JP2012099181A - 磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012099181A JP2012099181A JP2010246386A JP2010246386A JP2012099181A JP 2012099181 A JP2012099181 A JP 2012099181A JP 2010246386 A JP2010246386 A JP 2010246386A JP 2010246386 A JP2010246386 A JP 2010246386A JP 2012099181 A JP2012099181 A JP 2012099181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- chamber
- holder
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板ホルダーに搭載された基板に対し各処理を行って磁気記録媒体を製造する装置において、基板を搭載しない状態の前記基板ホルダーに第1の膜を成膜するホルダー成膜室と、前記第1の膜が成膜された前記基板ホルダーに基板を搭載する基板搭載室と、磁性膜層を含む多層膜上に所定パターンのレジスト層が形成された基板に対し、ドライエッチング処理を行い、前記磁性膜層を前記所定パターンに基づく形状に加工する加工室と、を有し、前記第1の膜は、前記ドライエッチング処理により除去される前記多層膜中の膜よりもエッチングされにくい膜であり、前記加工室、ホルダー成膜室及び基板搭載室は、大気より減圧条件下で基板ホルダーを搬送可能に接続されている。
【選択図】図1
Description
磁性膜を凹凸に加工するためには磁性膜上にマスクや凹凸パターンに加工されたレジストが形成されておりエッチングによってパターンを磁性膜に転写する必要がある。また、このレジストやマスクは前後の層と選択比を高めてパターン形状を維持するような工夫がされている。パターン形状を維持することで磁性膜が所定の深さや幅で凹凸が加工され、磁気記録密度の改善を得られることとなる。
凹凸の加工には溝の底の膜を所定膜厚分をエッチングする必要がある。しかし、放電条件以外に基板周り(例えば、基板ホルダー)の膜付状態にてエッチング量が変化してしまうという問題が確認されている。
同様の問題に対し、例えば、特許文献2では、基板を搭載していない状態で、基板ホルダーに対しスパッタエッチング等を行うことで、基板ホルダーに付着した膜を除去する技術が開示されている。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、基板周りの膜の付着に基づくエッチング状態のばらつき、エッチング速度の低下を抑制することをその目的とする。
図1は、本発明を適用可能な磁気記録媒体の製造フロー及び各工程における被処理体の積層構成の一例を示す図である。なお、膜構成は断面であるが、図を分かりやすくするためにハッチングは省略する。
積層体200は、図1(1)に示すように、DTMに加工途中のものであり、基板201と、軟磁性層202と、下地層203と、記録磁性層204と、マスク層205と、ハードマスク層206と、レジスト層207とを備えており、図2に示す製造装置に導入される。基板201としては、例えば直径2.5インチ(65mm)のガラス基板やアルミニウム基板を用いることができる。軟磁性層202は、記録磁性層204のヨークとしての役割を果たす層であり、Fe合金やCo合金などの軟磁性材料から構成される。下地層203は、記録磁性層204の容易軸を垂直配向(積層体200の積層方向)させるための層であり、RuとTaなどの金属膜の積層体等から構成される。この記録磁性層204は、基板201に対して垂直方向に磁化される層であり、Co合金や酸化物などから構成されるグラニュラー膜などである。
レジスト層207は、記録磁性層204に溝パターンを転写させる為の層である。本実施形態では、ナノインプリント法により溝パターンがレジスト層207に転写されている。ナノインプリント法とはリソグラフィ等で作成された型を平坦なレジスト層207にプレスして所定のパターンを持った溝を形成する方法である。なお、ナノインプリント法によらず、露光、現像により溝パターンを転写してもよい。
次に、ステップS102で、レジスト層207をマスクとしてハードマスク層206のエッチングを行い、ハードマスク層206をパターン状に加工する(図1(3))。このプロセスは、例えば、四フッ化炭素などのハロゲン系のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより行う。
次に、ステップS104で、ステップS103後もマスク層205上に残留するハードマスク層206を除去する(図1(5))。このプロセスは、例えば、ハロゲン系のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより行う。
次に、ステップS105で、マスク層205をマスクとして記録磁性層204のエッチングを行い、記録磁性層204を各トラックが径方向で離間したパターンに形成する(図1(6))。例えば、このときのピッチ(溝幅+トラック幅)は70〜100nm、溝幅は20〜50nm、記録磁性層204の厚さは4〜20nmである。このプロセスは、例えば、Arガスなどの不活性ガスをイオン源としたイオンビームエッチングにより行う。
次に、ステップS107で、パターン状に形成された記録磁性層204上に埋め込み層208を成膜し、積層体200表面に形成された溝を充填する(図1(8))。埋め込み層208は、非磁性材料(例えば、Cr,Tiやこれらの合金)からなり、例えばバイアス電圧を印加したスパッタにより形成する。
次に、ステップS109で埋め込み層及び記録磁性層204上に、保護膜層209を成膜する(図1(10))。保護膜層209は、例えば、DLCを用いることができ、プラズマCVD法等により作製できる。
図2は、上述の製造フローを実行可能な製造装置の一例を示す概略構成図である。
図2の製造装置は、複数の真空排気可能なチャンバ111〜120・・・が無端の方形状に接続配置されたインライン式の製造装置である。そして、各チャンバ111〜120・・・内には、隣接する真空室に基板を搬送するための搬送路が形成され、基板は製造装置内を周回するうちに順次各真空室内での処理が行われる。また、基板は方向転換チャンバ151〜154において搬送方向が転換され、チャンバ間を直線状に搬送されてきた基板の搬送方向を90度転換し、次のチャンバに引き渡す。また、基板はロードロックチャンバ145により製造装置内に導入され、処理が終了すると、アンロードロックチャンバ146により製造装置から搬出される。基板を保持する基板ホルダーは131のチャンバを抜けて再度ロードロックチャンバに移動し新たな基板がホルダーに載せられる。なお、120のチャンバのように、同じ処理を実行可能なチャンバを複数個連続して配置し、同じ処理を複数回に分けて実施させてもよい。これにより、時間がかかる処理もタクトタイムを伸ばすことなく実施できる。
図3は、RIEチャンバの構成例である。
RIEチャンバ39は、内部で気体放電によりプラズマが生成される放電管31を備え、放電管31にガス(反応性ガス、放電用ガス)を供給するガス供給系と、放電管31内のガスに高周波電力を印加する高周波印加機構とに接続されている。高周波電力印加機構は、アンテナ32と、アンテナ32に高周波電流を供給して放電管31内に高周波磁界を誘起する高周波電源36と、高周波電源36とアンテナ32との間の回路上に設けられた整合器37を備えている。
基板ホルダーCは、搬送手段Tmによってチャンバ間、チャンバ内を搬送される。また、排気手段(ターボ分子ポンプ)38が取り付けられており、所定の圧力(真空状態)に減圧することができる。基板ホルダーCにパルスバイアスを印加するためのバイアス印加機構35が接続されており、高精度なエッチングを行うことが可能である。なお、図中、mvはメインバルブであり、チャンバ内を気密に閉じ、またはチャンバ内を排気手段38に向かって開放する。
ホルダー成膜チャンバ131は、ターゲット41を取り付け可能なカソードユニット42と、排気手段(ターボ分子ポンプ)46と、メインバルブmvと、を備えて構成されている。カソードユニット42は、電極と、電極内部の空間に配された磁石機構42aと、を備える。電極は、電源(直流、交流又はこれらの重畳も可)に接続され、ターゲット41に電力を供給する。磁石機構42aは、ターゲット41表面に所定の回転磁界を形成し、マグネトロンスパッタリングを可能にする。カソードユニット42は、チャンバ内に搬送される基板ホルダーの両側に配されて、基板ホルダー両面への成膜が可能に構成されている。
特許文献2ではアンロードロックチャンバ146とロードロックチャンバ145の間で、ホルダーに付着したDLCをエッチングしている。しかし、エッチング量が十分でないとチャンバ111などでの反応性イオンエッチングでのエッチング速度が低下し新たな基板のレジスト層の溝を所定膜厚分除去できないことが発生した。また、Taなどのハードマスクを用いた場合、特許文献2に示す方法では、基板ホルダーも金属材料で形成されるため、金属材料までは十分にエッチング除去できない。このため、エッチングされたハードマスクの材料が基板ホルダーに付着したままだと、やはりハードマスクのエッチングレードが低下し、パターンの転写が出来なくなってしまう。
本実施形態によれば、ホルダー成膜により、これらの被エッチング物質をエッチングされにくい物質で覆うので、上述のような問題点を解決できる。
図5に本発明の変形例を示す。図5の製造装置は、図2の製造装置とほぼ同様であるが、ロードロックチャンバ145とアンロードロックチャンバ146の間に、ホルダー成膜チャンバ131のほかに、これよりも基板ホルダーの搬送方向下流側にホルダーエッチングチャンバ132を設けた点のみが相違している。以下この点を中心に説明する。
ホルダーエッチングチャンバ132の構成例を図6に示す。ホルダーエッチングチャンバ132は、ガスを導入するガス導入系と、導入されたガスに高周波放電を生じさせる高周波電源55と、可動電極53を有するバイアス導入部と、排気手段(ターボ分子ポンプ)56と、を備える。可能電極53は、図示しない駆動機構により電極棒が可動になっており、基板ホルダーCがチャンバ内に搬送されたときに基板ホルダーCに接触し、電圧を印加する。なお、基板ホルダーC周囲の放電空間は、シールド52により覆われ、除去膜がチャンバ壁に付着するのを防止する。
なお、本発明の適用は上述の実施形態に限られない。例えば、本実施形態においては、ハードマスク層206を用いているが、これを用いずにレジスト層207やマスク層205のみで磁性層204のエッチングを行うようにしてもよい。また、ホルダー成膜の頻度も必ずしも毎回行う必要はなく、数回に1回であってもよい。また、アンロードロックチャンバ146及びロードロックチャンバ145の間にホルダー成膜チャンバ131を設ける場合に限られず、無端状ラインに分岐して接続されたホルダー成膜チャンバ内でホルダー成膜を行うようにしてもよい。
レジスト層207やマスク層205をエッチングする際に、基板ホルダーCに付着した被エッチング物質がエッチングレートに与える影響を評価するために、以下の試験を行った。
試験条件は、図3に示したRIEチャンバを用い、RF Powerを200W、パルスDC−Biasを−50V、Arガス60sccm、O2ガス10sccm、チャンバー圧力を0.24Paとし、基板に成膜したスパッタカーボン膜をエッチングした。また、本発明の実施例として、母材(アルミ)にクロム膜が成膜された基板ホルダーCを用い、比較例として、被エッチング物質としてのカーボン膜が成膜された基板ホルダーを用い、各基板ホルダーCに保持された基板上のカーボン膜のエッチング量を確認した。
この結果、図7に示すように、カーボン膜付基板ホルダーCでは3.8nm/s、Cr膜付基板ホルダーCでは5.2nm/sとなった。カーボン膜が成膜された基板ホルダーCではCr膜付基板ホルダーCに比べエッチング速度の低下がみられ、必要なエッチング量に満たないことが発生してしまうことが確認された。またエッチング速度の低下により生産性が低下してしまう。
以上から、クロムを成膜することで、カーボン系の膜のエッチングの際も、金属膜のエッチングの際もエッチングレートの低下を抑制できることが確認された。他にホルダーに付着する膜として、上記保護膜層209もしくは埋め込み層208が想定される。埋め込み層208が金属等である場合は、やはりCF4やアルコールなどのエッチングガスと反応しやすく、また保護膜層209は酸素ガスと反応しやすいことから、クロムを成膜することにより、埋め込み層208や保護膜層209との反応を防止できる。
32 アンテナ
31a シールド
C 基板ホルダー
44 第1シールド
47 第2シールド
Claims (7)
- 基板ホルダーに搭載された基板に対し各処理を行って磁気記録媒体を製造する装置において、
基板を搭載しない状態の前記基板ホルダーに第1の膜を成膜するホルダー成膜室と、
前記第1の膜が成膜された前記基板ホルダーに基板を搭載する基板搭載室と、
磁性膜層を含む多層膜上に所定パターンのレジスト層が形成された基板に対し、ドライエッチング処理を行い、前記磁性膜層を前記所定パターンに基づく形状に加工する加工室と、を有し、
前記第1の膜は、前記ドライエッチング処理により除去される前記多層膜中の膜よりもエッチングされにくい膜であり、
前記加工室、ホルダー成膜室及び基板搭載室は、大気より減圧条件下で基板ホルダーを搬送可能に接続されていることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。 - 前記エッチングされにくい膜は、不動態化される膜であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体の製造装置。
- 前記第1の膜は、Cr又はAlを含む膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体の製造装置。
- 前記加工室は、反応性ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチング処理を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置。
- 前記加工室は、酸素元素を含むガスを用いたドライエッチング処理を実行する第1エッチング室、及び、ハロゲン系のエッチングガスを用いたドライエッチング処理を実行する第2エッチング室が夫々独立に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の磁気記録媒体の製造装置。
- 前記加工室は、プラズマ源と基板ホルダーの間に位置し、基板に通じる開口と基板外の領域へのプラズマの入射を規制する遮蔽部とを有するプラズマシールドを有し、
前記ホルダー成膜室は、スパッタリングにより前記第1の膜を成膜するスパッタ室であって、ターゲット電極と基板との間に位置し、基板に通じる開口と基板外の領域へのスパッタリング粒子の入射を規制する遮蔽部とを有するスパッタシールドを有し、
前記スパッタシールドの開口径は、前記プラズマシールドの開口径よりも大きいことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置。 - 前記ホルダー成膜室で第1の膜が成膜された前記基板を搭載しない状態の基板ホルダーに対し、酸素元素を含むガスを用いてエッチング処理を行うホルダーエッチング室を有することを特徴とする請求項2に記載の磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246386A JP5666248B2 (ja) | 2010-11-02 | 2010-11-02 | 磁気記録媒体の製造装置 |
US13/285,304 US8658048B2 (en) | 2010-11-02 | 2011-10-31 | Method of manufacturing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246386A JP5666248B2 (ja) | 2010-11-02 | 2010-11-02 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012099181A true JP2012099181A (ja) | 2012-05-24 |
JP5666248B2 JP5666248B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=45995488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010246386A Active JP5666248B2 (ja) | 2010-11-02 | 2010-11-02 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8658048B2 (ja) |
JP (1) | JP5666248B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174012A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Anelva Corp | 絶縁膜エッチング装置 |
US20080078739A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetic recording medium |
JP2009020951A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
JP2009194360A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-08-27 | Canon Anelva Corp | 薄膜作成装置における基板保持具上の堆積膜の剥離防止方法及び薄膜作成装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4550959B2 (ja) | 1999-11-24 | 2010-09-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜作成装置 |
JP4569077B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2010-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 |
JP4223348B2 (ja) | 2003-07-31 | 2009-02-12 | Tdk株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
US7732056B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant aluminum component having multi-layer coating |
RU2390883C1 (ru) * | 2006-09-13 | 2010-05-27 | Кэнон АНЕЛВА Корпорейшн | Способ изготовления элемента с магниторезистивным эффектом и многокамерное устройство для изготовления элемента с магниторезистивным эффектом |
JP5425547B2 (ja) | 2008-07-31 | 2014-02-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置、及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP2010102815A (ja) | 2008-07-31 | 2010-05-06 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置、及び磁気記録媒体の製造方法 |
-
2010
- 2010-11-02 JP JP2010246386A patent/JP5666248B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-31 US US13/285,304 patent/US8658048B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174012A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Anelva Corp | 絶縁膜エッチング装置 |
US20080078739A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetic recording medium |
JP2008090881A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2009020951A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
US20100206717A1 (en) * | 2007-07-11 | 2010-08-19 | Showa Denko K.K. | Method and apparatus for manufacturing magnetic recording medium |
JP2009194360A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-08-27 | Canon Anelva Corp | 薄膜作成装置における基板保持具上の堆積膜の剥離防止方法及び薄膜作成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120103934A1 (en) | 2012-05-03 |
US8658048B2 (en) | 2014-02-25 |
JP5666248B2 (ja) | 2015-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2390883C1 (ru) | Способ изготовления элемента с магниторезистивным эффектом и многокамерное устройство для изготовления элемента с магниторезистивным эффектом | |
KR100950897B1 (ko) | 자기저항 효과 소자의 제조 방법 및 제조 장치 | |
US8349196B2 (en) | System and method for commercial fabrication of patterned media | |
US20080149590A1 (en) | Substrate-Holder, Etching Method of the Substrate, and the Fabrication Method of a Magnetic Recording Media | |
US20080078739A1 (en) | Method for manufacturing magnetic recording medium | |
WO2012090395A1 (ja) | 製造装置 | |
KR100486330B1 (ko) | 스퍼터링장치,스퍼터링성막장치,및자기저항헤드소자의제조방법 | |
US20110308544A1 (en) | Cleaning method of processing chamber of magnetic film, manufacturing method of magnetic device, and substrate treatment apparatus | |
US20020129900A1 (en) | Method for processing specimens, an apparatus therefor and a method of manufacture of a magnetic head | |
JP5666248B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造装置 | |
WO2009084445A1 (ja) | ドライエッチング方法、磁気抵抗効果素子とその製造方法及び製造装置 | |
JP5621176B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP5174170B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置 | |
JP5172484B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び成膜装置 | |
JP6227483B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP6055575B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
JP2009020950A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 | |
JP5270751B2 (ja) | プラズマ処理装置および磁気記録媒体の製造方法 | |
KR101602869B1 (ko) | 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 및 제조 시스템 | |
JPS6350465A (ja) | スパツタリング装置 | |
JP2011123927A (ja) | パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5666248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |