JP2012094515A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 陰極部５６と、
   ターゲット部６０と、
   スロート部８４と
   を含む真空密閉容器５２と、
   該真空密閉容器５２の前記ターゲット部の内部に配置されたターゲット５８と、
   前記真空密閉容器５２の前記陰極部の内部に配置されて、前記ターゲット５８へ向けて電子流６８を放出するように構成されている陰極５４と
   を備えたＸ線管アセンブリ１４であって、前記スロート部８４は、
   上流側端部１０２及び下流側端部１０４を含んでおり、磁場強度の存在下で渦電流を発生する第一の磁化率を有する磁場区画１００と、
   前記陰極部に結合された第一の端部１１４及び前記磁場区画１００の前記上流側端部１０２に結合された第二の端部１１２を有しており、前記磁場強度の存在下で渦電流を発生する第二の磁化率を有する上流側区画１１０と、
   前記磁場区画１００の前記下流側端部１０４に結合された第一の端部１２０及び第二の端部１２２を有しており、前記磁場強度の存在下で渦電流を発生する第三の磁化率を有する下流側区画１１８と
   を含んでおり、渦電流を発生する前記第一の磁化率は、渦電流を発生する前記第二及び第三の磁化率よりも小さい、Ｘ線管アセンブリ１４。
2. 渦電流を発生する前記第二の磁化率は、渦電流を発生する前記第三の磁化率に近似的に等しい、請求項１に記載のＸ線管アセンブリ１４。
3. 前記真空密閉容器５２の前記スロート部８４の前記磁場区画１００を包囲して該磁場区画１００に整列するように配置された電磁コイル８６をさらに含んでいる請求項１または２に記載のＸ線管アセンブリ１４。
4. 前記磁場区画１００は、前記下流側区画の壁厚みよりも小さく、且つ前記上流側区画１１０の壁厚みよりも小さい壁厚みを有する、請求項１乃至３のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ１４。
5. 前記スロート部８４の前記磁場区画１００に結合された電気的絶縁材料をさらに含んでいる請求項４に記載のＸ線管アセンブリ。
6. 前記スロート部８４の前記下流側区画１１８の前記第二の端部１２２は、前記真空密閉容器５２の前記ターゲット部６０に結合されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ。
7. 前記スロート部８４は、
   当該スロート部８４の前記下流側区画の前記第二の端部に結合されている上流側端部、及び下流側端部を有する第二の磁場区画１４４と、
   該第二の磁場区画１４４の前記下流側端部に結合された第一の端部、及び前記ターゲット部６０に結合された第二の端部を有する第二の下流側区画１４２と
   をさらに含んでいる、請求項１乃至６のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ１４。
8. 前記真空密閉容器５２の前記スロート部の前記磁場区画１００を中心として包囲して配置された第一の電磁コイル８６と、
   前記真空密閉容器５２の前記スロート部の前記第二の磁場区画１００を中心として包囲して配置された第二の電磁コイル９４と
   をさらに含んでいる請求項７に記載のＸ線管アセンブリ１４。
9. 前記磁場区画１００は伝導性材料を含んでいる、請求項１乃至８のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ１４。