|
JP3577363B2
(ja)
*
|
1994-06-29 |
2004-10-13 |
株式会社ルネサステクノロジ |
半導体装置の製造方法
|
|
KR960002536A
(cg-RX-API-DMAC10.html)
*
|
1994-06-29 |
1996-01-26 |
|
|
|
US6335130B1
(en)
|
2000-05-01 |
2002-01-01 |
Asml Masktools Netherlands B.V. |
System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features
|
|
EP1249734B1
(en)
*
|
2001-04-11 |
2012-04-18 |
Fujitsu Semiconductor Limited |
Rectangle/lattice data conversion method for charged particle beam exposure mask pattern and charged particle beam exposure method
|
|
JP3754934B2
(ja)
*
|
2002-04-23 |
2006-03-15 |
キヤノン株式会社 |
マスクパターン及び照明条件の設定方法
|
|
EP1385053A3
(en)
|
2002-07-26 |
2004-05-06 |
ASML Masktools B.V. |
Automatical optical proximity correction (OPC) rule generation
|
|
JP4332331B2
(ja)
*
|
2002-08-05 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
露光方法
|
|
US6964032B2
(en)
*
|
2003-02-28 |
2005-11-08 |
International Business Machines Corporation |
Pitch-based subresolution assist feature design
|
|
US7001693B2
(en)
*
|
2003-02-28 |
2006-02-21 |
International Business Machines Corporation |
Binary OPC for assist feature layout optimization
|
|
US7355673B2
(en)
*
|
2003-06-30 |
2008-04-08 |
Asml Masktools B.V. |
Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
|
|
US6905899B2
(en)
|
2003-09-23 |
2005-06-14 |
Macronix International Co., Ltd. |
Methods for forming a photoresist pattern using an anti-optical proximity effect
|
|
JP4709511B2
(ja)
|
2004-08-18 |
2011-06-22 |
株式会社東芝 |
マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、フォトマスクの作製方法及び半導体装置の製造方法
|
|
US8037429B2
(en)
*
|
2005-03-02 |
2011-10-11 |
Mentor Graphics Corporation |
Model-based SRAF insertion
|
|
JP4389222B2
(ja)
*
|
2005-05-02 |
2009-12-24 |
エルピーダメモリ株式会社 |
マスクデータ作成方法
|
|
US7349066B2
(en)
*
|
2005-05-05 |
2008-03-25 |
Asml Masktools B.V. |
Apparatus, method and computer program product for performing a model based optical proximity correction factoring neighbor influence
|
|
JPWO2007058188A1
(ja)
*
|
2005-11-15 |
2009-04-30 |
株式会社ニコン |
露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
|
|
JP4791198B2
(ja)
|
2006-02-03 |
2011-10-12 |
パナソニック株式会社 |
フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法
|
|
JP5235322B2
(ja)
*
|
2006-07-12 |
2013-07-10 |
キヤノン株式会社 |
原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム
|
|
JP4804294B2
(ja)
*
|
2006-09-20 |
2011-11-02 |
キヤノン株式会社 |
原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイスの製造方法
|
|
JP2008076683A
(ja)
*
|
2006-09-20 |
2008-04-03 |
Canon Inc |
原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイスの製造方法
|
|
JP4484909B2
(ja)
*
|
2007-07-24 |
2010-06-16 |
キヤノン株式会社 |
原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法および原版データ作成プログラム
|
|
KR100871750B1
(ko)
|
2007-08-10 |
2008-12-05 |
주식회사 동부하이텍 |
마스크 형성 방법
|
|
JP2009093138A
(ja)
*
|
2007-09-19 |
2009-04-30 |
Canon Inc |
原版データの生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及び原版データを作成するためのプログラム
|
|
EP2040120B1
(en)
*
|
2007-09-19 |
2011-03-02 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, device fabrication method, and program
|
|
JP4402145B2
(ja)
|
2007-10-03 |
2010-01-20 |
キヤノン株式会社 |
算出方法、生成方法、プログラム、露光方法及び原版作成方法
|
|
JP5300354B2
(ja)
*
|
2008-07-11 |
2013-09-25 |
キヤノン株式会社 |
生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
|
|
JP2010165856A
(ja)
*
|
2009-01-15 |
2010-07-29 |
Canon Inc |
決定方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム
|
|
JP2011028098A
(ja)
*
|
2009-07-28 |
2011-02-10 |
Toshiba Corp |
パターン評価方法、パターン作成方法およびパターン評価プログラム
|
|
JP5665398B2
(ja)
*
|
2009-08-10 |
2015-02-04 |
キヤノン株式会社 |
生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム
|
|
JP2011059513A
(ja)
*
|
2009-09-11 |
2011-03-24 |
Toshiba Corp |
パターン作成方法、マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
|
|
JP5603685B2
(ja)
*
|
2010-07-08 |
2014-10-08 |
キヤノン株式会社 |
生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム
|
|
JP5513325B2
(ja)
*
|
2010-09-01 |
2014-06-04 |
キヤノン株式会社 |
決定方法、露光方法及びプログラム
|
|
JP5513324B2
(ja)
*
|
2010-09-01 |
2014-06-04 |
キヤノン株式会社 |
決定方法、露光方法及びプログラム
|
|
JP6039910B2
(ja)
*
|
2012-03-15 |
2016-12-07 |
キヤノン株式会社 |
生成方法、プログラム及び情報処理装置
|
|
JP5677356B2
(ja)
*
|
2012-04-04 |
2015-02-25 |
キヤノン株式会社 |
マスクパターンの生成方法
|