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  1. 査線と、
    前記走査線と交差する領域において、第1の電極として機能することができる領域を有する信号線と、
    記第1の電極に対向するように配置された第2の電極と、
    前記第1の電極に対向するように配置された第3の電極と、
    記第2の電極と電気的に接続された第1の画素電極と、
    前記第3の電極と電気的に接続された第2の画素電極と、
    前記第1の電極記第2の電極、及び前記第3の電極電気的に接続され、且つ前記走査線と重なる領域を有する半導体膜と、を有し、
    前記第1の電極として機能することができる前記領域は、前記走査線が延在する方向に突出して配置されており、
    前記走査線は、開口部を有する領域を有し
    前記第1の電極は、前記開口部と重領域を有することを特徴とする表示装置。
  2. 請求項において、
    前記走査線と前記半導体膜との間にゲート絶縁膜を有し、
    前記走査線、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、前記第1の電極、及び前記第2の電極により第1の薄膜トランジスタ構成され
    前記走査線、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、前記第1の電極、及び前記第3の電極により第2の薄膜トランジスタ構成されることを特徴とする表示装置。
  3. 査線と、
    前記走査線と交差する領域において、第1の電極として機能することができる領域を有する信号線と、
    記第1の電極に対向するように配置された第2の電極と、
    前記第1の電極に対向するように配置された第3の電極と、
    前記第2の電極と電気的に接続された第1の画素電極と、
    前記第3の電極と電気的に接続された第2の画素電極と、
    前記第1の電極及び前記第2の電極と電気的に接続され、且つ前記走査線と重なる領域を有する第1の半導体膜と、
    前記第1の電極及び前記第3の電極と電気的に接続され、且つ前記走査線と重なる領域を有する第2の半導体膜と、を有し、
    前記走査線は、開口部を有する領域を有し
    前記第1の電極は、前記開口部と重領域を有することを特徴とする表示装置。
  4. 請求項において、
    前記走査線と前記第1の半導体膜との間、及び、前記走査線と前記第2の半導体膜との間に、ゲート絶縁膜を有し、
    前記走査線、前記ゲート絶縁膜、前記第1の半導体膜、前記第1の電極、及び前記第2の電極により第1の薄膜トランジスタ構成され
    前記走査線、前記ゲート絶縁膜、前記第2の半導体膜、前記第1の電極、及び前記第3の電極により第2の薄膜トランジスタ構成されることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項において、
    前記表示装置を上方からみたとき、前記第1の電極は、前記第2の電極前記第3の電極の間に配置されていることを特徴とする表示装置。
  6. 請求項1乃至4のいずれか一項において、
    前記表示装置を上方からみたとき、前記第2の電極及び前記第3の電極は、前記第1の電極の一方の辺側に配置されていることを特徴とする表示装置。
  7. 請求項1乃至のいずれか一項において、
    前記走査線は、前記開口部を有する前記領域において、前記開口部を介して対向する第1の部分と第2の部分とを有し、
    前記走査線は、前記第1の部分において第1の幅と、前記第2の部分において第2の幅と、前記領域とは異なる領域において第3の幅と、を有し、
    前記第1の幅と前記第2の幅の合計は、前記第3の幅以上であることを特徴とする表示装置。
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