JP2012134615A - 発振装置および該発振装置を具備したクロック発生装置、半導体装置、ならびに電子装置 - Google Patents
発振装置および該発振装置を具備したクロック発生装置、半導体装置、ならびに電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012134615A JP2012134615A JP2010282927A JP2010282927A JP2012134615A JP 2012134615 A JP2012134615 A JP 2012134615A JP 2010282927 A JP2010282927 A JP 2010282927A JP 2010282927 A JP2010282927 A JP 2010282927A JP 2012134615 A JP2012134615 A JP 2012134615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- circuit
- voltage
- peak hold
- pmos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 340
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 18
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/06—Modifications of generator to ensure starting of oscillations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L5/00—Automatic control of voltage, current, or power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0002—Types of oscillators
- H03B2200/0012—Pierce oscillator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0062—Bias and operating point
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0094—Measures to ensure starting of oscillations
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
【解決手段】基準電圧を発生する定電圧発生回路4と、駆動電圧または駆動電流によって発振する発振回路1と、発振回路1の出力である発振信号のピークレベルを検出して出力するピークホールド回路2と、定電圧発生回路4で発生された基準電圧VREFとピークホールド回路2で出力されたピークレベルPHに応じて駆動電圧または駆動電流を増減させて発振回路1の電源端子VRに入力するレギュレータ3からなる。ピークホールド回路2は定電流で動作し過渡的な電力を消費しない構成となっている。なお、ピークホールド回路2の代わりにボトムホールド回路を用いても良い。
【選択図】図1
Description
a)本発明に係る発振装置は、基準電圧を発生する基準電圧発生手段(定電圧発生回路4)と、駆動電圧または駆動電流によって発振する発振手段(発振回路1)と、該発振手段(発振回路1)の出力である発振信号のピークレベルを検出して出力するピークホールド手段(ピークホールド回路2)と、基準電圧発生手段(定電圧発生回路4)によって発生された基準電圧(VREF)とピークホールド手段によって出力されたピークレベルに応じて前記駆動電圧または前記駆動電流を増減させる制御手段(レギュレータ3)とを有することを特徴としている。
これにより、過渡的な消費電流が流れないので無駄な電力消費を抑えられるとともにノイズの発生も抑え、発振特性が悪化するのを防止できるという効果がある。
これにより、温度が急に変化したときなどの急激な環境変化によって発振が停止する速度に追従できる程度のドループレートにしておくと、発振が止まることを防止できるという効果がある。
これにより、製造ばらつき、温度やパッケージなどによる環境の変化、経年変化などに伴うトランジスタなどの素子の特性変化を自己補正してばらつき幅を小さくできるという効果がある。
以下、本発明を実施するための実施形態について説明する。本発明は、発振回路の駆動電圧の制御に際して次のような特徴を有している。
<ピークホールド回路を用いた実施例の説明>
以下、上記特徴を有する本発明を、図面を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明に係る発振装置の一実施例の概略構成を説明するための図である。
図2は、図1における発振回路1の内部構成の一例を説明するための図である。
図3は、図1におけるピークホールド回路2の一実施例の内部構成を説明するための図である。
C×V=i×t ・・・・・・・・・・(式1)
i2=0.164×10−9 ・・・・・・・・・・・・(式3)
DR=dV/dt ・・・・・・・・・・・(式4)
ただし、
DR:ドループレート(V/秒)、
dV:電圧変化量(V)、
dt :時間変化量(秒)
図4は、図1におけるレギュレータ回路3の内部構成の一実施例を説明するための図である。
図5は、図1における定電圧発生回路4の内部構成の一実施例を説明するための図である。
図6は、本実施例の発振装置の動作の様子(動作波形)を示す図である。
同図において、横軸は時間、縦軸は電圧を示している。なお、図6中の発振信号OSCOUTはピークホールド電圧PHとの関係が直感的に理解しやすいように発振の周期を意図的に粗く誇張して描いてある。
<ボトムホールド回路を用いた実施例の説明>
上記実施例1ではピークホールド回路を用いた実施例を説明したが、ピークホールド回路の代りにボトムホールド回路を用いても同様の効果を得ることができる。その場合、基準電圧VREFは0V(GND電圧)付近に設定する。
同図に示すように、レギュレータ53は、非反転入力端子(+)に入力されたボトムホールド回路52からのボトムホールド電圧BHと、反転入力端子(−)に入力された定電圧発生回路54からの基準電圧VREFとを比較し、非反転入力端子(+)のボトムホールド電圧BHが反転入力端子(−)の基準電圧VREFよりも高ければ出力端子OUT3から出力される電圧VOSCが上昇するように働き、逆に非反転入力端子(+)のボトムホールド電圧BHが反転入力端子(−)の基準電圧VREFよりも低ければ出力端子OUT3から出力される電圧VOSCが下降するように働く。
2:ピークホールド回路
3:53:レギュレータ
4:54:定電圧発生回路
5,5a:発振装置
11,21,22:26,31,32,36,41,88:PMOSトランジスタ
12,23,24,33,34,42:NMOSトランジスタ
13:水晶発振子
14,15,28,39:コンデンサ
16,38:抵抗
25,27,35,37,43:定電流源
52:ボトムホールド回路
81:水晶発振回路
82:振幅検出回路
83:変圧回路
84,99:インバータ回路
85:レベル変換回路
86:ローパスフィルタ
87:差動増幅器
89:安定化容量
90:スイッチトキャパシタ回路
91:水晶発振回路
92:レベル検出回路
93:基準電圧発生回路(周波数−電圧変換回路)
94:増幅回路
95:放電スイッチ
96:バイパススイッチ
97:定電流源
98:ローパスフィルタ
VDD:発振装置の電源端子
IN:ピークホールド回路の入力端子
OUT1:発振回路の出力端子
OUT2:ピークホールド回路の出力端子
OUT3:レギュレータの出力端子
OUT4:定電圧発生回路の出力端子
OSCOUT:発振回路の発振信号
PH:ピークホールド電圧
VREF:基準電圧(レファレンス電圧)
VR:発振回路の電源端子
VOSC:発振回路の駆動電圧
i1:貫通電流
i2:定電流源27による電流
i3:定電流源43による電流
BH:ボトムホールド電圧
SO:水晶発振回路の出力信号(発振信号)
Qp,Qp1:エンハンスメント型PチャンネルMOSトランジスタ
Qn,Qn1:エンハンスメント型NチャンネルMOSトランジスタ
CI:インバータ
X:水晶振動子
CG,CD:負荷容量
RF:帰還抵抗
SP:パルス信号
ED:水晶発振回路の電源電圧
Claims (12)
- 基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、
駆動電圧または駆動電流によって発振する発振手段と、
前記発振手段の出力である発振信号のピークレベルを検出して出力するピークホールド手段と、
前記基準電圧発生手段によって発生された基準電圧と前記ピークホールド手段によって出力されたピークレベルに応じて前記駆動電圧または前記駆動電流を増減させる制御手段と
を有することを特徴とする発振装置。 - 請求項1に記載の発振装置であって、
前記ピークホールド手段として、定電流で動作し過渡的な電力を消費しないピークホールド回路を用いたことを特徴とする発振装置。 - 請求項2に記載の発振装置であって、
前記ピークホールド回路は、第1の定電流源と、該定電流源に接続された第1のNMOSトランジスタと第2のNMOSトランジスタで構成された差動入力段と、該作動入力段の前記第1のNMOSトランジスタと前記第2のNMOSトランジスタのそれぞれに接続された第1のPMOSトランジスタと第2のPMOSトランジスタからなるカレントミラー負荷とで構成された差動増幅回路と、第2の定電流源と、該第2の定電流源に直列接続された第3のPMOSトランジスタとを有し、前記差動増幅回路の出力が前記第3のPMOSトランジスタのゲートに接続され、第2の定電流源と第3のPMOSトランジスタの接続点が前記第2のNMOSトランジスタのゲートに接続されるとともにコンデンサを介して接地され、前記第1のNMOSトランジスタのゲートに前記発振回路の出力が入力され、前記第2の定電流源と第3のPMOSトランジスタの接続点から出力されることを特徴とする発振装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の発振装置であって、
前記ピークホールド手段として、環境変化により発振が縮小あるいは停止する速度に追従可能なドループレート特性を有するピークホールド回路を用いたことを特徴とする発振装置。 - 請求項3に記載の発振装置であって、
前記ピークホールド回路における第2の定電流源の定電流値と第3のPMOSトランジスタの容量値を、発振が縮小あるいは停止に追随可能なドループレート特性になるように設定したことを特徴とする発振装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の発振装置であって、
前記制御手段は、発振していない状態では前記発振手段の発振開始電圧以上の駆動電圧または発振開始電流以上の駆動電流を出力し、かつ定常発振状態では前記発振手段の発振維持電圧以上の駆動電圧または発振開始電流以上の駆動電流を出力する手段であることを特徴とする発振装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の発振装置であって、
前記基準電圧発生手段が出力する基準電圧として、PMOSトランジスタの閾値VthとNMOSトランジスタの閾値Vthの和の電圧を用いることを特徴とする発振装置。 - 請求項7に記載の発振装置であって、
前記基準電圧発生手段は、直列接続された第3の定電流源と第4のPMOSトランジスタと第3のNMOSトランジスタからなり、前記第3のNMOSトランジスタのソースが接地され、ドレインが自身のゲートと前記第4のPMOSトランジスタのゲートとドレインに接続され、前記第4のPMOSトランジスタのソースに前記第3の定電流源から電流が供給され、前記第4のPMOSトランジスタのソースから前記第4のPMOSトランジスタの閾値Vthと前記第3のNMOSトランジスタの閾値Vthの和の電圧を基準電圧として出力することを特徴とする発振装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の発振装置であって、
前記ピークホールド手段の代わりに、前記発振手段の出力である発振信号のボトムレベルを検出して出力するボトムホールド手段を用いたことすることを特徴とする発振装置。 - 請求項1から9のいずれかに記載の発振装置を具備したことを特徴とするクロック発生装置。
- 請求項1から9のいずれかに記載の発振装置あるいは請求項10記載のクロック発生装置を具備したことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から9のいずれかに記載の発振装置、あるいは、請求項10に記載のクロック発生回路、あるいは、請求項11に記載の半導体装置を具備したことを特徴とする電子装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010282927A JP2012134615A (ja) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 発振装置および該発振装置を具備したクロック発生装置、半導体装置、ならびに電子装置 |
US13/328,046 US8729971B2 (en) | 2010-12-20 | 2011-12-16 | Oscillator, and clock generator, semiconductor device, and electronic device including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010282927A JP2012134615A (ja) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 発振装置および該発振装置を具備したクロック発生装置、半導体装置、ならびに電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012134615A true JP2012134615A (ja) | 2012-07-12 |
Family
ID=46233613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010282927A Pending JP2012134615A (ja) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 発振装置および該発振装置を具備したクロック発生装置、半導体装置、ならびに電子装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8729971B2 (ja) |
JP (1) | JP2012134615A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10014825B2 (en) | 2016-11-21 | 2018-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Receiver |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9112449B2 (en) * | 2012-11-15 | 2015-08-18 | Mediatek Inc. | Self-powered crystal oscillator and method of generating oscillation signal |
CN104253587B (zh) * | 2013-06-27 | 2017-10-20 | 上海东软载波微电子有限公司 | 晶体振荡器 |
JP2017506446A (ja) * | 2014-01-10 | 2017-03-02 | ユニバーシティ オブ バージニア パテント ファウンデーション ディー/ビー/エイ ユニバーシティ オブ バージニア ライセンシング アンド ベンチャーズ グループUniversity Of Virginia Patent Foundation,D/B/A University Of Virginia Licensing & Ventures Group | 超低電力用フィードバック制御デューティサイクリングを備えた低電圧水晶発振器(xtal)ドライバ |
EP2903161B1 (en) | 2014-01-31 | 2016-07-13 | U-blox AG | Reliable crystal oscillator start-up |
JP6372097B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-08-15 | 株式会社リコー | 検出装置、検出回路、センサモジュール及び画像形成装置 |
EP3149848A1 (en) * | 2014-06-02 | 2017-04-05 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Oscillator circuit with bias current generator |
JP2016166775A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路及び雑音測定方法 |
JP6906978B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体ウェハ、および電子機器 |
US10281501B2 (en) * | 2016-12-12 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Peak current evaluation system and peak current evaluation method |
US10193444B1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-29 | Pixart Imaging Inc. | Reference voltage generator with adaptive voltage and integrated circuit chip |
EP3514951B1 (en) * | 2018-01-18 | 2024-03-13 | ams AG | Oscillator circuit arrangement |
CN108449083B (zh) * | 2018-02-27 | 2021-07-09 | 博流智能科技(南京)有限公司 | 一种自适应易启动的振荡器幅度控制电路 |
EP4033661B1 (en) | 2020-11-25 | 2024-01-24 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control circuit and delay circuit |
EP4033664B1 (en) * | 2020-11-25 | 2024-01-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Potential generation circuit, inverter, delay circuit, and logic gate circuit |
US11681313B2 (en) | 2020-11-25 | 2023-06-20 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Voltage generating circuit, inverter, delay circuit, and logic gate circuit |
EP4033312A4 (en) | 2020-11-25 | 2022-10-12 | Changxin Memory Technologies, Inc. | CONTROL CIRCUIT AND DELAY CIRCUIT |
US11764730B2 (en) | 2021-05-06 | 2023-09-19 | Nordic Semiconductor Asa | Oscillator circuits |
WO2022238463A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Nordic Semiconductor Asa | Oscillator regulation |
JP2023003199A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | キオクシア株式会社 | 半導体集積回路、半導体記憶装置、メモリシステム及び周波数発生方法 |
EP4300817A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-03 | EM Microelectronic-Marin SA | Oscillator circuit |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59114908A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-03 | Nec Corp | 発振回路を有する集積回路装置 |
US20040160285A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Lovelace David K. | Crystal oscillator with control feedback to maintain oscillation |
US6798301B1 (en) * | 2001-06-11 | 2004-09-28 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for controlling oscillation amplitude and oscillation frequency of crystal oscillator |
JP2004304332A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Mitsumi Electric Co Ltd | 発振回路 |
WO2004093308A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 水晶発振回路 |
US7187245B1 (en) * | 2003-09-25 | 2007-03-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Amplitude control for crystal oscillator |
JP2008515283A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション | クロック生成回路及び方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294803A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | 発振回路 |
JPH03136600A (ja) | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音場制御装置 |
JP3136600B2 (ja) | 1990-08-09 | 2001-02-19 | 日本電気株式会社 | 低消費電力型水晶発振回路 |
JP2979934B2 (ja) | 1993-11-29 | 1999-11-22 | 株式会社村田製作所 | ディジタル温度補償発振器 |
JPH10112621A (ja) | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Nippon Columbia Co Ltd | 交流電源回路 |
US7038552B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-05-02 | Analog Devices, Inc. | Voltage controlled oscillator having improved phase noise |
US7123113B1 (en) * | 2004-06-11 | 2006-10-17 | Cypress Semiconductor Corp. | Regulated, symmetrical crystal oscillator circuit and method |
JP2006121477A (ja) | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Ricoh Co Ltd | 発振装置とそれを用いた電子装置 |
US8035455B1 (en) * | 2005-12-21 | 2011-10-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Oscillator amplitude control network |
JP2007174447A (ja) | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nec Engineering Ltd | ウオッチドッグタイマ回路 |
JP2010136001A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Renesas Electronics Corp | 発振器 |
US8143963B2 (en) * | 2010-06-08 | 2012-03-27 | Ememory Technology Inc. | Voltage source circuit for crystal oscillation circuit |
-
2010
- 2010-12-20 JP JP2010282927A patent/JP2012134615A/ja active Pending
-
2011
- 2011-12-16 US US13/328,046 patent/US8729971B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59114908A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-03 | Nec Corp | 発振回路を有する集積回路装置 |
US6798301B1 (en) * | 2001-06-11 | 2004-09-28 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for controlling oscillation amplitude and oscillation frequency of crystal oscillator |
US20040160285A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Lovelace David K. | Crystal oscillator with control feedback to maintain oscillation |
JP2004304332A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Mitsumi Electric Co Ltd | 発振回路 |
WO2004093308A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 水晶発振回路 |
US7187245B1 (en) * | 2003-09-25 | 2007-03-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Amplitude control for crystal oscillator |
JP2008515283A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション | クロック生成回路及び方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10014825B2 (en) | 2016-11-21 | 2018-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Receiver |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120154066A1 (en) | 2012-06-21 |
US8729971B2 (en) | 2014-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012134615A (ja) | 発振装置および該発振装置を具備したクロック発生装置、半導体装置、ならびに電子装置 | |
US7042299B2 (en) | Crystal oscillation circuit | |
US8115559B2 (en) | Oscillator for providing a constant oscillation signal, and a signal processing device including the oscillator | |
JPH09288523A (ja) | 内部電源電圧発生回路、内部電圧発生回路および半導体装置 | |
JP5384959B2 (ja) | 電子回路 | |
JP2009211667A (ja) | 定電圧回路 | |
KR20070069936A (ko) | 밴드 갭 기준전압 발생회로 | |
KR102141585B1 (ko) | 저전력 수정 발진기 | |
JP2008252783A (ja) | 圧電発振器 | |
CN105391419B (zh) | 石英振荡电路及电子钟表 | |
US8106715B1 (en) | Low-power oscillator | |
JP2013009032A (ja) | 発振回路 | |
JP4259241B2 (ja) | 発振回路及び半導体集積回路 | |
JP5140944B2 (ja) | 発振回路およびその制御方法 | |
KR20020078971A (ko) | 반도체 소자의 내부 전원 발생기 | |
JP6111085B2 (ja) | 発振用集積回路 | |
KR20160009494A (ko) | 아날로그 전자 시계 | |
JP5318592B2 (ja) | 定電流駆動発振回路 | |
JPS59114908A (ja) | 発振回路を有する集積回路装置 | |
JP2006155357A (ja) | 降圧回路 | |
JP5746650B2 (ja) | 発振器 | |
JP2005252984A (ja) | 水晶発振回路 | |
JP2004187004A (ja) | 発振振幅検出回路、発振回路及び発振用集積回路 | |
JP2008035302A (ja) | 出力回路を備えた発振回路 | |
WO2010070784A1 (ja) | 温度補償型発振回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140520 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141014 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20141105 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20141112 |