液温50℃の中和処理液(アトテック社製、リダクションセキュリガントP500建浴液)に5分間浸漬した後、3回水洗した。続いて、窒素雰囲気下(酸素濃度450ppm、窒素濃度約99%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより第1の加熱工程を行った。第1の加熱工程後は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を、窒素雰囲気下(酸素濃度450ppm、窒素濃度約99%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例2と同様にしてプリント配線板を得た。
フラッシュエッチングによるパターン状エッチング工程の後、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより第2の加熱工程を行った。この点以外は、実施例5と同様にしてプリント配線板を得た。
フラッシュエッチングによるパターン状エッチング工程の後、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより第2の加熱工程を行った。この点以外は、実施例6と同様にしてプリント配線板を得た。
フラッシュエッチングによるパターン状エッチング工程の後、空気雰囲気下(酸素濃度約21%、窒素濃度約78%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより第2の加熱工程を行った。この点以外は、実施例7と同様にしてプリント配線板を得た。
第2の加熱工程を、窒素雰囲気下(酸素濃度450ppm、窒素濃度約99%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例8と同様にしてプリント配線板を得た。
第2の加熱工程を、窒素雰囲気下(酸素濃度450ppm、窒素濃度約99%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例9と同様にしてプリント配線板を得た。
第2の加熱工程を、窒素雰囲気下(酸素濃度450ppm、窒素濃度約99%、大気圧)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例10と同様にしてプリント配線板を得た。
製造例1によって得られた積層板を用いず、製造例2によって得られた積層板を用いた。この点以外は、実施例8と同様にしてプリント配線板を得た。
製造例1によって得られた積層板を用いず、製造例2によって得られた積層板を用いた。この点以外は、実施例9と同様にしてプリント配線板を得た。
製造例1によって得られた積層板を用いず、製造例2によって得られた積層板を用いた。この点以外は、実施例10と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を行わなかったこと以外は、実施例3と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を行わなかったこと以外は、実施例4と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を、減圧雰囲気下(酸素濃度280ppm、1torr)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を、減圧雰囲気下(酸素濃度280ppm、1torr)、220℃にて60分間加熱処理することにより行った。この点以外は、実施例2と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を行わなかったこと以外は、実施例6と同様にしてプリント配線板を得た。
第1の加熱工程を行わなかったこと以外は、実施例2と同様にしてプリント配線板を得た。
各実施例および比較例で得られたプリント配線板を用いて、導体回路層のピール強度測定を行った。ピール強度測定は、JIS C6481に準拠して行い、25℃における幅10mmの導体回路層のピール強度を測定した。測定結果を表1に示す。
一方、実施例1〜20では、第1の加熱工程及び/又は第2の加熱工程を行ったため、得られたプリント配線板は、導体回路層のピール強度が高かった。製造例1によって得られた積層板を用いた実施例1〜13の中では、第1の加熱工程を空気雰囲気下で行った実施例1〜4に比べ、第1の加熱工程を窒素雰囲気下で行った実施例5〜13の方がピール強度は高かった。また、実施例14〜16では、製造例1とは樹脂ワニス中の成分が異なる製造例2によって得られた積層板を用いているが、第1の加熱工程及び第2の加熱工程を行ったため、得られたプリント配線板は導体回路層のピール強度が高かった。
2 無電解めっき層
3 レジストマスク
4 電解めっき層
5 導体回路層
Claims (12)
- 表面が樹脂組成物からなる基板の前記表面上に、無電解めっきにより無電解めっき層を形成する工程と、
前記無電解めっき層上に、開口を有するレジストマスクを形成する工程と、
前記開口内に、電解めっきにより電解めっき層を形成する工程と、
前記レジストマスクを除去する工程と、
前記無電解めっき層のうち、平面視で前記電解めっき層と重ならない部分をエッチングにより選択的に除去する工程と、
を備え、
前記無電解めっき層を形成する工程の後であって前記電解めっき層を形成する工程の前において前記基板を加熱する第1の加熱工程、及び/又は前記電解めっき層を形成する工程の後において前記基板を加熱する第2の加熱工程を有するプリント配線板の製造方法。 - 請求項1に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第1の加熱工程において、前記基板は130〜280℃の温度により加熱されるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1または2に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第1の加熱工程は、酸素濃度が1000ppm以下の雰囲気下で行われるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし3いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第1の加熱工程は、窒素濃度が78%以上の雰囲気下で行われるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし4いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第1の加熱工程は、減圧下で行われるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし5いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第1の加熱工程において、前記基板を加熱処理する時間は、30分以上300分以下であるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし6いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第2の加熱工程において、前記基板は130〜280℃の温度により加熱されるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし7いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第2の加熱工程は、酸素濃度が1000ppm以下の雰囲気下で行われるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし8いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第2の加熱工程は、窒素濃度が78%以上の雰囲気下で行われるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし9いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第2の加熱工程は、減圧下で行われるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし10いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記第2の加熱工程において、前記基板を加熱処理する時間は、30分以上300分以下であるプリント配線板の製造方法。 - 請求項1ないし11いずれか1項に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記無電解めっき層の層厚は、0.1μm以上2μm以下であるプリント配線板の製造方法。
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