JP2012112777A - ファブリペロー干渉計 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メンブレンの周辺領域には、複数のばね変形部が、分光領域をそれぞれ取り囲みつつ多重に設けられ、メンブレンの外周端からメンブレンの中心に向かう方向においてメンブレンの中心に近いばね変形部ほどばね定数が小さく設定される。メンブレン及び固定ミラー構造体のメンブレン対向部位における周辺領域には、互いに対向するように電極が設けられて電極対が構成される。この電極対は、分光領域を取り囲みつつ複数のばね変形部に対応してばね変形部と同数の多重に設けられる。そして、各電極対に電圧を印加する期間を少なくとも一部重複させ、該重複期間において各電極対に生じる静電気力により、メンブレンが変位される。
【選択図】図6
Description
分光領域に固定ミラーを有する固定ミラー構造体と、
分光領域に可動ミラーを有する可動ミラー構造体と、を備え、
可動ミラー構造体において、可動ミラーを含み、ギャップを介して固定ミラー構造体と対向する部分が変位可能なメンブレンとされたファブリペロー干渉計であって、
メンブレンにおける分光領域を除く周辺領域には、複数のばね変形部が、分光領域をそれぞれ取り囲みつつ多重に設けられ、
複数のばね変形部は、メンブレンの外周端からメンブレンの中心に向かう方向においてメンブレンの中心に近いばね変形部ほどばね定数が小さく設定され、
メンブレン及び固定ミラー構造体のメンブレン対向部位における分光領域を除く周辺領域には、互いに対向するように電極が設けられて電極対が構成され、
該電極対は、分光領域を取り囲みつつ複数のばね変形部に対応してばね変形部と同数の多重に設けられ、
各電極対に電圧を印加する期間を少なくとも一部重複させ、該重複期間において各電極対に生じる静電気力により、メンブレンが変位されることを特徴とする。
メンブレンの外周端からメンブレンの中心に向かう方向において、複数のばね変形部と複数の電極対が交互に設けられており、
メンブレンにおいて、各電極対を構成する電極の剛性が、ばね変形部いずれの剛性よりも高い構成とすることが好ましい。
複数の電極対は、電圧の印加により生じる静電気力によって、第1ばね変形部を変形させる第1電極対と、該第1電極対よりも内側に設けられ、電圧の印加により生じる静電気力により主として第2ばね変形部を変形させる第2電極対を有する構成を採用することができる。
複数のばね変形部は、梁の本数、メンブレンの外周端からメンブレンの中心に向かう方向に沿う梁の長さ、及び梁の幅の少なくとも1つが異なることで、メンブレンの中心に近いばね変形部ほどばね定数が小さく設定されても良い。
第2ばね変形部は、2層の高屈折率層の間に、該高屈折率層よりも低屈折率の空気層を介在させてなる構成としても良い。
固定ミラー及び可動ミラーは、シリコン及びゲルマニウムの少なくとも一方を含む半導体薄膜からなる高屈折率層の間に、該高屈折率層よりも低屈折率の低屈折率層を介在させてなり、
複数の電極対を構成する各電極は、2つの高屈折率層の少なくとも一方に、不純物がイオン注入されてなる構成を採用することができる。
(数1)F1=f(x)=kx
(数2)F2=g(x)=εSV2/{2(di−x)2}
プルイン限界は、図3に示すように、ばね復元力F1と静電気力F2が唯一接点を持つ状態であるから、x=aで共通接線を持つとすると下記式が成立する。
(数3)f(a)=g(a)、すなわち、ka=εSV2/{2(di−a)2}
(数4)f′(a)=g′(a)、すなわち、k=εSV2/(di−a)3
したがって、数式3,4から、電極E2のプルイン限界の変位量(プルイン現象が生じない最大変位量)は、下記式に示すように初期長さdiの1/3となる。
(数5)x=di/3
このように、従来のファブリペロー干渉計100では、電極E1,E2の対向距離(ギャップ長さ)の変化量が初期長さdiの1/3よりも大きくなると静電気力F2がばね復元力F1を上回る。そして、両ミラー構造体30,70が静電気力で引き込まれ、スティッキングし、電圧を除去しても元の状態に戻らなくなってしまう(プルイン現象が生じる)。このため、電極E1,E2の対向距離の変化量が初期長さdiの1/3よりも大きくなるようにメンブレンを変位させ、ひいては分光帯域を広くすることが困難であった。
図4は、本実施形態に係るファブリペロー干渉計100を、ばね変形部と電極とで簡易モデル化した図である。図4では、電極E1に電極E2が対向配置され、電極E1,E2はばね変形部B1にて接続されている。また、電極E1に電極E3が対向配置され、電極E3はばね変形部B2にて電極E2と接続されている。すなわち、2つのばね変形部B1,B2と2つの電極対を有している。また、3つの電極E1〜E3のうち、電極E1の位置が固定され、電極E2,E3が変位可能となっている。
(数6)k1x1=k2(x2−x1)+εS1V1 2/{2(di−x1)2}
一方、電極E3に働く力の釣り合いは、電圧V1,V2に印加による、電極E2の変位x1と電極E3の変位x2でのばね変形部B2の復元力と、電極E3の変位x2での電圧V2の印加にて生じる静電気力との釣り合いで決定され、下記式7で示される。
(数7)
k2(x2−x1)=εS2V2 2/{2(di−x2)2}
プルイン限界は、これら数式6,7において、変位x1とx2が最大の接点解を持つ状態であり、数値計算によって算出することができる。
次に、第2実施形態に係るファブリペロー干渉計について説明する。なお、図8(a),(b)では、便宜上、エッチング用の貫通孔34,74,77を省略して図示している。
次に、第3実施形態に係るファブリペロー干渉計について説明する。図13(a)〜(c)に示すように、第3実施形態に係るファブリペロー干渉計は、第2実施形態に示したファブリペロー干渉計100(図8参照)と基本構造が同じである。なお、図13(a),(b)では、便宜上、エッチング用の貫通孔34,74,77を省略して図示している。
次に、第4実施形態に係るファブリペロー干渉計について説明する。図14(a)〜(c)に示すように、第4実施形態に係るファブリペロー干渉計は、第2実施形態に示したファブリペロー干渉計100(図8参照)と基本構造が同じである。なお、図14(a),(b)では、便宜上、エッチング用の貫通孔34,74を省略して図示している。
次に、第5実施形態に係るファブリペロー干渉計について説明する。図15(a)〜(c)に示すように、第5実施形態に係るファブリペロー干渉計は、第2実施形態に示したファブリペロー干渉計100(図9参照)と基本構造が同じである。なお、図15(a),(b)では、便宜上、エッチング用の貫通孔34,74,77を省略して図示している。
次に、第6実施形態に係るファブリペロー干渉計について説明する。図16(a)〜(c)に示すように、第6実施形態に係るファブリペロー干渉計は、第2実施形態に示したファブリペロー干渉計100(図8参照)と基本構造が同じである。なお、図16(a),(b)では、便宜上、エッチング用の貫通孔34,74,77を省略して図示している。
次に、第7実施形態に係るファブリペロー干渉計について説明する。図17(a)〜(c)に示すように、第6実施形態に係るファブリペロー干渉計は、第2実施形態に示したファブリペロー干渉計100(図8参照)と基本構造が同じである。なお、図16(a),(b)では、便宜上、エッチング用の貫通孔34,74,77を省略して図示している。
30・・・固定ミラー構造体
35,35a,35b・・・電極
50・・・支持部材
70・・・可動ミラー構造体
75,75a,75b・・・電極
78a,78b・・・ばね変形部
100・・・ファブリペロー干渉計
AG・・・エアギャップ(ギャップ)
E1〜E3・・・電極
B1,B2・・・ばね変形部
M1・・・固定ミラー
M2・・・可動ミラー
MEM・・・メンブレン
S1・・・分光領域
T1・・・周辺領域
Claims (20)
- 分光領域に固定ミラーを有する固定ミラー構造体と、
前記分光領域に可動ミラーを有する可動ミラー構造体と、を備え、
前記可動ミラー構造体において、前記可動ミラーを含み、ギャップを介して前記固定ミラー構造体と対向する部分が変位可能なメンブレンとされたファブリペロー干渉計であって、
前記メンブレンにおける前記分光領域を除く周辺領域には、複数のばね変形部が、前記分光領域をそれぞれ取り囲みつつ多重に設けられ、
複数の前記ばね変形部は、前記メンブレンの外周端から前記メンブレンの中心に向かう方向において前記メンブレンの中心に近い前記ばね変形部ほどばね定数が小さく設定され、
前記メンブレン及び前記固定ミラー構造体のメンブレン対向部位における前記分光領域を除く周辺領域には、互いに対向するように電極が設けられて電極対が構成され、
該電極対は、前記分光領域を取り囲みつつ複数の前記ばね変形部に対応して前記ばね変形部と同数の多重に設けられ、
各電極対に電圧を印加する期間を少なくとも一部重複させ、該重複期間において各電極対に生じる静電気力により、前記メンブレンが変位されることを特徴とするファブリペロー干渉計。 - 前記メンブレンの外周端に前記ばね変形部が設けられ、
前記メンブレンの外周端から前記メンブレンの中心に向かう方向において、複数の前記ばね変形部と複数の前記電極対が交互に設けられており、
前記メンブレンにおいて、各電極対を構成する電極の剛性が、前記ばね変形部いずれの剛性よりも高いことを特徴とする請求項1に記載のファブリペロー干渉計。 - 前記メンブレンにおいて、前記電極対を構成する電極が前記ばね変形部を兼ねることを特徴とする請求項1に記載のファブリペロー干渉計。
- 複数の前記ばね変形部は、前記メンブレンの外周端から所定範囲にわたって設けられた第1ばね変形部と、該第1ばね変形部よりも内側に設けられた第2ばね変形部を有し、
複数の前記電極対は、電圧の印加により生じる静電気力によって、前記第1ばね変形部を変形させる第1電極対と、該第1電極対よりも内側に設けられ、電圧の印加により生じる静電気力により主として前記第2ばね変形部を変形させる第2電極対を有することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のファブリペロー干渉計。 - 前記第1ばね変形部のばね定数をk1、前記第2ばね変形部のばね定数をk2とすると、k1/k2≧7を満たすように複数の前記ばね変形部が構成されていることを特徴とする請求項4記載のファブリペロー干渉計。
- 各ばね変形部は、前記メンブレンを貫通する貫通孔により梁構造をなし、
複数の前記ばね変形部は、梁の本数、前記メンブレンの外周端から前記メンブレンの中心に向かう方向に沿う梁の長さ、及び梁の幅の少なくとも1つが異なることで、前記メンブレンの中心に近い前記ばね変形部ほどばね定数が小さく設定されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。 - 複数の前記ばね変形部は、前記メンブレンを貫通し、前記ギャップに連通する貫通孔の大きさ、密度の少なくとも1つが異なることで、前記メンブレンの中心に近い前記ばね変形部ほどばね定数が小さく設定されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 複数の前記ばね変形部は、イオン注入の有無、ドーズ量の少なくとも1つが異なることで、前記メンブレンの中心に近い前記ばね変形部ほどばね定数が小さく設定されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 複数の前記ばね変形部は、厚さが異なることで、前記メンブレンの中心に近い前記ばね変形部ほどばね定数が小さく設定されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 複数の前記ばね変形部は、ヤング率の異なる構成材料を用いることで、前記メンブレンの中心に近い前記ばね変形部ほどばね定数が小さく設定されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記第1ばね変形部は、シリコン及びゲルマニウムの少なくとも一方を含む半導体薄膜からなる2層の高屈折率層を接触させて積層してなり、
前記第2ばね変形部は、2層の前記高屈折率層の間に、該高屈折率層よりも低屈折率の空気層を介在させてなることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のファブリペロー干渉計。 - 前記第2ばね変形部の部分であって2層の前記高屈折率層の少なくとも一方には、不純物がイオン注入されていることを特徴とする請求項11に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記固定ミラー構造体は、基板の一面上に配置され、
前記固定ミラー構造体及び前記可動ミラー構造体において、
前記固定ミラー及び前記可動ミラーは、シリコン及びゲルマニウムの少なくとも一方を含む半導体薄膜からなる高屈折率層の間に、該高屈折率層よりも低屈折率の低屈折率層を介在させてなり、
複数の前記電極対を構成する各電極は、2つの前記高屈折率層の少なくとも一方に、不純物がイオン注入されてなることを特徴とする請求項1〜12いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。 - 複数の前記電極対は、それぞれ独立して電圧を印加できるように電気的に分離されていることを特徴とする請求項13に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記可動ミラー構造体のメンブレン及び前記固定ミラー構造体のメンブレン対向部位の少なくとも一方に、複数の前記電極対を構成する複数の電極が設けられ、該複数の電極は、pn接合によって互いに電気的に分離されていることを特徴とする請求項14に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記可動ミラー構造体のメンブレン及び前記固定ミラー構造体のメンブレン対向部位の少なくとも一方に、複数の前記電極対を構成する複数の電極が設けられ、該複数の電極は、トレンチによって互いに電気的に分離されていることを特徴とする請求項14に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記可動ミラー構造体のメンブレン及び前記固定ミラー構造体のメンブレン対向部位のうち、前記固定ミラー構造体のメンブレン対向部位に複数の前記電極対を構成する複数の電極が互いに電気的に分離されて設けられ、前記可動ミラー構造体のメンブレンに、複数の前記電極に対向して1つの電極が設けられていることを特徴とする請求項14〜16いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 複数の前記電極対は、電極の対向面積が互いに異なることを特徴とする請求項13〜17いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記低屈折率層は、空気層であることを特徴とする請求項13〜18いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
- 前記メンブレンに設けられた電極は、前記高屈折率層の間に、固体であり、該高屈折率層よりも低屈折率の低屈折率固体層を介在させてなることを特徴とする請求項13〜19いずれか1項に記載のファブリペロー干渉計。
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