JP2012164910A - 半導体集積回路、半導体チップ、及び半導体集積回路の設計手法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ラッチ回路31〜316のデータ入力端子とデータビットの供給元PDとの間に、クロック信号CLLの供給元PCD及びラッチ回路のクロック入力端子間のクロック信号経路中に含まれている論理素子の個数と同一数だけ当該論理素子を直列に接続してなる第1遅延部51,52と、クロック信号経路中の配線の配線長に対応した配線遅延時間と同一長の遅延時間を有する第2遅延部53と、を備える。
【選択図】図1
Description
4、20 遅延時間設定部
51〜516 遅延回路
53 可変遅延バッファ
C1、C2 コンデンサ
IV1、IV2 可変遅延インバータ
Claims (18)
- クロック信号に同期してデータビットを取り込むラッチ回路を含む半導体集積回路であって、
前記データビットの供給元及び前記ラッチ回路のデータ入力端子間に接続された遅延回路と、前記クロック信号の供給元から当該クロック信号を前記ラッチ回路のクロック入力端子に伝送するクロック信号経路と、を有し、
前記遅延回路は、前記クロック信号経路中に含まれている前記論理素子の個数と同一数だけ当該論理素子を直列に接続してなる第1遅延部と、
前記クロック信号経路中の配線の配線長に対応した配線遅延時間と同一長の遅延時間を有する第2遅延部と、を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第2遅延部は、コンデンサと、前記コンデンサの充放電を制御する充放電制御部とを備え、
前記充放電制御部は、前記コンデンサへの充放電時間に基づき、前記配線遅延時間に相当する遅延時間の設定を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記充放電制御部は、遅延制御電圧に基づき前記コンデンサに供給する電流量を制御することにより前記コンデンサへの充放電時間を制御することを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
- 前記充放電制御部は、ソース端子に電源電位が印加されておりそのゲート端子に印加された前記遅延制御電圧に応じた電流をドレイン端子を介して出力する第1FETと、
前記データビットが第1論理レベルである間はオフ状態となる一方、前記データビットが第2論理レベルである場合にはオン状態となって前記第1FETのドレイン端子及び前記出力ライン間を接続する第2FETと、
ソース端子に接地電位が印加されておりそのゲート端子に印加された前記遅延制御電圧に応じた電流を前記ソース端子を介して出力する第3FETと、
前記データビットが前記第2論理レベルである間はオフ状態となる一方、前記データビットが前記第1論理レベルである場合にはオン状態となって前記第3FETのドレイン端子及び前記出力ライン間を接続する第4FETと、からなることを特徴とする請求項3記載の半導体集積回路。 - 前記コンデンサは、互いに半導体チップの同一層に形成された対向する金属配線で構成され、前記接地電位を供給すべく半導体チップ上に形成されているグランド配線にその一端が接続され、他端が前記出力ラインに接続されていることを特徴とする請求項2、3又は4のいずれか1に記載の半導体集積回路。
- 前記クロック信号の供給元は半導体チップ上に形成された外部接続端子であるクロックパッドであり、前記データビットの供給元は半導体チップ上に形成された外部接続端子であるデータパッドであり、
前記グランド線は、前記クロックパッド及び前記データパッド各々に沿って配置されていることを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路。 - 前記クロックパッドは、半導体チップ上において前記データパッドの各々に挟まれた形態で配置されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路。
- 前記ラッチ回路の各々に接続されている前記遅延回路の前記第2遅延部は、前記ラッチ回路毎の前記クロック信号経路各々における配線長の中間の配線長に対応した配線遅延時間と同一長の遅延時間を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1に記載の半導体集積回路。
- クロック信号に同期してデータビットを取り込むラッチ回路を含む半導体チップであって、
チップ外周に沿って配置されるデータパッドと、
前記チップ外周に沿って配置されるクロックパッドと、
前記ラッチ回路と前記クロックパッド間を接続するクロック配線と、
前記ラッチ回路と前記データパッド間を接続するデータ配線と、
前記ラッチ回路と前記クロックパッド間に接続される第1波形整形素子と、
前記ラッチ回路と前記データパッド間に接続される第2波形整形素子と、
前記ラッチ回路と前記データパッド間に接続されており、コンデンサへの充放電電流量に対応した遅延量を有する遅延回路と、
前記コンデンサの一端へ接続されるグランド配線と、を備え、
前記グランド配線は、前記データパッドと前記遅延回路とが形成される間の領域に前記チップ外周の縁に沿う方向へ延在するように配置されることを特徴とする半導体チップ。 - 前記コンデンサは、互いに同一層に形成された配線間の容量であることを特徴とする請求項9に記載の半導体チップ。
- 前記コンデンサの電極は櫛歯状の形状を有することを特徴とする請求項10に記載の半導体チップ。
- クロック信号に同期してデータビットを取り込むラッチ回路を含む半導体集積回路の設計手法であって、
データパッド、クロックパッド、クロック配線、データ配線、第1波形整形素子、第2波形整形素子、ラッチ回路、及びコンデンサに供給する充放電電流量に対応した遅延量を有する遅延回路を配置するステップと、
前記クロック配線の長さに基づく遅延量に相当する前記コンデンサの容量及び/又は充放電電流量を決定するステップと、
前記コンデンサの容量及び/又は前記充放電電流量に基づき、定電流バイアス電圧の算出及び/又は前記コンデンサのレイアウト形状の算出を行なうステップと、
前記定電流バイアス電圧の算出及び/又は前記コンデンサのレイアウト形状の算出に基づき前記コンデンサ及び/又は前記定電流バイアス電圧を生成する回路を配置及び/又は修正するステップと、を備えることを特徴とする半導体集積回路の設計手法。 - 前記第1波形整形素子及び前記第2波形整形素子を配置するステップは、互いに同一構成の素子を配置するステップであることを特徴とする請求項12記載の半導体集積回路の設計手法。
- 前記遅延回路は、少なくとも1の前記コンデンサと、当該コンデンサ毎に設けられており前記充放電電流を制御する充放電制御部と、を含むことを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体集積回路の設計手法。
- 前記コンデンサの容量及び/又は前記充放電電流量を決定するステップは、前記充放電制御部の数と前記クロック配線の長さに基づく遅延量とに基づき、前記充放電制御部及び前記コンデンサによる1組あたりの遅延量を決定することを特徴とする請求項14に記載の半導体集積回路の設計手法。
- 前記充放電制御部の数K(K:正の整数)に対し、当該充放電制御部及び前記コンデンサによる1組分の遅延量は、前記クロック配線の長さに基づく遅延量の1/Kとなるように設定されることを特徴とする請求項15に記載の半導体集積回路の設計手法。
- 前記コンデンサの電極は櫛歯形状であり、櫛歯長の変更及び/又は櫛歯数の変更によって容量値の設定が為されることを特徴とする請求項12〜16のいずれか1に記載の半導体集積回路の設計手法。
- 複数個の前記データパッドが配置される場合には、複数の前記クロック配線の長さに基づく各遅延量の最大値と最小値との中間の遅延量を夫々のクロック配線の長さに基づく遅延量として前記定電流バイアス電圧の算出及び/又は前記コンデンサのレイアウト形状を算出することにより、前記定電流バイアス電圧を生成する回路及び/又は前記コンデンサを、配置及び/又は修正することを特徴とする請求項12〜17のいずれか1に記載の半導体集積回路の設計手法。
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US13/362,414 US8601427B2 (en) | 2011-02-09 | 2012-01-31 | Intergrated circuit having latch circuits and using delay to fetch data bits in synchronization with clock signals |
CN201210027062.2A CN102638250B (zh) | 2011-02-09 | 2012-02-08 | 半导体集成电路及其设计方法和半导体芯片 |
US14/068,066 US8907711B2 (en) | 2011-02-09 | 2013-10-31 | Integrated circuit having latch circuits and using delay circuits to fetch data bits in synchronization with clock signals |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017055041A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2019083348A (ja) * | 2019-03-04 | 2019-05-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9083325B2 (en) | 2013-06-14 | 2015-07-14 | Qualcomm Incorporated | Low overhead hold-violation fixing solution using metal-programable cells |
KR102087437B1 (ko) * | 2013-06-17 | 2020-03-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수신장치를 포함하는 반도체시스템 |
US9246481B2 (en) * | 2014-01-23 | 2016-01-26 | Nvidia Corporation | System and method for a dynamic voltage controlled oscillator |
US9977078B2 (en) * | 2014-07-23 | 2018-05-22 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for wafer-level loopback test |
US9495285B2 (en) | 2014-09-16 | 2016-11-15 | Integrated Device Technology, Inc. | Initiating operation of a timing device using a read only memory (ROM) or a one time programmable non volatile memory (OTP NVM) |
US9553570B1 (en) | 2014-12-10 | 2017-01-24 | Integrated Device Technology, Inc. | Crystal-less jitter attenuator |
US10102327B2 (en) * | 2014-12-31 | 2018-10-16 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated circuit layout wiring for multi-core chips |
US9954516B1 (en) | 2015-08-19 | 2018-04-24 | Integrated Device Technology, Inc. | Timing device having multi-purpose pin with proactive function |
US9590637B1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-07 | Integrated Device Technology, Inc. | High-speed programmable frequency divider with 50% output duty cycle |
US9847869B1 (en) | 2015-10-23 | 2017-12-19 | Integrated Device Technology, Inc. | Frequency synthesizer with microcode control |
US9614508B1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-04-04 | Integrated Device Technology, Inc. | System and method for deskewing output clock signals |
US10075284B1 (en) | 2016-01-21 | 2018-09-11 | Integrated Device Technology, Inc. | Pulse width modulation (PWM) to align clocks across multiple separated cards within a communication system |
US9852039B1 (en) | 2016-02-03 | 2017-12-26 | Integrated Device Technology, Inc | Phase locked loop (PLL) timing device evaluation system and method for evaluating PLL timing devices |
US9859901B1 (en) | 2016-03-08 | 2018-01-02 | Integrated Device Technology, Inc. | Buffer with programmable input/output phase relationship |
US9553602B1 (en) | 2016-03-21 | 2017-01-24 | Integrated Device Technology, Inc. | Methods and systems for analog-to-digital conversion (ADC) using an ultra small capacitor array with full range and sub-range modes |
US9692394B1 (en) | 2016-03-25 | 2017-06-27 | Integrated Device Technology, Inc. | Programmable low power high-speed current steering logic (LPHCSL) driver and method of use |
US9698787B1 (en) | 2016-03-28 | 2017-07-04 | Integrated Device Technology, Inc. | Integrated low voltage differential signaling (LVDS) and high-speed current steering logic (HCSL) circuit and method of use |
US9581973B1 (en) | 2016-03-29 | 2017-02-28 | Integrated Device Technology, Inc. | Dual mode clock using a common resonator and associated method of use |
US9954541B1 (en) | 2016-03-29 | 2018-04-24 | Integrated Device Technology, Inc. | Bulk acoustic wave resonator based fractional frequency synthesizer and method of use |
KR102434991B1 (ko) | 2016-04-26 | 2022-08-22 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 및 집적 회로의 설계 방법 |
US9654121B1 (en) | 2016-06-01 | 2017-05-16 | Integrated Device Technology, Inc. | Calibration method and apparatus for phase locked loop circuit |
US9935762B2 (en) * | 2016-07-19 | 2018-04-03 | Qualcomm Incorporated | Apparatus and method for centering clock signal in cumulative data eye of parallel data in clock forwarded links |
KR102385549B1 (ko) * | 2017-08-16 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
IL254452B (en) * | 2017-09-12 | 2019-12-31 | Senstation Tech Ltd | A method and system for target detection by a passive radar system that utilizes sources of multi-channel quality according to provider |
US11226649B2 (en) * | 2018-01-11 | 2022-01-18 | Nxp B.V. | Clock delay circuit |
CN109257040B (zh) * | 2018-02-27 | 2020-12-29 | 上海安路信息科技有限公司 | 一种延迟缓冲电路及非对称时钟网络 |
US10770122B2 (en) * | 2018-07-31 | 2020-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory input hold time adjustment |
CN111105826A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-05-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 数据接口电路及存储装置 |
CN109460101B (zh) * | 2018-11-07 | 2020-10-27 | 电子科技大学 | 一种用于dc-dc变换器动态输出电压边界的控制电路 |
JP7393079B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-12-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
US11283437B2 (en) * | 2019-12-17 | 2022-03-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Measuring pin-to-pin delays between clock routes |
US10944385B1 (en) | 2020-01-17 | 2021-03-09 | Qualcomm Incorporated | Delay circuit that accurately maintains input duty cycle |
KR20220001578A (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 삼성전자주식회사 | 대칭적인 구조를 갖는 클럭 변환 회로 |
CN113111622B (zh) * | 2021-04-29 | 2023-01-31 | 上海阵量智能科技有限公司 | 一种电路布图生成方法、装置、计算机设备及存储介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0365748A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Toshiba Corp | 集積回路のインターフェイス回路 |
JPH04120771A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Seiko Epson Corp | マスタースライス方式集積回路装置用遅延セル |
JPH0766293A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Kawasaki Steel Corp | 半導体集積回路 |
JPH11261408A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-09-24 | Fujitsu Ltd | 位相インターポレータ、タイミング信号発生回路、および、該タイミング信号発生回路が適用される半導体集積回路装置並びに半導体集積回路システム |
JP2000322885A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JP2002313937A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sony Corp | 集積回路装置 |
JP2006165099A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Canon Inc | Asic及び画像形成装置 |
JP2006278785A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 遅延調整方法、および配線遅延調整セルライブラリ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5396129A (en) * | 1992-05-25 | 1995-03-07 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit apparatus comprising clock signal line formed in a ring shape |
JP2869762B2 (ja) | 1993-08-30 | 1999-03-10 | 立山アルミ外装株式会社 | 門柱回転式門扉 |
JPH0955667A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | マルチプレクサ,及びデマルチプレクサ |
US6247138B1 (en) * | 1997-06-12 | 2001-06-12 | Fujitsu Limited | Timing signal generating circuit, semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit system to which the timing signal generating circuit is applied, and signal transmission system |
US6111446A (en) * | 1998-03-20 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit data latch driver circuit |
US6282210B1 (en) * | 1998-08-12 | 2001-08-28 | Staktek Group L.P. | Clock driver with instantaneously selectable phase and method for use in data communication systems |
JP2000163961A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体集積回路装置 |
JP2000286696A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 分周回路 |
JP4190662B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2008-12-03 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置及びタイミング制御回路 |
US6774693B2 (en) * | 2000-01-18 | 2004-08-10 | Pmc-Sierra, Inc. | Digital delay line with synchronous control |
KR100335503B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2002-05-08 | 윤종용 | 서로 다른 지연 특성을 동일하게 하는 신호 전달 회로,신호 전달 방법 및 이를 구비하는 반도체 장치의 데이터래치 회로 |
US6650575B1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-11-18 | Netlogic Microsystems, Inc. | Programmable delay circuit within a content addressable memory |
GB2419437B (en) * | 2002-02-15 | 2006-08-16 | Multigig Ltd | Rotary clock logic |
US6943610B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-09-13 | Intel Corporation | Clock distribution network using feedback for skew compensation and jitter filtering |
KR100549003B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 넓은 튜닝 범위를 갖는 멤스 튜너블 커패시터 및 그것을제조하는 방법 |
US7298173B1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-11-20 | Marvell International Ltd. | Slew rate control circuit for small computer system interface (SCSI) differential driver |
US7332916B2 (en) * | 2005-03-03 | 2008-02-19 | Semiconductor Technology Academic Research Center | On-chip signal waveform measurement apparatus for measuring signal waveforms at detection points on IC chip |
JP4602909B2 (ja) | 2006-01-10 | 2010-12-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路のクロックツリー形成方法およびプログラム。 |
WO2008032701A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Nec Corporation | Clock adjusting circuit and semiconductor integrated circuit device |
US7593273B2 (en) * | 2006-11-06 | 2009-09-22 | Altera Corporation | Read-leveling implementations for DDR3 applications on an FPGA |
JP4357577B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2009-11-04 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
CN100541385C (zh) * | 2007-12-28 | 2009-09-16 | 北京航空航天大学 | 数字电视调制器芯片中同步分频时钟的产生装置及其方法 |
US8189723B2 (en) * | 2008-08-15 | 2012-05-29 | International Business Machines Corporation | Method, circuit, and design structure for capturing data across a pseudo-synchronous interface |
-
2011
- 2011-02-09 JP JP2011025807A patent/JP5743063B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-31 US US13/362,414 patent/US8601427B2/en active Active
- 2012-02-08 CN CN201210027062.2A patent/CN102638250B/zh active Active
-
2013
- 2013-10-31 US US14/068,066 patent/US8907711B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0365748A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Toshiba Corp | 集積回路のインターフェイス回路 |
JPH04120771A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Seiko Epson Corp | マスタースライス方式集積回路装置用遅延セル |
JPH0766293A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Kawasaki Steel Corp | 半導体集積回路 |
JPH11261408A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-09-24 | Fujitsu Ltd | 位相インターポレータ、タイミング信号発生回路、および、該タイミング信号発生回路が適用される半導体集積回路装置並びに半導体集積回路システム |
JP2000322885A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JP2002313937A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Sony Corp | 集積回路装置 |
JP2006165099A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Canon Inc | Asic及び画像形成装置 |
JP2006278785A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 遅延調整方法、および配線遅延調整セルライブラリ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017055041A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US10566329B2 (en) | 2015-09-11 | 2020-02-18 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having data signal path of meandering shape via a plurality of wirings |
JP2019083348A (ja) * | 2019-03-04 | 2019-05-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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