JP2013073884A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 異なる波長の光を発する第１サブ画素及び第２サブ画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
   前記第１サブ画素及び第２サブ画素の各々は、基板上に順に形成された、光を反射する反射層と、光透過性を有する第１電極と、前記第１電極を覆う有機層と、半透過反射性を有する第２電極と、を含み、
   前記反射層と前記第２電極の間の反射によって共振する光の波長が前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とで異なっており、
   前記基板上には、前記第１電極の周縁部分を覆うようにして絶縁膜が設けられ、
   前記絶縁膜は、前記第１電極の表面を部分的に露出させるとともに前記第１サブ画素の第１開口面積が前記第２サブ画素の第２開口面積と異ならせた開口を有している
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第１サブ画素が共振する光の波長は前記第２サブ画素が共振する光の波長と比して短く、
   前記第１開口面積は前記第２開口面積より大きい
   ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第１電極が単一の電極層あるいは積層された複数の電極層により構成され、
   前記第１電極の前記表面と前記基板の表面との間に形成される段差部分が前記絶縁膜によって覆われている
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素を少なくとも備える画素を複数有し、
   前記反射層が前記画素ごとにパターン形成されている
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記画素同士の間の距離Ｌ１と前記第１サブ画素及び第２サブ画素の間の距離Ｌ２とがＬ１＜Ｌ２の関係にあり、かつ、前記画素同士の間の領域に形成された絶縁膜の膜厚が、
   前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素の間に形成された絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されている
   ことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第１電極の平面視における大きさが前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とで等しい
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。