JP2012164400A - 半導体記憶装置及びその高電圧制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置は、ワードライン及びビットラインが接続されマトリクス状に配置された複数のメモリセル21と、ワードラインを駆動する複数のワードラインドライバ23a及び23b、電源電圧を昇圧して高電圧を生成するチャージポンプ11と、複数のメモリセル21のうちアクセスに関係のある箇所には高電圧が印加され、アクセスに関係のない箇所には電源電圧が印加されるように制御するX方向高電圧制御回路31及びY方向高電圧制御回路32とを備える。
【選択図】図1
Description
21…メモリセル
22…X方向デコーダ
23a、23b…ワードラインドライバ(ワードライン駆動部)
24…Y方向デコーダ
25…カラムラッチ(コントロールライン駆動部)
26…ページバッファ(ビットライン駆動部)
30…高電圧制御部
31…X方向高電圧制御回路(第1の高電圧制御部)
32…Y方向高電圧制御回路(第2の高電圧制御部)
Claims (5)
- ワードライン及びビットラインが接続されマトリクス状に配置された複数のメモリセルと、
ワードラインを駆動する複数のワードライン駆動部と、
電源電圧を昇圧して高電圧を生成する高電圧生成部と、
前記複数のメモリセルのうちアクセスに関係のある箇所には高電圧が印加され、アクセスに関係のない箇所には電源電圧が印加されるように制御する高電圧制御部と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 消去中及び書き込み中に高電圧でワードラインを駆動する複数のワードライン駆動部と、
消去中に高電圧でコントロールラインを駆動するコントロールライン駆動部と、
書き込み中に高電圧でビットラインを駆動するビットライン駆動部とを備え、
前記高電圧制御部は、前記複数のワードライン駆動部に印加する電圧を制御する第1の高電圧制御部と、前記コントロールライン駆動部及び前記ビットライン駆動部に印加する電圧を制御する第2の高電圧制御部とを備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の高電圧制御部は、前記複数のワードライン駆動部のうちアクセスに関係のあるワードライン駆動部には消去中及び書き込み中に高電圧が印加されるように制御し、アクセスに関係のないワードライン駆動部には電源電圧が印加されるように制御し、
前記第2の高電圧制御部は、前記コントロールライン駆動部には消去中は高電圧が印加されるとともに書き込み中は電源電圧が印加されるように制御し、前記ビットライン駆動部には消去中は電源電圧が印加されるとともに書き込み中は高電圧が印加されるように制御する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記ワードライン駆動部の分割数は2又は4である
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体記憶装置。 - 電源電圧を昇圧して高電圧を生成する高電圧生成ステップと、
ワードライン及びビットラインが接続されマトリクス状に配置された複数のメモリセルのうちアクセスに関係のある箇所には高電圧が印加され、アクセスに関係のない箇所には電源電圧が印加されるように制御する高電圧制御ステップと、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置の高電圧制御方法。
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