JP2012108168A5 - - Google Patents

Description

すなわち、本発明に係る電気光学装置は、基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、前記画素トランジスターに対応して設けられた反射性の画素電極と、該画素電極と同一パターン形状を有し、当該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された透光性の絶縁保護膜と、該絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成するように設けられた絶縁膜と、を有していることを特徴とする。本発明における「同一パターン形状」とは同一工程でパターニング形成された結果、同一形状に形成されていることを意味する。従って、絶縁保護膜の端部や画素電極の端部にサイドエッチングに起因する多少の形状の違いがあっても、「同一パターン形状」に含まれる。

また、本発明に係る電気光学装置の製造方法では、基板本体の一方面側に画素トランジスターおよび層間絶縁膜を形成した後、当該層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に反射性導電膜を形成する反射性導電膜形成工程と、前記反射性導電膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜および前記反射性導電膜を同一工程でパターニングして前記画素トランジスターに対応する反射性の画素電極、および該画素電極と同一パターン形状をもって当該画素電極に積層された透光性の絶縁保護膜を同一工程で形成するパターニング工程と、前記絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、当該第２絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、を有していることを特徴とする。

Claims (14)

1. 基板本体の一方面側に設けられた画素トランジスターと、
   前記画素トランジスターに対応して設けられた反射性の画素電極と、
   該画素電極と同一パターン形状を有し、当該画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された透光性の絶縁保護膜と、
   該絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に、前記画素電極に重なる部分の表面と、隣り合う前記画素電極の間に形成されている部分の表面とが連続した平坦面を形成するように設けられた絶縁膜と、
   を有していることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記絶縁保護膜は、少なくとも前記画素電極に接する層が、シリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記絶縁保護膜は、少なくとも表層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなり、
   前記絶縁膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記絶縁膜は、少なくとも表層がリンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリコン酸化膜からなり、
   前記絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側には、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜が積層されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
5. 前記絶縁保護膜は、前記画素電極に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第１絶縁保護膜と、該第１絶縁保護膜より大きな熱膨張係数をもって当該第１絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２絶縁保護膜と、を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
6. 前記第１絶縁保護膜は、前記第２絶縁保護膜に比して屈折率が小さいことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記第１絶縁保護膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜からなり、
   前記第２絶縁保護膜は、窒素を含有するシリコン化合物、または金属酸化膜であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
8. 前記絶縁膜は、前記絶縁保護膜よりも大きな熱膨張係数をもって当該絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第１平坦化絶縁膜と、該第１平坦化絶縁膜より小さな熱膨張係数をもって当該第１平坦化絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に積層された第２平坦化絶縁膜と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
9. 前記絶縁保護膜は、前記第１平坦化絶縁膜に比して屈折率が小さいことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 前記絶縁保護膜は、リンおよびボロンのいずれもがドープされていないノンドープシリコン酸化膜からなり、
    前記第１平坦化絶縁膜は、窒素を含有するシリコン化合物、または金属酸化膜であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記基板本体の前記一方面側に対向配置された対向基板と、
    前記基板本体と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
    を有し、
    前記基板本体の最表面には配向膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置。
12. 前記配向膜は無機配向膜であることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
13. 請求項１乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
    前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
    前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
    を有していることを特徴とする投射型表示装置。
14. 基板本体の一方面側に画素トランジスターおよび層間絶縁膜を形成した後、
    当該層間絶縁膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に反射性導電膜を形成する反射性導電膜形成工程と、
    前記反射性導電膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
    前記第１絶縁膜および前記反射性導電膜を同一工程でパターニングして前記画素トランジスターに対応する反射性の画素電極、および該画素電極と同一パターン形状をもって当該画素電極に積層された透光性の絶縁保護膜を同一工程で形成するパターニング工程と、
    前記絶縁保護膜に対して前記基板本体が位置する側とは反対側に透光性の第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
    当該第２絶縁膜の表面を平坦化する平坦化工程と、
    を有していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。