JP2012124328A - 太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フィンガー電極22は、少なくとも透明導電体で形成された第一領域22aと、導電性金属で形成された第二領域22bとの、互いに異なる材料で形成された2つの領域をもつ。第一領域22aは、透明導電体、例えばITO(酸化インジウム−スズ)、ZnO(酸化亜鉛)、TO(酸化スズ)などから構成されれば良い。この本実施形態では、例えばITOが用いられる。一方、第二領域22bは、導電性金属、例えば、Ag(銀)、Al(アルミニウム)Au(金)Cu(銅)などから構成されれば良い。
【選択図】図2
Description
すなわち、本発明の太陽電池は、少なくともp型半導体層、およびn型半導体層を備えた半導体素子と、該半導体素子の少なくとも一面側に沿って延びるバスバー電極と、該バスバー電極と交差する複数のフィンガー電極と、を少なくとも備えた太陽電池であって、
前記フィンガー電極の少なくとも一部は、透明導電体で形成されていることを特徴とする。
また、前記フィンガー電極と交差し、前記バスバー電極と略平行に延びる、透明導電体で形成された配線を更に備えていてもよい。
また、前記配線は、前記フィンガー電極の導電性金属で形成された第二領域において交差していてもよい。
また、前記フィンガー電極は、隣り合う前記バスバー電極どうしを導通させてもよい。
また、複数の前記フィンガー電極は、前記第二領域をもつフィンガー電極と、全域にわたって透明導電体で形成されたフィンガー電極とが互いに隣り合うように配列されていればよい。
図1は、本発明の太陽電池の一実施形態である単結晶シリコン太陽電池の厚み方向に沿った断面図である。
例えば、単結晶シリコン太陽電池(以下、単に太陽電池と称する)10は、n型半導体層を構成する基板(n型半導体層)11を備える。この基板(n型半導体層)11の一面(太陽光の入射面)11a側には、p型半導体層13、および透明導電膜14が順に重ねて積層されている。このうち、基板(n型半導体層)11、およびp型半導体層13で、半導体素子18が構成される。
一方、基板11の他面(裏面)11b側には、金属電極膜(裏面電極)16が順に重ねて積層されている。
金属電極膜16は、例えば、Ag(銀)膜から構成されればよい。
集電電極(上部電極)20は、バスバー電極21と、このバスバー電極21と交差する複数のフィンガー電極22とを備えている。
バスバー電極21は、例えばAgなど良導体である金属層からなり、後述するフィンガー電極22に流れ込んだ電子を集めて外部に出力する。バスバー電極21は、例えば、幅0.05〜2mm、厚み0.5〜40μm程度の細長く形成されたAg膜であればよい。
第一領域22aは、透明導電体、例えばITO(酸化インジウム−スズ)、ZnO(酸化亜鉛)、TO(酸化スズ)などから構成されれば良い。この本実施形態では、例えばITOが用いられる。一方、第二領域22bは、導電性金属、例えば、Ag(銀)、Al(アルミニウム)Au(金)Cu(銅)などから構成されれば良い。この本実施形態では、例えばAgが用いられる。
図3は、本発明の一実施形態の太陽電池の作用を説明する説明図である。
太陽電池10は、入射面側、即ち集電電極(上部電極)20が形成された側から太陽光(自然光)Sを入射させる。そして、透明導電膜14を経て半導体素子18に達した太陽光Sによって光電変換を行い電力を発生させる。こうした太陽光Sの入射の際に、櫛歯状に配列されたフィンガー電極22どうしの間から太陽光Sが半導体素子18に達するが、更に、このフィンガー電極22のうち、透明導電材料であるITOによって形成された第一領域22aに入射した太陽光Saも、この第一領域22aを透過して半導体素子18に達することができる。
図7は、本発明の太陽電池の製造方法の一例について、段階的に示した断面図である。
太陽電池10の製造にあたっては、まず、例えば、テクスチャエッチングにより表面がテクスチャ構造とされた厚み200μm、125mm角程度のp型単結晶シリコン基板101を用意し(図7(a))、このシリコン基板101の表面101aに、リン(P)を含む塗料を塗布する。次いで、このシリコン基板101を、例えば、900℃にて10分間熱処理を施し、シリコン基板の表面近傍に、厚みが約0.5μmのn型の拡散層102を形成する(図7(b))。
その後、表面側のフィンガー電極を形成する領域に、例えば、スクリーン印刷法、インクジェットプリンターによる塗布などによりITOペーストを塗布し、真空中で230℃で30分、1×10−3Paの減圧下で第1の焼成を行う。次いで、大気雰囲気に戻し、空気中で230℃で30分の第2の焼成を行う。次に表面に、グリッド及びフィンガー電極を形成する領域にスクリーン印刷法により、Agのペーストを印刷し、200℃20分焼成を行なう。こうした2段階の焼成によって、ITOからなるフィンガー電極108と、Agからなるバスバー電極109とを備えた太陽電池10を形成することができる(図7(e))。
図4は、本発明の第二実施形態の太陽電池における一面側(太陽光の入射面側)を示す平面図である。
この実施形態の太陽電池30は、半導体素子18の一面側(太陽光の入射面側)に、集電電極(上部電極)31が形成されている。この集電電極31は、バスバー電極32と、このバスバー電極32と交差する複数のフィンガー電極33とを備えている。
バスバー電極32は、例えばAgなど良導体である金属層から形成されている。フィンガー電極33は、バスバー電極32と、例えば直角に交差する方向に延びる細長い電極であり、バスバー電極32の延長方向に沿って両側に複数形成されている。
図5は、本発明の第三実施形態の太陽電池における一面側(太陽光の入射面側)を示す平面図である。
この実施形態の太陽電池40は、半導体素子18の一面側(太陽光の入射面側)に、集電電極(上部電極)41が形成されている。この集電電極41は、バスバー電極42と、このバスバー電極42と交差する複数のフィンガー電極43とを備えている。
バスバー電極42は、例えばAgなど良導体である金属層から形成されている。フィンガー電極43は、バスバー電極42と、例えば直角に交差する方向に延びる細長い電極であり、バスバー電極42の延長方向に沿って両側に複数形成されている。
図6は、本発明の第四実施形態の太陽電池における一面側(太陽光の入射面側)を示す平面図である。
この第四実施形態では、大面積の太陽電池50における集電電極(上部電極)51の形成例を示す。第四実施形態の太陽電池50は、半導体素子18の一面側(太陽光の入射面側)に、集電電極(上部電極)51が形成されている。この集電電極51は、複数のバスバー電極52と、このバスバー電極52と交差する複数のフィンガー電極53とを備えている。
受光面が正方形の太陽電池のセル2種、125mm角、50mm角において、それぞれ
・フィンガー電極全体を金属膜で形成したもの(比較例(従来例))
・全てのフィンガー電極の先端領域だけをITOで形成したもの(実施例1)
・フィンガー電極の先端領域をITOで形成した第一のフィンガー電極と、フィンガー電極全体をITOで形成した第二のフィンガー電極とを交互に配置し、更に、これらフィンガー電極と交差するように、ITOで形成した配線を設けたもの(実施例2)
をそれぞれ形成し、比較例を100%とした時の実施例1と実施例2における発電効率を求めた。
こうした検証結果を表1に示す。
Claims (9)
- 少なくともp型半導体層、およびn型半導体層を備えた半導体素子と、該半導体素子の少なくとも一面側に沿って延びるバスバー電極と、該バスバー電極と交差する複数のフィンガー電極と、を少なくとも備えた太陽電池であって、
前記フィンガー電極の少なくとも一部は、透明導電体で形成されていることを特徴とする太陽電池。 - 複数の前記フィンガー電極のうち、少なくとも1つのフィンガー電極が全域にわたって透明導電体で形成されていることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 前記フィンガー電極と交差し、前記バスバー電極と略平行に延びる、透明導電体で形成された配線を更に備えたことを特徴とする請求項1または2記載の太陽電池。
- 前記配線は、前記フィンガー電極の透明導電体で形成された第一領域と、導電性金属で形成された第二領域との接続部において交差することを特徴とする請求項3記載の太陽電池。
- 前記配線は、前記フィンガー電極の導電性金属で形成された第二領域において交差することを特徴とする請求項3記載の太陽電池。
- 前記バスバー電極は、互いに略平行に延びるように複数形成されており、かつ、前記フィンガー電極の延長方向の少なくとも端部が透明導電体で形成されていることを特徴とする請求項1ないし5いずれか1項記載の太陽電池。
- 前記フィンガー電極は、隣り合う前記バスバー電極どうしを導通させることを特徴とする請求項6記載の太陽電池。
- 前記フィンガー電極は、前記第二領域において隣り合う前記バスバー電極どうしを導通させることを特徴とする請求項7記載の太陽電池。
- 複数の前記フィンガー電極は、前記第二領域をもつフィンガー電極と、全域にわたって透明導電体で形成されたフィンガー電極とが互いに隣り合うように配列されたことを特徴とする請求項7または8記載の太陽電池。
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