JP2012083455A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】隣り合う画素電極に黒表示と白表示を行わせる電圧が印加された場合、黒表示と白表示を行う画素電極間の隙間の長手方向と交差する方向に横方向電界が生じる。横方向電界はどちらかの偏光板の吸収軸と略平行な方向に発生するため、本来白表示がなされる画素電極に、黒領域が発生し、コントラストが低下するという課題がある。
【解決手段】第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とに複数の画素電極１５が配置された基板１０と、液晶層と、を備えた液晶装置であって、前記基板１０は、前記第１方向または前記第２方向の少なくとも一方において前記画素電極１５間の隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜と、少なくとも前記画素電極を覆う、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜と、を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。
液晶表示パネル等の液晶装置において、液晶分子を配向規制するための配向膜として、斜方物理蒸着法を用いた無機配向膜の開発が進められてきている。特に、垂直配向（ＶＡ）モードでノーマリーブラックの特性を備える液晶装置は、コントラスト比を高く取れることから有望視されている。ＶＡモードの液晶装置には、例えば誘電率異方性が負の液晶分子を含む液晶層が用いられる。
液晶層は、通常マトリックス状に配置された画素電極を備える第１基板と、対向電極を備える第２基板とによって挟持されている。画素電極と対向電極は、それぞれ液晶分子を基板の法線方向に配向させる配向膜を備えている。なお、以降この法線方向を縦方向とも記載する。
配向膜の形成に斜方物理蒸着法を用いる場合、第１基板に段差（凸部）があると、その影となる場所には配向膜が形成されない領域が生じてしまう。そこで、特許文献１に示すように２方向から斜方蒸着を行い、影となる領域にも蒸着を行い、表示むら等を抑制する技術が知られている。
そして、液晶層を第１、第２基板で挟持したパネル体は、クロスニコルに配置された一対の偏光板に挟まれている。両偏光板の吸収軸は第１基板の平面視で、液晶分子が傾く方向に対して４５°の角度をとるよう配置されている。画素電極と対向電極とを同電位（縦方向電界がない）にした場合、黒表示がなされる。
画素電極と対向電極との間に電圧を掛けた（縦方向電界がある）場合、白表示がなされる。中間階調の表示は当該電位差の調整により、液晶分子の配向方向を変えることでなされる。
隣り合う画素電極に黒表示と白表示を行わせる電圧が印加された場合、黒表示と白表示を行う画素電極間の隙間に、平面視で当該隙間の長手方向と交差（直交）する電界（横方向電界）が生じる。横方向電界はどちらかの偏光板の吸収軸と略平行な方向に発生するため、本来白表示がなされる画素電極に、黒領域が発生してしまう。そして、当該黒領域は画素電極間だけでなく、白表示部分内に、ストライプ状の黒領域を発生させてしまうため、白表示部の輝度が低下し、コントラストが低下する。そのため、表示品位が劣化してしまうという課題がある。特許文献２は、対向電極（共通電極）に共通電極欠如部を形成することで、横方向電界を緩和する方法について説明がなされている。また、ブラックマトリックスを用いて、この領域を隠す方法も公知である。
特開２０１０−２６２７４号公報 特開２００９−１６８９２４号公報
しかしながら、特許文献１では、横方向電界に対して発生する課題を解決する記載はなされていない。また、特許文献２では、共通電極欠如部を形成することで、横方向電界を緩和しているが、共通電極欠如部を備えるパターンを有する第２基板を形成する必要があり、製造工程が多くなるという課題があった。加えて、特許文献２に記載の技術を用いる場合、共通電極欠如部を備えるパターンを有する第２基板と、画素電極を備える第１基板との位置合わせをすることが必要となるが、第１、第２基板が大型化した場合、位置合わせが困難となる。そのため、基板の大型化に対応することが困難となる課題があった。また、ブラックマトリックスを用いた場合、開口率そのものが低下するという課題があった。
本発明は、上記した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる液晶装置は、基板と、誘電率異方性が負の液晶層と、を備えた液晶装置であって、前記基板は、第１画素電極と、前記第１画素電極と第１方向において隣り合う第２画素電極と、前記第１画素電極と前記第１方向に交差する第２方向において隣り合う第３画素電極と、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の第１隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記第２方向に沿って配向させる第１配向膜と、前記第１画素電極と前記第３画素電極との間の第２隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記第１方向に沿って配向させる第２配向膜と、前記画素電極を覆うと共に前記第１隙間及び前記第２隙間に設けられ、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って配向させる第３配向膜と、を備え、前記第１隙間において、前記第１配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを備えると共に、前記第２隙間において、前記第２配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを備えることを特徴とする。
これによれば、第１及び第２画素電極間の第１隙間に、液晶分子を隙間の長手方向である第２方向に沿って配向（水平配向）させる第１配向膜と、第１及び第３画素電極間の第２隙間に、液晶分子を隙間の長手方向である第１方向に沿って配向（水平配向）させる第２配向膜とを備え、画素電極上に液晶分子を基板の法線に沿って配向（垂直配向）させる第３配向膜を備えている。
このように、第１配向膜と第２配向膜及び第３配向膜の３つの配向膜を備えることにより、第１及び第２隙間において、平面的に見てもれなく配向膜を備えることで液晶分子を配向させる力の働かない領域をなくすことが可能になる。
隣り合う画素電極間の電位差が大きい（例えば、ある画素電極が電源電位、隣り合う画素電極が接地電位）場合に画素電極間の隙間の長手方向と交差する方向に電界（横方向電界）が生じる。液晶分子を隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜または第２配向膜を備えることで、横方向電界により液晶分子が隙間の長手方向と交差して配向するディスクリネーションが抑えられる。そのため、コントラストが高く、かつシャープな輪郭が得られるので、表示品質に優れた液晶装置を提供できる。ここで、「上」とは第１基板から液晶層に向かう方向と定義する。
［適用例２］上記適用例にかかる液晶装置であって、前記第１配向膜は、前記第２方向からの斜方物理蒸着法を用いた第１無機配向膜であり、前記第２配向膜は、前記第１方向からの斜方物理蒸着法を用いた第２無機配向膜であり、前記第３配向膜は、前記第１方向及び前記第２方向と交差する方向からの斜方物理蒸着法を用いた第３無機配向膜であることを特徴とする。
上記した適用例によれば、液晶分子を隣り合う画素電極間の隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１無機配向膜と第２無機配向膜とをそれぞれ画素電極間に配置することができる。そして第１方向と第２方向と交差する方向から斜方物理蒸着法を用いて、画素電極の間（影）に、自己整合で第１無機配向膜（水平配向膜）あるいは第２無機配向膜（水平配向膜）を露出させることが可能となる。そのため、横電界に起因するディスクリネーションの発生を抑えることができる。ここで、物理蒸着法としては、電子ビーム蒸着法や、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の方法を例示できる。
［適用例３］上記適用例にかかる液晶装置であって、前記第３配向膜は、前記画素電極上において、前記第１配向膜及び第２配向膜を覆って設けられていることを特徴とする。
上記した適用例によれば、画素電極上では、液晶分子を基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜が第１配向膜を覆う。即ち、画素電極上では、液晶分子が基板の法線に沿って垂直配向する。一方、画素電極間の少なくとも一部の領域では、液晶分子を隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜が露出している。そのため、隣り合う画素電極間の電界（横電界）により液晶分子が隙間の長手方向と交差して配向するディスクリネーションの発生を抑えることができる。
［適用例４］本適用例にかかる液晶装置の製造方法は、第１画素電極と、前記第１画素電極と第１方向において隣り合う第２画素電極と、前記第１画素電極と前記第１方向に交差する第２方向において隣り合う第３画素電極とが配置された基板と、誘電率異方性が負の液晶層とを備えた液晶装置の製造方法であって、第１画素電極と前記第２画素電極との間の第１隙間に、前記液晶層中の液晶分子を前記第２方向に沿って配向させる第１配向膜を形成する工程と、前記第１画素電極と前記第３画素電極との間の第２隙間に、前記液晶層中の液晶分子を前記第１方向に沿って配向させる第２配向膜を形成する工程と、前記第１隙間と前記第２隙間及び前記画素電極上に前記液晶分子を前記基板の法線に沿って配向させる第３配向膜を形成する工程と、を備え、前記第１隙間において、前記第１配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを備えると共に、前記第２隙間において、前記第２配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを形成することを特徴とする。
これによれば、第１及び第２画素電極間に液晶分子を隙間の長手方向である第２方向に沿って配向（水平配向）させる第１配向膜を形成する工程（第１配向膜形成工程）と、第１及び第３画素電極間に液晶分子を隙間の長手方向である第１方向に沿って配向（水平配向）させる第２配向膜を形成する工程（第２配向膜形成工程）と、画素電極上に液晶分子を基板の法線に沿って配向（垂直配向）させる第３配向膜を形成する工程（第３配向膜形成工程）を備えている。
第１配向膜、第２配向膜及び第３配向膜の３つの配向膜を形成する工程を備えることにより、第１及び第２隙間において、平面的に見てもれなく配向膜を備えることで液晶分子を配向させる力の働かない領域をなくすことが可能になる。
隣り合う画素電極間の電位差が大きい（例えば、ある画素電極が電源電位、隣り合う画素電極が接地電位）場合に液晶分子を隙間の長手方向と交差する方向に配向させる電界（横電界）が発生する。
液晶分子を隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜または第２配向膜を形成する工程を用いることで、横方向電界により液晶分子が隙間の長手方向と交差して配向するディスクリネーションを抑えることを可能とする液晶装置の製造方法を提供できる。
［適用例５］上記適用例にかかる液晶装置の製造方法であって、前記第１配向膜は、前記第２方向からの斜方物理蒸着法を用いて形成され、前記第２配向膜は、前記第１方向からの斜方物理蒸着法を用いて形成され、前記第３配向膜は、前記第１方向及び前記第２方向と交差する方向からの斜方物理蒸着法を用いて形成されていることを特徴とする。
上記した適用例によれば、液晶分子を隣り合う画素電極間の隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜と第２無機配向膜とをそれぞれ画素電極間に配置することができる。第１配向膜は、第２方向からの斜方物理蒸着法により、画素電極の間に形成される。第２配向膜は、第１方向からの斜方物理蒸着法により、画素電極の間に形成される。そして、第１方向からの斜方物理蒸着法では、画素電極が自己整合マスクとして機能することで、画素電極の影となる第２方向に沿った部分は、第１方向からの斜方物理蒸着法を行った後にも第２方向に沿って配向した配向膜が露出した状態を保つ。
そして、液晶分子を基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜を第１方向及び第２方向と交差する方向から斜方物理蒸着法を用いて形成することで、第１隙間である画素電極の間（影）に第１配向膜を、第２隙間である画素電極の間（影）に第２配向膜を露出させた状態で、第１隙間、第２隙間及び画素電極上に第３配向膜を形成することができる。
［適用例６］本適用例にかかる電子機器は、上記に記載の液晶装置を含むことを特徴とする。
これによれば、当該電子機器は、シャープな輪郭を再現し得る液晶装置を含むことから、画質に優れた電子機器を提供することが可能となる。
［適用例７］本適用例にかかる電子機器は、上記に記載の液晶装置の製造方法を用いて形成された液晶装置を含むことを特徴とする。
これによれば、当該電子機器は、画素電極間の光漏れが抑制された液晶装置を得るための製造工程を用いた液晶装置を含むことから、シャープな輪郭を再現し得る電子機器を提供することが可能となる。
（ａ）は液晶装置の平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ'線断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 （ａ）は画素の構成を示す平面図、（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ'線断面図。 （ａ）は、画素電極と配向膜との対応関係を示した平面図、（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線と直交するＢ−Ｂ’線断面図。 （ａ）は電界を掛けない場合についての液晶分子の配向を示す斜視図、図５（ｂ）は電界を掛けた場合についての液晶分子の配向を示す斜視図。 （ａ）は、ディスクリネーションが発生した状態を示すための平面図、（ｂ）はディスクリネーションを抑制した状態を示すための平面図。 図６（ａ）の構造を持つ画素電極が隣り合う場合に白表示と黒表示を行った場合の光透過率と座標との関係と、図６（ｂ）の構造を持つ画素電極が隣り合う場合に白表示と黒表示を行った場合の光透過率と座標との関係と、を示すグラフ。 （ａ）〜（ｅ）は液晶装置の製造方法を説明するための工程断面図及び平面図。 （ａ）〜（ｄ）は液晶装置の製造方法を説明するための工程断面図及び平面図。 （ａ）〜（ｆ）は電子機器について説明するための模式図。
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。
＜液晶装置の構成＞
本実施形態にかかる液晶装置の構成について、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置について図１、図２、図３を用いて説明する。
図１は液晶装置の構成を示す概略図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ'線断面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３（ａ）は画素の構成を示す平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ'線断面図である。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、基板としての素子基板１０と、対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０によって挟持された液晶層５０と、を有する。ここで、「上」（Ｚ方向）とは素子基板１０から液晶層５０に向かう方向と定義する。
そして、第１方向としてのＸ方向とは、第１画素電極としての画素電極１５ａから第２画素電極としての画素電極１５ｂへ向かう方向、第２方向としてのＹ方向とは、画素電極１５ａから第３画素電極としての画素電極１５ｃへ向かう方向と定義する。
画素電極１５ａと画素電極１５ｃとの間の第１隙間としての隙間の長手方向には、液晶分子１１５をＸ方向に水平配向させるためのＸ方向に延在する第１配向膜としての第１方向配向膜４０Ｘが形成されている。
画素電極１５ａと画素電極１５ｂとの間の第２隙間としての隙間の長手方向には、液晶分子１１５をＹ方向に水平配向させるためのＹ方向に延在する第１配向膜としての第２方向配向膜４０Ｙが形成されている。
第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙの詳細については後述する。なお、画素電極（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）は、画素電極１５の相対的位置関係を示すために便宜的に設けた符号であり、相対的位置関係を示していること以外は、画素電極１５と等価である。
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、シール材５２を介して接合されている。そして、その隙間には、負の誘電異方性を有する液晶分子１１５を含む液晶が封入され、液晶層５０が構成されている。
図１（ａ）に示すように、素子基板１０は、その１辺に沿ってデータ線駆動回路１０１が備えられている。そして、これに電気的に接続された複数の端子部１０２が配列している。素子基板１０の当該１辺と交差（直交）する２つの辺には、それぞれの辺に沿って、走査線駆動回路１０４が設けられている。そして、平面視にて、対向基板２０を挟む位置にあり、当該１辺と平行な辺には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
額縁状に配置されたシール材５２の内側には、同じく額縁状に見切り部５３が設けられている。見切り部５３は、遮光性を有する金属材料あるいは樹脂材料が用いられている。
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素ごとに設けられた画素電極１５及びスイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが配置されている。
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部５３と、これを覆うように配置された共通電極２３と、共通電極２３を覆うように配置された配向膜２９とが備えられている。
配向膜１８は、後述する無機配向膜である。そして、配向膜２９は、例えば画素電極１５上の配向膜１８（後述する垂直配向膜４２）とアンチパラレルに配向させた垂直配向膜であり、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）を対向基板２０の基板法線に対して４５〜６５°程度の傾きを持った斜方物理蒸着法により蒸着させて形成されている。
なお、配向膜１８についての詳細は後述する。配向膜１８は、例えば複数種の配向膜を組み合わせたものである。
対向基板２０に設けられた共通電極２３は、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２に示すように、液晶装置１００は、互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとを有する。また、走査線３ａに対して一定の間隔を置いて平行するように配置された容量線３ｂを有する。
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂにより格子状に区画された領域に、画素電極１５と、画素電極１５をスイッチング制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、保持容量３６とが設けられ、これらが画素を構成している。即ち、画素は、マトリックス状に配置されている。
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素に供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素に供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークにより変動するのを抑制するため、画素電極１５と共通電極２３との間に、液晶容量と並列に保持容量３６が接続されている。保持容量３６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
図３（ａ）は画素の構成を示す平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）をＡ−Ａ'線断面図である。
図３（ａ）に示すように、画素Ｇ１は、互いに絶縁された状態で交差する走査線３ａとデータ線６ａとにより区画された領域に設けられた矩形状の画素電極１５と、画素電極１５の電位をスイッチング制御するＴＦＴ３０とを有している。
ＴＦＴ３０は、走査線３ａとデータ線６ａの交差点付近の走査線３ａ上に設けられている。ＴＦＴ３０はゲートを挟んで配置されたソース、ドレイン、そしてソース、ドレインに挟まれたチャネルの３つの領域を有する半導体層３０ａを備え、ソースにはデータ線６ａから延出されたソース電極３０ｓが設けられている。また、ドレインには平面視で略四角形のドレイン電極３０ｄが設けられている。ドレイン電極３０ｄは画素電極１５側に拡張された拡張部３０ｅを有する。画素電極１５にはドレイン電極３０ｄと電気的な接続をとるための平面視で略円形のコンタクトホール１６がドレイン電極３０ｄと重なる位置に設けられている。
容量線３ｂは半導体層３０ａのドレイン側近傍において走査線３ａと平行するように設けられている。また、ドレイン電極３０ｄの拡張部３０ｅと重なる拡幅部を有している。
図３（ｂ）に示すように、基板本体１０ａ上には、まず、アルミニウム等の金属配線材料を用いた走査線３ａ、容量線３ｂが配置されている。これらの走査線３ａ、容量線３ｂを覆うように、酸化シリコン等の絶縁体を用いたゲート絶縁膜１１が設けられている。
走査線３ａを覆ったゲート絶縁膜１１上には、半導体層３０ａが設けられている。半導体層３０ａの厚みはおよそ５０ｎｍである。走査線３ａを覆った部分がゲートであって、これに対向する走査線３ａがゲート電極３０ｇの役目を果たしている。即ち、ＴＦＴ３０はボトムゲート構造となっている。
前述したように、半導体層３０ａのソースに重なるようにソース電極３０ｓが設けられ、同じくドレインに重なるようにドレイン電極３０ｄが設けられている。アルミニウム等の金属配線材料を用いたソース電極３０ｓ、ドレイン電極３０ｄが配置されている。
これらの金属配線材料を用いた走査線３ａ、容量線３ｂ、ソース電極３０ｓ（データ線６ａ）、ドレイン電極３０ｄの厚みはおよそ５００〜６００ｎｍである。
これらの半導体層３０ａ、ソース電極３０ｓ、ドレイン電極３０ｄを覆うように層間絶縁膜１２が設けられている。層間絶縁膜１２は、半導体層３０ａ、ソース電極３０ｓ、ドレイン電極３０ｄが設けられてできた表面の段差を緩和するためにおよそ１〜２μｍ程度の厚みで設けられている。
ドレイン電極３０ｄを覆う層間絶縁膜１２には、ドレイン電極３０ｄと画素電極１５とを導通させるコンタクトホール１６が備えられている。画素電極１５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜により構成されている。
以上、図１に示す液晶装置１００として、透過型の液晶装置を用いた例について説明したが、これは反射層を設けて反射型の液晶装置としても良い。反射型の液晶装置を用いることで、例えばＴＦＴ３０を覆う領域の光も制御することが可能となることから、開口率を向上させることが可能となる。また、図３（ｂ）に示すＴＦＴ３０として、ボトムゲート型のＴＦＴについて説明したが、これはトップゲート型のＴＦＴを用いても良い。トップゲート型のＴＦＴを用いることで、ＴＦＴ３０に用いる半導体層を他の構成要素に先んじて熱処理ができる、即ち、他の構成要素を高温に晒すことなくポリシリコンを高温で形成できることから、移動度に優れたポリシリコンを半導体層に用いることが可能となる。
また、カラーフィルターを加えることで、カラー表示が可能となる。具体的には、サブ画素形状を長方形とし、ＲＧＢ３色分のサブ画素を一つの画素として扱うことで実現できる。
＜配向膜の構成＞
以下、配向膜の構成について説明する。ここで、ＴＦＴ３０等については上記していることから説明を省略し、主として配向膜と画素電極との対応関係について説明する。図４（ａ）は、本実施形態にかかる画素電極と配向膜との対応関係を示した平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線断面図、図４（ｃ）は、Ａ−Ａ’線と直交するＢ−Ｂ’線断面図である。ここで、基板本体１０ａ上に形成されたＴＦＴ３０（図３（ｂ）参照）等は図示を省略している。配向膜１８は、隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｃ）との隙間の長手方向（Ｘ方向）に沿って形成された第１方向配向膜４０Ｘを備えている。第１方向配向膜４０Ｘは、液晶分子１１５をＸ方向に水平配向させる性質を備えている。そして、第１方向配向膜４０Ｘの一部は露出領域４０Ｘａとして、直接液晶層５０（図１参照）に触れることとなる。
また、素子基板１０上で隣り合う、２つの画素電極１５ａと画素電極１５ｂとの隙間に形成された第２方向配向膜４０Ｙを備えている。第２方向配向膜４０Ｙは、液晶分子１１５をＹ方向に水平配向させる性質を備えている。そして、第２方向配向膜４０Ｙの一部は露出領域４０Ｙａとして、直接液晶層５０（図１参照）に触れることとなる。
即ち、画素電極１５は、その一辺に沿う第１方向配向膜４０Ｘを備え、この一辺と別方向（この場合は直交）する辺に沿う第２方向配向膜４０Ｙを備えることとなる。
画素電極１５ａ上には、第３配向膜としての垂直配向膜４２が備えられている。垂直配向膜４２は、対向基板２０に設けられた共通電極２３との間に電圧が掛けられた場合に、第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙと交差（本実施形態では第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙとが為す角を２等分する４５°としている）し、液晶分子１１５を素子基板１０に倣うよう水平配向させる性質を備えている。なお、電界が掛けられていない場合は、液晶分子１１５を基板本体１０ａの法線に沿って略垂直（プレチルト角分のずれ）に配向させる性質を備えている。
このような配向性を備える第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙ、垂直配向膜４２は、例えば隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｃ）との隙間の長手方向が見通せる方向から斜方物理蒸着法を用いて配向膜材料となる無機物を飛来させて、第１無機配向膜としての第１方向配向膜４０Ｘを形成する。
そして、同様に２つの画素電極（１５ａ，１５ｂ）との隙間の長手方向が見通せる方向から斜方物理蒸着法を用いて配向膜材料となる無機物を飛来させて、画素電極（１５ａ，１５ｂ）との隙間に別方向に配向した第１無機配向膜としての第２方向配向膜４０Ｙを形成する。
そして、第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙとが、画素電極１５によって隠れる方向（例えば、第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙとが為す角の２等分線方向）から斜方物理蒸着法により無機物を飛来させて第２無機配向膜としての垂直配向膜４２を形成する方法が挙げられる。詳細な製造方法については後述する。
配向膜１８は、第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙ、垂直配向膜４２の３層により構成されている。なお、作図の都合上、画素電極１５間の隙間を拡大して図に示している。また、画素電極１５は、第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙ、垂直配向膜４２に覆われている。
上記したように、素子基板１０には、斜方物理蒸着法を用いて画素電極１５の影となる領域に第１方向配向膜４０Ｘが露出した露出領域４０Ｘａが形成される。同様に、第２方向配向膜４０Ｙが露出した露出領域４０Ｙａが形成される。そして、画素電極１５上には、上記した垂直配向膜４２が形成されている。
＜光の制御＞
以下、上記した液晶装置１００（図１参照）を用いて、透過光の強度を制御する機構について説明する。図５（ａ）は電界を掛けない場合についての液晶分子の配向を示す斜視図、図５（ｂ）は電界を掛けた場合についての液晶分子の配向を示す斜視図である。図５（ａ），（ｂ）に示すように、液晶装置１００は、クロスニコルに配置された偏光板１１０，１１１により挟まれている。
図４（ａ）における画素電極１５ａと画素電極１５ｂとの隙間の長手方向（Ｙ方向）に沿うよう偏光板１１０の吸収軸が揃えられている。また、図４（ａ）における画素電極１５ａと画素電極１５ｃとの隙間の長手方向（Ｘ方向）に沿うよう偏光板１１１の吸収軸が揃えられている。
画素電極１５上には、画素電極１５と、共通電極２３との間に電圧を掛けた（縦方向電界を掛けた）際に、素子基板１０の平面視で偏光板１１０，１１１の吸収軸に対し４５°の角度を持つ平面に倣って液晶分子１１５が縦方向電界により配向するよう、垂直配向膜４２が形成されている。
画素電極１５と共通電極２３との間に電圧を掛けない（縦方向電界を掛けない）状態では、図５（ａ）に示すように液晶分子１１５は、液晶層５０の内部で、基板本体１０ａの法線に沿って略垂直（プレチルト角分だけずれて）に配向する。
そのため、入射側の偏光板１１０に入射した光Ｌは液晶層５０によるリタデーションを殆ど生ずることなく出射側の偏光板１１１に達し、偏光板１１１に吸収されるため、黒表示がなされる。
画素電極１５と共通電極２３との間に電圧を掛けた（縦方向電界を掛けた）状態では、図５（ｂ）に示すように液晶分子１１５は、液晶層５０内で、偏光板１１０，１１１の吸収軸に対し４５°の角度をもって、素子基板１０に倣うよう配向する。
即ち、十分強い縦方向電界、換言すれば、液晶分子１１５が、素子基板１０と略平行に配向する程度の電圧を画素電極１５と共通電極２３との間に掛けた場合、液晶層５０は１／２波長板と同等の動作を行うこととなり、偏光方向が９０°回転した状態で光Ｌは偏光板１１１に達する。そのため、光Ｌは偏光板１１１を透過する。そのため、白表示（Ｗ）がなされる。中間階調の表示は当該電界の加減により、液晶分子の配向方向を変えることで行う。
＜ディスクリネーションの抑制＞
次に、ディスクリネーションの抑制を可能とする構造について、図６を用いて説明する。
図６（ａ）は、画素電極間の横方向電界によりディスクリネーションが発生した状態を示すための平面図である。図６（ｂ）は本実施形態を適用することでディスクリネーションを抑制できることを示す平面図である。構造の詳細、光の制御については上述したので、ここでは簡潔化した図面を用いて説明する。
画素電極１５ａと、共通電極２３との間に白用の電圧（例えば、最大電圧）を掛け、画素電極１５ｂ、画素電極１５ｃは共通電極２３と同電位（電圧を掛けない、例えば接地電位）場合、正方形の画素電極１５ａは、その対角線方向（４５°）に液晶分子１１５を水平配向させる。そして、画素電極１５ｂ、画素電極１５ｃは、液晶分子１１５を垂直配向させる（◎で示す）。この場合、画素電極１５ａと、画素電極１５ｂ及び画素電極１５ｃとの間には横方向電界が発生する。
横方向電界が発生した場合、この横方向電界により、本来の配向方向と異なる方向に液晶分子１１５が配向する（ディスクリネーション）。そして、本来白表示すべき画素電極１５ａ上には、この場合、画素電極１５ａ，１５ｂと倣う方向と、画素電極１５ａ，１５ｃと倣う方向に輝度が低い低輝度領域１１７が発生し、コントラストが低下する上、輪郭の表現も甘くなる。
一方、図６（ｂ）に示す構造では、画素電極１５ａと画素電極１５ｃの間の隙間（図１には、液晶分子１１５をＸ方向（図１（ａ）参照）に水平配向する露出領域４０Ｘａが露出している。また、画素電極１５ａと画素電極１５ｃの間の隙間には、液晶分子１１５をＹ方向に水平配向する露出領域４０Ｙａが露出している。そのため、画素電極１５ａと１５ｂとの隙間に位置する液晶分子１１５は、当該隙間の長手方向に沿って水平配向する。同様に、画素電極１５ａと１５ｃとの隙間に位置する液晶分子１１５も、当該隙間の長手方向に沿って水平配向する。即ち、露出領域４０Ｘａと露出領域４０Ｙａを設けることによって、ディスクリネーションによるコントラストの低下を防ぎ、シャープな輪郭の表現が可能となる。
図７は、図６（ａ）の構造を持ち、隣り合う画素電極が白表示と黒表示を行った場合の光透過率と座標との関係と、図６（ｂ）の構造を持ち、隣り合う画素電極が白表示と黒表示を行った場合の光透過率と座標との関係と、を示すグラフである。このグラフはＸ軸を各々の座標として用いており、図６（ｂ）に示した矢印方向をＸ方向としている。
また、透過率の絶対値は、例えば偏光板の透過率や液晶層の厚さ等により変化するため、ここでは条件を揃えた場合の相対透過率を用いて光透過率（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）をＹ軸をとして用いており、Ｙ軸の単位には任意目盛（ａ．ｕ．）を用いている。
図７に示すように、図６（ａ）の構造（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）を用いた場合、点線で示されるように、画素電極１５ａ領域（白表示領域）には、ディスクリネーションが生じ、白表示区域の一部が、画素電極１５ｃ（黒表示区域）に近い位置で、透過率の低下が生じている（点線）。対して、図６（ｂ）の構造（Ｔｈｉｓ ｗｏｒｋ）を用いた場合には、液晶分子１１５は露出領域４０Ｘａの配向性により、当該隙間の長手方向に沿って強制的に水平配向させられている。そのため、当該隙間の長手方向と交差する方向に生じるディスクリネーションの発生が抑えられる。よって、実線で示されるように、画素電極１５ａ領域（白表示領域）での低輝度領域１１７（図６（ａ）参照）の発生が抑えられ、画素電極１５ａ領域の輝度が向上する。
ここで、画素電極１５ａ領域（白表示領域）での輝度向上率を、図７のグラフを用いて、図６（ａ）の構造と図６（ｂ）の構造とで示される、画素電極１５ａ領域（白表示領域）の面積で比較した。この場合、最大輝度の白と最小輝度の黒とが隣り合う場合では、透過率が約２５％向上した。そのため、従来技術を用いた場合と比べ、高いコントラストと、シャープな輪郭の表現が可能となった。
＜液晶装置の製造方法＞
次に、液晶装置の製造方法について図面を用いて説明する。図８、図９は、上記した液晶装置の製造方法を説明するための工程断面図及び平面図である。
まず、基板本体１０ａ上に、通常の製造方法を用いて、ＴＦＴ３０、層間絶縁膜１２、コンタクトホール１６等を形成する。ここまでの工程は、一般的なＣＶＤ法や、フォトリソグラフ法を用いて形成することができる。ここまでの工程を終えた工程断面図を図８（ａ）に示す。なお、以降の工程断面図や平面図ではＴＦＴ３０、コンタクトホール１６等は既に説明しているため記載を省く。また、電気的な配線構造についても既に説明しているため記載を省く。
次に、画素電極１５を形成する。画素電極１５は、ＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）が他の透明電極と比べ、高い光透過率と低い電気抵抗を持つことから好適な材料となるが、例えば酸化錫や酸化亜鉛を用いても良い。また、画素電極１５の成膜方法としては反応性マグネトロンスパッタ法や、真空蒸着法等を例示することができる。また、ゾル・ゲル法等も開発が進められている。
画素電極１５は、上記した方法で成膜した後、例えばフォトリソグラフ法を用いて定められたパターンに区分され、層間絶縁膜１２上に形成される。ここまでの製造工程を終えた平面図を図８（ｂ）、図８（ｂ）のＡ−Ａ’線工程断面図を図８（ｃ）に示す。図８（ｂ）では、図８（ａ）と以降の図面との対応関係についても示している。画素電極１５は、層間絶縁膜１２上に形成されている。そして、この画素電極１５が、画素電極１５を９個マトリックス状に並べて図示した画素電極１５の一つと対応している。
なお、上述したように、図８（ｃ）ではＴＦＴ３０、コンタクトホール１６等については記載を省いている。
次に、第１方向配向膜４０Ｘを形成する（第１配向膜形成工程）。第１方向配向膜４０Ｘは、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や、酸化チタン（ＴｉＯ2）、一酸化シリコン（ＳｉＯ）等の無機材料を、斜方物理蒸着法を用いて形成している。隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｃ）とＸ方向（図１参照）と平行で、素子基板１０の基板法線に対して所定の角度（例えば８０°〜８５°）で無機材料を飛来させて成長させた柱状結晶を含む、第１方向配向膜４０Ｘが形成される。斜方物理蒸着法としては、電子ビーム蒸着や、抵抗加熱蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の方法を用いることができる。上記した物質を斜方物理蒸着法し、露出した状態とすることで、基板本体１０ａに倣い、Ｘ方向に沿って配向性を持つ第１方向配向膜４０Ｘを得ることができる。
斜方物理蒸着法を用いて素子基板１０に第１方向配向膜４０Ｘを形成している状態での平面図を図８（ｄ）、図８（ｄ）のＢ−Ｂ’線工程断面図を図８（ｅ）に示す。
次に、第２方向配向膜４０Ｙを形成する（第２配向膜形成工程）。第２方向配向膜４０Ｙは、基板本体１０ａを９０°回転させ、Ｙ方向と平行になるよう行う。この工程で、基板本体１０ａに倣い、Ｙ方向に沿って配向性を持つ第２方向配向膜４０Ｙを得ることができる。
斜方物理蒸着法を用いて基板本体１０ａに第２方向配向膜４０Ｙを形成している状態での平面図を図９（ａ）、図９（ａ）のＣ−Ｃ’線工程断面図を図９（ｂ）に示す。
次に、垂直配向膜４２を形成する（第３配向膜形成工程）。垂直配向膜４２は基板本体１０ａの平面視で、隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｂ）の隙間と、隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｃ）の隙間との間の角度（各々の隙間に対して４５°）の角度から、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）を素子基板１０の基板法線に対して４５〜６５°程度の傾きを持って斜方物理蒸着法により垂直配向膜４２を形成する。
斜方物理蒸着法を用いて基板本体１０ａに垂直配向膜４２を形成している状態での平面図を図９（ｃ）、図９（ｃ）のＤ−Ｄ’線工程断面図を図９（ｄ）に示す。
斜方物理蒸着法を用いることで、画素電極１５の影になる領域には、垂直配向膜４２は形成されない。換言すれば、画素電極１５に近い、あるいは接する領域に第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙが露出することとなる。即ち、画素電極１５間に位置する隙間に対して、長手方向と平行に水平配向膜を自己整合的に形成することが可能となる。
そして、別途形成された、共通電極２３を覆う、垂直配向膜４２とアンチパラレルに垂直配向させる配向膜２９により覆われた共通電極２３を備える対向基板２０を用い、液晶層５０を挟持させることで液晶装置１００が形成される（図１参照）。
＜電子機器＞
以下、本実施形態の構成を備えた液晶装置１００を含む、あるいは本実施形態の製造方法で作られた液晶装置を含む電子機器について説明する。
図１０に上記した液晶装置、または上記した液晶装置の製造方法を用いて形成された液晶装置を含む電子機器の例を挙げる。図１０（ａ）は携帯電話への適用例を示す模式図であり、携帯電話２３０は、アンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、及び液晶装置１００を備えている。このように本発明の液晶装置を携帯電話２３０の表示部として利用可能である。図１０（ｂ）はビデオカメラへの適用例を示す模式図であり、ビデオカメラ２４０は、受像部２４０Ｙ、操作部２４２、音声入力部２４３、及び液晶装置１００を備えている。このように本発明の液晶装置は、電子ビューファインダーや表示部として利用可能である。図１０（ｃ）は携帯型パーソナルコンピューターへの適用例を示す模式図であり、コンピューター２５０は、カメラ部２５１、操作部２５２、及び液晶装置１００を備えている。このように本発明の液晶装置は、表示部として利用可能である。
図１０（ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例を示す模式図であり、ヘッドマウントディスプレイ２６０は、バンド２６１、光学系収納部２６２及び液晶装置１００を備えている。このように本発明の液晶装置は画像表示器として利用可能である。図１０（ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例を示す模式図であり、プロジェクター２７０は、筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、ミラー２７５、スクリーン２７６、及び液晶装置１００を備えている。このように本発明の液晶装置は画像表示器として利用可能である。図１０（ｆ）はフロント型プロジェクター（モバイルミニプロジェクター）への適用例を示す模式図であり、プロジェクター２８０は、筐体２８２に光学系２８１及び液晶装置１００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。なお、モバイルミニプロジェクターとして扱う場合、スクリーン２８３に代えて白い壁に映すようにすると、スクリーン２８３を省略することが可能となり、より持ち運び易いモバイルミニプロジェクターを提供することが可能となる。このように本発明の液晶装置は画像表示器として利用可能である。
上記例に限らず本発明の液晶装置は、種々の電子機器に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダー、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
上記した液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器は、以下の効果を奏する。
図６（ｂ）に示す構造を用いた場合、画素電極１５ａと画素電極１５ｂの間の隙間には当該隙間と倣う方向に液晶分子１１５を水平配向する露出領域４０Ｘａが露出することとなる。また、画素電極１５ａと画素電極１５ｃの間の隙間には当該隙間と倣う方向に液晶分子１１５を水平配向する露出領域４０Ｙａが露出することとなる。そのため、画素電極１５ａと１５ｂとの隙間に位置する液晶分子１１５は、当該隙間の長手方向に沿って水平配向する。同様に、画素電極１５ａと１５ｃとの隙間に位置する液晶分子１１５も、当該隙間の長手方向に沿って水平配向する。そのため、横方向電界により液晶分子１１５の配向方向が当該隙間の長手方向と逸脱した方向へ配向してしまう現象の発生を抑制することが可能となる。即ち、露出領域４０Ｘａと露出領域４０Ｙａを設けることによって、ディスクリネーションによるコントラストの低下を防ぎ、シャープな輪郭の表現が可能となる。
図７のグラフに示すように、従来技術と本実施形態とを画素電極１５ａ領域（白表示領域）の面積で比較した場合、最大輝度の白と最小輝度の黒とが隣り合う場合では、透過率が約２５％向上した。そのため、従来技術を用いた場合と比べ、高いコントラストと、シャープな輪郭の表現が可能となる。
図８（ｄ），（ｅ）に示すように、隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｃ）との隙間の長手方向と基板本体１０ａの平面視にて平行で、素子基板１０の基板法線に対して所定の角度（例えば８０°〜８５°）で無機材料を飛来させて結晶成長させることで、自己整合的に当該隙間の長手方向に配向性を持つ第１方向配向膜４０Ｘを得ることができる。
図９（ａ），（ｂ）に示すように、隣り合う２つの画素電極（１５ａ，１５ｂ）との隙間と基板本体１０ａの平面視にて平行で、素子基板１０の基板法線に対して所定の角度（例えば８０°〜８５°）で無機材料を飛来させて結晶成長させることで、自己整合的に当該隙間の長手方向に配向性を持つ第２方向配向膜４０Ｙを得ることができる。加えて、画素電極１５が自己整合的マスクとして機能するため、画素電極（１５ａ，１５ｃ）との隙間の長手方向に配向した第１方向配向膜４０Ｘを残して画素電極（１５ａ，１５ｂ）との隙間の長手方向に第２方向配向膜４０Ｙを得ることができるため、画素電極１５間の長手方向に配向した第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙを形成することが可能となる。
図９（ｃ），（ｄ）に示すように、斜方物理蒸着法を用いることで、画素電極１５の影になる領域には、垂直配向膜４２は形成されない。換言すれば、画素電極１５に近い、あるいは接する領域に第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙが露出することとなる。即ち、画素電極１５間に位置する隙間に対して、長手方向と平行に水平配向膜を自己整合的に形成することが可能となる。
対向基板２０（図１参照）が備える共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２９は、パターンを持たない（ベタ）構造を用いることができるため、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせを容易に行うことができる。特に、素子基板１０や対向基板２０が大きくなった場合に、精密な位置合わせ（アライメント）を必要としないことから、容易に製造でき、かつコントラストが高く取れる液晶装置１００を提供することが可能となる。
＜液晶装置の製造方法＞に示されるように、第１方向配向膜４０Ｘと第２方向配向膜４０Ｙとは、ほぼ同じ条件で形成することが可能であるため、新たな設備投資を必要としない。そのため製造コストを低減することが可能となる。
＜液晶装置の製造方法＞に示されるように、第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙ、垂直配向膜４２は、画素電極１５を自己整合的マスクとして斜方物理蒸着法を用いて製造するため、フォトリソグラフ工程を増やすことなく製造が可能となる。そのため、高額なフォトマスクを使用することなく製造することができる。また、素子基板１０が大型化した場合、フォトマスクと素子基板１０とのアライメントは困難となるが、自己整合的に製造することでアライメントが不要となる。
また、駆動回路や駆動条件が従来の技術と同じ条件で扱えることから、新たな駆動回路等を設計し、適用する必要がない。そのため、新たな製造方法や製造装置を追加することなく、容易に液晶装置１００を形成することが可能となる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
［変形例］
図４を引用して説明する。
ここでは画素電極１５の２辺に第１方向配向膜４０Ｘ、第２方向配向膜４０Ｙを配置した例について説明したが、これは、どちらか片方のみを配置しても良い。この場合、製造工程を短縮することができるため、製造に掛る時間とコストを圧縮することが可能となる。
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…基板本体、１１…ゲート絶縁膜、１２…層間絶縁膜、１５…画素電極、１５ａ…画素電極、１５ｂ…画素電極、１５ｃ…画素電極、１６…コンタクトホール、１８…配向膜、２０…対向基板、２３…共通電極、２９…配向膜、３０…ＴＦＴ、３０…薄膜トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｄ…ドレイン電極、３０ｅ…拡張部、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…ソース電極、３６…保持容量、４０Ｘ…第１方向配向膜、４０Ｘａ…露出領域、４０Ｙ…第２方向配向膜、４０Ｙａ…露出領域、４２…垂直配向膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…見切り部、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…端子部、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部、１１０…偏光板、１１１…偏光板、１１５…液晶分子、１１７…低輝度領域、２３０…携帯電話、２３１…アンテナ部、２３２…音声出力部、２３３…音声入力部、２３４…操作部、２４０…ビデオカメラ、２４０Ｙ…受像部、２４２…操作部、２４３…音声入力部、２５０…コンピューター、２５１…カメラ部、２５２…操作部、２６０…ヘッドマウントディスプレイ、２６１…バンド、２６２…光学系収納部、２７０…プロジェクター、２７１…筐体、２７２…光源、２７３…合成光学系、２７４…ミラー、２７５…ミラー、２７６…スクリーン、２８０…プロジェクター、２８１…光学系、２８２…筐体、２８３…スクリーン、Ｇ１…画素。

Claims (7)

  1. 基板と、誘電率異方性が負の液晶層と、を備えた液晶装置であって、
    前記基板は、
    第１画素電極と、
    前記第１画素電極と第１方向において隣り合う第２画素電極と、
    前記第１画素電極と前記第１方向に交差する第２方向において隣り合う第３画素電極と、
    前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の第１隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記第２方向に沿って配向させる第１配向膜と、
    前記第１画素電極と前記第３画素電極との間の第２隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記第１方向に沿って配向させる第２配向膜と、
    前記画素電極を覆うと共に前記第１隙間及び前記第２隙間に設けられ、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って配向させる第３配向膜と、を備え、
    前記第１隙間において、前記第１配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを備えると共に、前記第２隙間において、前記第２配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを備える
    ことを特徴とする液晶装置。
  2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
    前記第１配向膜は、前記第２方向からの斜方物理蒸着法を用いた第１無機配向膜であり、
    前記第２配向膜は、前記第１方向からの斜方物理蒸着法を用いた第２無機配向膜であり、
    前記第３配向膜は、前記第１方向及び前記第２方向と交差する方向からの斜方物理蒸着法を用いた第３無機配向膜であることを特徴とする液晶装置。
  3. 請求項１または２に記載の液晶装置であって、
    前記第３配向膜は、前記画素電極上において、前記第１配向膜及び第２配向膜を覆って設けられていることを特徴とする液晶装置。
  4. 第１画素電極と、前記第１画素電極と第１方向において隣り合う第２画素電極と、前記第１画素電極と前記第１方向に交差する第２方向において隣り合う第３画素電極とが配置された基板と、誘電率異方性が負の液晶層とを備えた液晶装置の製造方法であって、
    前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の第１隙間に、前記液晶層中の液晶分子を前記第２方向に沿って配向させる第１配向膜を形成する工程と、
    前記第１画素電極と前記第３画素電極との間の第２隙間に、前記液晶層中の液晶分子を前記第１方向に沿って配向させる第２配向膜を形成する工程と、 前記第１隙間と前記第２隙間及び前記画素電極上に前記液晶分子を前記基板の法線に沿って配向させる第３配向膜を形成する工程と、を備え、
    前記第１隙間において、前記第１配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを備えると共に、前記第２隙間において、前記第２配向膜が前記液晶と接する部分と前記第３配向膜が前記液晶と接する部分とを形成する
    ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  5. 請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１配向膜は、前記第２方向からの斜方物理蒸着法を用いて形成され、
    前記第２配向膜は、前記第１方向からの斜方物理蒸着法を用いて形成され、
    前記第３配向膜は、前記第１方向及び前記第２方向と交差する方向からの斜方物理蒸着法を用いて形成されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  6. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置を含むことを特徴とする電子機器。
  7. 請求項４または５に記載の液晶装置の製造方法を用いて形成された液晶装置を含むことを特徴とする電子機器。
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