JP2007227076A - 電界放射型電子源およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板12上に、複数の炭素膜ブロック14が配置されており、これら炭素膜ブロック14は、先端ほど細くなる複数の針状炭素膜16がほぼ一定の先端高さで基板面にほぼ垂直に成膜されて構成されている。炭素膜ブロック16同士は、基板12上において互いの間隔(ブロック間隔)が相互の電界放射を阻害しない間隔に制御されて配置されている。
【選択図】図1
Description
まず、図5(a)で示すように、基板12を準備する。この基板12の形状は、任意であり、特に限定されない。
次いで、図5(b)で示すように、基板12上に有機フォトレジストを塗布して有機フォトレジスト膜22を形成する。有機フォトレジストには、電子ビーム露光による超微細加工に適した有機フォトレジストが好ましく、高分解能電子線フォトレジストとして、例えば、PMMA(ポリメチルメタクリレート:アクリル樹脂)がある。これにはZEP520、ZEP700(日本ゼオン)がある。有機フォトレジスト膜22の形成には、例えば、スピンコート法がある。有機フォトレジストはこのスピンコート法による遠心力によって基板上に均一な厚さに塗布することができる。
次いで、図5(c)で示すように、有機フォトレジスト膜22を選択的に除去する。この選択的に除去する方法は、パターニング露光、現像することにより行われる。露光方法には特に限定されないが、例えば電子ビーム描画で作製されたフォトマスクを用いて縮小投影露光により行うか、あるいは、例えば電子ビームで直接描画させる電子ビーム露光により行うことができる。残存した有機フォトレジスト膜22の間隔は、炭素膜ブロック14の間隔(d)に対応するものであり、この間隔(d)に対応して有機フォトレジスト膜22を選択的に除去する。
次いで、図5(d)で示すように、除去されずに残存した有機フォトレジスト膜22を熱処理して導電性炭化物膜24に変える。この熱処理は真空中で例えば1000℃前後で加熱することにより行う。有機フォトレジスト膜22はこの加熱により導電性炭化物膜24になる。この場合、導電性炭化物膜24の膜厚は有機フォトレジスト膜22の膜厚に対応する。
次いで、図5(e)で示すように導電性炭化物膜24上に金属膜26を成膜する。この金属膜26を成膜する方法には、特に限定されないが、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の周知の成膜技術を利用することができる。また、金属膜26の材料は特に限定されないが、例えば、SUS等の鉄材がある。
次いで、図5(f)で示すように、金属膜26を例えば700℃前後で熱処理して金属微粒子28に変える。金属微粒子28の粒径は、好ましくは直径1〜100nm程度である。また、金属微粒子28の形成間隔は、針状炭素膜16の配置間隔に対応するものである。金属微粒子28の形成間隔を狭くすると、図2で示すように炭素膜ブロック14全体を1つの電子放出点とすることができ、金属微粒子28の形成間隔を広くすると、図3で示すように炭素膜ブロック14内の個々の針状炭素膜16それぞれを1つの電子放出点とすることができるようになる。これらは金属膜26の膜厚や、金属膜26の熱処理温度等により制御することができる。
次いで、図5(g)で示すように金属微粒子28をマスクにして導電性炭化物膜24をエッチングして針状炭素膜16を生成する。このエッチングは例えば周知のプラズマエッチング等を用いることにより行うことができる。このエッチングにより例えば、直径がnmオーダーで、高さがμmオーダーの針状炭素膜16を生成することができる。この場合、針状炭素膜16は、エッチングにより、先端に向かうほど細くなる炭素膜に成膜される。そして、このエッチングにより、針状炭素膜16は、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での半径をrx、その位置から先端までの高さをhxとして、hx/rxの式で表される形状に成膜することができる。
最後に、図5(h)で示すように金属微粒子28を酸により除去する。なお、金属微粒子28は残存していても電界放射することができるので、金属微粒子28を除去することは必ずしも必須となるものではない。
12 基板
14 炭素膜ブロック
16 針状炭素膜
Claims (5)
- 基板上に、複数の炭素膜ブロックが配置されており、
これら炭素膜ブロックは、先端ほど細くなる複数の針状炭素膜がほぼ一定の先端高さで基板面にほぼ垂直に成膜されて構成されており、
炭素膜ブロック同士は、基板上において互いの間隔(ブロック間隔)が相互の電界放射を阻害しない間隔に制御されて配置されている、
ことを特徴とする電界放射型電子源。 - 電界放射による電子放出点が上記炭素膜ブロック単位である、ことを特徴とする請求項1に記載の電界放射型電子源。
- 電界放射による電子放出点が上記針状炭素膜単位である、ことを特徴とする請求項1に記載の電界放射型電子源。
- 上記針状炭素膜が、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での半径をrx、その位置から先端までの高さをhx、として、hx/rxの式で表される形状を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の電界放射型電子源。
- 請求項1に記載の電界放射型電子源の製造方法であって、
基板上に有機フォトレジスト膜を一定厚さに形成するレジスト膜形成工程と、
上記有機フォトレジスト膜を上記ブロック間隔に対応して選択除去するレジスト膜除去工程と、
上記除去されずに残存した有機フォトレジスト膜を熱処理して導電性炭化物膜に変える導電性炭化物膜生成工程と、
上記導電性炭化物膜上に金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、
上記金属膜を熱処理して金属微粒子に変える金属微粒子生成工程と、
上記金属微粒子をマスクにして導電性炭化物膜をエッチングして針状炭素膜を生成するエッチング工程と、
を含む、ことを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
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