JP2012137243A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 低温冷媒を圧縮して高温冷媒を吐出する圧縮機と、
   前記高温冷媒と熱交換して加熱される水が内部を流れる熱交換器と、
   前記熱交換器に取り付けられ、直流電流を交流電流に変換するインバータ部にワイドバンドギャップ半導体素子を有し、前記交流電流を前記圧縮機に供給するインバータモジュールと、
   を備えるヒートポンプ装置。
2. 前記熱交換器は下部に熱交換される前の前記水が流入する流入部と上部に熱交換された後の前記水が流出する流出部を有し、
   前記インバータモジュールは前記流出部よりも前記流入部に近い位置に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載のヒートポンプ装置。
3. 前記流入部に前記水の温度を検出する温度検出手段を備える請求項２に記載のヒートポンプ装置。
4. 前記熱交換器と前記インバータモジュールを覆う断熱材を備える請求項１乃至３のいずれかに記載のヒートポンプ装置。
5. 前記インバータモジュールは前記熱交換器の表面と平行に配置された基板を有し、
   前記基板の前記熱交換器側の第１の基板面に前記ワイドバンドギャップ半導体素子が実装され、
   前記第１の基板面の裏側の第２の基板面に前記ワイドバンドギャップ半導体素子よりも熱に弱い電装部品が実装されている
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のヒートポンプ装置。
6. 前記熱交換器は開口が形成された断熱材に覆われ、
   前記インバータモジュールは前記開口に嵌め込まれていることを特徴とする請求項５に記載のヒートポンプ装置。
7. 前記ワイドバンドギャップ半導体素子はシリコンカーバイド、窒化ガリウム若しくはダイヤモンドを使用したＭＯＳＦＥＴ又は
   シリコンカーバイド、窒化ガリウム若しくはダイヤモンドを使用したショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のヒートポンプ装置。
8. 圧縮機に交流電力を供給するインバータモジュールが取り付けられ、前記圧縮機が吐出した高温の冷媒と水が熱交換する熱交換器から流出した前記冷媒の温度と予め定められた前記冷媒の最大許容温度を比較するステップと、
   前記冷媒の温度が前記最大許容温度よりも高い場合は圧縮機の回転数を下げるステップと、を備えることをヒートポンプの制御方法。
9. 前記圧縮機の回転数が所定値未満の場合に前記圧縮機の運転を止めるステップを備えることを特徴とする請求項８に記載のヒートポンプ装置の制御方法。