JP2012142462A - ミラーおよびその製造方法、露光装置、ならびに、デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成で優れた形状精度を持つミラーを得るために有利な技術を提供する。
【解決手段】ミラーの製造方法は、熱により膜厚が変化する形状修正層１２を基板１１の上に配置する第１工程と、第１層、第２層、および、前記第１層と前記第２層との間に配置されて前記第１層を構成する材料と前記第２層を構成する材料との反応を防止するバリア層１６を含む反射層１３を前記形状修正層１２の上に配置する第２工程と、前記第２工程の後に、前記形状修正層１２の膜厚分布を変化させることによって前記反射層１３の形状を目標形状に近づける第３工程とを含み、前記第３工程は、前記形状修正層１２を部分的にアニールする処理を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、ミラーおよびその製造方法、露光装置、ならびに、デバイス製造方法に関する。

ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）露光装置などの露光装置において、多層膜ミラーおよび斜入射全反射ミラーなどのミラーが使用される。ＥＵＶ領域では屈折率の実部が１より僅かに小さいので、反射面にすれすれにＥＵＶ光を入射させる斜入射においては全反射が起きる。通常、反射面から測って数度以内の斜入射では数十％以上の高い反射率が得られるが、このような斜入射では光学設計上の自由度が小さい。そこで、光学設計上の自由度が高いＥＵＶ光用のミラーとして、光学定数（屈折率）の異なる２種類の物質を交互に積層した多層膜ミラーが有用である。多層膜ミラーであれば、垂直入射に近い入射角で所望の反射率が得られる。

ＥＵＶ光用の多層膜ミラーは、例えば、精密な面形状に研磨されたガラス基板の表面にモリブデンとシリコンとを交互に積層することで形成される。例えば、モリブデン層の厚さは２ｎｍ、シリコン層の厚さは５ｎｍ、これらの複合膜の積層回数は６０回程度である。２種類の物質の層の厚さを加えたものを膜周期とよぶ。上記の例では、膜周期は２ｎｍ＋５ｎｍ＝７ｎｍである。

このようなモリブデンとシリコンからなるモリブデン／シリコン多層膜ミラーにＥＵＶ光を入射させると、特定の波長のＥＵＶ光が反射される。入射角をθ、ＥＵＶ光の波長をλ、膜周期をｄとすると、近似的にはブラッグの式
２×ｄ×ｃｏｓθ＝λ ・・・（１）
の関係を満足するような、λを中心とした狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射される。このときのバンド幅は０．６〜１ｎｍ程度である。反射率は最大で７０％程度である。図４には、入射角１５度でＥＵＶ光を膜周期７．２ｎｍの多層膜ミラーに入射させたときの反射率の波長依存性が示されている。

多層膜を構成するモリブデンとシリコンとの界面では、モリブデンとシリコンとが反応しうる。これにより、ピーク反射率を示す波長が変化したり、反射率が低下したりしうる。特許文献１には、モリブデンとシリコンとの間に中間層としてＢ_４ＣまたはＳｉＯ_２を配置することが開示されている。

投影光学系を構成するミラーの枚数をｎ、ＥＵＶ光の波長をλとすると許容される形状誤差σ（ｒｍｓ値）はマレシャルの式
σ＝λ／（２８×√ｎ） ・・・（２）
で与えられる。例えば、６枚ミラーでは、波長が１３．５ｎｍであるとすると、許容される形状誤差σは０．２ｎｍである。形状誤差は、基板形状の誤差と膜形状の誤差を含みうる。基板形状および膜形状をともに許容される誤差内に収めることは困難である。特許文献２には、ミラーに取り付けたヒーターで熱膨張によりミラーの形状を補正する技術が提案されている。

特開２００７−１５５４０７号公報 特開２００５−１９６２８号公報

特許文献２に記載された技術では、ミラーを常に温度制御する必要があり、また、温度制御機構が不可欠であるためにミラーユニットの構造が複雑になる。

本発明は、簡単な構成で優れた形状精度を持つミラーを得るために有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、ミラーの製造方法に係り、該製造方法は、熱により膜厚が変化する形状修正層を基板の上に配置する第１工程と、第１層、第２層、および、前記第１層と前記第２層との間に配置されて前記第１層を構成する材料と前記第２層を構成する材料との反応を防止するバリア層を含む反射層を前記形状修正層の上に配置する第２工程と、前記第２工程の後に、前記形状修正層の膜厚分布を変化させることによって前記反射層の形状を目標形状に近づける第３工程とを含み、前記第３工程は、前記形状修正層を部分的にアニールする処理を含む。

本発明によれば、簡単な構成で優れた形状精度を持つミラーを得るために有利な技術が提供される。

本発明の一実施形態のミラーの構成を模式的に示す断面図。 本発明の一実施形態のＥＵＶ露光装置の概略を示す図。 本発明の一実施形態のミラーの製造方法を示す図。 モリブデン／シリコン多層膜ミラーの反射率特性を示す図。 本発明の一実施形態のミラーの構成を模式的に示す断面図。 形状修正層の最大膜厚変化量の温度依存性を例示する図。 本発明の一実施形態のミラーの構成を模式的に示す断面図。 形状修正層の膜厚変化量の温度および時間依存性の傾向を示す図。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図２を参照しながら本発明の一実施形態の露光装置ＥＸの構成を説明する。ここでは具体例を提供するために露光装置ＥＸがＥＵＶ露光装置として構成された例を説明するが、本発明の露光装置はＥＵＶ露光装置に限定されるものではなく、光学系がミラーを含むあらゆる露光装置に適用可能である。また、本発明のミラーは、ＥＵＶ露光装置などの露光装置の構成部品としてのミラーのみならず、他のあらゆる装置の構成部品として使用されうる。

露光装置ＥＸは、光源ＬＳ、照明光学系ＩＬ、投影光学系ＰＯ、原版ステージ機構４１２、基板ステージ機構４１５を備える。光源ＬＳは、この実施形態ではＥＵＶ光源である。光源ＬＳは、例えば、ターゲット供給装置４０１から真空容器中に供給されたターゲット材に対してパルスレーザー光源４０２からレーザ光を照射する。これによって高温のプラズマが発生し、該プラズマから放射されるＥＵＶ光（例えば、波長＝１３．５ｎｍ）が取り出される。ターゲット材としては、例えば、金属薄膜、不活性ガス、液滴などを使用することができ、ガスジェット等の方法で真空容器内に供給されうる。生成されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためには、パルスレーザー光源４０２の繰り返し周波数が高い方が良く、通常は数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。

照明光学系ＩＬは、複数の多層膜ミラー４０３、４０５、４０７とオプティカルインテグレータ４０４とを含みうる。初段の多層膜ミラー４０３は、プラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める。オプティカルインテグレータ４０４は、原版４１４を均一に所定の開口数で照明する。原版４１４と共役な位置には、原版４１４の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ４０６が設けられうる。投影光学系ＰＯは、複数の多層膜ミラー４０８、４０９、４１０、４１１を含みうる。ミラー枚数は少ない方がＥＵＶ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。図２に示される例では、４枚のミラーで投影光学系ＰＯが構成されているが、例えば、６枚または８枚のミラーで投影光学系ＰＯが構成してもよい。各ミラーの反射面の形状は、凸面または凹面の球面または非球面である。投影光学系ＰＯの開口数ＮＡは、０．２〜０．３程度でありうる。

原版ステージ機構４１２および基板ステージ機構４１５とは、縮小倍率に比例した速度比で同期して原版４１４および４１７を走査する。ここで、原版４１４又は基板４１７の面に沿った面内における走査方向をＸ軸方向、それに垂直な方向をＹ軸方向、原版４１４および基板４１７の面に垂直な方向をＺ軸方向とする。原版４１４は、原版ステージ機構４１２に搭載された原版チャック４１３によって保持される。原版ステージ機構４１２は、原版４１４をＸ軸方向に高速移動させる機構を有する。原版ステージ機構４１２はまた、原版４１４をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向および各軸の周りの回転方向に関して微動させる位置決め機構を有する。原版４１４の位置と姿勢は、レーザ干渉計４１８によって計測され、その結果に基づいて原版４１４の位置と姿勢が制御される。

基板４１７は、基板ステージ機構４１５に搭載された基板チャック４１６によって保持される。基板ステージ機構４１５は、原版ステージ機構４１２と同様に、基板４１７をＸ軸方向に高速移動させる機構を有する。基板ステージ機構４１５はまた、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向および各軸の周りの回転方向に関して微動させる位置決め機構を有する。基板４１７の位置と姿勢は、レーザ干渉計４１９によって計測され、その結果に基づいて、基板４１７の位置と姿勢が制御される。基板４１７の１つのショット領域の走査露光が終わると、基板ステージ機構４１５は、基板４１７をＸ軸および／またはＹ軸方向にステップ移動させて次のショット領域を走査露光する。このようにして基板４１７の全てのショット領域が走査露光される。

次に、図１を参照しながら本発明の第１実施形態のミラーＭ１の構成を説明する。図１に示されるミラーＭ１は、例えば上記の露光装置ＥＸの照明光学系ＩＬおよび／または投影光学系ＰＯのような光学系の構成部品として有用であるが、他の露光装置、または、露光装置以外の他の装置の構成部品としても使用されうる。ミラーＭ１は、基板（基材）１１と、基板１１の上に配置された形状修正層１２と、形状修正層１２の上に配置された反射層１３とを含む。

基板１１は、例えば、低膨張率ガラスなどのガラス材料、または、シリコンカーバイド等の剛性及び硬度が高く熱膨張率が小さい材料で構成されうる。形状修正層１２は、熱によって膜厚が変化するように構成される。形状修正層１２は、第１材料層１５’と第２材料層１４’とを含み、形状修正層１２に部分的に与えられる熱によって第１材料と第２材料とが反応することによって形状修正層１２の膜厚分布が変化する。第１材料層１５’を構成する第１材料は、例えば、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕからなるグループから選択される１つの材料でありうる。第２材料層１４’を構成する第２材料は、前記グループから選択される１つの材料であって前記第１材料とは異なる材料でありうる。

反射層１３は、第１層１５、第２層１４、および、第１層１５と第２層１４との間に配置されて、第１層１５を構成する材料と第２層１４を構成する材料との反応を防止するバリア層１６を含む。ここで、第１材料層１５’を構成する材料と第１層１５を構成する材料とは同一材料であり、かつ、第２材料層１４’を構成する材料と第２層１４を構成する材料とは同一材料でありうる。この場合、形状修正層１２と反射層１３とを１つの成膜装置のチャンバ内で基板１１の上に連続的に形成することが容易である。第１材料層１５’を構成する材料と第１層１５を構成する材料とは、典型的にはモリブデン（Ｍｏ）であり、第２材料層１４’を構成する材料と第２層１４を構成する材料とは、典型的にはシリコン（Ｓｉ）である。バリア層１６は、例えば、Ｂ_４Ｃ層またはＳｉＯ_２層でありうる。

図３を参照しながらミラーＭ１の製造方法を例示的に説明する。まず、ステップ１では、例えば、低膨張率ガラスなどのガラス材料、または、シリコンカーバイド等の剛性及び硬度が高く熱膨張率が小さい材料で形成された材料基板を準備し、その反射面を研磨等の加工を施して基板１１を得る。

ステップ２（第１工程）では、基板１１の上に形状修正層１２として形状修正層１２を形成する。形状修正層１２は、例えば、第１材料層１５’としてのモリブデン層と第２材料層１４’としてのシリコン層とを交互に積層して形成することができる。ここで、第１材料層１５’としてのモリブデン層の膜厚をＭ１[ｎｍ]、第２材料層１４’としてシリコン層の膜厚をＳ１[ｎｍ]とすると、Ｍ１＝２ｎｍ、Ｓ１＝５ｎｍ程度でありうる。第１材料層１５’と第２材料層１４’からなる複合膜は、例えば４０回程度積層されうる。形状修正層１２の膜厚は、目標とする修正量の上限で決まる。Ｍ１＝２ｎｍ、Ｓ１＝５ｎｍとして、第１材料層１５’および第２材料層１４’の複合膜を４０回ほど積層することによって、最大で０．７ｎｍ程度の形状の修正をすることができる。目標とする修正量の上限を大きくするためには、積層数を増加させればよい。

図６には、Ｍ１＝２ｎｍ、Ｓ１＝５ｎｍとして、第１材料層１５’および第２材料層１４’の複合膜を４０回ほど積層して構成された形状修正層１２をアニールしたときの最大膜厚変化量の温度依存性が例示されている。アニールによって第１材料層１５’を構成する材料と第２材料層１４’を構成する材料とが反応し、これによって形状修正層１２の膜厚が減少する。レーザ光の照射などによって形状修正層１２を部分的にアニールすることによって形状修正層１２の膜厚を部分的に変化（減少）させることができる。つまり、レーザ光の照射などによって形状修正層１２を部分的にアニールすることによって形状修正層１２の膜厚分布を調整することができる。アニールによる形状修正層１２の最大膜厚変化量（減少量）は、アニール温度が４４０℃以下であるときは、アニール温度が高いほど大きい。アニールによる形状修正層１２の膜厚変化量（減少量）は、アニール時間とともに増加するが、ある時間（例えば６０分）を超えると飽和する傾向が認められる。

ステップ３（第２工程）では、形状修正層１２の上に反射層１３を形成する。これにより、形状が未調整のミラーＭ１が形成される。反射層１３は、例えば、第１層１５としてのモリブデン層と、第２層１４としてのシリコン層と、第１層１５と第２層１４との間に配置されるバリア層１６としてのＢ_４Ｃ層またはＳｉＯ_２層とを積層することで形成されうる。ここで、形状修正層１２の最上層に接する層は、バリア層１６とされうる。第１層１５としてのモリブデン層の膜厚をＭ２[ｎｍ]、第２層１４としてのシリコン層の膜厚をＳ２[ｎｍ]、バリア層１６としてのＢ_４Ｃ層の膜厚をＢ２[ｎｍ]とすると、Ｍ２＝２ｎｍ、Ｓ２＝４ｎｍ、Ｂ２＝０．５ｎｍ程度でありうる。第１層１５、第２層１４およびバリア層１６の複合膜が６０回ほど積層されうる。

一般的に、ＥＵＶ領域で使用するモリブデン／シリコン多層膜ミラーであれば、複合膜を６０回ほど積層することによって、反射層１３よりも下から反射するＥＵＶ光はほとんど無視できる量である。このように、反射層１３を構成する複合層の積層回数は、その下の層である形状修正層１２に変化があっても、反射層１３の反射率に影響を受けない積層回数にされうる。

ステップ３の後のステップ４〜９（第３工程）では、形状修正層１２の膜厚分布を変化させることによって反射層１３の形状を目標形状に近づける。この一連の処理は、形状修正層１２を部分的にアニールする処理を含む。具体的には、ステップ４では、ミラーＭ１の反射層１３の形状を計測する。この計測では、例えば、反射層１３の最表面の形状、または反射層１３の膜厚分布が光干渉を用いて計測されうる。ステップ５では、ステップ４で計測した計測値が目標形状を示す目標値の許容値に収まっているかどうかを評価し、計測値が許容値に収まっていればミラーＭ１が完成したものと判断し、そうでなければ、ステップ６〜９を実行する。ここで、許容値は、例えば、目標形状を示す目標値の±０．２ｎｍ以内とされうる。

ステップ６では、反射層１３の形状を目標形状に近づけるために形状修正層１２を修正すべき位置（修正位置）と、修正すべき量（修正量）とを算出する。図８は、形状修正層１２の膜厚変化量の温度および時間依存性の傾向を示す図である。図８に示されるように、アニールの温度を高くすると、アニールによる形状修正層１２の膜厚変化量（減少量）が増大する。ただし、アニールの温度がある温度を超えると、アニールの温度を高くすると、アニールによる形状修正層１２の膜厚変化量が飽和する。また、アニールの時間を長くすると、アニールによる形状修正層１２の膜厚変化量が増大する。ただし、アニールによる形状修正層１２の膜厚変化量は、ある時間で飽和する。形状修正層１２の修正量は、図８に例示されるような形状修正層１２の温度および時間依存性に基づいて決定されうる。形状修正層１２の温度および時間依存性は、テーブルまたは関数で与えられうる。ここで、１回あたりのアニールによる形状修正層１２の膜厚減少量を目標修正量よりも十分に小さくすれば、形状修正層１２の温度および時間依存性の正確なテーブルまたは関数は不要である。形状修正層１２の修正位置は、ステップ４または８において計測された計測値が許容値に収まっていない位置である。

ステップ７では、ステップ６で決定された修正位置および修正量に基づいて、ミラーＭ１の当該修正位置に対して当該修正量に応じてレーザ光を照射する。レーザ光の照射によって形状修正層１２の当該修正位置に熱が与えられて、陽該修正位置の膜厚が変化する。形状修正層１２の膜厚の変化は不可逆的であり、レーザ光の照射を停止した後も元には戻らない。

ここで、反射層１３については、バリア層１６が存在するので、第１層１５の構成材料と第２層１４の構成材料とが反応することによる膜厚の変化は起こりにくい。しかしながら、バリア層１６の厚さや温度によっては、アニールによって反射層１３の膜厚が変化する可能性がある。米国特許第６３９６９００号には、３００℃以上の温度にする場合、熱的安定性を保つにはモリブデンとシリコンとの間のＢ_４Ｃ層の膜厚を０．３ｎｍ以上にするべきであることが記載されている。一方、特開２００６−３０８４８３号公報には、Ｂ_４Ｃ層の膜厚を増すとモリブデン層が薄くなることで結晶化しにくくなり、反射率が低下することが報告されている。反射率の低下を避けるためにバリア層としてのＢ_４Ｃ層の膜厚を０．３ｎｍ以下にする場合には、特に反射層１３の膜厚の変化を考慮することが好ましい。そこで、ステップ６における修正量の算出の際は、形状修正層１２の修正量と反射層１３の修正量との合計の修正量を決定することが好ましい。これにより、形状修正層１２の厚さの変化および反射層１３の厚さの変化の双方によって反射層１３の形状が目標形状に近づくように部分的にアニールを実施することができる。

ステップ８では、ステップ４と同様にして、ミラーＭ１の反射層１３の形状を計測する。ステップ９では、ステップ８で計測した計測値が目標形状を示す目標値の許容値に収まっているかどうかを評価し、計測値が許容値に収まっていればミラーＭ１が完成したものと判断し、そうでなければ、ステップ６〜９を再実行する。

図５を参照しながら本発明の第２実施形態のミラーＭ２の構成を説明する。第２実施形態のミラーＭ２は、第１実施形態のミラーＭ１の代わりに用いられうる。ここで言及しない事項、例えば、露光装置ＥＸの構成やミラーの製造方法などは、第１実施形態に従いうる。第２実施形態は、第１実施形態で列挙された材料の特定の組み合わせを規定する実施形態として理解することができる。形状修正層１２は、第１材料層１７と第２材料層１４’とを含み、形状修正層１２に部分的に与えられる熱によって第１材料と第２材料とが反応することによって形状修正層１２の厚さ分布が変化する。第２実施形態では、第１材料層１７を構成する材料は、炭素（Ｃ）であり、第２材料層１４’を構成する材料は、シリコン（Ｓｉ）である。形状修正層１２をアニールすることにより、シリコンと炭素との層の界面でシリコンと炭素とが反応してシリコンカーバイドが形成され、形状修正層１２の膜厚が変化する。

図７を参照しながら本発明の第３実施形態のミラーＭ３の構成を説明する。３実施形態のミラーＭ３は、第１実施形態のミラーＭ１の代わりに用いられうる。ここで言及しない事項、例えば、露光装置ＥＸの構成やミラーの製造方法などは、第１実施形態に従いうる。形状修正層１２は、第１実施形態や第２実施形態のように多層膜で構成されてもよいが、単層膜で形成されてもよい。第３実施形態では、形状修正層１２は、単層のアモルファスシリコン層で構成される。アモルファスシリコンは、１０００Ｋ程度の温度で結晶化し、密度が変化する。この密度変化を用いて形状修正層１２の膜厚を変化させることができる。

本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の露光装置ＥＸを用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。

Claims (11)

1. 熱により膜厚が変化する形状修正層を基板の上に配置する第１工程と、
   第１層、第２層、および、前記第１層と前記第２層との間に配置されて前記第１層を構成する材料と前記第２層を構成する材料との反応を防止するバリア層を含む反射層を前記形状修正層の上に配置する第２工程と、
   前記第２工程の後に、前記形状修正層の膜厚分布を変化させることによって前記反射層の形状を目標形状に近づける第３工程と、を含み、
   前記第３工程は、前記形状修正層を部分的にアニールする処理を含む、
   ことを特徴とするミラーの製造方法。
2. 前記第３工程では、前記反射層の形状を計測する計測工程と、前記計測工程による計測の結果に基づいて前記形状修正層を部分的にアニールするアニール工程とを繰り返す、
   ことを特徴とする請求項１に記載のミラーの製造方法。
3. 前記第３工程において前記形状修正層を部分的にアニールする際の温度および時間が、前記反射層の形状を前記目標形状に近づけるために前記形状修正層の膜厚を変化させるべき量に基づいて決定される、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のミラーの製造方法。
4. 前記形状修正層の部分的なアニールによって前記形状修正層の膜厚とともに前記反射層の膜厚も変化し、前記第３工程では、前記形状修正層の膜厚の変化および前記反射層の膜厚の変化によって前記反射層の形状が前記目標形状に近づくようにアニールを実施する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のミラーの製造方法。
5. 前記処理は、レーザ光の照射によって前記形状修正層に熱を与える処理を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のミラーの製造方法。
6. 前記形状修正層は、多層膜である、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のミラーの製造方法。
7. 前記形状修正層は、単層膜である、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のミラーの製造方法。
8. 基板と、
   前記基板の上に配置され形状修正層と、
   前記形状修正層の上に配置された反射層と、を含み、
   前記形状修正層は、熱によって膜厚が変化するように構成され、
   前記反射層は、第１層、第２層、および、前記第１層と前記第２層との間に配置されて前記第１層を構成する材料と前記第２層を構成する材料との反応を防止するバリア層を含む、
   ことを特徴とするミラー。
9. 前記形状修正層は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕからなるグループから選択される１つの材料である第１材料で構成された第１材料層と、前記グループから選択される１つの材料であって前記第１材料とは異なる第２材料で構成された第２材料層とを含み、前記形状修正層に部分的に与えられる熱によって前記第１材料と前記第２材料とが反応することによって前記形状修正層の厚さ分布が変化する、
   ことを特徴とする請求項８に記載のミラー。
10. 請求項８又は９に記載のミラーを含む光学系を備え、前記光学系を通して基板を露光するように構成された露光装置。
11. 請求項１０に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
    該基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。