JP2012144738A - 組成物 - Google Patents
組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012144738A JP2012144738A JP2012085485A JP2012085485A JP2012144738A JP 2012144738 A JP2012144738 A JP 2012144738A JP 2012085485 A JP2012085485 A JP 2012085485A JP 2012085485 A JP2012085485 A JP 2012085485A JP 2012144738 A JP2012144738 A JP 2012144738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cyclic
- branched
- monounsaturated
- polyunsaturated
- saturated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/045—Silicon oxycarbide, oxynitride or oxycarbonitride glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
【解決手段】式SivOwCxHyFz(ここで、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。
【選択図】図1
Description
(a)真空チャンバ内に基体を用意すること;(b)オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つのケイ素系前駆体、並びに少なくとも1つのケイ素系前駆体と区別し得るポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入すること;(c)真空チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させること、ここでその予備的な膜はポロゲンを含み、そして予備的な膜は酸化体を添加しないで堆積される;並びに、(d)細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、予備的な膜から実質的にすべてのポロゲンを除去すること。
(a)真空チャンバ内に基体を用意すること;(b)オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つのケイ素系前駆体を含むガス状試薬を真空チャンバに導入すること、そこで少なくとも1つのケイ素系前駆体はそれに結合したポロゲンを含む;(c)真空チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させること、ここでその予備的な膜は少なくとも1つのポロゲン、及びケイ素原子に結合された第1の量のメチル基を含む;並びに、(d)細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、予備的な膜から実質的にすべてのポロゲンを除去すること、そしてここで多孔質膜はケイ素原子に結合された第2の量のメチル基を含み、そしてその第2の量は第1の量の50%よりも多い。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは、1〜3でありうる。
例:ジエトキシメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,3−ジメチル−1,3−ジエトキシジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,2−ジメチル−1,1,2,2,−テトラエトキシジシラン
ここで、R1は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;並びにnは1〜3である。
例:ジメチルジアセトキシシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR4は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,3−ジメチル−1,3−ジアセトキシシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR4は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,2−ジメチル−1,1,2,2,−テトラアセトキシジシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,3−ジメチル−1−アセトキシ−3−エトキシジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,2−ジメチル−1−アセトキシ−2−エトキシジシラン
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは1〜3でありうる。
例:メチルアセトキシ−t−ブトキシシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;mは1〜3;pは1〜3;並びにqは1〜3でありうる。
例:1,3−ジメチル−1,3−ジアセトキシ−1,3−ジエトキシジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;mは1〜3;pは1〜3;並びにqは1〜3でありうる。
例:1,2−ジメチル−1,2−ジアセトキシ−1,2−ジエトキシジシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数でありうる。
例:1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン
例:TEOS、トリエトキシシラン、ジ−t−ブトキシシラン、シラン、ジシラン、ジ−t−ブトキシジアセトキシシラン等
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3である。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3)である。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3)である。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3)である。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4)である。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦4)である。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数である。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数である。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数である。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3でありうる。
例:ジエトキシ−ネオ−ヘキシルシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,3−ジエトキシ−1−ネオ−ヘキシルジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,2−ジエトキシ−1−ネオ−ヘキシルジシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;2つのSi原子の架橋;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,4−ビス(ジメトキシシリル)シクロへキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,2−ジエトキシ−1−ネオ−ヘキシルジシラン
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにnは1〜3でありうる。
例:ジアセトキ−ネオ−ヘキシルシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR4は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,3−ジアセトキシ−1−ネオ−ヘキシルジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR4は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1,2−ジアセトキシ−1−ネオ−ヘキシルジシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1−アセトキシ−3,3−ジ−t−ブトキシ−1−ネオヘキシルジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2は独立に、水素又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R4は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにmは1〜3でありうる。
例:1−アセトキシ−2,2−ジ−t−ブトキシ−1−ネオヘキシルジシラン
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは1〜3でありうる。
例:アセトキシ−t−ブトキシ−ネオ−ヘキシルシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;mは1〜3;pは1〜3;並びにqは1〜3でありうる。
例:1,3−ジアセトキシ−1,3−ジ−t−ブトキシ−1−ネオへキシルジシロキサン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;mは1〜3;pは1〜3;並びにqは1〜3でありうる。
例:1,2−ジアセトキシ−1,2−ジ−t−1−ブトキシ−1−ネオへキシルジシラン
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数である;
例:1−ネオへキシル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3であり;ただし、R1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3;ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3;ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2、R4、R5、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3;ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1、R3及びR7の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4;ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3;ただし、n+p≦であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数であり;かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数であり;かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、nは4〜14、環構造の炭素数は4〜10であり、そして環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を含んでいてもよい。例は、シクロへキサン、トリメチルシクロヘキサン、1−メチル−4(1−メチルエチル)シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタン等を含む。
ここで、nは2〜20及びy=0−nである。例は、エチレン、プロピレン、アセチレン、ネオへキサン等を含む。
ここで、xは分子の不飽和部位の数、nは4〜14、環構造の炭素数は4〜10であり、単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素は、環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよい。不飽和は環内に位置していても、又は環構造に置換している炭化水素置換基の1つに位置していてもよい。例は、シクロへキセン、ビニルシクロへキセン、ジメチルシクロへキセン、t−ブチルシクロへキセン、α−テルピネン、ピネン、1,5−ジメチル−1,5−シクロオクタジエン等を含む。
ここで、nは4〜14、2環構造の炭素数は4〜12であり、2環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい。例は、ノルボルナン、スピロノナン、デカヒドロナフタレン等を含む。
ここで、xは分子の不飽和部位の数、nは4〜14、2環構造の炭素数は4〜12であり、2環構造に置換された多くの単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよい。不飽和は、環内に位置していても、又は環構造への炭化水素置換基の1つに位置していてもよい。例は、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエン等を含む。
ここで、nは4〜14、3環構造の炭素数は4〜12であり、3環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい。例はアダマンタンを含む。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3であり;ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3;ただし、n+m≧1、n+p≦3m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3;ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2、R4、R5、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3;ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1、R3及びR7の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4;ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3;ただし、n+p≦であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数であり;かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている;又は、
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;並びにxは2〜8の整数であり;かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている。
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3である;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3)である;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3)である;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3)である;
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4)である;
ここで、R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦4)である;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数である;
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数である;又は
ここで、R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数である。
ここで、nは4〜14、環構造の炭素数は4〜10であり、そして少なくとも1つの環状炭化水素は環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい;
ここで、nは2〜20及びy=0−nである;
ここで、xは不飽和部位の数、nは4〜14、環構造の炭素数は4〜10であり、そして少なくとも1つの単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素は、環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、さらに環内不飽和若しくはその炭化水素置換基の1つに不飽和を有していてもよい;
ここで、nは4〜14、2環構造の炭素数は4〜12であり、そして少なくとも1つの2環状炭化水素は、2環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい;
ここで、xは不飽和部位の数、nは4〜14、2環構造の炭素数は4〜12であり、そして少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素は、2環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、さらに環内不飽和若しくはその炭化水素置換基の1つに不飽和を有していてもよい;並びに、
ここで、nは4〜14、3環構造の炭素数は4〜12であり、そして少なくとも1つの3環状炭化水素は、3環構造に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい。
すべての実験は、非ドープTEOSプロセスキットを用いて、Advance Energy 2000高周波発生器を固定した200mmDxZチャンバ内でApplied Materials Precision−5000システムにより実施された。その処方は次の基礎段階を含んでいた:ガス流、堆積及びウェハ除去に先行するチャンバのパージ/真空排気についての初期セットアップ及び安定化。膜は管炉内において、425℃で4時間、N2下にアニール処理された。
α−テルピネン(ATP)が、酸化体のない環境でPECVDによりシリコンウェハ上にジエトキシメチルシラン(DEMS)とともに共堆積された。プロセス条件はジエトキシメチルシラン(DEMS)中の39.4vol%α−テルピネン(ATP)混合物の流れが700mg/分(mgm)であった。500sccmのCO2のキャリアガス流が、これらの化学物質を堆積チャンバに随伴するのに用いられた。さらなるプロセス条件は次のとおりであった:チャンバ圧力5Torr;ウェハチャック温度150℃;シャワーヘッド−ウェハ間隔0.26インチ(約0.6cm);及びプラズマ出力300W、180秒。
α−テルピネン(ATP)が、酸化体のない雰囲気でPE−CVDにより、シリコンウェハ上にジエトキシメチルシラン(DEMS)とともに共堆積された。プロセス条件は、ジエトキシメチルシラン(DEMS)中の70vol%α−テルピネン(ATP)混合物の流れが1300mg/分(mgm)であった。500sccmのCO2のキャリアガス流が、これらの化学物質を堆積チャンバに随伴するのに用いられた。さらなるプロセス条件は次のとおりであった:チャンバ圧力8Torr;ウェハチャック温度200℃;シャワーヘッド−ウェハ間隔0.30インチ(約0.8cm);及びプラズマ出力600W、120秒。
膜は、アニール処理が400℃の還元温度で実施された以外は実質的に例1Aに従って製造され、そしてアニール処理された。得られた膜の赤外スペクトルが、波数に対して図2に示されている。ポロゲン及びα−テルピネン(ATP)の赤外スペクトルが、比較のために図3に示されている。
膜が、ポロゲンを使用しなかったこと以外は実質的に例1Aに従って製造され、そしてアニール処理された。膜は誘電率2.8であり、例1Aのアニール処理された膜と実質的に同一の組成を有していた(表1及び2参照)。
膜は、プラズマ出力が400Wであったこと以外は実質的に例1Dに従って製造され、そしてアニール処理された。膜は誘電率2.8であり、例1Aのアニール処理された膜と実質的に同一の組成を有していた(表1及び2参照)。
膜は、プロセス条件がジ−t−ブトキシメチルシラン(DtBOMS)中の75vol%α−テルピネン(ATP)混合物の流れが1000mg/分(mgm)であったこと以外は実質的に例1Aに従って製造され、そしてアニール処理された。500sccmのCO2のキャリアガス流が、これらの化学物質を堆積チャンバに随伴するのに用いられた。さらなるプロセス条件は次のとおりであった:チャンバ圧力7Torr;ウェハチャック温度215℃;シャワーヘッド−ウェハ間隔0.30インチ(約0.8cm);及びプラズマ出力400W、240秒。
α−テルピネン(ATP)が、酸化体のない雰囲気でのPE−CVDにより、シリコンウェハ上にジ−t−ブトキシメチルシラン(DtBOMS)とともに共堆積された。プロセス条件はジ−t−ブトキシメチルシラン(DtBOMS)中の75vol%α−テルピネン(ATP)混合物の流れが700mg/分(mgm)であった。500sccmのCO2のキャリアガス流が、これらの化学物質を堆積チャンバに随伴するのに用いられた。さらなるプロセス条件は次のとおりであった:チャンバ圧力9Torr;ウェハチャック温度275℃;シャワーヘッド−ウェハ間隔0.30インチ(約0.8cm);及びプラズマ出力600W、240秒。
2.6未満の誘電率(k)を有する低k膜を製造するために検討された第2の経路では、分子構造の一部として熱的に反応活性な有機官能基を含む単一源オルガノシラン前駆体を使用した。シリカ前駆体に熱的に反応活性な基を結合することの潜在的な利点は、熱的に反応活性な基の膜への改良された導入である。この経路を検討するために、ネオ−へキシル−テトラメチルシクロテトラシロキサン(ネオ−へキシル−TMCTS)が合成された。ここでは、ネオ−へキシル基は、テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)の骨組にグラフトされていた。この試験に使用されたプロセスは、ネオ−へキシル−テトラメチルシクロテトラシロキサンの500mg/分(mgm)流及び500sccmのCO2のキャリアガス流;チャンバ圧力6Torr;ウェハチャック温度150℃;シャワーヘッド−ウェハ間隔0.32インチ(約0.8cm);及びプラズマ出力300W、90秒であった。
2.6未満の誘電率(k)を有する低k膜を製造するために検討された第3の経路では、有機ケイ素前駆体をそれに結合される熱的に反応活性な大きな基と物理的に混合することであった。シリカ前駆体に熱的に反応活性な基を結合することの潜在的な利点は、熱的に反応活性な基の膜への改良された導入である。この経路を検討するために、フルフロキシジメチルシランが、次の条件でテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)とともに共堆積された:テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)中の11%フルフロキシジメチルシラン混合物の1000mg/分(mgm)流及び500sccmのヘリウム(He)のキャリアガス流;チャンバ圧力6Torr;ウェハチャック温度150℃;シャワーヘッド−ウェハ間隔0.26インチ(約0.6cm);及びプラズマ出力300W及び40秒。
Claims (67)
- 式SivOwCxHyFz(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造するための化学蒸着方法であって、下記の工程を含む、化学蒸着方法:
前記真空チャンバ内に基体を用意すること;
オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つの前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を、前記真空チャンバに導入すること;
真空チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させること、ここでその予備的な膜はポロゲンを含み、かつ予備的な膜はポロゲンが少なくとも1つの前駆体と区別しうるときには、酸化体を添加しないで堆積される);並びに、
予備的な膜から実質的にすべてのポロゲンを除去して、誘電率が2.6未満の多孔質膜を得ること。 - 誘電率が1.9未満である、請求項1記載の方法。
- vが20〜30原子%、wが20〜45原子%、xが5〜20原子%、yが15〜40原子%、及びzが0である、請求項1記載の方法。
- zが0.5〜7原子%であり、少なくとも1つのフッ素化剤が、SiF4、NF3、F2、COF2、CO2F2、及びHFからなる群より選ばれて、多孔質膜にFを導入するのに用いられ、多孔質膜における実質的にすべてのFはSi−F基のSiに結合されている、請求項1記載の方法。
- 多孔質膜における大部分の水素が、炭素に結合されている、請求項1記載の方法。
- 多孔質膜が1.5g/mL未満の密度を有する、請求項1記載の方法。
- 細孔が5nm以下の球体相当径を有する、請求項1記載の方法。
- 多孔質膜のフーリエ変換赤外(FTIR)スペクトルが、ポロゲンがないこと以外は実質的に同一の方法により調製された対照膜の対照FTIRと実質的に同一である、請求項1記載の方法。
- 多孔質膜が、対照膜の対照誘電率よりも少なくとも0.3小さい誘電率を有する、請求項8記載の方法。
- 多孔質膜が、対照膜の対照密度よりも少なくとも10%小さい密度を有する、請求項8記載の方法。
- 多孔質膜が、N2中で425℃の等温下に1.0wt%/時間よりも小さい平均減量を有する、請求項8記載の方法。
- 多孔質膜が、空気中で425℃の等温下に1.0wt%/時間よりも小さい平均減量を有する、請求項8記載の方法。
- ポロゲンが、少なくとも1つの前駆体と区別しうる、請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つの前駆体が次式により表される、請求項13記載の方法:
(a)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3);
(b)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(c)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(d)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(e)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4));
(f)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦4));
(g)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数);
(h)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数);又は
(i)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数)。 - 少なくとも1つの前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジイソプロポキシキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン及びテトラエトキシシランからなる群より選ばれる、請求項13記載の方法。
- 前記少なくとも1つの前駆体が、2以下のSi−O結合を持つ第1の有機ケイ素前駆体と、3以上のSi−O結合を持つ第2の有機ケイ素前駆体との混合物であり、かつその混合物は多孔質膜の化学組成を適合させるように供給される、請求項1記載の方法。
- ポロゲンが次からなる群より選ばれる、請求項1記載の方法:
(a)環構造及び式CnH2nを有する少なくとも1つの環状炭化水素
(nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10であり、かつこの少なくとも1つの環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい);
(b)一般式CnH(2n+2)−2yの少なくとも1つの直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の炭化水素
(nは2〜20及びy=0〜n);
(c)環構造及び式CnH2n−2xを有する少なくとも1つの、単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10、かつこの少なくとも1つの単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい);
(d)2環構造及び式CnH2n−2を有する少なくとも1つの2環状炭化水素
(nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい);
(e)2環構造及び式CnH2n−(2+2x)を有する少なくとも1つの複不飽和の2環炭化水素
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい);並びに、
(f)3環構造及び式CnH2n−4を有する少なくとも1つの3環状炭化水素
(nは4〜14、3環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの3環状炭化水素は、3環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい)。 - ポロゲンが、アルファ−テルピネン、リモネン、シクロへキサン、1,2,4−トリメチルシクロへキサン、1,5−ジメチル−1,5−シクロオクタジエン、カンフェン、アダマンタン、1,3−ブタジエン、置換ジエン及びデカヒドロナフタレンからなる群より選ばれる少なくとも1つである、請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つの前駆体が、それに結合された少なくとも1つのポロゲンを含む、請求項1記載の方法。
- ガス状試薬が、オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つの、ポロゲンを含まない前駆体をさらに含む、請求項19記載の方法。
- 除去段階が、ポロゲンが予め結合されていたSiに、メチル基を結合させたままで残す、請求項19記載の方法。
- 少なくとも1つの前駆体が次式で表わされる、請求項19記載の方法:
(a)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(b)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(c)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(d)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1、R3及びR7の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(e式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(f)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(g)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(h)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));又は、
(i)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 少なくとも1つの前駆体が、1−ネオへキシル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1−ネオペンチル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、ネオペンチルジエトキシシラン、ネオヘキシルジエトキシシラン、ネオヘキシルトリエトキシシラン、ネオペンチルトリエトキシシラン及びネオペンチル−ジ−t−ブトキシシランからなる群より選ばれる、請求項19記載の方法。
- 請求項1記載の方法により製造される多孔質有機シリカガラス膜であって、式SivOwCxHyFz(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる材料の単一相からなり、誘電率が2.6未満である、多孔質有機シリカガラス膜。
- vが20〜30原子%、wが20〜45原子%、xが5〜25原子%、yが15〜40原子%、及びzが0である、請求項24記載の膜。
- zが0.5〜7原子%であり、かつ多孔質膜における実質的にすべてのFが、Si−F基のSiに結合されている、請求項24記載の膜。
- 大部分の水素が炭素に結合されている、請求項24記載の膜。
- ネオへキシル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン。
- トリメチルシリルエチル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン。
- ポロゲンで置換された1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンを含む組成物。
- 下記の成分を含有している組成物:
(A)次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体:
(1)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(2)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(3)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(4)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1、R3及びR7の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(5)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(6)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(7)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(8)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている);又は、
(9)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている);又は、
(B)(1)次式からなる群より選ばれる少なくとも1つの前駆体:
(a)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3);
(b)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(c)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(d)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(e)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4));
(f)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦4));
(g)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい);
(h)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい);又は
(i)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい);並びに、
(B)(2)少なくとも1つの前駆体と区別し得るポロゲンであり、前記ポロゲンは少なくとも次の1つである:
(a)環構造及び式CnH2nを有する少なくとも1つの環状炭化水素
(nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10であり、かつこの少なくとも1つの環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい);
(b)一般式CnH(2n+2)−2yの少なくとも1つの直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の炭化水素
(nは2〜20及びy=0〜n);
(c)環構造及び式CnH2n−2xを有する少なくとも1つの、単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10、かつこの少なくとも1つの単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい);
(d)2環構造及び式CnH2n−2を有する少なくとも1つの2環状炭化水素
(nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい);
(e)2環構造及び式CnH2n−(2+2x)を有する少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい);並びに、
(f)3環構造及び式CnH2n−4を有する少なくとも1つの3環状炭化水素
(nは4〜14、3環構造内の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの3環状炭化水素は、3環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい)。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む組成物:
(a)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(b)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(c)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている);
(d)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1、R3及びR7の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(e)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(f)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(g)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));
(h)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つはポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている));又は、
(i)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている)。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2、R4、R5、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3、m+q≦3であり、かつR1、R3及びR7の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;R2及びR3は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦であり、かつR1の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 次式で表わされる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、請求項32記載の組成物:
式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数(ただし、R1及びR3の少なくとも1つは、ポロゲンとしてのC3以上の炭化水素で置換されている))。 - 少なくとも1つの前駆体及びその前駆体と区別し得るポロゲンを含む組成物であって、この前駆体が次の式からなる群より選ばれる、組成物:
(a)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3);
(b)R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(c)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(d)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−q
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3));
(e)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4));
(f)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−t
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦4));
(g)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C12の炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい);
(h)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい);又は
(i)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい)。 - ポロゲンが、環構造及び式CnH2nを有する少なくとも1つの環状炭化水素を含む、請求項42記載の組成物:
(nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10であり、かつこの少なくとも1つの環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい)。 - ポロゲンが、一般式CnH(2n+2)−2yの少なくとも1つの直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、炭化水素を含む、請求項42記載の組成物:
(n=2〜20、かつy=0〜n)。 - ポロゲンが、環構造及び式CnH2n−2xを有する少なくとも1つの、単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素を含む、請求項42記載の組成物:
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10、かつこの少なくとも1つの単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい)。 - ポロゲンが、2環構造及び式CnH2n−2を有する少なくとも1つの2環状炭化水素を含む、請求項42記載の組成物:
(nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい)。 - ポロゲンが、2環構造及び式CnH2n−(2+2x)を有する少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素を含む、請求項42記載の組成物:
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい)。 - ポロゲンが、3環構造及び式CnH2n−4を有する少なくとも1つの3環状炭化水素を含む、請求項42記載の組成物:
(nは4〜14、3環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの3環状炭化水素は、3環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい)。 - 少なくとも1つの前駆体及びその前駆体と区別し得るポロゲンを含む組成物であって、ポロゲンが次の少なくとも1つである、組成物:
(a)環構造及び式CnH2nを有する少なくとも1つの環状炭化水素
(nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10、かつこの少なくとも1つの環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい);
(b)一般式CnH(2n+2)−2yの少なくとも1つの直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の炭化水素:
(nは2〜20及びy=0〜n);
(c)環構造及び式CnH2n−2xを有する少なくとも1つの、単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素:
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、環構造中の炭素数は4〜10、かつこの少なくとも1つの単不飽和若しくは複不飽和の環状炭化水素は、環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい);
(d)2環構造及び式CnH2n−2を有する少なくとも1つの2環状炭化水素:
(nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい);
(e)2環構造及び式CnH2n−(2+2x)を有する少なくとも1つの複不飽和の2環炭化水素:
(xは不飽和部位の数、nは4〜14、2環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの複不飽和の2環状炭化水素は、2環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素置換基を有していてもよく、またその炭化水素置換基の1つに不飽和若しくは環内不飽和を有していてもよい);及び/又は、
(f)3環構造及び式CnH2n−4を有する少なくとも1つの3環状炭化水素:
(nは4〜14、3環構造中の炭素数は4〜12、かつこの少なくとも1つの3環状炭化水素は、3環構造上に置換された複数の単純若しくは分枝炭化水素を有していてもよい)。 - 少なくとも1つの前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Siにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;並びにpは0〜3)。 - 少なくとも1つの前駆体が、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−qにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3))。 - 少なくとも1つの前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−qにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2及びR6は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3))。 - 少なくとも1つの前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3−n−pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3−m−qにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2、R6及びR7は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R4及びR5は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは0〜3;mは0〜3;qは0〜3;並びにpは0〜3(ただし、n+m≧1、n+p≦3及びm+q≦3))。 - 少なくとも1つの前駆体が、式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tCH4−tにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは2〜4(ただし、n+p≦4))。 - 少なくとも1つの前駆体が、式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4−(n+p)Si)tNH3−tにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;R2は独立に、直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;R3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和された、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、芳香族の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C6炭化水素;nは1〜3;pは0〜3;並びにtは1〜3(ただし、n+p≦4))。 - 少なくとも1つの前駆体が、式(OSiR1R3)xの環状シロキサンにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい)。 - 少なくとも1つの前駆体が、式(NR1SiR1R3)xの環状シラザンにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい)。 - 少なくとも1つの前駆体が、式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシランにより表される、請求項49記載の組成物:
(R1及びR3は独立に、水素、又は直鎖若しくは分枝鎖の、飽和、単不飽和若しくは複不飽和の、環状の、又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたC1〜C4炭化水素;並びにxは2〜8の整数であってよい)。 - ネオへキシル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びトリメチルシリルエチル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つのポロゲン化された前駆体を含む、組成物。
- (a)(i)ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジイソプロポキシキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン及びテトラエトキシシランからなる群より選ばれる少なくとも1つの前駆体、並びに(ii)少なくとも1つの前駆体と区別し得るポロゲンであって、アルファ−テルピネン、リモネン、シクロへキサン、1,2,4−トリメチルシクロへキサン、1,5−ジメチル−1,5−シクロオクタジエン、カンフェン、アダマンタン、1,3−ブタジエン、置換ジエン及びデカヒドロナフタレンからなる群より選ばれる少なくとも1つのポロゲン);及び/又は
(b)(i)トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルジアセトキシシラン、メチルエトキシジシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルジアセトキシシラン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシシリル)メタン、テトラエトキシシラン及びトリエトキシシランからなる群より選ばれる少なくとも1つの前駆体、並びに(ii)少なくとも1つの前駆体と区別し得るポロゲンであって、アルファ−テルピネン、ガンマ−テルピネン、リモネン、ジメチルヘキサジエン、エチルベンゼン、デカヒドロナフタレン、2−カレン、3−カレン、ビニルシクロへキセン及びジメチルシクロオクタジエンからなる群より選ばれる1つのポロゲン);
を含む、組成物。 - 熱エネルギー、プラズマエネルギー、光子エネルギー、電子エネルギー、マイクロ波及び化学剤からなる群より選ばれる、少なくとも1つの後処理剤で予備的な膜を処理することをさらに含み、かつその少なくとも1つの後処理剤は、細孔を持ち、かつ誘電率が2.6未満である多孔質有機シリカガラス膜を得るために、予備的な膜から実質的にすべてのポロゲンを除去する、請求項1記載の方法。
- 少なくとも1つの後処理剤が、予備的な膜からの実質的にすべてのポロゲンの除去の前、間及び/又は後に、得られる多孔質有機シリカガラス膜の特性を向上させる、請求項61記載の方法。
- 付加的な後処理剤が、少なくとも1つの後処理剤が予備的な膜から実質的にすべてのポロゲンを除去する前、中及び/又は後に、得られる多孔質有機シリカガラス膜の特性を向上させる、請求項62記載の方法。
- 少なくとも1つの後処理剤が、電子線により供給される電子エネルギーである、請求項61記載の方法。
- 少なくとも1つの後処理剤が、電子線により供給される電子エネルギーである、請求項62記載の方法。
- 少なくとも1つの後処理剤が、電子線により供給される電子エネルギーである、請求項63記載の方法。
- 少なくとも1つの後処理剤が、超臨界流体である、請求項61記載の方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37310402P | 2002-04-17 | 2002-04-17 | |
US60/373104 | 2002-04-17 | ||
US10/150,798 US6846515B2 (en) | 2002-04-17 | 2002-05-17 | Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US10/150798 | 2002-05-17 | ||
US10/409,468 US7384471B2 (en) | 2002-04-17 | 2003-04-07 | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US10/409468 | 2003-04-07 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010222519A Division JP5774830B2 (ja) | 2002-04-17 | 2010-09-30 | 組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012144738A true JP2012144738A (ja) | 2012-08-02 |
JP5711176B2 JP5711176B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46150309
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010222519A Expired - Lifetime JP5774830B2 (ja) | 2002-04-17 | 2010-09-30 | 組成物 |
JP2012085485A Expired - Lifetime JP5711176B2 (ja) | 2002-04-17 | 2012-04-04 | 組成物 |
JP2014096336A Pending JP2014150287A (ja) | 2002-04-17 | 2014-05-07 | ポロゲン、ポロゲン化された前駆体、及び低誘電率を有する多孔質有機シリカガラス膜を得るためのそれらの使用 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010222519A Expired - Lifetime JP5774830B2 (ja) | 2002-04-17 | 2010-09-30 | 組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014096336A Pending JP2014150287A (ja) | 2002-04-17 | 2014-05-07 | ポロゲン、ポロゲン化された前駆体、及び低誘電率を有する多孔質有機シリカガラス膜を得るためのそれらの使用 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP5774830B2 (ja) |
KR (1) | KR100494194B1 (ja) |
AT (1) | ATE499458T1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080268177A1 (en) * | 2002-05-17 | 2008-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants |
US8293001B2 (en) | 2002-04-17 | 2012-10-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US9061317B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-06-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US8951342B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-02-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films |
US20040197474A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Vrtis Raymond Nicholas | Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films |
US7498273B2 (en) * | 2006-05-30 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes |
US7410916B2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-08-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter |
JP5730910B2 (ja) | 2010-02-09 | 2015-06-10 | ソガンデハッキョー・サンハックヒョップリョックダン | 高温オゾン処理を含むナノ細孔の超低誘電薄膜の製造方法 |
KR102316276B1 (ko) | 2020-04-20 | 2021-10-25 | 한국과학기술연구원 | 다단기공구조를 갖는 킬레이트 복합체 및 그 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10340899A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Nec Corp | シリカ絶縁膜及び半導体装置とその製造方法 |
JP2000216153A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法 |
JP2001298023A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-10-26 | Applied Materials Inc | 非常に低い誘電率プラズマ強化cvd膜 |
WO2002011204A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-07 | International Business Machines Corporation | Multiphase low dielectric constant material and method of deposition |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998050945A2 (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-12 | Skamser Daniel J | Low density film for low dielectric constant applications |
JP3756666B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2006-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 多孔質膜の形成方法及びその形成装置 |
JP3633821B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2005-03-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 気相からの低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法 |
JP2001274153A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 絶縁膜の製造方法 |
CN100386472C (zh) * | 2000-10-25 | 2008-05-07 | 国际商业机器公司 | 作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件 |
KR20030002993A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 저유전체 박막의 제조방법 |
US7384471B2 (en) * | 2002-04-17 | 2008-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
-
2003
- 2003-04-16 AT AT03008723T patent/ATE499458T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-04-17 KR KR10-2003-0024269A patent/KR100494194B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-30 JP JP2010222519A patent/JP5774830B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-04-04 JP JP2012085485A patent/JP5711176B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-05-07 JP JP2014096336A patent/JP2014150287A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10340899A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Nec Corp | シリカ絶縁膜及び半導体装置とその製造方法 |
JP2000216153A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法 |
JP2001298023A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-10-26 | Applied Materials Inc | 非常に低い誘電率プラズマ強化cvd膜 |
WO2002011204A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-07 | International Business Machines Corporation | Multiphase low dielectric constant material and method of deposition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100494194B1 (ko) | 2005-06-10 |
JP5774830B2 (ja) | 2015-09-09 |
KR20030082479A (ko) | 2003-10-22 |
JP2014150287A (ja) | 2014-08-21 |
JP5711176B2 (ja) | 2015-04-30 |
ATE499458T1 (de) | 2011-03-15 |
JP2011014925A (ja) | 2011-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4897505B2 (ja) | 低誘電率の多孔質有機シリカガラス膜を得るための化学蒸着方法 | |
US8293001B2 (en) | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants | |
US6846515B2 (en) | Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants | |
KR101912534B1 (ko) | 포로겐, 포로겐화 전구체, 및 이들을 사용하여 낮은 유전 상수를 갖는 다공성 유기실리카 유리 필름을 제공하는 방법 | |
JP5711176B2 (ja) | 組成物 | |
JP4216768B2 (ja) | 有機ケイ酸塩ガラス膜及びその作製方法並びに有機ケイ酸塩ガラス膜作製のための混合物 | |
KR102183028B1 (ko) | 알킬-알콕시실라사이클릭 화합물 및 이를 사용하여 필름을 증착시키는 방법 | |
JP2004320005A (ja) | 有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法 | |
US9061317B2 (en) | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants | |
KR20190067929A (ko) | 조밀한 osg 필름용 실릴 가교된 알킬 화합물의 용도 | |
JP2011014925A5 (ja) | ||
US8951342B2 (en) | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films | |
JP2022153428A (ja) | アルコキシシラ環式又はアシルオキシシラ環式化合物及びそれを使用してフィルムを堆積させるための方法 | |
CN109722648A (zh) | 硅杂环状化合物和使用其沉积含硅膜的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140404 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140625 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141226 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150305 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5711176 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |