JP2012138418A - 接合装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板保持部44の下端に設けられた静電チャック45の接触面46には、パターン電極49が埋設され、吸着力が作用して上側基板SAを吸着、保持する吸着力作用領域47が備えられている。吸着力作用領域47は、処理される基板の中で最小径の上側基板SA1が吸着されると、その上側基板SA1により覆われるサイズに形成されている。また、吸着力作用領域47内には、検知センサ50を構成する可動部58の接触部55が進退する検知窓Wが開口されている。これにより、上側基板SA1の静電チャック45への吸着、非吸着のみならず、上側基板SA1よりも大きな径を有する上側基板SA2、SA3の静電チャック45への吸着、非吸着も検知することが可能となる。
【選択図】図4
Description
この接合装置は、第1被接合体を吸着する吸着手段を備える接合体保持部と、接合体保持部に対する第1被接合体の吸着の有無を検知する検知センサと、第1被接合体の第1接合面と第2被接合体の第2接合面を活性化するための活性化成分を出力する活性化部と、を備える。
本発明の吸着手段は、第1被接合体と接触する接触面を有し、この接触面は、吸着力が作用し第1被接合体を吸着して保持する吸着力作用領域と、吸着力が作用しない吸着力非作用領域と、に区分される。
本発明の検知センサは、第1の位置と第2の位置との間を変位する可動部と、可動部の変位を検知する検知部と、を備える。第1の位置は、接合体保持部に第1被接合体が吸着されていない場合に対応し、接触面より可動部の一部が突出する。また、第2の位置は、可動部が、接合体保持部に吸着される第1被接合体に接触することにより移動される位置である。
本発明に係る接合体保持部は、第1の位置と第2の位置との間を変位する際に、可動部のその一部が進退する検知窓を備える。この検知窓は、吸着力作用領域内に形成される。
なお、以上では第1被接合体についてのみ言及しているが、第2被接合体が吸着される接合体保持部をさらに備える場合には、この接合体保持部について同様の検知窓を設けるとともに、同様の検知センサを設けることができる。つまり、本発明の特徴部分は、第1被接合体及び第2被接合体の一方又は双方に適用されることを包含する。
<第1実施形態>
図1に示されているように、常温接合装置1は、接合チャンバ2とロードロックチャンバ3とを備えている。接合チャンバ2とロードロックチャンバ3は、内部を環境から密閉する容器であり、一般的には、ステンレス鋼、アルミニウム合金などにより形成されている。常温接合装置1は、さらに、ゲートバルブ5を備えている。ゲートバルブ5は、接合チャンバ2とロードロックチャンバ3との間に介設され、接合チャンバ2の内部とロードロックチャンバ3の内部とを接続するゲートを閉鎖し、または、開放する。
イオンガン32は、照射方向36に向けて加速された荷電粒子(活性化成分)を放出する。その荷電粒子としては、アルゴンイオンが例示される。ただし、イオンガン32は、基板の表面を活性化することのできる他の表面活性化部に置換することができる。その表面活性化部としては、プラズマガン、高速原子ビーム源などが例示される。
電子銃33は、イオンガン32により荷電粒子が照射される対象に向けて加速された電子を放出する。
ロードセル42は、接合チャンバ2に対して鉛直方向に移動可能に支持されている。
角度調整機構43は、図2(b)に示すように、基板保持部44と接合される球フランジ43bと、かしめにより球フランジ43bに固定される固定フランジ43cと、球フランジ43bに密着する球座面を有し、ロードセル42に接合される球座43aとを備える。基板保持部44は、この角度調整機構43を介して、任意の向きへの角変位ができるようにロードセル42に支持されている。
図2(b)に示すように、基板保持部44の下端には、基板を吸着して保持する静電チャック(吸着手段)45が設けられている。静電チャック45と静電チャック45に吸着される基板との間に電圧が印加され、鉛直方向の上向きに作用する静電力によって静電チャック45の接触面46に基板を吸着して保持する。そのために、静電チャック45の内部には、例えば櫛歯状のパターン電極49が埋設されている。
図3に示すように、基板保持部44の平面方向の中心近傍には、基板が静電チャック45へ吸着しているか否かを検知する検知センサ50が設けられている。検知センサ50は、図示しない配線によりイオンガン32の動作を制御する制御部4に接続されている。制御部4は、検知センサ50が基板(上側基板)の静電チャック45への吸着を検知しているときは、イオンガン32のインターロックを解除し、荷電粒子の照射を開始できる状態とし、検知センサ50が基板の静電チャック45への吸着を検知していないときは、イオンガン32をインターロックして、荷電粒子を照射できない状態とする。なお、検知センサ50と制御部4とで、基板検知部を構成する。
圧接機構41は、ユーザの操作により、基板保持部44を接合チャンバ2に対して鉛直方向に移動させる。
図4(a)は、静電チャック45を接触面46側からみた斜視図である。接触面46は、その中心部に配置される円形の吸着力作用領域47と、その周囲に配置されるリング状の吸着力非作用領域48とに区分される。
吸着力作用領域47は、静電チャック45内に埋設されるパターン電極49に対応しており(図3)、上側基板SAを吸着する力(静電力)が作用する。吸着力非作用領域48は、パターン電極49が配置されていない領域に対応しており、静電力、つまり吸着力は作用しない。
吸着力作用領域47の径、つまりパターン電極49に対応する領域の径が上側基板SA1の径よりも大きいと、吸着された上側基板SA1から吸着力作用領域47の外周部がはみ出してしまう。この状態でイオンガン32から荷電粒子が照射されると、上側基板SA1からはみ出した吸着力作用領域47の部分(非被覆部分)が荷電粒子によりエッチングされる。そうすると、吸着力の発生に支障をきたすことがある。また、接合チャンバ2の内側表面や接合チャンバ2内の構成物が荷電粒子によりエッチングされ、それに起因する浮遊物が非被覆部分に付着すると以下のような不具合が生ずるおそれがある。つまり、接合チャンバ2の構成要素は、ステンレス鋼やアルミニウム等の導電性材料から構成されているため、その付着物に対して電圧が印加されると、非被覆部分に対応するパターン電極49の電荷を短絡させる。そうすると、上側基板SA1に覆われた中心部も含む、吸着力作用領域47全体に対応するパターン電極49の電荷が失われ、吸着力を発生させることができなくなる。
以上のような理由により、吸着力作用領域47は、最小径の上側基板SA1が吸着されたときに、上側基板SA1により覆われる径に形成されることが好ましい。
なお、ここでは吸着力作用領域47を、最小径の上側基板SA1よりも径を小さくしているが、本発明はこれに限定されず、吸着力作用領域47の径を上側基板SA1の径と同じにすることもできる。また、上述した不具合が実質的に生じない程度に小さければ、非被覆部分が生じていてもかまわない。
OD>2D・・・・・(式)
また、上側基板SAの接合時に上側基板SAの表面全体に対して荷重が付加されるため、最大径の上側基板SA3は、静電チャック45の接触面46の径を超えないことが好ましい。
図3に示すように、検知センサ50は、基板保持部44の平面方向の中心近傍に設けられ、鉛直方向に往復直線運動可能に支持される可動部53と、可動部53が上端位置にあることを検知する固定検知部54と、からなる。
永久磁石57としては、ネオジム磁石(Nd−Fe−B系磁石)やサマリウムコバルト磁石(Sm−Co系磁石)を用いることができる。
図5(a)に示すように、上側基板SAが静電チャック45に吸着されていないとき、可動部53のストッパ部58は拡経部Peの底部Pebに保持され、接触部55は吸着力作用領域47内に設けられた検知窓Wを介し、接触面46から突出している(第1の位置)。このとき、永久磁石57とホールIC素子59は互いに最も離れた位置にあり、ホールIC素子59が検知する永久磁石57の磁気は最も弱い。接触部55が第1の位置にあるとき、イオンガン32は、制御部4によりインターロックされており、荷電粒子を照射できない。
図5(b)に示すように、例えば、上側基板SA1が静電チャック45に吸着されると、接触部55が上側基板SAに接触して接触面46と同一面内(第2の位置)に押し込まれ、可動部53が上昇する。このとき、上側基板SAが吸着力作用領域47を覆う。さらに、このとき、永久磁石57とホールIC素子59が互いに最も接近して、ホールIC素子59の出力信号電圧にも変化が生じる。このホールIC素子59の出力信号電圧は、制御部4の信号処理回路においてしきい値である基準信号電圧と比較され、上側基板SAが静電チャック45に吸着されていると判定される。この判定結果に基づき、制御部4はイオンガン32のインターロックを解除するので、イオンガン32は荷電粒子の照射を行えるようにスタンバイする。
イオンガン32の照射による上側基板SAの接合面の活性化中に、上側基板SAが静電チャック45から外れると、可動部53は自重により下降し、接触部55は検知窓Wを通って第1の位置に戻る。そうすると、制御部4は、イオンガン32を再びインターロックし、荷電粒子の照射を強制的に終了する。
ユーザは、まず、ゲートバルブ5を閉鎖して、真空ポンプ31を用いて接合チャンバ2の内部に真空雰囲気を生成し、ロードロックチャンバ3の内部に大気圧雰囲気を生成する。ユーザは、ロードロックチャンバ3の蓋を開けて、上側カートリッジ11を上側カートリッジ台6に配置し、下側カートリッジ12を下側カートリッジ台7に配置する。
ユーザは、上側カートリッジ11に治具を用いて上側基板SAを載せる。ユーザは、下側カートリッジ12に治具を用いて下側基板SB(第2被接合体に対応)を載せる。この治具としては、例えば図6(a)、(e)に示すように、外形が円形の治具13A、13Bを用いることができる。治具13Aは上側基板SAに、治具13Bは下側基板SBに、それぞれ対応する。これらの治具13A、13Bには、上側基板SAまたは下側基板SBを収容する円形の凹部からなる基板収容部14A、14Bが設けられている。基板収容部14A、14Bは、治具13A、13Bの外形と同心円をなしている。また、治具13Aの基板収容部14Aは、その中心軸が、上側カートリッジ11の中心軸に一致するように形成されている。同様に、治具13Bの基板収容部14Bは、その中心軸が、下側カートリッジ12の中心軸に一致するように形成されている。治具13Aの基板収容部14Aの底部はさらに同心円状の段差を備えており、治具13Aの構成材料表面と上側基板SAの接合面との間に空間を設けることで、治具13Aと上側基板SAの接合面との接触を防ぎ、上側基板SAの接合面の汚染を防止している。この段差によって、上側基板SAは外周部のみ支持される。
図6(b)に示すように、上側カートリッジ11に上側基板SAを載せる際には、上側基板SA1が基板収容部14Aに収容された治具13Aを上側カートリッジ11の上端に嵌合する。治具13A(基板収容部14A)と上側カートリッジ11の中心軸が一致しているので、上側基板SA1は、その中心が上側カートリッジ11の中心と一致することになる。径の異なる上側基板SA2、SA3については、これらの上側基板SA2、SA3に対応する径の基板収容部114A、214Aを備える治具113A、213Aを用意し(図6(c)、(d))、治具13Aと同様に用いることができる。また、下側カートリッジ12に上側基板SA1、SA2、SA3にそれぞれ対応する下側基板SB1、SB2、SB3を載せる場合も同様に、これらの基板に対応する径の基板収容部14B、114B、214Bを備えた治具13B、113B、213Bを用いることができる(図6(f)、(g)、(h))。
なお、上側カートリッジ11、下側カートリッジ12への、上側基板SA、下側基板SBのそれぞれの搭載方法は、これに限らず適宜変更可能である。例えば、図7(a)、(b)、(c)に示すように、上側基板SAの径と同じ径を有し、上側基板SAを接合面の外周部のみで支持するリング状の突起115A、215A、315Aを上側カートリッジ111の上面に設け、上側基板SAを上側カートリッジ111に直接載せる方法がある。また、図7(d)、(e)に示すように、下側基板SBの径と同じ径を有し、下側基板SBを接合面の裏側面全面で支持する円盤状の突起115B、215Bを下側カートリッジ112の上面に設け、下側基板SBを下側カートリッジ112に直接載せる方法がある。突起115A、215A、315A、115B、215Bの径と、上側基板SAおよび下側基板SBのそれぞれの径が一致するように上側カートリッジ111および下側カートリッジ112にそれぞれ載せることで、上側基板SAおよび下側基板SBの中心軸が、上側カートリッジ111および下側カートリッジ112の中心軸とそれぞれ一致することになる。また、下側基板SBの径と下側カートリッジ112の径が一致する場合は、例えば図7(f)に示すように、下側カートリッジ112に突起115B、215Bを設けず、下側基板SBを下側カートリッジ112に直接載せることもできる。
なお、図7に示す方法を用いる場合、治具13A、113A、213A、13B、113B、213Bは用いない。
ユーザは、次いで、ロードロックチャンバ3の蓋を閉めて、ロードロックチャンバ3の内部に真空雰囲気を生成する。
また、常温接合装置1においては、吸着力作用領域47内に検知センサ50の検知窓Wを設けている。したがって、上側基板SAの径が変わっても静電チャック45への上側基板SAの吸着、非吸着を検知することができる。これにより、径の異なる基板を処理することが可能となり、効率的な接合基板の生産を実現することができる。加えて、検知センサ50は、上側基板SAを静電チャック45に吸着することにより基板保持部44の内部に密閉されるため、上側基板SAが静電チャック45に吸着された状態で行われるイオンガン32による照射から遮断される。これにより、イオンガン32の照射に起因する破片や不純物等が収容路Pを通じて検知室Rに達することがない。よって、検知センサ50は、長期間に亘って、上側基板SAの静電チャック45への吸着状態をリアルタイムに検知することが可能となる。
さらに、パターン電極49は接触面46の中心部の限られた領域に形成されるため、接触面46の全面にパターン電極49を埋設し吸着力作用領域47を設ける場合と比較して、コストを削減することもできる。
さらにまた、上側基板SAは、治具13、113、213等を用いることで、格別な位置合わせをしなくても、上側カートリッジ11の中心に配置される。したがって、常温接合装置1は、いずれの径の上側基板SAを処理する場合でもその中心を静電チャック45の吸着力作用領域47に一致させることができる。したがって、上側基板SAをロードロックチャンバ3から接合チャンバ2に搬送するハンド17のサイズや搬送位置決めを制御するパラメータを上側基板SAの径に応じて変更する必要がない。
図8に示すように、第2実施形態の常温接合装置1は、検知センサ50の可動部53にばね要素Sを設けたことを除いて、第1実施形態と同様に構成されている。したがって、図8において、図3と同符号は図3と同じ構成部分を示している。
可動部53は、上側基板SAが静電チャック45から離脱すると自重により第1の位置に復帰するが、上述のようなばね要素Sを設けることで、上側基板SAが静電チャック45から離脱する際の可動部53の第1の位置への復帰が確実に行われる。
また、吸着する上側基板SAの径や重量に応じて変化する吸着力に対応させてばね要素Sのばね力を調整することにより、上側基板SAの静電チャック45からの離脱(デチャック)を補助することができ、デチャックの信頼性も向上することができる。
もちろん、本実施形態においても第1実施形態により得られる効果を得ることができるとは言うまでもない。
なお、ばね要素Sとしては、コイル状のばねに限らず、板ばね等公知のばねを使用することができる。ばね要素Sは、圧縮されたばねが原形に復帰するときの反発力が、静電チャック45(吸着力作用領域47)の吸着力以下であるものとする。
図9に示すように、第3実施形態は、検知センサ50の収容路Pに案内Gを設けたことの外は、第1実施形態と同様に構成されている。したがって、図9において、図3と同符号は図3と同じ構成部分を示している。
このような構成とすることで、第1実施形態および第2実施形態で得られる効果に加えて、可動部53の収容路Pにおける往復直進運動を円滑なものとすることができる。
図10に示すように、第4実施形態は、検知センサ50を光電式の検知センサ150とした外は、第1実施形態と同様に構成されている。したがって、図10において、図3と同符号は図3と同じ構成部分を示している。
検知センサ150は、発光部159aと受光部159bとからなる光電式検知部159を検知室Rに備えている。発光部159aは、受光部159bに向けて検知光159cを発光している。受光部159bが検知光159cを受光しているとき、光電式検知部159からの信号により、制御部4は、イオンガン32をインターロックする。
検知センサ150は、可動部153を備えている。可動部153は、第1円柱部152に永久磁石を備えていないことを除いて、第1実施形態の可動部53と同じ構成である。
上側基板SAが静電チャック45の吸着力作用領域47に吸着して可動部153が上昇すると、第1円柱部152の先端が検知光159cを遮蔽し、受光部159bが検知光159cを受光できなくなる。そうすると、制御部4は、上側基板SAが静電チャック45に吸着していると判定し、イオンガン32のインターロックを解除する。
このように、上側基板SAが吸着されると外部から遮蔽される検知室Rに光電式検知部159を設けることにより、発光部159aの発光面や受光部159bの受光面がイオンガン32による荷電粒子の照射に起因するデポジションの影響を受けることがない。したがって、検知センサ150の検知性能を長期に渡り維持することが可能となる。
以上では常温接合装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、プラズマ照射により接合面を活性化した後に接合を行う方法・装置など、他の接合方法であって、被接合体が吸着されながら保持される部位を備える接合装置に広く適用することができる。
また、以上では、第1被接合体(上側基板SA)と第2被接合体(下側基板SB)とが鉛直方向に対向して配置された状態で接合面が活性化され、かつ接合される形態を説明したが、本発明はこれに限定されない。要は、第1被接合体(又は第2被接合体)が吸着された状態にありながら、吸着が不十分なために第1被接合体が鉛直方向に落下し、あるいは接触面からずれ落ちる可能性がある状態で活性化処理される接合装置に広く適用できる。例えば、第1被接合体(第1接合面)及び第2被接合体(第2接合面)がともに水平方向に沿っているが軸同士が偏心して配置されている場合、あるいは、第1被接合体及び第2被接合体がともに鉛直方向に沿って配列されている場合も本発明に包含される。
さらに、本発明の常温接合装置で接合される第1被接合体および第2被接合体の形状は円形に限られず、例えば矩形など異なる形状のものを用いることができる。また、第1被接合体および第2被接合体の径は、4インチ、6インチ、および8インチに限られず、これらよりも小さいあるいは大きな径を有するものを適用できることは言うまでもない。
Claims (8)
- 第1被接合体の第1接合面と第2被接合体の第2接合面を予め活性化した後に、前記第1接合面と前記第2接合面とを付き合わせて前記第1被接合体と前記第2被接合体を接合する接合装置であって、
第1被接合体を吸着する吸着手段を備える接合体保持部と、
前記接合体保持部に対する前記第1被接合体の吸着の有無を検知する検知センサと、
前記第1被接合体の前記第1接合面と前記第2被接合体の前記第2接合面を活性化するための活性化成分を出力する活性化部と、を備え、
前記吸着手段は、
前記第1被接合体と接触する接触面を有し、前記接触面は、吸着力が作用し前記第1被接合体を吸着して保持する吸着力作用領域と、吸着力が作用しない吸着力非作用領域と、に区分され、
前記検知センサは、
前記接触面よりその一部が突出し、前記接合体保持部に前記第1被接合体が吸着されていない第1の位置と、前記接合体保持部に吸着されている前記第1被接合体に接触することにより移動される第2の位置と、の間を変位する可動部と、
前記可動部の変位を検知する検知部と、を備え、
前記接合体保持部は、
前記第1の位置と前記第2の位置との間を変位する際に、前記可動部の前記その一部が進退する検知窓、を備え、
前記検知窓は、前記吸着力作用領域内に形成される、
ことを特徴とする接合装置。 - 前記吸着力は、前記吸着力作用領域に対応して設けられた電極により発生される、
請求項1に記載の接合装置。 - 前記検知センサの前記可動部は、鉛直方向に往復直進運動することにより、前記第1の位置と前記第2の位置との間を変位する、
請求項1または2に記載の接合装置。 - 前記検知センサは、前記第1の位置と前記第2の位置との間で検知される磁気の変化により前記第1非接合体の吸着の有無を検知する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記検知センサは、前記第1の位置と前記第2の位置との間で検知される光の変化により前記第1非接合体の吸着の有無を検知する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記検知センサの前記可動部に、前記可動部の前記往復直進運動に対応して伸縮するばね要素が設けられている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記接合体保持部は、前記可動部が前記往復直進運動する収容路を備え、
前記収容路には、フッ素系樹脂からなる案内が設けられている、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記検知センサの検知結果に基づいて、前記活性化部からの前記活性化成分の出力を制御する制御部を備える、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の接合装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020123677A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | 株式会社東京精密 | ワーク載置台 |
WO2023182255A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | ボンドテック株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3003768U (ja) * | 1994-05-02 | 1994-11-01 | 敏行 小泉 | 接触検出器 |
JP2006005240A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
JP2010087278A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
-
2010
- 2010-12-24 JP JP2010288450A patent/JP5822462B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3003768U (ja) * | 1994-05-02 | 1994-11-01 | 敏行 小泉 | 接触検出器 |
JP2006005240A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 基板搬送装置、基板搬送方法および露光装置 |
JP2010087278A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020123677A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | 株式会社東京精密 | ワーク載置台 |
JP7335076B2 (ja) | 2019-01-30 | 2023-08-29 | 株式会社東京精密 | ワーク載置台 |
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