JP2012129554A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012129554A5
JP2012129554A5 JP2012062624A JP2012062624A JP2012129554A5 JP 2012129554 A5 JP2012129554 A5 JP 2012129554A5 JP 2012062624 A JP2012062624 A JP 2012062624A JP 2012062624 A JP2012062624 A JP 2012062624A JP 2012129554 A5 JP2012129554 A5 JP 2012129554A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
intermediate layer
region
semiconductor device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012062624A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2012129554A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012062624A priority Critical patent/JP2012129554A/ja
Priority claimed from JP2012062624A external-priority patent/JP2012129554A/ja
Publication of JP2012129554A publication Critical patent/JP2012129554A/ja
Publication of JP2012129554A5 publication Critical patent/JP2012129554A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2012062624A 2003-06-26 2012-03-19 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法 Pending JP2012129554A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012062624A JP2012129554A (ja) 2003-06-26 2012-03-19 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003183173 2003-06-26
JP2003183173 2003-06-26
JP2012062624A JP2012129554A (ja) 2003-06-26 2012-03-19 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008187784A Division JP5149093B2 (ja) 2003-06-26 2008-07-18 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012129554A JP2012129554A (ja) 2012-07-05
JP2012129554A5 true JP2012129554A5 (https=) 2012-11-01

Family

ID=40320760

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008187784A Expired - Fee Related JP5149093B2 (ja) 2003-06-26 2008-07-18 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法
JP2012062624A Pending JP2012129554A (ja) 2003-06-26 2012-03-19 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008187784A Expired - Fee Related JP5149093B2 (ja) 2003-06-26 2008-07-18 GaN基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP5149093B2 (https=)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5267262B2 (ja) * 2009-03-25 2013-08-21 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造方法、化合物半導体発光素子の製造方法、化合物半導体製造装置
KR102062381B1 (ko) * 2012-11-30 2020-01-03 서울바이오시스 주식회사 질화물 반도체층 성장 방법 및 질화물 반도체 소자 제조 방법
JP6285305B2 (ja) * 2014-07-22 2018-02-28 住友化学株式会社 半導体製造装置及び半導体の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003163420A (ja) * 2000-03-17 2003-06-06 Nec Corp 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP2001326425A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子
JP4889142B2 (ja) * 2000-10-17 2012-03-07 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子
JP4948720B2 (ja) * 2001-08-29 2012-06-06 シャープ株式会社 窒素化合物半導体積層物、発光素子、光ピックアップシステム、および窒素化合物半導体積層物の製造方法。
JP2003086903A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2004152841A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体レーザ素子
JP3951973B2 (ja) * 2003-06-27 2007-08-01 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103500780B (zh) 一种氮化镓基led外延结构及其制备方法
CN103236480B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制造方法
JP2008047860A (ja) 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法
JP2009260398A5 (https=)
WO2012089003A1 (zh) 具有复合式双电流扩展层的氮化物发光二极管
JP2009027201A5 (https=)
CN103337568A (zh) 应变超晶格隧道结紫外led外延结构及其制备方法
CN102104094B (zh) 发光元件及其制造方法
CN103035791B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制造方法
CN103647009A (zh) 氮化物发光二极管及其制备方法
CN105514232B (zh) 一种发光二极管外延片、发光二极管及外延片的制作方法
CN104332537B (zh) 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构
JP2012129554A5 (https=)
CN104332536B (zh) 一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法
JP2015084453A5 (https=)
CN102760810B (zh) 发光二极管晶粒及其制造方法
CN103311389B (zh) 发光二极管外延片及其制造方法
CN106030829A (zh) 一种ⅲ-ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法
CN102185053A (zh) 发光二极管及其制造方法
TWI471909B (zh) Semiconductor wafers and semiconductor devices
JP2008034754A (ja) 発光素子
KR20140040712A (ko) 반도체 적층체 및 그 제조 방법, 및 반도체 소자
CN102185054A (zh) 发光二极管及其制造方法
KR101285309B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR100765722B1 (ko) 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법