JP2012138340A - 電界放出陰極素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 236
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000029749 Microtubule Human genes 0.000 description 1
- 108091022875 Microtubule Proteins 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004688 microtubule Anatomy 0.000 description 1
- 239000011943 nanocatalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/041—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
- H01J2329/0431—Nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/0439—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2329/0444—Carbon types
- H01J2329/0455—Carbon nanotubes (CNTs)
Abstract
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む。前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面上に配列される。前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられる。前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用される。前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少している。
【選択図】図1
Description
図1及び図2を参照すると、本実施例は、電界放出陰極素子200を提供する。前記電界放出陰極素子200は、第一カーボンナノチューブ構造体212及び第二カーボンナノチューブ構造体214を含む。前記第二カーボンナノチューブ構造体214は、前記複数の第二カーボンナノチューブ214aからなる。前記第一カーボンナノチューブ構造体212の表面に形成される。前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に垂直に設けられ、前記第一カーボンナノチューブ構造体212に電気的に接続されている。
図8及び図9を参照すると、本実施例の電界放出陰極素子300は、第一カーボンナノチューブ構造体312及び複数の第二カーボンナノチューブ構造体314を含む。前記電界放出陰極素子300は、実施例1の電界放出陰極素子200と比べて、次の異なる点がある。前記電界放出陰極素子300は、複数の第二カーボンナノチューブ構造体314を含む。
212、312 第一カーボンナノチューブ構造体
213 触媒粒子
214、314 第二カーボンナノチューブ構造体
214a、314a 第二カーボンナノチューブ
214c、314c 先端
220、320 基板
221 第一導電性基体
222 第二導電性基体
243a カーボンナノチューブフィルム
243b カーボンナノチューブセグメント
245 カーボンナノチューブ
322 導電性基体
Claims (2)
- 第一カーボンナノチューブ構造体と、第二カーボンナノチューブ構造体と、を含む電界放出陰極素子であって、
前記第一カーボンナノチューブ構造体は、複数の第一カーボンナノチューブが面状に配列され、
前記第二カーボンナノチューブ構造体は、複数の各行に配列された複数の第二カーボンナノチューブからなるとともに、前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に形成され、
前記複数の第二カーボンナノチューブは、前記第一カーボンナノチューブ構造体の前記表面に垂直に設けられ、
前記第二カーボンナノチューブ構造体の、前記第一カーボンナノチューブ構造体の前記表面から離れる端部は、電子放出の先端として利用され、
前記複数の第二カーボンナノチューブの高さは、中間行が最も高く、前記中間行から離れる方向に沿って次第に減少していることを特徴とする電界放出陰極素子。 - 第一カーボンナノチューブ構造体及び基板を提供する第一ステップと、
前記基板に対して前記第一カーボンナノチューブ構造体を懸架させる第二ステップと、
前記第一カーボンナノチューブ構造体に電圧を印加し、温度勾配を形成する第三ステップと、
前記第一カーボンナノチューブ構造体の表面に複数のカーボンナノチューブを成長させ、第二カーボンナノチューブ構造体を形成する第四ステップと、
を含むことを特徴とする電界放出陰極素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010607382.6 | 2010-12-27 | ||
CN2010106073826A CN102074429B (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 场发射阴极结构及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012138340A true JP2012138340A (ja) | 2012-07-19 |
JP5504238B2 JP5504238B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=44032928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011225712A Active JP5504238B2 (ja) | 2010-12-27 | 2011-10-13 | 電界放出陰極素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8710727B2 (ja) |
JP (1) | JP5504238B2 (ja) |
CN (1) | CN102074429B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103383909B (zh) * | 2012-05-04 | 2015-11-25 | 清华大学 | 场发射装置 |
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CN107464880B (zh) * | 2016-06-02 | 2020-04-14 | 清华大学 | 有机薄膜晶体管制备方法和制备装置 |
US11373833B1 (en) | 2018-10-05 | 2022-06-28 | Government Of The United States, As Represented By The Secretary Of The Air Force | Systems, methods and apparatus for fabricating and utilizing a cathode |
CN112242281B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-22 | 清华大学 | 碳纳米管场发射体及其制备方法 |
CN112053925A (zh) * | 2020-10-09 | 2020-12-08 | 深圳先进技术研究院 | 场发射阴极及其制备方法 |
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-
2010
- 2010-12-27 CN CN2010106073826A patent/CN102074429B/zh active Active
-
2011
- 2011-05-23 US US13/113,202 patent/US8710727B2/en active Active
- 2011-10-13 JP JP2011225712A patent/JP5504238B2/ja active Active
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2014
- 2014-02-11 US US14/178,188 patent/US9087667B2/en active Active
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CN102074429B (zh) | 2013-11-06 |
US20120161608A1 (en) | 2012-06-28 |
US8710727B2 (en) | 2014-04-29 |
US9087667B2 (en) | 2015-07-21 |
US20140166494A1 (en) | 2014-06-19 |
JP5504238B2 (ja) | 2014-05-28 |
CN102074429A (zh) | 2011-05-25 |
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