JP2012138396A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型半導体層116と、n+型半導体層116よりも低濃度のn型不純物を含有するn型のドリフト層112と、ドリフト層112の表面に形成した、拡散深さが深いボディ部分118aと、拡散深さが浅いチャネル部分118bとからなるp型のボディ領域118と、ボディ領域118の表面に形成したn+型のソース領域120と、チャネル部分118bの上にゲート絶縁層122を介して形成したゲート電極124とを備える半導体装置であって、平面的に見てボディ領域118と重ならない領域に位置するドリフト層112には、ドリフト層112よりも高濃度のn型不純物を含有するn型の低抵抗領域144aがn+型半導体層116と接するように形成されている半導体装置100。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の半導体装置100を説明するために示す図である。図1(a)は半導体装置100の要部断面図であり、図1(b)は半導体装置100のDMOS部の断面図であり、図1(c)は半導体装置100のDMOS部の平面図である。なお、図1中、符号122はゲート絶縁層を示し、符号126は保護絶縁層を示し、符号130は絶縁膜を示し、符号142はアルミニウム電極層を示す。また、図1(b)においては、電極等の構造は図示を省略してあり、図1(c)においては、ドリフト層112、ボディ領域118及び第1埋め込み領域(本発明の低抵抗領域)144aのみを示してある。なお、図1(a)及び図1(b)中、符号144bは第2埋め込み領域を示し、符号144cは第3埋め込み領域を示し、符号144は埋め込み領域を示す。
図8は、変形例1に係る半導体装置100aを説明するために示す図である。図8(a)は半導体装置100aの要部平面図であり、図8(b)は半導体装置100aのDMOS部のA−A’断面図であり、図8(c)は半導体装置100aのDMOS部のB−B’断面図であり、図8(d)は半導体装置100aのDMOS部のC−C’断面図である。図9は、変形例2に係る半導体装置100bを説明するために示す図である。
図10は、変形例3に係る半導体装置100cを説明するために示す図である。図11は、変形例4に係る半導体装置100dを説明するために示す図である。
図12は、変形例5に係る半導体装置100eを説明するために示す図である。
。図13は、変形例6に係る半導体装置200を説明するために示す図である。図14は、変形例7に係る半導体装置200aを説明するために示す図である。
図15は、変形例8に係る半導体装置300を説明するために示す図である。
Claims (7)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に位置し、前記第1半導体層よりも低濃度の第1導電型不純物を含有する第1導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の表面に形成した、拡散深さが深いボディ部分と、拡散深さが浅いチャネル部分とからなる第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域の表面に形成した第1導電型のソース領域と、
前記チャネル部分の上にゲート絶縁層を介して形成したゲート電極とを備える半導体装置であって、
平面的に見て前記ボディ領域と重ならない領域に位置する前記第2半導体層には、前記第2半導体層よりも高濃度の第1導電型不純物を含有する第1導電型の低抵抗領域が前記第1半導体層と接するように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1半導体層は、第2導電型の第3半導体層の上に位置し、ドレイン導出領域を介して前記第2半導体層の表面側に位置するドレイン電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1半導体層は、平面的に見て前記ボディ部分と重なる領域に欠損部を有しない構造を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2又は3に記載の半導体装置において、
前記低抵抗領域における第1導電型不純物の濃度は、前記第1半導体層における第1導電型不純物の濃度以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2〜4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記低抵抗領域が含有する第1導電型不純物は、前記第1半導体層が含有する第1導電型不純物よりも大きい拡散係数を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1半導体層における前記第2半導体層に接する面の反対側の面には、ドレイン電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記低抵抗領域における第1導電型不純物の濃度は、前記第1半導体層における第1導電型不純物の濃度以下であることを特徴とする半導体装置。
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