TW202414071A - 用於ｅｕｖ微影之反射部件 - Google Patents

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濤南 嚴
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明提供一種用於一EUV微影設備中之反射部件，該反射部件包含一多層堆疊，該多層堆疊包含成對地配置之複數個層，其中：各對包含一第一層及一第二層；該第一層由包含Si之一材料形成；且該第二層由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的一材料形成，且其中該第二層經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於或等於0.92之一折射率及小於或等於0.015之一吸收係數。

Description

用於EUV微影之反射部件
本發明係關於一種反射部件、一種包括反射部件之微影設備、一種製造裝置之包括使用反射部件的方法、一種EUV遮罩、一種包括EUV遮罩之微影設備及一種製造裝置之包括使用EUV遮罩的方法。
微影設備為將所要圖案塗佈至基板上，通常塗佈至基板之目標部分上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱為遮罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或數個晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC及其他裝置及/或結構之製造中之關鍵步驟中之一者。然而，隨著使用微影所製得之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使得能夠製造小型IC或其他裝置及/或結構之更具決定性的因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如等式(1)中所展示： 其中λ為所使用輻射之波長，NA為用於印刷圖案之投影系統的數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或關鍵尺寸)。自等式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減小k1之值。
為了縮短曝光波長且因此減小最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在10 nm至20 nm範圍內(例如，在13 nm至14 nm範圍內)之波長之電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10 nm (例如，在5 nm至10 nm範圍內，諸如6.7 nm或6.8 nm)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
難以將EUV輻射收集成光束、將其引導至遮罩上及將經圖案化光束投影至基板上，此係因為製造用於EUV輻射之折射光學元件係不可能的。因此，此等功能必須使用反射器(亦即，鏡面)來執行。通常使用多層反射器(亦稱為分佈式布拉格反射器)，其包含成對地配置之數個層(亦稱為週期)。各對包含相對高折射率層及相對低折射率層。在層之間的各界面處，反射行進通過多層反射器之輻射之一部分。各對之厚度經組態使得在各界面處反射之輻射之間存在相長干擾。用於反射EUV輻射之多層反射器之反射率通常為大約70%。在微影設備中，可能存在於EUV源與基板之間串聯使用之許多多層反射器。因此，到達基板之輻射量可為所產生EUV輻射之小百分比。
多層反射器可用於遮罩中，除多層堆疊以外，該等遮罩亦包含多層堆疊之頂部表面上的吸收體層。此吸收體層運用待投影至基板上之影像進行圖案化。吸收體層具有一定厚度，因此當輻射以大於零之入射角入射於遮罩上時，如反射遮罩所必要的，發生3D效應，諸如入射輻射至遮罩上之陰影。此導致微影程序中之誤差，諸如圖案置放誤差及線寬誤差。
在多層反射器中，有效反射平面可定義為在多層反射器之表面下方於表示多層反射器內之反射之平均深度的深度處之平面。當有效反射平面在多層反射器之表面下方更深時，3D效應(陰影)變得更顯著。
在當前多層反射器中，相對高折射率層通常包含矽(Si)，且相對低折射率層通常包含鉬(Mo)。已提議多層反射器之替代組態，其中相對高折射率層包含Si，且相對低折射率層包含釕(Ru)。Ru-Si多層反射器展現比Mo-Si多層反射器更淺之有效反射平面，因此當其用於遮罩中時，其中展現之3D效應(陰影)小於Mo-Si多層反射器。然而，Ru-Si多層反射器之反射率低於Mo-Si多層反射器之反射率。
本發明之目標為提供一種具有優於當前可用之反射部件之屬性(在當用於EUV遮罩中時之反射率及3D效應方面)的反射部件。
在本發明中，提供一種用於一EUV微影設備中之反射部件，該反射部件包含一多層堆疊，該多層堆疊包含成對地配置之複數個層，其中：各對包含一第一層及一第二層；該第一層由包含Si之一材料形成；且該第二層由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的一材料形成，且其中該第二層經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於或等於0.92之一折射率及小於或等於0.015之一吸收係數。
在本發明中，亦提供一種包括一反射部件之微影設備。
在本發明中，亦提供一種製造一裝置之包括使用一反射部件的方法。
在本發明中，亦提供一種EUV光罩，其包含： 一基板；一多層堆疊，其包含成對地配置之複數個層；及一封蓋層，其由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的一材料形成，且其中該封蓋層經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於0.92之一折射率及小於0.015之一吸收係數。
在本發明中，亦提供一種包括一EUV光罩之微影設備。
在本發明中，亦提供一種製造裝置之包括使用一EUV光罩的方法。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影設備100。設備100包含： -  照明系統(或照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； -  支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，遮罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM； -  基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，經抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位基板之第二定位器PW；及 -  投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，該圖案化裝置是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化裝置。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化裝置」應廣泛地解譯為指可用於在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之裝置(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化裝置之實例包括遮罩、可程式化鏡面陣列及可程式化液晶顯示器(LCD)面板。遮罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統IL，投影系統PS可包括適於所使用曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，微影設備100屬於反射類型(例如，採用反射遮罩)。
微影設備100可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個基板台WT (及/或兩個或更多個支撐結構MT)之類型。在此「多載物台」微影設備中，可並行地使用額外基板台WT (及/或額外支撐結構MT)，或可在一或多個基板台WT (及/或一或多個支撐結構MT)上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT (及/或一或多個其他支撐結構MT)用於曝光。
參考圖1，照明系統IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多個發射線而將具有至少一種元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此方法(常常稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未展示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO 2雷射來提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組SO可為分離實體。
在此類情況下，不認為雷射形成微影設備100之部分，且輻射光束B係藉助於包含例如合適引導鏡面及/或擴束器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組SO。在其他情況下，例如當源為放電產生電漿EUV產生器(常常稱為DPP源)時，該源可為源收集器模組SO之整體部分。
照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明系統IL之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱為σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明系統IL可用於調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且藉由圖案化裝置MA進行圖案化。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用於相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA及基板W。
控制器500控制微影設備100之總操作，且尤其執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可體現為經合適程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性儲存構件及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出裝置(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及至微影設備100之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影設備100之間的一對一關係係不必要的。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影設備100。在本發明之一實施例中，多個網路化電腦可用於控制一個微影設備100。控制器500亦可經組態以控制微影單元或叢集中之一或多個關聯程序裝置及基板處置裝置，微影設備100形成微影單元或叢集之一部分。控制器500亦可經組態為從屬於微影單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。
圖2更詳細地展示微影設備100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。EUV輻射發射電漿210可由電漿源形成。可藉由氣體或蒸氣(例如，Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)而產生EUV輻射，其中產生輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由輻射發射電漿210發射之輻射自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。
收集器腔室212可包括輻射收集器CO。橫穿輻射收集器CO之輻射可聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常稱為中間焦點，且源收集器模組SO經配置以使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，該琢面化場鏡面裝置22及該琢面化光瞳鏡面裝置24經配置以提供在圖案化裝置MA處未經圖案化光束21之所要角度分佈，以及在圖案化裝置MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處的未經圖案化光束21之反射後，形成經圖案化光束26，且由投影系統PS經由反射元件28、30將經圖案化光束26成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件更多之元件可通常存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖中所展示之鏡面更多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2中所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
替代地，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。
如圖1中所描繪，在一實施例中，微影設備100包含照明系統IL及投影系統PS。照明系統IL經組態以發射輻射光束B。投影系統PS藉由介入空間而與基板台WT分離。投影系統PS經組態以將賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W上。該圖案係用於輻射光束B之EUV輻射。
可至少部分地抽空介入於投影系統PS與基板台WT之間的空間。可在投影系統PS之位置處由固體表面定界介入空間，所採用輻射係自該固體表面朝向基板台WT引導。
圖3描繪在EUV微影設備內可用於將所需圖案賦予至輻射光束之遮罩300。遮罩300為本發明之反射部件之一個實例。
圖3中所展示之遮罩300包括基板310、多層堆疊320、封蓋層330及吸收體層340。基板310為提供用於製造多層堆疊320之起點的組件。本文中所揭示之反射部件可與已知適合於熟習此項技術者的基板310之任何組成物一起採用。舉例而言，基板310可由氧化矽及氧化鈦(SiO2-TiO2)形成。一般而言，基板310由多層堆疊320之材料所黏附之材料形成。基板310之表面可經研磨以形成光滑平坦表面，從而改良多層堆疊320之材料對基板310之黏附性。
多層堆疊320由成對321配置之複數個層322、323形成。各對包含相對高折射率層322及相對低折射率層323。亦即，在垂直於多層堆疊之上部表面的方向上移動通過多層堆疊320，材料自相對高折射率層322之材料改變為相對低折射率323之材料。在層之間的各界面處(亦即，在多層堆疊中EUV輻射自相對低折射率層323移動至相對高折射率層322或自相對高折射率層322移動至相對低折射率層323之點處)，反射輻射之一部分。多層堆疊320中之各層322、323之厚度經組態以使得當光在多層堆疊320中之不同層322、323之間的界面中之各者處反射時，經反射光束為同相的。此意謂來自界面中之各者之反射建設性地彼此干擾以形成經反射光束。
在當前多層堆疊320中，多層堆疊320中之對之數目可在40與50之間。層322、323中之各者可藉由中間薄膜(未展示)分離以防止互混及矽化物形成。中間層可例如由碳化硼(B 4C)形成。如上文所陳述，各層之厚度係根據在各界面處反射之光束建設性地干擾之條件而判定，其取決於輻射之波長，如熟習此項技術者將已知的。作為一實例，相對高折射率層322可具有3 nm與5 nm之間的厚度，且相對低折射率層323可具有2 nm與4 nm之間的厚度。
封蓋層330可位於多層堆疊320之上部表面上。封蓋層330經提供以改良多層堆疊320之耐久性及化學穩定性。本文中所揭示之反射部件可與已知適合於熟習此項技術者之任何封蓋層330一起採用。作為一實例，封蓋層之材料可與相對高折射率層322之材料或相對低折射率層323之材料相同。
吸收體層340可位於封蓋層330之上部表面上。吸收體層340可包含單一材料層或多個材料層。吸收體層340經組態以吸收入射輻射。因此，在經組態用於EUV微影設備中之遮罩中，吸收體層340之材料為吸收EUV輻射之材料。本文中所揭示之反射部件可與已知為適合於熟習此項技術者之任何組成物之吸收體層340一起採用。舉例而言，吸收體340之材料可由包含氮化鉭(TaN)或氮化鉭硼(Ta-B-N)之材料形成，且吸收體層340之總厚度可在50 nm與70 nm之間。替代地，吸收體層340可由包含鎳(Ni)之材料形成，且吸收體層340之總厚度可在25 nm與35 nm之間。
吸收體層340可以使得其含有待投影至基板之感光性薄膜上之影像的方式進行圖案化。亦即，吸收體層340可覆蓋封蓋層330之表面上的一些區，但不覆蓋其他區。換言之，可暴露封蓋層330之一些區，但不暴露其他區。在操作中，EUV輻射係在不存在吸收體層340之區處藉由遮罩300反射，且在存在吸收體層340之區中被吸收。吸收體層340可最初形成於封蓋層330上，使得其覆蓋封蓋層330之全部。可接著使用諸如電子束微影及任何已知蝕刻製程之技術來在吸收體層340中形成圖案。
經組態用於EUV微影設備中之遮罩(諸如，遮罩300)可藉由諸如物理氣相沈積(PVD)、電子束沈積(EBD)或化學氣相沈積(CVD)之製程逐層地形成。
入射於遮罩(諸如，遮罩300)上之EUV輻射通常自大於零之入射角(入射光束與垂直於入射點處之表面之線之間的角度)接近遮罩300。此使得經反射光束沿著與入射光束不同之路徑行進。在微影設備中，入射於遮罩300上之EUV輻射光束之入射角可與法線介於1˚與10˚之間。舉例而言，入射角可為6˚。由於吸收體層340在封蓋層330上方之高度及入射角大於零，因此出現遮罩300之經曝光區之非所要陰影。此陰影係在藉由吸收體層340阻擋入射EUV輻射到達遮罩300之上部表面的經曝光區之情況下，或在藉由吸收體層340防止經反射輻射自遮罩300向外行進時出現。此陰影可引起顯著誤差，諸如圖案置放誤差及線寬誤差。隨著遮罩300上之入射角之增加及吸收體層340之厚度之增加，由陰影引起之誤差變得更顯著。當有效反射平面(多層反射器之表面下方的表示多層反射器內之反射之平均深度的平面)變得更深時，由陰影引起之誤差亦變得更顯著。圖4繪示兩個有效反射平面431、432。有效反射平面在多層堆疊320中之深度取決於相對高折射率層322及相對低折射率層323之材料。具體地，有效反射平面之深度取決於相對高折射率層322及相對低折射率層323之折射率。有效反射平面432比有效反射平面431更深。當入射EUV輻射光束410自較淺有效反射平面431反射時，經反射光束421未受到吸收體層340阻礙且能夠行進遠離遮罩300。然而，當入射光束410在較深有效反射平面432處反射時，經反射光束422受到吸收體層340阻礙，且經反射光束無法行進遠離遮罩300。
在典型多層堆疊320中，相對高折射率層可由包含矽(Si)之材料形成，且相對低折射率層可由包含鉬(Mo)之材料形成。近年來，已提議相對低折射率層可替代地由包含釕(Ru)之材料形成。Ru-Si多層堆疊可展現深度小於Mo-Si多層堆疊之有效反射平面的有效反射平面。舉例而言，在圖4中，有效反射平面431可為Ru-Si多層堆疊300之有效反射平面，且有效反射平面432可為Mo-Si多層堆疊之有效反射平面。對於Ru-Si多層堆疊320，有效反射平面431可在多層堆疊320之表面下方大約33 nm。對於Mo-Si多層堆疊320，有效反射平面432可在多層堆疊320之表面下方大約45 nm。Ru-Si多層堆疊320之較淺有效反射平面431意謂由陰影引起之誤差不太顯著。然而，Ru-Si多層堆疊320之總反射率可比Mo-Si多層堆疊320之反射率小大約5%。反射率被定義為在界面處反射之能量分率(等式(2))。反射率之此減小對應於產出量損失。 R =反射率；E i=入射光束之能量；E r=經反射光束之能量
在整個以下描述中，參考折射率(n)及吸收係數(k)之值。量測給定材料之此類值的方法不受特別限制。折射率(n)及吸收係數(k)之值可根據反射率及入射角之經量測值來判定。具體地，折射率(n)及吸收係數(k)之值可藉由擬合曲線與反射率及入射角之經量測值的曲線來判定。反射率及角度之量測可利用塗佈有材料之基板進行，折射率(n)及吸收係數(k)之值將針對該材料判定。基板可為矽晶圓或遮罩板。材料塗層之厚度可在30 nm與50 nm之間。
替代地，折射率(n)及吸收係數(k)之值可根據使用干涉儀進行之量測來判定。作為一實例，折射率(n)及吸收係數(k)之值可使用振幅分割透射干涉儀來量測。此可涉及判定干涉圖之相移(φ)及可見度(V)。量測折射率(n)及吸收係數(k)之方法在以下公開案中給出： CHANG, Chang; ANDERSON, Erik; NAULLEAU, Patrick. Direct index of refraction measurement at extreme ultraviolet wavelength region with a novel interferometer.  Optical Letters, 2001, 27(12)。
此方法可用於量測本發明中所定義之折射率(n)及吸收係數(k)。在該方法中使用之設備可包含：輻射源；小直徑孔，其用以提供空間相干輻射；繞射光柵，其用於自針孔有效地產生多個虛擬源；區域板，其使形成於繞射光柵處之虛擬源成像至遮罩所在之平面；遮罩，其包含允許零階及一階光點通過之兩個開口；及敏感CCD攝影機。在該方法中，將測試材料移入及移出遮罩中之開口中之一者，且CCD攝影機記錄所得干涉圖。
當測試材料存在於開口中之一者中時，干涉圖之條紋根據測試材料之折射屬性而移位。相移(φ)為干涉圖之兩個獨立重建構之相位映圖之間的差。折射率(n)可接著使用等式(3)計算，其中λ為波長且t為樣本之厚度。
經由樣本傳播之後的相對光學強度(α)藉由等式(4)與干涉圖之所觀察可見度(V)相關。
根據相對光學強度(α)，吸收係數(k)可使用等式(5)計算。
表1給出元素Ru、Mo、鈮(Nb)及含有彼等三種元素之數個合金在大約13.5 nm之波長內的折射率(n)及吸收係數(k)。 表 1
   n k
Ru 0.887 0.0171
Mo 0.9237 0.0064
Nb 0.9337 0.0052
Ru 6Mo 2Nb 2 0.8936 0.0135
Ru 4Mo 2Nb 4 0.8971 0.0116
RuNb 2 0.8976 0.0109
RuMo 2 0.900 0.0110
RuMo 0.897 0.0126
多層堆疊320之反射率取決於形成層322、323之材料的吸收係數。Ru具有比Mo (k=0.0064)更高之吸收係數(k=0.0171)，此解釋了Mo-Si多層堆疊320之反射率為何大於Ru-Si多層堆疊320之反射率。有效反射平面之深度(z eff)取決於相對高折射率層322與相對低折射率層323之間的折射率(n)之差。此係因為相對高折射率層322與相對低折射率層323之間的折射率(n)之較大差導致多層堆疊320之較寬反射率帶(反射率相對較高之波長範圍)。較寬反射率帶導致較低群延遲(τ)。有效反射平面之近似深度(z eff)與群延遲(τ)成比例，如等式(6)中所展示。因此，較寬反射率帶導致有效反射平面之較淺深度。
相對低折射率層323之折射率(n)愈低，則相對高折射率層323與相對低折射率層322之間的折射率(n)之差愈大。Ru具有比Mo (n=0.9237)更低之折射率(n=0.887)，此解釋了Ru-Si多層堆疊320之有效反射平面431為何沒有Mo-Si多層堆疊320之有效反射平面432深。
圖5展示Mo-Si多層堆疊320及Ru-Si多層堆疊320之反射率如何隨著多層堆疊320中之對321的數目而變化。曲線圖係基於波長為大約13.5 nm及入射角為6˚之入射輻射。對於Mo-Si及Ru-Si多層堆疊320，儘管多層堆疊320中之對321的數目相對較低，但反射率隨著多層堆疊320中之對431之數目的增加而快速增加。隨著多層堆疊320中之對321之數目的增加，反射率相對於對321之數目之增加的改變速率減小，且反射率趨向於穩定值。對於Ru-Si多層堆疊320，在對之數目較大之情況下的反射率值(大約0.75)低於Mo-Si多層堆疊320之在對之數目較大之情況下的反射率值(大約0.71)。Ru-Si多層堆疊320在比Mo-Si多層堆疊320 (大約40)更少之對數目(大約30)下大致到達穩定反射率值。
本發明係關於一種當用於相對低折射率層323中時可提供多層堆疊320之材料，該多層堆疊320組合由Mo-Si多層堆疊320展現之有利反射屬性與由Ru-Si多層堆疊320展現之有利有效反射平面屬性。具體地，材料為包含Mo、Ru及鈮(Nb)中之至少兩者的合金。如表1中所展示，Nb具有高於Mo及Ru兩者之折射率的折射率(n=0.9337)及低於Mo及Ru兩者之吸收係數的吸收係數(n=0.9337)。因此，Nb-Si多層堆疊可具有優於Mo-Si及Ru-Si多層堆疊320之反射，但具有更深有效反射平面(z eff)。對於具有大約13.5 nm之波長的光，合金經構成以使得折射率小於或等於0.92且吸收係數小於或等於0.015。對於具有大約13.5奈米之波長的光，合金可較佳地展現小於0.91且進一步較佳地小於0.9之折射率。對於具有大約13.5 nm之波長的光，合金可具有較佳地具有小於0.014、較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012之吸收係數(k)。
除了Ru、Nb及Mo中之至少兩者以外，合金亦可包含常見雜質，諸如磷、硫及氧。合金內此類雜質之比例可使得其並不對合金之折射率或吸收係數具有顯著影響。合金內雜質之質量百分比可小於5%、較佳地小於1%且進一步較佳地小於0.1%。亦即，合金基本上由Ru、Nb及Mo中之至少兩者組成。
合金可包含Nb。合金可以使得其無法被視為痕量元素之量含有Nb。亦即，合金中Nb之質量百分比可大於5%。合金中Nb之質量百分比可較佳地大於20%、較佳地大於40%且進一步較佳地大於60%。合金中Nb之質量百分比可小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於45%。
合金可包含Ru。合金可以使得其無法被視為痕量元素之量含有Ru。亦即，合金中釕之質量百分比可大於5%。較佳地，合金中釕之質量百分比可大於30%、進一步較佳地大於35%且進一步較佳地大於55%。合金中Ru之質量百分比可小於85%、較佳地小於75%且進一步較佳地小於70%。
合金可包含Mo。合金可以使得其無法被視為痕量元素之量含有Mo。合金中Mo之質量百分比可大於或等於0%、較佳地大於10%且進一步較佳地大於5%。第二層之材料中Mo之質量百分比可小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於25%。
折射率(n)及吸收係數(k)之屬性可藉由合金之組分之折射率及吸收係數的加權平均值來近似。因此，可形成使合金之組成物與折射率(n)及吸收係數(k)之值近似相關的表達式。為了促進此情形，以下給出合金之通式： 此等合金中之下標數字意欲表示合金中各元素之莫耳比。數字並不表明合金由特定晶格結構形成，在該晶格結構中，各種組分保持於規則陣列中，使得比率為固定整數。由於合金可能含有雜質，因此合金之通式可為： 其中I表示合金中之雜質。I可表示單一雜質或複數個雜質。
合金之折射率(n)及吸收係數(k)之加權平均表達式如下，其中n Ru、n Nb、n Mo、k Ru、k Nb及n Mo之值在表1中給出。
應注意，加權平均方法僅提供近似值。實際上，合金可展現折射率(n)及吸收係數(k)之值，其小於(亦即，優於)自加權平均計算所預期之值。舉例而言，對於實例合金RuNb 2，來自組分之彼等值之加權平均值的近似折射率(n)及吸收係數(k)分別為0.903及0.131，但實際折射率(n)及吸收係數(k)分別為0.898及0.0109。
加權平均表達式可用於獲得獲得預定折射率(n max)或預定吸收係數(k max)所需之合金組成物之條件的估計。
預定折射率(n max)可為0.92、較佳地為0.91且進一步較佳地小於0.9。預定吸收係數(kmax)可為0.015、較佳地小於0.014、進一步較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012。在一個實例合金中，Ru之質量百分比可大於50%、較佳地大於55%、進一步較佳地大於59%、小於70%、較佳地小於65%且進一步較佳地小於61%；Mo之質量百分比可大於10%、較佳地大於15%、較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之質量百分比可大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%。舉例而言，合金可為Ru 6Mo 2Nb 2。
在另一實例合金中，Ru之質量百分比可大於30%、較佳地大於30%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%；Mo之質量百分比可大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之質量百分比可大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於31%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%。舉例而言，合金可為Ru 4Mo 2Nb 4。此等合金僅作為可滿足本發明之需求的合金之實例提供。
合金可包含Ru及Nb，但不包含Mo。亦即，合金可由Ru、Nb及常見雜質組成。Ru之質量百分比可大於20%、較佳地大於30%、進一步較佳地大於32%、小於40%、較佳地小於35%且較佳地小於34%；且Nb之質量百分比可大於50%、較佳地大於60%、進一步較佳地大於66%、小於80%、較佳地小於70%且進一步較佳地小於67%。舉例而言，合金可為RuNb 2。
合金可包含Ru及Mo，但不包含Nb。亦即，合金可由Ru、Nb及常見雜質組成。在一實例中，Ru之質量百分比可大於20%、較佳地大於30%、進一步較佳地大於32%、小於50%、較佳地小於40%且進一步較佳地小於35%；且Mo之質量百分比可大於50%、較佳地大於60%、進一步較佳地大於65%、小於80%、較佳地小於70%且進一步較佳地小於68%。舉例而言，合金可為RuMo 2。在另一實例中，Ru之質量百分比可大於30%、較佳地大於40%、進一步較佳地大於45%、小於70%、較佳地小於60%且進一步較佳地小於55%；且Mo之質量百分比可大於30%、較佳地大於40%、進一步較佳地大於45%、小於70%、較佳地小於60%且進一步較佳地小於55%。舉例而言，合金可為RuMo。
折射率(n)及吸收係數(k)之值繪製於圖6中所描繪之曲線圖上，其中吸收係數(k)在豎直軸線上且折射率(n)在水平軸線上，且該等值係針對大約13.5 nm之波長。圖6中之曲線圖上亦展示元素Mo、Ru及Nb之折射率(n)及吸收係數(k)的值。對於三個實例合金中之各者，折射率(n)及吸收係數(k)之值處於Mo與Ru之彼等值之間。此意謂若實例合金中之任一者實施為多層堆疊320中之相對低折射率層323，則多層堆疊320將展現優於Ru-Si多層堆疊320之反射率及比Mo-Si多層堆疊更淺之有效反射平面。此外，折射率(n)及吸收係數之值取決於合金之組成物而變化。因此，藉由定製用於相對低折射率層323、多層堆疊320中之包含Mo、Ru及Nb之合金的組成物，可針對情境要求最佳化多層堆疊320之屬性。
圖7描繪豎直軸線上之反射率及水平軸線上之多層對之數目的曲線圖。曲線圖係基於波長為大約13.5 nm及入射角為6˚之入射輻射。如在圖5中，繪製Mo-Si多層堆疊320及Ru-Si多層堆疊320之值，但圖7亦包括RuNb 2-Si多層堆疊320及Ru 4Mo 2Nb 4-Si 320多層堆疊320之值。RuNb 2-Si多層堆疊320之效能優於其他其他多層堆疊320之效能。具體地，隨著對321之數目的增加，RuNb 2-Si多層堆疊320傾向於比其他多層堆疊320 (包括Mo-Si多層堆疊320)更高之反射率。此外，儘管對之數目相對較低(15至25)，但RuNb 2-Si多層堆疊之反射率隨對321之數目之增加的增加速率高於Mo-Si多層堆疊320之增加速率。此意謂RuNb 2-Si多層堆疊320在比Mo-Si多層堆疊320更少之對321的數目下大致到達反射率之穩定狀態值。因此，具有40對之RuNb 2-Si多層堆疊的反射率高於具有40對之Mo-Si多層堆疊的反射率。為了展現與具有40對之Mo-Si多層堆疊相同的反射率，RuNb 2多層堆疊320需要更少對(大約30至34)。
圖8描繪豎直軸線上之反射率及水平軸線上以nm為單位之波長的曲線圖。曲線圖係基於具有40對431之多層堆疊320及入射角為6˚之輻射。波長為多層堆疊320之入射輻射的波長。曲線圖包括Mo-Si多層堆疊320、Ru-Si多層堆疊320、RuNb 2-Si多層堆疊320及Ru 4Mo 2Nb 4-Si多層堆疊320。對於所有曲線，反射率閥在大約13.5 nm之波長處到達峰值。如自前述曲線圖所預期，RuNb 2-Si多層堆疊320之峰值反射率最高，其值略微大於Mo-Si多層堆疊320之峰值反射率。Ru-Si多層堆疊320之峰值反射率最低。Ru-Si多層堆疊320具有最寬反射率帶，且Mo-Si多層堆疊320具有最窄反射率帶。RuNb 2-Si多層堆疊320之反射率帶比Mo-Si多層堆疊320之反射率帶更寬，因此RuNb 2-Si多層堆疊320之有效反射平面的深度將小於Mo-Si多層堆疊320之有效反射平面的深度。
因此，除了展現較高反射率以外，RuNb 2-Si多層堆疊320將展現比Mo-Si多層堆疊320更不顯著的陰影(M3D)效應。將RuNb 2-Si多層堆疊320與Ru-Si多層堆疊進行比較，顯而易見，RuNb 2-Si多層堆疊320展現高得多之反射率，且其如此不會導致有效反射平面之深度的顯著增加(相比於例如若反射率藉由替代地使用Mo-Si多層堆疊而增加，則有效反射平面之深度增加)。可針對Ru 4Mo 2Nb 4-Si多層堆疊320進行類似觀察。觀察結果亦將適用於包含Mo、Ru及Nb中之至少兩者且具有小於或等於0.92之折射率及小於或等於0.015之吸收係數的其他合金。
圖9描繪豎直軸線上之反射率及水平軸線上以度為單位之入射角的曲線圖。曲線圖係基於具有40對之多層堆疊320及波長為大約13.5 nm之輻射。曲線圖中展示Mo-Si多層堆疊320、Ru-Si多層堆疊320、RuNb 2-Si多層堆疊320及Ru 4Mo 2Nb 4-Si多層堆疊320。通常，在9度以下，反射率隨入射角增加之變化並不顯著。事實上，反射率實際上自0度之入射角至約7.5度之入射角略微地增加。當入射角超過9度時，反射率快速減小。如可預期，Ru-Si多層堆疊320在入射角範圍內之反射率比Mo-Si多層堆疊320低得多。RuNb 2-Si多層堆疊320之效能優良，在整個入射角範圍內展現較高反射率。
考慮到上述內容，根據本發明之反射部件可較佳地在多層堆疊320中包含小於或等於40對321、進一步較佳地小於35對321且進一步較佳地小於35對321。多層堆疊320中之對321之數目可較佳地大於20。此外，根據本發明之反射部件之有效反射平面可在多層堆疊320之最上部表面下方小於45 nm、在多層堆疊320之最上部表面下方較佳地小於40 nm且在該多層堆疊之該表面下方進一步較佳地小於35 nm。反射部件之反射率(對於波長為13.5 nm及入射角為6˚之輻射)可較佳地大於0.73、進一步較佳地大於0.74且進一步較佳地大於0.75。
儘管以上描述主要參考遮罩300，但本發明不限於此實施，且多層堆疊320可實施於任何反射部件中。舉例而言，反射部件可用於位於微影設備內之其他組件中，諸如EUV掃描儀鏡面中。
當封蓋層330存在於多層堆疊320之上部表面上時，封蓋層320可由與相對低折射率層323相同之材料(亦即，上文詳細描述之合金)形成。即使當相對較低折射層323自身並不由合金構成時，此亦可為有利的。亦即，當相對低折射率層323由諸如鉬之另一材料形成時，封蓋層330可由本申請案中所揭示之合金形成。
儘管可在本文中特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
在上下文允許之情況下，本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施。本發明之實施例亦可由儲存於機器可讀媒體上之指令實施，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)；及其他者。此外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此類動作事實上起因於計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等且在執行此操作時可使得致動器或其他裝置與實體世界交互之其他裝置。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之上下文中的本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或另一基板)或遮罩(或另一圖案化裝置)之物件的任何設備之部分。此等設備可通常稱為微影工具。
儘管可能在上文已特定地參考在光學微影之上下文中的本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在上下文允許之情況下不限於光學微影。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。 1. 一種用於EUV微影設備中之反射部件，該反射部件包含多層堆疊，該多層堆疊包含成對地配置之複數個層，其中： 各對包含第一層及第二層； 該第一層由包含Si之材料形成；且 該第二層由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的材料形成，且其中該第二層經組態以對於具有大約13.5 nm之波長的光具有小於或等於0.92之折射率及小於或等於0.015之吸收係數。 2. 如條項1之反射部件，其中該第二層之該材料經組態以對於具有大約13.5 nm之波長的光具有小於0.91且較佳地小於0.9之折射率。 3. 如條項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料經組態以對於具有大約13.5 nm之波長的光具有小於0.014、較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012之吸收係數。 4. 如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料包含Nb。 5. 如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料包含Ru。 6. 如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料包含Mo。 7. 如前述條項中任一項之反射部件，其中該等第二層之該材料由Ru、Nb、Mo及常見雜質中之至少兩者組成。 8. 如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料中Nb之質量百分比大於5%、較佳地大於20%、較佳地大於40%且進一步較佳地大於60%。 9. 如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料中Ru之質量百分比大於30%、較佳地大於35%且進一步較佳地大於55%。 10.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料中Mo之質量百分比大於或等於0%、較佳地大於10%且進一步較佳地大於5%。 11.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料中Nb之該質量百分比小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於45%。 12.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料中Ru之該質量百分比小於85%、較佳地小於75%且進一步較佳地小於70%。 13.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料中Mo之該質量百分比小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於25%。 14.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料具有形式Ru xNb yMo zImp a，且其中： Imp表示至少一種雜質； x+y+z+a=1；且 該材料之組成物使得0.887x+0.9337y+0.9237z小於0.92、較佳地小於0.91且進一步較佳地小於0.9。 15.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該第二層之該材料具有形式Ru xNb yMo zImp a，且其中： Imp表示至少一種雜質； x+y+z+a=1；且 該材料之該組成物使得0.0171x+0.0052y+0.0064z小於0.015、較佳地小於0.014、進一步較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012。 16.      如條項1至7中任一項之反射部件，其中Ru之該質量百分比大於20%、較佳地大於30%、進一步較佳地大於32%、小於40%、較佳地小於35%且較佳地小於34%，且Nb之該質量百分比大於50%、較佳地大於60%且進一步較佳地大於66%、小於80%、較佳地小於70%且進一步較佳地小於67%。 17.      如條項1至7中任一項之反射部件，其中：Ru之該質量百分比大於50%、較佳地大於55%、進一步較佳地大於59%、小於70%、較佳地小於65%且進一步較佳地小於61%；Mo之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%。 18.      如條項1至7中任一項之反射部件，其中：Ru之該質量百分比大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%；Mo之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之該質量百分比大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%。 19.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該反射部件具有在該多層堆疊之最上部表面下方小於45 nm、在該多層堆疊之該最上部表面下方較佳地小於40 nm且在該多層堆疊之該最上部表面下方進一步較佳地小於35 nm的有效反射平面。 20.      如前述條項中任一項之反射部件，其中該反射部件經組態以供用作EUV掃描儀鏡面。 21.      如條項1至19中任一項之反射部件，其中該反射部件經組態以供用作EUV光罩，且該反射部件進一步包含上面形成有該多層堆疊之基板及定位於該多層堆疊之該最上部表面上之封蓋層。 22.      如條項21之反射部件，其中該封蓋層由與各第二層相同之材料形成。 23.      如條項21或22之反射部件，其中該反射部件進一步包含定位於該封蓋層之最上部表面上的吸收體層。 24.      一種微影設備，其包括如前述條項中任一項之反射部件。 25.      一種製造裝置之方法，其包括使用如條項1至23中任一項之反射部件。 26.      一種EUV光罩，其包含： 基板； 多層堆疊，其包含成對地配置之複數個層；及 封蓋層，其由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的材料形成，且其中該封蓋層經組態以對於具有大約13.5 nm之波長的光具有小於0.92之折射率及小於0.0015之吸收係數。 27.      如條項26之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料經組態以對於具有大約13.5 nm之波長的光具有小於0.91且較佳地小於0.9之折射率。 28.      如條項26或27之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料經組態以對於具有大約13.5 nm之波長的光具有小於0.014、較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012之吸收係數。 29.      如條項26至28之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料包含Nb。 30.      如條項26至29中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料包含Ru。 31.      如條項26至30中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料包含Mo。 32.      如條項26至31中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料由Ru、Nb、Mo及常見雜質中之至少兩者組成。 33.      如條項26至32中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料中Nb之質量百分比大於5%、較佳地大於20%、較佳地大於40%且進一步較佳地大於60%。 34.      如條項26至33中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料中Ru之質量百分比大於30%、較佳地大於35%且進一步較佳地大於55%。 35.      如條項26至34中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料中Mo之質量百分比大於或等於0%、較佳地大於5%且進一步較佳地大於10%。 36.      如條項26至35中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料中Nb之該質量百分比小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於45%。 37.      如條項26至36中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料中Ru之該質量百分比小於85%、較佳地小於75%且進一步較佳地小於70%。 38.      如條項26至37中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料中Mo之該質量百分比小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於25%。 39.      如條項26至38中任一項之EUV光罩，其中該第二層之該材料具有形式Ru xNb yMo zI a，其中I表示至少一種雜質，且該材料之組成物使得0.887x+0.9337y+0.9237z小於0.92、較佳地小於0.91且進一步較佳地小於0.9。 40.      如條項26至39中任一項之EUV光罩，其中該封蓋層之該材料具有形式Ru xNb yMo zI a，其中I表示至少一種雜質，且該材料之該組成物使得0.0171x+0.0052y+0.0064z小於0.015、較佳地小於0.014、進一步較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012。 41.      如條項26至32中任一項之EUV光罩，其中Ru之該質量百分比大於20%、較佳地大於30%、進一步較佳地大於32%、小於40%、較佳地小於35%且較佳地小於34%，且Nb之該質量百分比大於50%、較佳地大於60%且進一步較佳地大於66%並且小於80%、較佳地小於70%且進一步較佳地小於67%。 42.      如條項26至32中任一項之EUV光罩，其中：Ru之該質量百分比大於50%、較佳地大於55%、進一步較佳地大於59%、小於70%、較佳地小於65%且進一步較佳地小於61%；Mo之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%。 43.      如條項26至32中任一項之EUV光罩，其中：Ru之該質量百分比大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%；Mo之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之該質量百分比大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%。 44.      一種微影設備，其包括如條項26至43中任一項之EUV光罩。 45.      一種製造裝置之方法，其包括使用如條項26至43中任一項之EUV光罩。
21:未經圖案化光束 22:琢面化場鏡面裝置 24:琢面化光瞳鏡面裝置 26:經圖案化光束 28:反射元件 30:反射元件 100:微影設備 210:EUV輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 220:圍封結構 221:開口 300:遮罩 310:基板 320:多層堆疊 321:對 322:相對高折射率層 323:相對低折射率層 330:封蓋層 340:吸收體層 410:入射EUV輻射光束 421:經反射光束 422:經反射光束 431:有效反射平面 432:有效反射平面 500:控制器 B:輻射光束 C:目標部分 CO:輻射收集器 IF:虛擬源點 IL:照明系統 M1:遮罩對準標記 M2:遮罩對準標記 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 SO:源收集器模組 W:基板 WT:基板台
現將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪微影設備。
圖2描繪微影設備之更詳細視圖。
圖3以橫截面描繪EUV遮罩之實例。
圖4以橫截面描繪展示兩個經反射光束之EUV遮罩。
圖5描繪Mo-Si多層堆疊及Ru-Si多層堆疊之豎直軸線上之反射率及水平軸線上之多層對之數目的曲線圖。
圖6描繪數個元素及合金之豎直軸線上之吸收係數及水平軸線上之折射率的曲線圖。
圖7描繪數個多層堆疊組態之豎直軸線上之反射率及水平軸線上之多層對之數目的曲線圖。
圖8描繪數個多層堆疊組態之豎直軸線上之反射率及水平軸線上之波長的曲線圖。
圖9描繪數個多層堆疊組態之豎直軸線上之反射率及水平軸線上之入射角的曲線圖。
320:多層堆疊
321:對
322:相對高折射率層
323:相對低折射率層
330:封蓋層
340:吸收體層
410:入射EUV輻射光束
421:經反射光束
422:經反射光束
431:有效反射平面
432:有效反射平面

Claims (20)

  1. 一種用於一EUV微影設備中之反射部件，該反射部件包含一多層堆疊，該多層堆疊包含成對地配置之複數個層，其中： 各對包含一第一層及一第二層； 該第一層由包含Si之一材料形成；且 該第二層由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的一材料形成，且其中該第二層經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於或等於0.92之一折射率及小於或等於0.015之一吸收係數。
  2. 如請求項1之反射部件，其中該第二層之該材料經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於0.91且較佳地小於0.9之一折射率。
  3. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於0.014、較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012之一吸收係數。
  4. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料包含Nb、Ru及/或Mo。
  5. 如請求項1或2之反射部件，其中該等第二層之該材料由Ru、Nb、Mo及常見雜質中之至少兩者組成。
  6. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料中Nb之質量百分比大於5%、較佳地大於20%、較佳地大於40%且進一步較佳地大於60%。
  7. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料中Ru之質量百分比大於30%、較佳地大於35%且進一步較佳地大於55%。
  8. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料中Mo之質量百分比大於10%且進一步較佳地大於5%。
  9. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料中Nb之該質量百分比小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於45%。
  10. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料中Ru之該質量百分比小於85%、較佳地小於75%且進一步較佳地小於70%。
  11. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料中Mo之該質量百分比小於70%、較佳地小於50%且進一步較佳地小於25%。
  12. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料具有形式Ru xNb yMo zImp a，且其中： Imp表示至少一種雜質； x+y+z+a=1；且 該材料之組成物使得0.887x+0.9337y+0.9237z小於0.92、較佳地小於0.91且進一步較佳地小於0.9。
  13. 如請求項1或2之反射部件，其中該第二層之該材料具有該形式Ru xNb yMo zImp a，且其中： Imp表示至少一種雜質； x+y+z+a=1；且 該材料之該組成物使得0.0171x+0.0052y+0.0064z小於0.015、較佳地小於0.014、進一步較佳地小於0.013且進一步較佳地小於0.012。
  14. 如請求項1或2之反射部件，其中Ru之該質量百分比大於20%、較佳地大於30%、進一步較佳地大於32%、小於40%、較佳地小於35%且較佳地小於34%，且Nb之該質量百分比大於50%、較佳地大於60%且進一步較佳地大於66%、小於80%、較佳地小於70%且進一步較佳地小於67%。
  15. 如請求項1或2之反射部件，其中：Ru之該質量百分比大於50%、較佳地大於55%、進一步較佳地大於59%、小於70%、較佳地小於65%且進一步較佳地小於61%；Mo之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%。
  16. 如請求項1或2之反射部件，其中：Ru之該質量百分比大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%；Mo之該質量百分比大於10%、較佳地大於15%、進一步較佳地大於19%、小於30%、較佳地小於25%且進一步較佳地小於21%；且Nb之該質量百分比大於30%、較佳地大於35%、進一步較佳地大於39%、小於50%、較佳地小於45%且進一步較佳地小於41%。
  17. 如請求項1或2之反射部件，其中該反射部件具有在該多層堆疊之一最上部表面下方小於45 nm、在該多層堆疊之該最上部表面下方較佳地小於40 nm且在該多層堆疊之該最上部表面下方進一步較佳地小於35 nm的一有效反射平面。
  18. 如請求項1或2之反射部件，其中該反射部件經組態以供用作一EUV掃描儀鏡面。
  19. 如請求項1或2之反射部件，其中該反射部件經組態以供用作一EUV光罩，且該反射部件進一步包含上面形成有該多層堆疊之一基板及定位於該多層堆疊之該最上部表面上之一封蓋層。
  20. 一種EUV光罩，其包含： 一基板； 一多層堆疊，其包含成對地配置之複數個層；及 一封蓋層，其由包含Ru、Nb及Mo中之至少兩者的一材料形成，且其中該封蓋層經組態以對於具有大約13.5 nm之一波長的光具有小於0.92之一折射率及小於0.0015之一吸收係數。
TW112126764A 2022-07-30 2023-07-18 用於ｅｕｖ微影之反射部件 TW202414071A (zh)

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